本實(shí)用新型涉及一種類金剛石薄膜裝置，具體地說本實(shí)用新型涉及一種沉積類金剛石薄膜裝置。

背景技術(shù)：

類金剛石薄膜（Diamond-like Carbon films， 簡稱 DLC 薄膜）是含有 sp2和sp3鍵的非晶態(tài)碳膜的總稱，兼具金剛石和石墨的雙重性能，包括：高硬度和彈性模量、低摩擦系數(shù)、高耐磨性、高導(dǎo)熱率、高電阻率、良好的光學(xué)透過性、化學(xué)惰性以及良好的生物相容性等，在機(jī)械、電子、光學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景；現(xiàn)有的類金剛石薄膜裝置主要采用氣體離子源技術(shù)，但是該技術(shù)沉積速度慢，含氫氣，且金剛石薄膜應(yīng)力比較大，不能做厚。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服背景技術(shù)中的不足，本實(shí)用新型公開了一種沉積類金剛石薄膜裝置，通過采用平面矩形弧源沉積技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了不含氫的類金剛石薄膜，達(dá)到了金剛石含量高、應(yīng)力小、能做厚的目的。

為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

一種沉積類金剛石薄膜裝置，包括真空室、工件臺(tái)和真空系統(tǒng)，在真空室的上部設(shè)有與真空室連接的真空系統(tǒng)，在真空室內(nèi)設(shè)有工件臺(tái)，在真空室的外部兩側(cè)分別設(shè)有矩形平面弧石墨靶與矩形平面弧鉻靶，在真空室的頂部兩側(cè)分別設(shè)有柱狀弧源清洗裝置與柱狀弧靶，在真空室上、柱狀弧靶的一側(cè)設(shè)有加熱系統(tǒng)。

由于采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)越性：

本實(shí)用新型所述的沉積類金剛石薄膜裝置，通過設(shè)置矩形平面弧石墨靶，金剛石原料為石墨，比傳統(tǒng)的甲烷成本低；通過設(shè)置矩形平面弧靶，所得到的涂層顏色厚度等一致性好，且沉積均勻；本實(shí)用新型采用矩形平面靶沉積類金剛石薄膜，達(dá)到了金剛石含量高、膜層能做厚、涂層均勻、致密高的目的。

【附圖說明】

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

在圖中：1、柱狀弧源清洗裝置；2、柱狀弧靶；3、矩形平面弧石墨靶；4、矩形平面弧鉻靶；5、真空室；6、加熱系統(tǒng)；7、工件臺(tái)；8、真空系統(tǒng)。

【具體實(shí)施方式】

通過下面的實(shí)施例可以更詳細(xì)的解釋本實(shí)用新型，本實(shí)用新型并不局限于下面的實(shí)施例；

結(jié)合附圖1所述的沉積類金剛石薄膜裝置，包括真空室5、工件臺(tái)7和真空系統(tǒng)8，在真空室5的上部設(shè)有與真空室5連接的真空系統(tǒng)8，在真空室5內(nèi)設(shè)有工件臺(tái)7，在真空室5的外部兩側(cè)分別設(shè)有矩形平面弧石墨靶3與矩形平面弧鉻靶4，在真空室5的頂部兩側(cè)分別設(shè)有柱狀弧源清洗裝置1與柱狀弧靶2，在真空室5上、柱狀弧靶2的一側(cè)設(shè)有加熱系統(tǒng)6。

實(shí)施本實(shí)用新型所述的沉積類金剛石薄膜裝置，在使用時(shí)，先采用真空系統(tǒng)8將真空室5抽至工作真空，開啟加熱系統(tǒng)6，開啟柱狀弧源清洗裝置1對(duì)工件臺(tái)7進(jìn)行清洗，清洗好后，打開矩形平面弧鉻靶4進(jìn)行打底層，然后打開矩形平面弧石墨靶3沉積類金剛石薄膜，本實(shí)用新型采用矩形平面靶沉積類金剛石薄膜，達(dá)到了金剛石含量高、膜層能做厚、涂層均勻、致密高的目的。

本實(shí)用新型未詳述部分為現(xiàn)有技術(shù)。

為了公開本實(shí)用新型的發(fā)明目的而在本文中選用的實(shí)施例，當(dāng)前認(rèn)為是適宜的，但是，應(yīng)了解的是，本實(shí)用新型旨在包括一切屬于本構(gòu)思和實(shí)用新型范圍內(nèi)的實(shí)施例的所有變化和改進(jìn)。