1.一種二氧化鈦導(dǎo)電薄膜的制備方法，該方法包括如下步驟：
（1）制備靶材
以二氧化鈦粉和氧化鉻粉末為主要原料，純度為4N-5N，按照Ti：Cr摩爾比為10:1配料，混合后經(jīng)過(guò)研磨，使之混合均勻，而后放入高溫硅鉬爐中在820℃下預(yù)燒3h；完成后加入聚合劑聚乙烯醇5mL，用粉末壓片機(jī)壓制成3.5mm厚、直徑5cm的圓形靶材，然后放入高溫硅鉬爐中以5℃/min升 至1350℃燒結(jié)5h，冷卻后，固定0.5mm厚的銅背底，即制得鉻摻雜二氧化鈦靶材；
（2）處理襯底
研磨拋光并清洗SiO2/Si襯底，備用；
（3）采用磁控濺射法，將所述鉻摻雜二氧化鈦靶材在所述襯底上制成所述鉻摻雜二氧化鈦膜；
磁控濺射制成所述鉻鉭摻雜二氧化鈦膜的具體條件為，濺射腔壓強(qiáng)1-5Pa，濺射腔氣氛為氬氣或氮?dú)饣驓鍤浠旌蠚猓r底溫度為100-300℃，濺射功率為5-8W/cm2，沉積速率為10-100nm/min，濺射時(shí)間為2-4h。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟（2）中，所述研磨拋光，可將襯底先在600目的金剛石砂輪盤(pán)上進(jìn)行粗磨10min，然后在1200目的金剛石砂輪盤(pán)上進(jìn)行細(xì)磨10min，再用W2.5的金剛石拋光粉進(jìn)行拋光至試樣表面均勻光亮，所述超聲清洗，可將研磨拋光后的襯底按以下順序清洗，丙酮超聲清洗5min→無(wú)水乙醇超聲清洗5min→烘干待用，所述離子源清洗，可采用霍爾離子源對(duì)襯底進(jìn)行清洗5min，壓強(qiáng)為2×10-2Pa，襯底溫度為300℃，氬氣通量為10sccm，偏壓為-100V，陰極電流為29.5A，陰極電壓為19V，陽(yáng)極電流為7A，陽(yáng)極電壓為80V，以清除襯底表面的吸附氣體以及雜質(zhì)，提高濺射層與襯底的結(jié)合強(qiáng)度以及成膜質(zhì)量。