一種亮度均勻的發(fā)光照明屏及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光照明技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種改善發(fā)光均勻性的照明屏體及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED,0rgan ic Light-Emitt ing D1de)中,有機(jī)發(fā)光層和電極在潮濕和氧氣的環(huán)境中,由于水氧作用會引起陰極脫落,而且有機(jī)材料變質(zhì),從而影響有機(jī)發(fā)光器件的使用壽命。為解決該問題,通常采用玻璃蓋封裝或薄膜封裝等方式來保護(hù)有機(jī)發(fā)光層。
[0003]現(xiàn)有有機(jī)發(fā)光器件中,ITO電極具有好的透光率,且工藝成熟,而廣泛應(yīng)用,然而隨著OLED發(fā)光面積增大,I TO電極的方塊電阻急劇增加,導(dǎo)致大面積OLED照明屏體的發(fā)光均勻性變差。為了盡可能地減小I TO電極的電阻,會在作為主電極引線的全部或部分I TO上覆蓋輔助電極引線,通常選擇鉬鋁鉬(Mo/A 1/Mo)金屬引線。然而,由于Mo/Al/Mo層不透光,當(dāng)從透明導(dǎo)電基板面(即遠(yuǎn)離封裝的一側(cè))進(jìn)行紫外光照射時(shí),UV膠部分被Mo/Al/Mo層擋住而不能被照射,無法固化,影響封裝效果?,F(xiàn)有的方法是從正反面分別照射,以使密封膠充分固化,增加了工藝難度。
[0004]CN100530277C中公開OLED顯示屏體線電阻被降低且玻璃襯底和封蓋之間的粘合度被增強(qiáng)的方法,其反電極和密封劑之間的交叉點(diǎn)形成格狀且反電極被形成為多邊形、十字形或圓形中的一種或至少兩種的組合形式。但是在顯示用OLED面板中,電極引線的寬度一般在μπι量級,電極之間的縫隙也在μηι量級,當(dāng)反電極刻蝕成格狀時(shí),易造成電極縫隙刻蝕不凈,產(chǎn)生列連,大大降低產(chǎn)品的良率。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有照明屏體發(fā)光不均勻的問題,從而提供一種亮度均勻的發(fā)光照明屏體,該亮度均勻的發(fā)光照明屏體通過在引線區(qū)域設(shè)置金屬輔助引線和若干凹陷部,光線穿過凹陷部的底部使填充在凹陷部內(nèi)的光固化密封介質(zhì)固化,從而使所述封裝蓋板與引線區(qū)域?qū)崿F(xiàn)密封連接,同時(shí)輔助電極引線可以有效解決由于第一透明電極層(陽極)的電阻使屏體亮度降低的問題,從而獲得亮度均勻的發(fā)光照明屏體。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0007]—種亮度均勻的發(fā)光照明屏體,包括透明導(dǎo)電基板和封裝蓋板域,所述透明導(dǎo)電基板包括發(fā)光區(qū)域和封裝區(qū)域,所述的封裝區(qū)域設(shè)有引線區(qū)域,所述透明導(dǎo)電基板和封裝蓋板之間通過光固化密封介質(zhì)實(shí)現(xiàn)連接,所述光固化密封介質(zhì)的一端與透明導(dǎo)電基板的封裝區(qū)域連接,另一端與所述封裝蓋板連接,所述引線區(qū)域內(nèi)具有透明底部的凹陷部,部分所述光固化密封介質(zhì)填充在所述的凹陷部內(nèi),所述光固化密封介質(zhì)在光線照射下固化實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電基板與所述封裝蓋板之間的連接。
[0008]所述透明導(dǎo)電基板包括基板和設(shè)置在所述基板域上的第一透明電極層,所述透明導(dǎo)電基板的封裝區(qū)域設(shè)置有輔助電極層,所述的凹陷部在垂直于透明導(dǎo)電基板的方向貫穿所述輔助電極層,使所述第一透明電極層裸露。
[0009]透明導(dǎo)電基板的封裝區(qū)域還設(shè)置有金屬輔助引線,所述凹陷部設(shè)置在所述金屬輔助引線和發(fā)光區(qū)域之間,所述凹陷部與所述金屬輔助引線之間的輔助電極層的寬度為0.2-1.5_,所述凹陷部與所述發(fā)光區(qū)域之間的輔助電極層的寬度為0.2-1.5_。
[0010]所述凹陷部的橫截面積為封裝區(qū)域橫截面積的30%-90%,所述凹陷部的寬度為
0.5-1.5mm,相鄰所述凹陷部之間的間距為l-2mm。所述封裝區(qū)域的寬度為2-3mm,金屬輔助引線的寬度為l_2mm。
[0011]所述凹陷部的橫截面為圓形、長方形、曲線和/或直線圍成的封閉圖形中的一種或其中幾種的組合。
[0012]所述的引線區(qū)域與所述發(fā)光區(qū)域之間設(shè)置有絕緣膜層,所述的引線區(qū)域的橫截面積小于所述封裝區(qū)域的橫截面積。
[0013]所述的發(fā)光區(qū)域堆疊設(shè)置有有機(jī)發(fā)光層和第二電極層。
[0014]—種所亮度均勻的發(fā)光照明屏體的制備方法,其特征在于,包括下述步驟:
[0015]S1、在透明導(dǎo)電基板的引線區(qū)域沉積輔助電極層,刻蝕所述金屬層形成金屬輔助引線域和凹陷部域,所述凹陷部域位于輔助電極引線和發(fā)光區(qū)域之間,所述凹陷部貫穿所述輔助電極層使所述第一透明電極層裸露;在所述的引線區(qū)域靠近所述發(fā)光區(qū)域的一側(cè)制備絕緣膜層域;
[0016]S2、在透明導(dǎo)電基板上的發(fā)光區(qū)域上蒸鍍有機(jī)發(fā)光層和陰極層;
[0017]S3、在封裝蓋板與所述封裝區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域涂覆光固化密封介質(zhì),將封裝蓋板與透明導(dǎo)電基板的對位壓合使二者密封連接,部分所述的光固化密封介質(zhì)填充在所述的凹陷部內(nèi);
[0018]S4、通過紫外光照射使使光固化密封介質(zhì)固化,從而使所述封裝蓋板與封裝區(qū)域?qū)崿F(xiàn)密封連接。
[0019]所述步驟S4中紫外光垂直照射所述導(dǎo)電基板的封裝區(qū)域使光固化密封介質(zhì)固化。
[0020]本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0021]本發(fā)明的亮度均勻的發(fā)光照明屏體,通過在引線區(qū)域設(shè)置具有透明底部的凹陷部,部分所述光固化密封介質(zhì)填充在所述的凹陷部內(nèi),位于透明導(dǎo)電基板和封裝蓋板之間的光固化密封介質(zhì)以及填充在所述凹陷部內(nèi)的光固化密封介質(zhì)在光線照射下固化實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電基板與所述封裝蓋板之間的連接。由于凹陷部的底部為第一透明電極層,從透明導(dǎo)電基板的外側(cè)進(jìn)行照射時(shí),光線能夠穿過所述透明導(dǎo)電基板使使填充在凹陷部內(nèi)的光固化密封介質(zhì)固化,同時(shí)使所述透明導(dǎo)電基板和封裝蓋板之間的光固化密封介質(zhì)固化,從而使所述封裝蓋板與封裝區(qū)域?qū)崿F(xiàn)密封連接,因此只需要單面照射即可使光固化密封介質(zhì)固化,工藝簡單可靠。
[0022]本發(fā)明的亮度均勻的發(fā)光照明屏體的透明導(dǎo)電基板的引線區(qū)域設(shè)置有輔助電極層,所述輔助電極層經(jīng)刻蝕形成輔助電極引線和凹陷部,所述凹陷部位于輔助電極引線和發(fā)光區(qū)域之間,輔助電極引線可以有效解決由于第一透明電極層(陽極)的電阻使屏體亮度降低的問題,從而獲得亮度均勻的發(fā)光照明屏體。
[0023]由于在輔助電極區(qū)域設(shè)置多個(gè)凹陷槽,在導(dǎo)電基板和密封基板壓合過程中,凹陷槽可以防止光固化密封介質(zhì)向發(fā)光區(qū)域擴(kuò)散,有效避免光固化密封介質(zhì)對OLED器件的侵蝕。
【附圖說明】
[0024]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解,下面結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中,
[0025]圖1為本發(fā)明亮度均勻的發(fā)光照明屏示意圖;
[0026]圖2為本發(fā)明透明導(dǎo)電基板俯視圖;
[0027]圖3為本發(fā)明第一應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0028]圖4為本發(fā)明第二應(yīng)用例的的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0029]圖中附圖標(biāo)記表示為:
[0030]100-透明導(dǎo)電基板,101-發(fā)光區(qū)域,102-封裝區(qū)域,103-凹陷部,104-正極引線,105-負(fù)極引線,106-金屬輔助引線,107封裝蓋板,108-光固化密封介質(zhì),109-第一透明電極層,110-引線區(qū)域,111-絕緣膜層。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0032]本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施,而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反,提供這些實(shí)施例,使得本公開將是徹底和完整的,并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員,本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中,為了清晰起見,會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是,當(dāng)元件例如層、區(qū)域或透明導(dǎo)電基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時(shí),該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上,或者也可以存在中間元件。相反,當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時(shí),不存在中間元件。
[0033]如圖1和圖2所示,本發(fā)明的一種亮度均勻的發(fā)光照明屏體,包括透明導(dǎo)電基板和封裝蓋板107,所述的封裝區(qū)域102設(shè)有引線區(qū)域110,所述透明導(dǎo)電基板包括發(fā)光區(qū)域101和封裝區(qū)域102,所述透明導(dǎo)電基板和封裝蓋板107之間通過光固化密封介質(zhì)108實(shí)現(xiàn)連接,所述光固化密封介質(zhì)108的一端與透明導(dǎo)電基板的封裝區(qū)域102連接,另一端與所述封裝蓋板連接,所述引線區(qū)域110設(shè)有具有透明底部的凹陷部103,部分所述光固化密封介質(zhì)填充在所述的凹陷部103內(nèi),所述光固化密封介質(zhì)在光線照射下固化實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電基板與所述封裝蓋板之間的連接。
[0034]所述透明導(dǎo)電基板包括基板100和設(shè)置在所述基板100上的第一透明電極層109(陽極),所述透明導(dǎo)電基板的封裝區(qū)域102設(shè)置有輔助電極層,所述的凹陷部103在垂直于透明導(dǎo)電基板的方向貫穿所述輔助電極層使所述第一透明電極層109裸露。所示第一透明電極層109同正極引線104和負(fù)極引線105與外界電壓電氣連接。
[0035]透明導(dǎo)電基板的封裝區(qū)域102還設(shè)置有金屬輔助引線106,所述凹陷部103設(shè)置在所述金屬輔助引線106和發(fā)光區(qū)域101之間,所述凹陷部103與所述金屬輔助引線106之間的輔助電極層的寬度為0.2-1.5_,所述凹陷部103與所述發(fā)光區(qū)域101之間的輔助電極層的寬度為 0.2-1.5mm。
[0036]所述凹陷部103的橫截面積為封裝區(qū)域102橫截面積的30%_90%。
[0037]所述凹陷部103的寬度為0.5-1.5mm。相鄰所述凹陷部103之間的間距為l-2mm。所述封裝區(qū)域102的寬度為2-3mm,金屬輔助引線106的寬度為l-2mm。所述凹陷部103的橫截面為圓形、長方形、曲線和/或直線圍成的封閉圖形中的一種或其中幾種的組合。
[0038]所述的引線區(qū)域110與所述發(fā)光區(qū)域101之間設(shè)置有絕緣膜層111,所述的引線區(qū)域110的橫截面積小于所述封裝區(qū)域102的橫截面積。
[0039]所述