專利名稱：均勻發(fā)光led的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種均勻發(fā)光LED。
技術(shù)背景 為了提高LED芯片的出光效率，人們想了許多辦法。如，當(dāng)前市場上出現(xiàn)了許多亮度較高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作為P型電極芯片的亮度要比采用通用電極的芯片高20% — 30%。在眾多可作為透明電極(TCL)的材料中，ITOdndium Tin Oxide氧化銦錫)是被最廣泛應(yīng)用的一種，ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，通常有兩個性能指標(biāo)電阻率和透光率，由于ITO可同時具有低電阻率及高光穿透率的特性，符合了導(dǎo)電性及透光性良好的要求。與其它透明的半導(dǎo)體導(dǎo)電薄膜相比，ITO具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。對襯底具有良好的附著性和圖形加工特性。ITO為一種N型氧化物半導(dǎo)體，作為納米銦錫金屬氧化物，具有很好的導(dǎo)電性和透明性，可以切斷對人體有害的電子輻射，紫外線及遠紅外線?，F(xiàn)有技術(shù)中的LED芯片，首先是在外延片上沉積一層CBL,然后再沉積一層ITO作發(fā)光層。這樣做可以減少電極下的電流密度，但不能保證電極外，尤其是遠離電極處的電流的均勻性，造成的結(jié)果是LED芯片發(fā)光的不均勻。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中LED芯片發(fā)光不均勻的技術(shù)問題，提供一種在發(fā)光面積內(nèi)均勻出光的LED芯片。為了達到上述技術(shù)目的，本發(fā)明提供了一種均勻發(fā)光LED，它包括位于底層的基底、位于所述的基底上方的CBL層、覆蓋于所述的基底與CBL層上的ITO層、以及位于所述的ITO層上的金屬電極，所述的CBL層與金屬電極在垂直方向上相對應(yīng)，所述的ITO層的厚度從中心向外側(cè)逐漸增高。優(yōu)選地，所述的ITO層的厚度從中心向外側(cè)呈階梯狀逐漸增高。優(yōu)選地，所述的基底為P-GaN層。由于采用上述技術(shù)方案，通過制作呈現(xiàn)梯度分布的ITO擴展層，從而使電流在整個TCL層上得到更好的擴展，使得LED芯片在發(fā)光面積內(nèi)均勻出光。

附圖I為根據(jù)本發(fā)明的均勻發(fā)光LED的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為根據(jù)本發(fā)明的均勻發(fā)光LED的生產(chǎn)加工流程示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。[0012]附圖I為根據(jù)本發(fā)明的均勻發(fā)光LED的結(jié)構(gòu)示意圖，附圖2為根據(jù)本發(fā)明的均勻發(fā)光LED的生產(chǎn)加工流程示意圖。如附圖I所示，本實施例中的均勻發(fā)光LED，它包括位于底層的基底、位于基底上方的CBL層、覆蓋于基底與CBL層上的ITO層、以及位于ITO層上的金屬電極，CBL層與金屬電極在垂直方向上相對應(yīng)，ITO層的厚度從中心向外側(cè)逐漸增高，其中，基底為P-GaN層。ITO導(dǎo)電膜是指采用磁控濺射的方法(IT0薄膜的制備方法有蒸發(fā)、濺射、反應(yīng)離子鍍、化學(xué)氣相沉積、熱解噴涂等，但使用最多的是反應(yīng)磁控濺射法)，在透明有機薄膜材料上濺射透明氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電薄膜鍍層并經(jīng)高溫退火處理得到的高技術(shù)產(chǎn)品。ITO膜層的厚度不同，膜的導(dǎo)電性能和透光性能也不同。一般來說，在相同的工藝條件和性能相同的PET基底材料的情況下，ITO膜層越厚，PET-ITO膜的表面電阻越小，光透過率也相應(yīng)的越 小。需要指出的是，本發(fā)明中的ITO層的厚度從中心向外側(cè)逐漸增高的方式可以是線性的或者非線性的，但是由于工藝、成本等限制，ITO層的厚度從中心向外側(cè)呈階梯狀逐漸增高方式為較佳的方式。參見附圖2所示，首先在P-GaN基層上沉積CBL層，之后再沉積ITO層，通過多步鍍膜與光刻的方式來達到制造階梯的形貌(本實施例中以兩步為例)，從而形成靠近電極處的ITO薄，然后隨著離電極處的距離越遠，ITO厚度越厚。這樣，通過改變ITO層的厚度來調(diào)節(jié)發(fā)光層的電阻，使電流的流通擴展性變強，從而實現(xiàn)本發(fā)明的目的。以上實施方式只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人了解本發(fā)明的內(nèi)容并加以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍，凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所做的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種均勻發(fā)光LED,它包括位于底層的基底、位于所述的基底上方的CBL層、覆蓋于所述的基底與CBL層上的ITO層、以及位于所述的ITO層上的金屬電極，所述的CBL層與金屬電極在垂直方向上相對應(yīng)，其特征在于所述的ITO層的厚度從中心向外側(cè)逐漸增高。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的均勻發(fā)光LED，其特征在于所述的ITO層的厚度從中心向外側(cè)呈階梯狀逐漸增高。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的均勻發(fā)光LED，其特征在于所述的基底為P-GaN層。
專利摘要本實用新型涉及一種均勻發(fā)光LED，它包括位于底層的基底、位于所述的基底上方的CBL層、覆蓋于所述的基底與CBL層上的ITO層、以及位于所述的ITO層上的金屬電極，所述的CBL層與金屬電極在垂直方向上相對應(yīng)，所述的ITO層的厚度從中心向外側(cè)逐漸增高。本實用新型的目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中LED芯片發(fā)光不均勻的技術(shù)問題，提供一種在發(fā)光面積內(nèi)均勻出光的LED芯片。
文檔編號H01L33/38GK202384389SQ201120572070
公開日2012年8月15日 申請日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者魏臻 申請人:聚燦光電科技(蘇州)有限公司