本實用新型涉及顯示設(shè)備制造領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜板。

背景技術(shù)：

目前OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)采用真空蒸鍍技術(shù)制備有機發(fā)光層。在器件制備過程中，有機材料通過高溫蒸鍍淀積在位于蒸發(fā)源上方的玻璃基板上，為使有機材料按照設(shè)計蒸鍍到特定的位置上，在玻璃基板下方需使用高精度金屬掩膜板(以下簡稱掩膜板)，掩膜板上留有預(yù)先設(shè)計好的有效開口區(qū)域，通過該有效開口區(qū)域，有機材料沉積到背板上面，形成預(yù)設(shè)圖形。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在玻璃基板與掩膜板貼合蒸鍍有機材料的過程中，由于掩膜板框架內(nèi)邊緣的支撐作用，玻璃基板會產(chǎn)生“碟狀”的下垂量，這樣會導(dǎo)致玻璃基板與掩膜板的結(jié)合狀態(tài)不統(tǒng)一(即各處間距不一致)，有機材料蒸鍍不均勻，產(chǎn)生四邊區(qū)域和中間區(qū)域的區(qū)分，進而影響最終產(chǎn)品的顯示效果。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型提供一種掩膜板，可解決由于玻璃基板與掩膜板的結(jié)合狀態(tài)不統(tǒng)一導(dǎo)致的顯示不良問題。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案：

本實用新型的實施例提供一種掩膜板，包括：框架和包含有效開口的掩膜條，所述掩膜條設(shè)置于所述框架上；所述框架包括：與所述掩膜條平行的第一邊框，與所述掩膜條垂直的第二邊框，所述第一邊框上用于設(shè)置基板的表面為下凹的曲面，或者，所述第一邊框上用于設(shè)置基板的表面直接挖空，使基板置于所述框架上時所述第一邊框不與所述基板接觸，只有所述第二邊框支撐所述基板。

優(yōu)選地，所述曲面下凹的最低點深度與下述數(shù)值一致：所述基板以四邊支撐的方式置于掩膜板的框架上時，所述基板中心點的下垂量。

優(yōu)選地，所述曲面沿與所述掩膜條平行方向上的下凹弧度與下述曲線一致：所述基板以四邊支撐的方式置于掩膜板的框架上時，所述基板的中線下垂形成的曲線；其中，所述基板的中線過所述第二邊框的中點且與所述第一邊框平行。

可選地，所述第一邊框的表面挖空的深度為1.4～2.0毫米。

優(yōu)選地，所述第一邊框的表面挖空的深度為1.5毫米。

可選地，所述掩膜板為OLED制程中的蒸鍍有機材料工序中使用的精細(xì)金屬掩膜板。

可選地，所述掩膜板的材質(zhì)為鎳鐵合金，鎳鈷合金或者不銹鋼。

優(yōu)選地，所述框架一體成型。

掩膜板包括框架和包含有效開口的掩膜條，定義框架上與掩膜條平行的邊框為第一邊框，與掩膜條垂直的邊框為第二邊框，本實用新型提供的掩膜板，對掩膜板框架的第一邊框進行了改進，將第一邊框上用于設(shè)置基板的那一側(cè)表面通過打磨等方式設(shè)計為下凹的曲面，為基板(例如玻璃基板Glass)下垂預(yù)留空間，或者將第一邊框表面直接挖空，使基板置于框架上時第一邊框不與基板接觸，基板在只有第二邊框(與掩膜條垂直的邊框)提供的兩端支撐下自然下垂，在與掩膜條平行方向上，基板自然下垂呈現(xiàn)自然的拋物線形態(tài)，這與掩膜條兩端支撐產(chǎn)生的下垂趨勢一致，這樣當(dāng)基板置于掩膜板上并與掩膜板貼合后，二者可以達到貼合良好和間距統(tǒng)一的狀態(tài)，彌補基板下垂量較大的缺陷，解決由于基板與掩膜板的結(jié)合狀態(tài)不統(tǒng)一導(dǎo)致的顯示不良問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1為現(xiàn)有掩膜板邊框的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有掩膜板下垂量的變化趨勢圖；

圖3為本實用新型實施例提供的掩膜板的示意圖；

圖4為圖3沿A-A’的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實用新型實施例中掩膜板上掩膜條的設(shè)置示意圖；

圖6為圖5所示掩膜條的下垂量變化趨勢圖；

圖7為本實用新型實施例中基板置于掩膜板后第一邊框的截面結(jié)構(gòu)圖；

圖8為本實用新型實施例中掩膜條和基板的下垂量變化趨勢圖；

圖9為本實用新型實施例中掩膜板的中線示意圖；

圖10為本實用新型實施例提供的另一掩膜板第一邊框的截面示意圖。

附圖標(biāo)記

1-掩膜板，2-基板，10-框架，11-第一邊框，12-第二邊框，

111-第一邊框上用于設(shè)置基板的表面，20-掩膜條。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。

實施例

發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)：現(xiàn)有技術(shù)中，掩膜板上包含有效開口的掩膜條20采用如圖5所示的兩端固定方式，掩膜條20由于重力而產(chǎn)生的下垂量變化趨勢如圖6所示，與掩膜條20垂直方向上各點的下垂量相等，沿掩膜條20長度方向上自兩側(cè)邊緣到中心各點的下垂量自小而大變化?；?例如玻璃基板)比掩膜板框架內(nèi)邊緣大，基板置于掩膜板并與掩膜板貼合蒸鍍有機材料時，由于掩膜板框架內(nèi)邊緣的四邊支撐作用，基板會產(chǎn)生如圖2所示的“碟狀”的下垂量，各點的下垂量自邊緣到中心從小到大變化，下垂量最大的點位于基板的中心，這與掩膜條20兩端固定方式下產(chǎn)生的下垂量變化趨勢存在不同，導(dǎo)致基板與掩膜板的結(jié)合狀態(tài)不統(tǒng)一，有機材料蒸鍍不均勻，產(chǎn)生四邊區(qū)域和中間區(qū)域的區(qū)分，進而影響最終產(chǎn)品的顯示效果。

基于上述認(rèn)識，本實用新型的實施例提供一種改進后的掩膜板，如圖3和圖4所示，該掩膜板包括：框架10和包含有效開口的掩膜條(圖中未示出)，掩膜條設(shè)置于框架10上；框架10包括：與掩膜條平行的第一邊框11(圖中的上、下邊框)，與掩膜條垂直的第二邊框12(圖中的左、右邊框)，第一邊框11上用于設(shè)置基板的表面111為下凹的曲面。

如圖1所示，現(xiàn)有掩膜板的邊框用于其用于設(shè)置基板的表面是平的，基板置于掩膜板上時是四邊支撐。本實施例提供一種改進后的掩膜板，將掩膜板框架的第一邊框11(與掩膜條平行的邊框)的上表面111設(shè)計成下凹的曲面，第二邊框12不做改動，這樣基板2置于掩膜板1上后變?yōu)橹挥械诙吙?2提供兩邊支撐，第一邊框11的下凹曲面為基板的下垂量提供容納空間，基板2與掩膜板1上的掩膜條20的一樣，均是兩端支撐，下垂量變化趨勢一致，均是沿第二邊框12平行的方向下垂量相等，沿第一邊框11平行的方向下垂量自兩側(cè)邊緣到中心是自小而大變化。基板2與包含有效開口的掩膜條20下垂量變化趨勢一致，這樣基板2置于掩膜板1上后，基板2與掩膜板1能很好的貼合，基板2上形成的圖形可以與掩膜板1上的有效開口最大程度保證一致。本實施例的掩膜板1用于OLED蒸鍍有機材料時，玻璃基板與掩膜板的結(jié)合狀態(tài)統(tǒng)一性高，可以盡量保證四邊區(qū)域和中間區(qū)域圖形一致，解決由玻璃基板與掩膜板的結(jié)合狀態(tài)不統(tǒng)一導(dǎo)致的顯示不良問題。

其中，圖5為掩膜板上掩膜條的設(shè)置示意圖；圖6中利用虛線A示出掩膜條下垂量的變化趨勢模擬圖；圖8為基板置于掩膜板上時，第一邊框沿A-A’方向的截面示意圖，圖8中利用虛線A示出掩膜條下垂量的變化趨勢，利用虛線B示出基板置于掩膜板上后，基板的下垂量的變化趨勢，可以看出掩膜板和基板的下垂量變化趨勢一致，貼合度比較好。

具體實施時，第一邊框11上用于設(shè)置基板的表面111為下凹曲面，下凹曲面的具體弧度可以通過以下實驗方式確定：將基板以四邊支撐的方式置于掩膜板上時，測出基板中心點的下垂量，具體實施時，一般通過將基板置于現(xiàn)有掩膜板上，掩膜板四邊支撐測基板，測出基板中心點的下垂量，當(dāng)然本步驟也可以通過計算機模擬試驗得出；通過拋物線函數(shù)模擬下凹曲面的弧度變化，即下凹曲面沿第一邊框11方向的截面為一曲線(該曲線反映沿第一邊框11方向上基板的下垂量變化情況)，通過拋物線函數(shù)模擬該曲線；下凹曲面的最低點(對應(yīng)拋物線上的一個坐標(biāo)點)設(shè)定為基板中心點的下垂量，得出拋物線函數(shù)的具體表達式，由此獲得下凹曲面的具體弧度設(shè)計。

或者如圖9所示，通過下述方式獲得：將基板以四邊支撐的方式置于掩膜板上時，測出基板的中線BB’下垂形成的曲線，當(dāng)然本步驟也可以通過計算機模擬試驗得出；其中，基板的中線BB’過第二邊框12的中點且與第一邊框11平行。

具體制備時，第一邊框11上的下凹曲面可以通過打磨方式獲得，也可以直接一體成型方式制成，即通過注塑等方式直接形成第一邊框11上表面(用于設(shè)置基板的表面)為下凹曲面的框架。

本實施例所述掩膜板以O(shè)LED制程的蒸鍍有機材料工序中使用的精細(xì)金屬掩膜板為例，所述掩膜板的材質(zhì)為鎳鐵合金，鎳鈷合金或者不銹鋼等，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本實用新型的應(yīng)用并不限于此。

本實施例提供的掩膜板，將第一邊框用于設(shè)置基板的表面設(shè)計成下凹曲面，基板與掩膜板貼合后，中間整體區(qū)域呈現(xiàn)自然的拋物線形態(tài)，進而達到基板與掩膜板貼合良好和統(tǒng)一的狀態(tài)，避免了基板形成“碟狀”形態(tài)的下垂量與掩膜板貼合不統(tǒng)一的狀態(tài)，進而產(chǎn)生邊緣與中間不統(tǒng)一的不良。

如圖10所示，本實用新型實施例還提供另一掩膜板，與圖3和圖4中所提供的掩膜板的不同之處在于，第一邊框11上用于設(shè)置基板2的表面111直接挖空，使基板2置于框架上時第一邊框11的表面111不與基板接觸，只有第二邊框支撐基板2。

本實施例提供的掩膜板，將第一邊框11上用于設(shè)置基板2的表面111直接挖空，即可以不進行基板下垂量的獲取，只要把下凹曲面的深度加深，使基板2置于框架上時第一邊框11的表面111不與基板接觸，只有第二邊框支撐基板2即可。本實施例掩膜板的第一邊框11表面111挖空的深度為1.4～2.0毫米，優(yōu)選1.5mm左右，就可以很好地實現(xiàn)兩邊支撐的效果，達到基板與掩膜板貼合良好的狀態(tài)。

以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。