本實(shí)用新型涉及太陽能光伏技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于板式PECVD的石墨框及承載裝置。

背景技術(shù)：

太陽能電池的制備過程中，一般需要對硅片發(fā)射結(jié)面進(jìn)行鍍減反射膜的步驟，氮化硅薄膜作為晶體硅太陽能電池的光學(xué)減反射膜，同時(shí)也起到表面鈍化和體內(nèi)鈍化的作用，以提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率?，F(xiàn)有技術(shù)中，制備氮化硅薄膜一般采用的是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，在采用PECVD設(shè)備制備氮化硅薄膜的過程中，需要使用一種承載硅片的承載裝置，而該承載裝置一般包括多個(gè)陣列排布的石墨框。傳統(tǒng)的石墨框，如圖1、2所示，其包括內(nèi)部中空且呈方形的石墨邊框1，所述石墨邊框1的內(nèi)側(cè)在其中一對相對的內(nèi)側(cè)壁分別間隔設(shè)置有兩個(gè)掛鉤3，硅片2則通過兩側(cè)的四個(gè)掛鉤3進(jìn)行支撐，這時(shí)，硅片2的側(cè)邊與石墨邊框1的內(nèi)側(cè)壁之間具有較大的間隙4，因而板式PECVD鍍膜后會(huì)出現(xiàn)背面繞射的情況，這會(huì)造成背面鋁漿脫落，從而造成嚴(yán)重的品質(zhì)問題；另外由于背面繞射的SiNx膜含有大量雜質(zhì)，會(huì)造成電池片漏電，影響電池片性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提出一種適用于板式PECVD的石墨框及承載裝置，能夠有效減少繞射，降低因繞射造成的背電場脫落以及漏電現(xiàn)象。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一方面，本實(shí)用新型提供一種適用于板式PECVD的石墨框，包括內(nèi)部中空且呈方形的石墨邊框，

所述石墨邊框的至少一對相對的邊框的內(nèi)側(cè)中部均設(shè)置有掛鉤，

所述石墨邊框的四個(gè)邊框內(nèi)側(cè)均沿對應(yīng)邊框的長度方向均設(shè)置有石墨擋板，所述石墨擋板的底端向所述石墨邊框的內(nèi)部傾斜設(shè)置；

多個(gè)所述石墨擋板在所述石墨邊框的內(nèi)側(cè)圍成上大下小的錐形結(jié)構(gòu)，該錐形結(jié)構(gòu)的底面開口略大于硅片的尺寸；

承載硅片時(shí)，所述硅片的至少一對相對的側(cè)邊分別掛設(shè)在對應(yīng)側(cè)的所述掛鉤上，且所述錐形結(jié)構(gòu)位于所述硅片的上方。

其中，所述石墨邊框的兩對相對的邊框的內(nèi)側(cè)中部均設(shè)置有所述掛鉤，承載硅片時(shí)，所述硅片的兩對相對的側(cè)邊分別掛設(shè)在對應(yīng)側(cè)的所述掛鉤上。

其中，所述石墨擋板的厚度為1～3mm。

其中，所述石墨擋板與對應(yīng)側(cè)的所述邊框的內(nèi)側(cè)之間的夾角為21.8°～24.25°。

其中，所述石墨擋板與對應(yīng)側(cè)的所述邊框的內(nèi)側(cè)之間的夾角為22.5°。

其中，所述錐形結(jié)構(gòu)的底面至所述掛鉤的掛鉤部的頂端的垂直距離為0.2～0.4mm。

其中，所述錐形結(jié)構(gòu)的底面為正方形。

其中，所述錐形結(jié)構(gòu)的底面的邊長為156.2～156.4mm。

另一方面，本實(shí)用新型還提供一種適用于板式PECVD的承載裝置，包括陣列排布的多個(gè)所述石墨框。

其中，相鄰兩個(gè)所述石墨框中，背對背的兩個(gè)所述邊框的所述掛鉤背對背設(shè)置，背對背設(shè)置的兩個(gè)所述掛鉤通過掛鉤連接桿連接形成一體式掛鉤結(jié)構(gòu)，背對背的兩個(gè)所述邊框的頂部設(shè)置有一掛鉤固定夾，所述一體式掛鉤結(jié)構(gòu)的一個(gè)所述掛鉤的頂端與所述掛鉤固定夾的一端連接，所述一體式掛鉤結(jié)構(gòu)的另一個(gè)所述掛鉤的頂端與所述掛鉤固定夾的另一端連接。

本實(shí)用新型的有益效果為：

本實(shí)用新型的石墨框和承載裝置，通過在石墨邊框的內(nèi)部設(shè)置石墨擋板，而石墨擋板形成上大下小的一體式的錐形結(jié)構(gòu)，使得錐形結(jié)構(gòu)與石墨邊框無縫結(jié)合，且錐形結(jié)構(gòu)的底面開口小于硅片的尺寸；進(jìn)一步地，通過在石墨邊框的至少一對相對的邊框的內(nèi)側(cè)中部均設(shè)置掛鉤，因而在承載硅片時(shí)，所述硅片的至少一對相對的側(cè)邊分別掛設(shè)在對應(yīng)側(cè)的所述掛鉤上，這就使得硅片的至少一對相對的側(cè)邊均勻受力且支撐穩(wěn)定，避免造成工藝腔內(nèi)掉片，保證鍍膜效果；而且錐形結(jié)構(gòu)位于硅片的上方，從而起到阻擋的作用，能夠有效減少繞射，降低因繞射造成的背電場脫落以及漏電現(xiàn)象。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的石墨框的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1中的石墨框的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實(shí)用新型的石墨框的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是圖3中的石墨邊框的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是圖3中的石墨框的前視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是圖3中的石墨框的左視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7是圖3中的石墨邊框的后側(cè)的邊框與掛鉤、石墨擋板連接后的前視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖8是本實(shí)用新型的承載裝置的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。

圖9是圖8中的相鄰兩個(gè)石墨框的掛鉤和石墨擋板的安裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-石墨邊框；2-硅片；3-掛鉤；4-間隙；5-石墨擋板；6-掛鉤連接桿；7-掛鉤固定夾；10-石墨框。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。

如圖3至7所示，一種適用于板式PECVD的石墨框10，包括內(nèi)部中空且呈方形的石墨邊框1，所述石墨邊框1的至少一對相對的邊框的內(nèi)側(cè)中部均設(shè)置有掛鉤3，所述石墨邊框1的四個(gè)邊框內(nèi)側(cè)均沿對應(yīng)邊框的長度方向均設(shè)置有石墨擋板5，所述石墨擋板5的底端向所述石墨邊框1的內(nèi)部傾斜設(shè)置；多個(gè)所述石墨擋板5在所述石墨邊框1的內(nèi)側(cè)圍成上大下小的錐形結(jié)構(gòu)，該錐形結(jié)構(gòu)的底面開口略大于硅片的尺寸；

承載硅片2時(shí)，所述硅片2的至少一對相對的側(cè)邊分別掛設(shè)在對應(yīng)側(cè)的所述掛鉤3上，且所述錐形結(jié)構(gòu)位于所述硅片2的上方。

本實(shí)用新型的石墨框和承載裝置，通過在石墨邊框1的內(nèi)部設(shè)置石墨擋板5，而石墨擋板5形成上大下小的一體式的錐形結(jié)構(gòu)，使得錐形結(jié)構(gòu)與石墨邊框1無縫結(jié)合，且錐形結(jié)構(gòu)的底面開口小于硅片2的尺寸；進(jìn)一步地，通過在石墨邊框1的至少一對相對的邊框的內(nèi)側(cè)中部均設(shè)置掛鉤3，因而在承載硅片2時(shí)，所述硅片2的至少一對相對的側(cè)邊分別掛設(shè)在對應(yīng)側(cè)的所述掛鉤3上，這就使得硅片2的至少一對相對的側(cè)邊均勻受力且支撐穩(wěn)定，避免造成工藝腔內(nèi)掉片，保證鍍膜效果；而且錐形結(jié)構(gòu)位于硅片的上方，從而起到阻擋的作用，有效規(guī)避了現(xiàn)有技術(shù)中存在的間隙4的存在，因而能夠有效減少繞射，降低因繞射造成的背電場脫落以及漏電現(xiàn)象。

作為一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述石墨邊框1的其中一對相對的邊框的內(nèi)側(cè)中部均設(shè)置有掛鉤3，這時(shí)，這一對相對的邊框中的每一個(gè)邊框的內(nèi)側(cè)中部間隔設(shè)置有至少2個(gè)所述掛鉤；優(yōu)選的，每個(gè)邊框的內(nèi)側(cè)設(shè)置有2個(gè)所述掛鉤，且這兩個(gè)掛鉤3間隔設(shè)置，因而在支撐硅片時(shí)，兩個(gè)邊框的4個(gè)掛鉤3可以在硅片的兩側(cè)的四個(gè)點(diǎn)位支撐硅片，支撐穩(wěn)定。

作為另一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述石墨邊框1的兩對相對的邊框的內(nèi)側(cè)中部均設(shè)置有所述掛鉤3，承載硅片2時(shí)，所述硅片2的兩對相對的側(cè)邊分別掛設(shè)在對應(yīng)側(cè)的所述掛鉤3上。這時(shí)，兩對相對的邊框中的每一個(gè)邊框的內(nèi)側(cè)中部均設(shè)置有1個(gè)所述掛鉤，也就是說，石墨邊框1的四個(gè)邊框的內(nèi)側(cè)均設(shè)置1個(gè)掛鉤3，因而在承載硅片2時(shí)，四個(gè)邊框的4個(gè)掛鉤分別在硅片的四個(gè)側(cè)邊支撐硅片，因而即使掛鉤在使用中稍有變形，也不會(huì)因?yàn)楣杵哪承﹤?cè)邊沒有支撐而掉片，支撐更穩(wěn)定，從而保證鍍膜效果。

優(yōu)選的，所述石墨擋板5的厚度為1～3mm。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述石墨擋板5的厚度為2mm。

優(yōu)選的，所述石墨擋板5與對應(yīng)側(cè)的所述邊框的內(nèi)側(cè)之間的夾角α為21.8°～24.25°。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述石墨擋板5與對應(yīng)側(cè)的所述邊框的內(nèi)側(cè)之間的夾角α為22.5°。

優(yōu)選的，所述錐形結(jié)構(gòu)的底面至所述掛鉤3的掛鉤部的頂端的垂直距離為0.2～0.4mm。進(jìn)一步優(yōu)選的，所述錐形結(jié)構(gòu)的底面至所述掛鉤3的掛鉤部的頂端的垂直距離為0.3mm。

特別地，在本實(shí)施例中，所述錐形結(jié)構(gòu)的底面為正方形。且所述錐形結(jié)構(gòu)的底面的邊長為156.2～156.4mm，在本實(shí)施例中，對應(yīng)的硅片2的尺寸為156*156mm，錐形結(jié)構(gòu)的底面的邊長略小于硅片的尺寸，則方便硅片2放于掛鉤3上。

如圖8、9所示，一種適用于板式PECVD的承載裝置，包括陣列排布的多個(gè)所述石墨框10。其中，相鄰兩個(gè)所述石墨框10中，背對背的兩個(gè)所述邊框的所述掛鉤3背對背設(shè)置，背對背設(shè)置的兩個(gè)所述掛鉤3通過掛鉤連接桿6連接形成一體式掛鉤結(jié)構(gòu)，背對背的兩個(gè)所述邊框的頂部設(shè)置有一掛鉤固定夾7，所述一體式掛鉤結(jié)構(gòu)的一個(gè)所述掛鉤3的頂端與所述掛鉤固定夾7的一端連接，所述一體式掛鉤結(jié)構(gòu)的另一個(gè)所述掛鉤3的頂端與所述掛鉤固定夾7的另一端連接。

以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制?；诖颂幍慕忉專绢I(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它具體實(shí)施方式，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。