本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種膜層退火設(shè)備及退火方法。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管作為一種重要的電子元件，在顯示裝置中得到廣泛應(yīng)用。顯示裝置中通常包括形成在基板上的多個(gè)薄膜晶體管，薄膜晶體管包括有源層，在形成有源層時(shí)，通常采用磁控濺射工藝在基板上形成半導(dǎo)體膜層，然后對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行退火，然后采用構(gòu)圖工藝?yán)绻饪坦に囋诮?jīng)退火后的半導(dǎo)體膜層上進(jìn)行構(gòu)圖，形成有源層。

然而，在采用磁控濺射工藝在基板上形成半導(dǎo)體膜層時(shí)，所采用的濺射靶通常有多個(gè)半導(dǎo)體靶材拼裝在一起而形成的拼裝式濺射靶，多個(gè)半導(dǎo)體靶材拼裝在一起時(shí)，由于拼裝技術(shù)、磁體的排列方式等，相鄰的兩個(gè)半導(dǎo)體靶材之間通常存在間隙，因此，最終在基板上形成的半導(dǎo)體膜層中，對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體靶材的區(qū)域與對(duì)應(yīng)于間隙的區(qū)域存在差異性，在后續(xù)對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行退火后，對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體靶材的區(qū)域內(nèi)的載流子濃度與對(duì)應(yīng)于間隙的區(qū)域內(nèi)的載流子濃度存在差異性，導(dǎo)致后續(xù)在基板上形成的多個(gè)薄膜晶體管中，各薄膜晶體管的有源層的載流子濃度分布不均，進(jìn)而造成顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量降低，例如，產(chǎn)生斑點(diǎn)(mura)現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種膜層退火設(shè)備，用于改善顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種膜層退火設(shè)備，包括：

承載臺(tái)，用于承載形成有半導(dǎo)體膜層的基板；

多個(gè)加熱器，用于對(duì)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域進(jìn)行分別加熱；

載流子檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；

控制裝置，所述控制裝置分別與所述載流子檢測(cè)裝置和每個(gè)所述加熱器連接，所述控制裝置根據(jù)所述載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整所述加熱器對(duì)所述半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同。

優(yōu)選地，所述載流子檢測(cè)裝置的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置位于所述承載臺(tái)上方，每個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子濃度。

優(yōu)選地，所述載流子檢測(cè)裝置的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置平行排列成一排，該排載流子檢測(cè)裝置位于所述承載臺(tái)上方，該排載流子檢測(cè)裝置中所述載流子檢測(cè)裝置的排列方向平行于所述基板的其中一個(gè)側(cè)面，且該排載流子檢測(cè)裝置可沿垂直于該排載流子檢測(cè)裝置中所述載流子檢測(cè)裝置的排列方向的方向水平移動(dòng)；

該排載流子檢測(cè)裝置沿垂直于該排載流子檢測(cè)裝置中所述載流子檢測(cè)裝置的排列方向的方向水平移動(dòng)時(shí)，每個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)該載流子檢測(cè)裝置掃描到的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度。

優(yōu)選地，所述載流子檢測(cè)裝置的數(shù)量為一個(gè)，該所述載流子檢測(cè)裝置位于所述承載臺(tái)上方，該所述載流子檢測(cè)裝置可沿平行于所述基板的第一側(cè)面的方向和平行于所述基板的第二側(cè)面的方向水平移動(dòng)，所述基板的第一側(cè)面與所述基板的第二側(cè)面垂直；該載流子檢測(cè)裝置交替沿平行于所述基板的第一側(cè)面的方向和平行于所述基板的第二側(cè)面的方向水平移動(dòng)時(shí)，該載流子監(jiān)測(cè)裝置檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。

優(yōu)選地，所述載流子檢測(cè)裝置采用微波光電導(dǎo)衰退法檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。

優(yōu)選地，所述控制裝置包括第一接收模塊、第一判斷模塊和第一調(diào)整模塊，其中，

所述第一接收模塊與所述載流子檢測(cè)裝置連接，所述第一接收模塊用于接收所述載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)到的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；

所述第一判斷模塊與所述第一接收模塊連接，所述第一判斷模塊用于將所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值對(duì)比；

所述第一調(diào)整模塊分別與所述第一判斷模塊連接和每個(gè)所述加熱器連接，所述第一調(diào)整模塊用于在所述半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域的載流子濃度小于所述濃度閾值時(shí)，增加對(duì)應(yīng)于所述半導(dǎo)體膜層中載流子濃度小于所述濃度閾值的區(qū)域的所述加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與所述濃度閾值相同；所述第一調(diào)整模塊還用于在所述半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域的載流子濃度大于所述濃度閾值時(shí)，降低對(duì)應(yīng)于所述半導(dǎo)體膜層中載流子濃度大于所述濃度閾值的區(qū)域的所述加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與所述濃度閾值相同。

優(yōu)選地，所述控制裝置包括第二接收模塊、第一計(jì)算模塊、第二判斷模塊和第二調(diào)整模塊，其中，

所述第二接收模塊與所述載流子檢測(cè)裝置連接，所述第二接收模塊用于接收所述載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)到的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；

所述第一計(jì)算模塊與所述第二接收模塊連接，所述第一計(jì)算模塊用于計(jì)算先前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度的平均值；

所述第二判斷模塊分別與所述第二接收模塊和所述第一計(jì)算模塊連接，所述第二判斷模塊用于將當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度與所述平均值進(jìn)行對(duì)比；

所述第二調(diào)整模塊分別與所述第二判斷模塊和每個(gè)所述加熱器連接，所述第二調(diào)整模塊用于在當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度小于所述平均值時(shí)，增加對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的所述加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與所述平均值相同；所述第二調(diào)整模塊還用于在當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度大于所述平均值時(shí)，降低對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的所述加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與所述平均值相同。

優(yōu)選地，多個(gè)所述加熱器位于所述承載臺(tái)下方，或者，多個(gè)所述加熱器位于所述承載臺(tái)內(nèi)。

優(yōu)選地，所述加熱器為加熱塊或加熱絲。

優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體膜層為金屬氧化物膜層、無定形硅膜層、單晶硅膜層或多晶硅膜層。

在本發(fā)明提供的膜層退火設(shè)備中，利用載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)放置在承載臺(tái)上的基板上的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，并利用控制裝置根據(jù)載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整各加熱器對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，調(diào)整半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的退火溫度，進(jìn)而調(diào)整半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，因此，經(jīng)后續(xù)對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行處理后，形成在基板上的多個(gè)半導(dǎo)體薄膜晶體管的有源層的載流子濃度分布均勻，從而可以改善顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量，例如，防止斑點(diǎn)(mura)現(xiàn)象的產(chǎn)生。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種膜層退火方法，用于改善顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種膜層退火方法，包括：

將形成有半導(dǎo)體膜層的基板放置在承載臺(tái)上；

多個(gè)加熱器對(duì)所述半導(dǎo)體膜層進(jìn)行加熱；

載流子檢測(cè)裝置監(jiān)測(cè)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；

控制裝置根據(jù)所述載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整所述加熱器對(duì)所述半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同。

優(yōu)選地，控制裝置根據(jù)所述載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整所述加熱器對(duì)所述半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，包括：

所述控制裝置的第一接收模塊接收所述載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；

所述控制裝置的第一判斷模塊將所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值對(duì)比；

當(dāng)所述半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域的載流子濃度小于所述濃度閾值時(shí)，所述控制裝置的第一調(diào)整模塊增加對(duì)應(yīng)于所述半導(dǎo)體膜層中載流子濃度小于所述濃度閾值的區(qū)域的所述加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與所述濃度閾值相同；

當(dāng)所述半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域的載流子濃度大于所述濃度閾值時(shí)，所述控制裝置的第一調(diào)整模塊降低對(duì)應(yīng)于所述半導(dǎo)體膜層中載流子濃度大于所述濃度閾值的區(qū)域的所述加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與所述濃度閾值相同。

優(yōu)選地，控制裝置根據(jù)所述載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整所述加熱器對(duì)所述半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，包括：

所述控制裝置的第二接收模塊接收所述載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；

所述控制裝置的第一計(jì)算模塊計(jì)算先前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度的平均值；

所述控制裝置的第二判斷模塊將當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度與所述平均值進(jìn)行對(duì)比；

當(dāng)當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度小于所述平均值時(shí)，所述控制裝置的第二調(diào)整模塊增加對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的所述加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與所述平均值相同；

當(dāng)當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度大于所述平均值時(shí)，所述控制裝置的第二調(diào)整模塊降低對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的所述加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與所述平均值相同。

優(yōu)選地，載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，包括：

使多個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置中，每個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子濃度。

優(yōu)選地，載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，包括：

使平行排列成一排的多個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置沿垂直于該排載流子檢測(cè)裝置中所述載流子檢測(cè)裝置的排列方向的方向水平移動(dòng)，每個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)該載流子檢測(cè)裝置掃描到的所述半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度。

優(yōu)選地，載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，包括：

使所述載流子檢測(cè)裝置交替沿平行于所述基板的第一側(cè)面的方向和平行于所述基板的第二側(cè)面的方向水平移動(dòng)，所述載流子監(jiān)測(cè)裝置檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。

所述膜層退火方法與上述膜層退火設(shè)備相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢(shì)相同，在此不再贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中載流子檢測(cè)裝置與半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖一；

圖3為圖1中載流子檢測(cè)裝置與半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖二；

圖4為圖1中載流子檢測(cè)裝置與半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖三；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例中載流子檢測(cè)裝置繪制的載流子衰減曲線圖；

圖6為圖1中膜層退火設(shè)備的控制示意圖一；

圖7為圖1中膜層退火設(shè)備的控制示意圖二；

圖8為圖1中多個(gè)加熱器與半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖一；

圖9為圖1中多個(gè)加熱器與半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)關(guān)系圖二；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火方法的流程圖一；

圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火方法的流程圖二；

圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火方法的流程圖三；

圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火方法的流程圖四；

圖14為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火方法的流程圖五；

圖15為本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火方法的流程圖六。

附圖標(biāo)記：

10-承載臺(tái)，20-加熱器，

30-載流子檢測(cè)裝置，40-控制裝置，

41-第一接收模塊，42-第一判斷模塊，

43-第一調(diào)整模塊，44-第二接收模塊，

45-第一計(jì)算模塊，46-第二判斷模塊，

47-第二調(diào)整模塊，50-基板。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說明本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備及退火方法，下面結(jié)合說明書附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備包括：承載臺(tái)10，用于承載形成有半導(dǎo)體膜層的基板50；多個(gè)加熱器20，用于對(duì)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域進(jìn)行分別加熱；載流子檢測(cè)裝置30，用于檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；控制裝置40，控制裝置40分別與載流子檢測(cè)裝置30和每個(gè)加熱器20連接，控制裝置40根據(jù)載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度趨于相同。

本發(fā)明實(shí)施例提供的氧化物膜層退火設(shè)備可用于對(duì)形成在基板50上的半導(dǎo)體膜層進(jìn)行退火處理，以便后續(xù)對(duì)退火后的半導(dǎo)體膜層進(jìn)行處理例如構(gòu)圖工藝處理后，形成薄膜晶體管的有源層，其中，半導(dǎo)體膜層可以采用磁控濺射工藝形成在基板50上，半導(dǎo)體膜層覆蓋圖1中基板50的整個(gè)上表面，其中濺射靶可以為由多個(gè)半導(dǎo)體靶材拼裝在一起形成的拼裝濺射靶，半導(dǎo)體膜層可以為金屬氧化物膜層，例如銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)、鋅氧化物(zincoxide，zno)等。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備包括承載臺(tái)10、加熱器20、載流子檢測(cè)裝置30和控制裝置40，承載臺(tái)10可以呈板狀承載臺(tái)10，用于承載形成有半導(dǎo)體膜層的基板50，形成有半導(dǎo)體膜層的基板50放置在承載臺(tái)10上時(shí)，半導(dǎo)體膜層相對(duì)基板50遠(yuǎn)離承載臺(tái)10；加熱器20的數(shù)量為多個(gè)，多個(gè)加熱器20在同一層面上排列，每個(gè)加熱器20對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層的其中部分區(qū)域，每個(gè)加熱器20可對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱，即每個(gè)加熱器20的加熱范圍對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層的部分區(qū)域，所有加熱器20的加熱范圍覆蓋整個(gè)半導(dǎo)體膜層；載流子檢測(cè)裝置30可以位于承載臺(tái)10的上方，載流子檢測(cè)裝置30用于檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；控制裝置40分別與載流子檢測(cè)裝置30和每個(gè)加熱器20連接，控制裝置40接收載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，并根據(jù)載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同。

當(dāng)使用本發(fā)明實(shí)施例提供膜層退火設(shè)備對(duì)形成在基板50上的半導(dǎo)體膜層進(jìn)行退火時(shí)，可以先將形成有半導(dǎo)體膜層的基板50放置在承載臺(tái)10上，其中，半導(dǎo)體膜層相對(duì)基板50遠(yuǎn)離承載臺(tái)10；然后使所有的加熱器20同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行加熱；然后，利用載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；控制裝置40則根據(jù)載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)到的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整各加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，例如，當(dāng)半導(dǎo)體膜層中某區(qū)域的載流子濃度較低，則控制裝置40增加與半導(dǎo)體膜層中該區(qū)域?qū)?yīng)的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，提高半導(dǎo)體膜層中該區(qū)域的退火溫度，以增加半導(dǎo)體膜層中該區(qū)域的載流子濃度；當(dāng)半導(dǎo)體膜層中某區(qū)域的載流子濃度較高，則控制裝置40降低與半導(dǎo)體膜層匯總該區(qū)域?qū)?yīng)的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，降低半導(dǎo)體膜層中該區(qū)域的退火溫度，以降低半導(dǎo)體膜層中該區(qū)域的載流子濃度，從而，使得半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，也可以理解為，使得半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度處于同一水平。

值得注意的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，通過調(diào)整加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，此處“相同”可以理解為完全相同，即半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度均相等，“相同”也可以理解為基本相同，即允許半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度具有波動(dòng)，但半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度的波動(dòng)值應(yīng)處于一定范圍內(nèi)，該范圍可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，也就是說，半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度應(yīng)處于設(shè)定閾值范圍內(nèi)。

由上述可知，在本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備中，利用載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)放置在承載臺(tái)10上的基板50上的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，并利用控制裝置40根據(jù)載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整各加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，調(diào)整半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的退火溫度，進(jìn)而調(diào)整半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，因此，經(jīng)后續(xù)對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行處理后，形成在基板50上的多個(gè)半導(dǎo)體薄膜晶體管的有源層的載流子濃度分布均勻，從而可以改善顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量，例如，防止斑點(diǎn)(mura)現(xiàn)象的產(chǎn)生。

另外，在本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備中，利用載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，還可以對(duì)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行監(jiān)測(cè)，并通過控制裝置40根據(jù)載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整各加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，可以將半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度調(diào)整至理想值，從而可以提高形成在基板50上的半導(dǎo)體薄膜晶體管的性能。

值得一提的是，上述實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備主要用于對(duì)形成在基板50上的半導(dǎo)體膜層進(jìn)行退火，在實(shí)際應(yīng)用中，上述實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備還可以用于對(duì)其它需要進(jìn)行退火的膜層進(jìn)行退火，此時(shí)，載流子檢測(cè)裝置30則可以更換為檢測(cè)膜層的其它參數(shù)的檢測(cè)裝置。

在上述實(shí)施例中，載流子檢測(cè)裝置30的數(shù)量和設(shè)置方式可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，下面示例性列舉三種載流子檢測(cè)裝置30的設(shè)置方式，但載流子檢測(cè)裝置30的設(shè)置方式包括但不限于下面三種。需要說明的是，由于半導(dǎo)體膜層通常覆蓋圖1中基板50的整個(gè)上表面，因而，載流子檢測(cè)裝置30與半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)關(guān)系，可以認(rèn)為就是載流子檢測(cè)裝置30與半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

載流子檢測(cè)裝置30的設(shè)置方式一

請(qǐng)參閱圖2，載流子檢測(cè)裝置30的數(shù)量可以為多個(gè)，多個(gè)載流子檢測(cè)裝置30位于承載臺(tái)10上方，每個(gè)載流子檢測(cè)裝置30的檢測(cè)范圍對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體膜層的部分區(qū)域，所有載流子檢測(cè)裝置30的檢測(cè)范圍覆蓋整個(gè)半導(dǎo)體膜層，每個(gè)載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子濃度。當(dāng)通過載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度時(shí)，則啟動(dòng)所有的載流子檢測(cè)裝置30，每個(gè)載流子檢測(cè)裝置30則檢測(cè)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子濃度。

載流子檢測(cè)裝置30的設(shè)置方式二

請(qǐng)參閱圖3，載流子檢測(cè)裝置30的數(shù)量可以為多個(gè)，多個(gè)載流子檢測(cè)裝置30平行排列成一排，該排載流子檢測(cè)裝置30位于承載臺(tái)10上方，該排載流子檢測(cè)裝置30中載流子檢測(cè)裝置30的排列方向平行于基板50的其中一個(gè)側(cè)面，且該排載流子檢測(cè)裝置30可沿垂直于該排載流子檢測(cè)裝置30中載流子檢測(cè)裝置30的排列方向的方向水平移動(dòng)；該排載流子檢測(cè)裝置30沿垂直于該排載流子檢測(cè)裝置30中載流子檢測(cè)裝置30的排列方向的方向水平移動(dòng)時(shí)，每個(gè)載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)該載流子檢測(cè)裝置30掃描到的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度。舉例來說，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3，載流子檢測(cè)裝置30的數(shù)量為五個(gè)，五個(gè)載流子檢測(cè)裝置30沿著圖3中左右方向平行排列成一排，即該排載流子檢測(cè)裝置30中載流子檢測(cè)裝置30的排列方向?yàn)閳D3中左右方向，該排載流子檢測(cè)裝置30中載流子檢測(cè)裝置30的排列方向平行于基板50在圖3中的上側(cè)面或下側(cè)面，該排載流子檢測(cè)裝置30可以沿垂直于圖3中左右方向水平移動(dòng)，即該排載流子檢測(cè)裝置30可以沿圖3中上下方向水平移動(dòng)。當(dāng)通過載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度時(shí)，則啟動(dòng)所有的載流子檢測(cè)裝置30，并使所有的載流子檢測(cè)裝置30沿著圖3中上下方向移動(dòng)，每個(gè)載流子檢測(cè)裝置30則可以對(duì)基板50上的半導(dǎo)體膜層進(jìn)行掃描，每個(gè)載流子檢測(cè)裝置30則對(duì)該載流子檢測(cè)裝置30掃描到的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行檢測(cè)。

載流子檢測(cè)裝置30的設(shè)置方式三

請(qǐng)參閱圖4，載流子檢測(cè)裝置30的數(shù)量可以為一個(gè)，該所述載流子檢測(cè)裝置30位于承載臺(tái)10上方，該載流子檢測(cè)裝置30可沿平行于基板50的第一側(cè)面的方向和平行于基板50的第二側(cè)面的方向水平移動(dòng)，基板50的第一側(cè)面與基板50的第二側(cè)面垂直；該載流子檢測(cè)裝置30交替沿平行于基板50的第一側(cè)面的方向和平行于基板50的第二側(cè)面的方向水平移動(dòng)時(shí)，該載流子監(jiān)測(cè)裝置檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。具體地，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖4，載流子檢測(cè)裝置30的數(shù)量為一個(gè)，基板50包括圖4中的上側(cè)面、下側(cè)面、左側(cè)面和右側(cè)面，圖4中基板50的上側(cè)面和下側(cè)面平行，圖4中基板50的左側(cè)面和右側(cè)面平行，圖4中基板50的上側(cè)面和左側(cè)面垂直，假設(shè)圖4中基板50的上側(cè)面為基板50的第一側(cè)面，圖4中基板50的左側(cè)面為基板50的第二側(cè)面，該載流子檢測(cè)裝置30則可以沿平行于圖4中基板50的上側(cè)面的方向和平行于圖4中基板50的左側(cè)面的方向水平移動(dòng)，即該載流子檢測(cè)裝置30可以沿圖4中左右方向和上下方向水平移動(dòng)。當(dāng)通過載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度時(shí)，則啟動(dòng)該載流子檢測(cè)裝置30，并使該載流子檢測(cè)裝置30交替沿圖4中左右方向和上下方向水平移動(dòng)，該載流子監(jiān)測(cè)裝置則檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。

其中，使該載流子檢測(cè)裝置30交替沿圖4中左右方向和上下方向水平移動(dòng)時(shí)，例如，假設(shè)載流子檢測(cè)裝置30初始停留位置與圖4中基板50的左上角對(duì)應(yīng)，則可以先使載流子檢測(cè)裝置30沿圖4中左右方向向右進(jìn)行第一次水平移動(dòng)，載流子檢測(cè)裝置30則沿圖4中左右方向第一次掃描半導(dǎo)體膜層，并對(duì)第一次掃描時(shí)掃描到的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行檢測(cè)；載流子檢測(cè)裝置30由圖4中左側(cè)向右進(jìn)行第一次水平移動(dòng)后到達(dá)與圖4中右側(cè)后，則使載流子檢測(cè)裝置30沿圖4中上下方向向下進(jìn)行第二次水平移動(dòng)，載流子檢測(cè)裝置30沿圖4中上下方向進(jìn)行第二水平移動(dòng)后的檢測(cè)范圍緊挨沿圖4中上下方向進(jìn)行第二次水平移動(dòng)前的檢測(cè)范圍；然后使載流子檢測(cè)裝置30沿圖4中左右方向向左進(jìn)行第三次水平移動(dòng)，載流子檢測(cè)裝置30則沿圖4中左右方向第二次掃描半導(dǎo)體膜層，并對(duì)第二次掃描時(shí)掃描到的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行檢測(cè)；載流子檢測(cè)裝置30由圖4中右側(cè)向左進(jìn)行第三次水平移動(dòng)后到達(dá)與圖4中左側(cè)后，則使載流子檢測(cè)裝置30沿圖4中上下方向向下進(jìn)行第四次水平移動(dòng)，載流子檢測(cè)裝置30沿圖4中上下方向進(jìn)行第四水平移動(dòng)后的檢測(cè)范圍緊挨沿圖4中上下方向進(jìn)行第四次水平移動(dòng)前的檢測(cè)范圍，如此使載流子檢測(cè)裝置30交替沿圖4中左右方向和圖4中上下方向水平移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)對(duì)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行檢測(cè)。

值得一提的是，在上述實(shí)施例中，載流子檢測(cè)裝置30沿圖4中左右方向水平移動(dòng)時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行掃描，以對(duì)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行檢測(cè)，在實(shí)際應(yīng)用中，載流子檢測(cè)裝置30也可以沿圖4中上下方向水平移動(dòng)時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行掃描，以對(duì)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行檢測(cè)，此時(shí)，載流子檢測(cè)裝置30沿圖4中左右方向和沿圖4中上下方向進(jìn)行交替水平移動(dòng)時(shí)的順序與上述相反，但方式相同，在此不再贅述。

在上述實(shí)施例中，載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度時(shí)，可以采用微波光電導(dǎo)衰退法(microwavephotoconductivitydecay，μ-pcd)，載流子檢測(cè)裝置30朝向半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域發(fā)射微波，并接收由半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域反饋的微波，載流子檢測(cè)裝置30根據(jù)接收到的半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域反饋的微波，繪制出該區(qū)域的載流子衰減曲線，如圖5所示，其中，載流子衰減曲線的峰值(圖5中a點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的值)可以作為該區(qū)域的載流子濃度。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的膜層退火設(shè)備中，控制裝置40根據(jù)載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整各加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，在實(shí)際應(yīng)用中，請(qǐng)參閱圖6，控制裝置40可以包括第一接收模塊41、第一判斷模塊42和第一調(diào)整模塊43，其中，第一接收模塊41與載流子檢測(cè)裝置30連接，第一接收模塊41用于接收載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)到的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；第一判斷模塊42與第一接收模塊41連接，第一判斷模塊42用于將半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值對(duì)比；第一調(diào)整模塊43分別與第一判斷模塊42連接和每個(gè)加熱器20連接，第一調(diào)整模塊43用于在半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域的載流子濃度小于濃度閾值時(shí)，增加對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中載流子濃度小于濃度閾值的區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值相同；第一調(diào)整模塊43還用于在半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域的載流子濃度大于濃度閾值時(shí)，降低對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中載流子濃度大于濃度閾值的區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值相同。

當(dāng)控制裝置40根據(jù)載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整各加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度時(shí)，第一接收模塊41接收載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；然后，第一判斷模塊42將載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值進(jìn)行對(duì)比，其中，濃度閾值可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定；當(dāng)?shù)谝慌袛嗄K42判斷得知半導(dǎo)體膜層中某區(qū)域的載流子濃度小于濃度閾值時(shí)，則第一調(diào)整模塊43增加對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中載流子濃度小于濃度閾值的區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，以提高對(duì)半導(dǎo)體膜層中載流子濃度小于濃度閾值的區(qū)域進(jìn)行退火的退火溫度，進(jìn)而增加該區(qū)域的載流子濃度，使該區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值相同，即，使該區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值完全相同或基本相同；當(dāng)?shù)谝慌袛嗄K42判斷得知半導(dǎo)體膜層中某區(qū)域的載流子濃度大于濃度閾值時(shí)，則第一調(diào)整模塊43降低對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中載流子濃度大于濃度閾值的區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，例如，第一調(diào)整模塊43使對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中載流子濃度大于濃度閾值的區(qū)域的加熱器20停止對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱，或者，當(dāng)電熱器20為利用電流進(jìn)行加熱的加熱器時(shí)，第一調(diào)整模塊43使通入對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中載流子濃度大于濃度閾值的區(qū)域的加熱器20的電流降低，以降低對(duì)半導(dǎo)體膜層中載流子濃度大于濃度閾值的區(qū)域進(jìn)行退火的退火溫度，進(jìn)而降低該區(qū)域的載流子濃度，使該區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值相同，即，使該區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值完全相同或基本相同。通過第一調(diào)整模塊43根據(jù)第一判斷模塊42的判斷結(jié)果，對(duì)各加熱器20進(jìn)行調(diào)整，進(jìn)而對(duì)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行調(diào)整，使得半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度均與濃度閾值相同，實(shí)現(xiàn)使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，進(jìn)而改善顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量。

上述實(shí)施例中，控制裝置40根據(jù)載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整各加熱器20對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度時(shí)，采用將半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度與預(yù)先設(shè)定的濃度閾值進(jìn)行對(duì)比，進(jìn)而對(duì)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度進(jìn)行調(diào)整，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，在實(shí)際應(yīng)用中，還可采用不預(yù)先設(shè)定濃度閾值的方式進(jìn)行。

具體地，請(qǐng)參閱圖7，控制裝置40可以包括第二接收模塊44、第一計(jì)算模塊45、第二判斷模塊46和第二調(diào)整模塊47，其中，第二接收模塊44與載流子檢測(cè)裝置30連接，第二接收模塊44用于接收載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)到的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度；第一計(jì)算模塊45與第二接收模塊44連接，第一計(jì)算模塊45用于計(jì)算先前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度的平均值；第二判斷模塊46分別與第二接收模塊44和第一計(jì)算模塊45連接，第二判斷模塊46用于將當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度與平均值進(jìn)行對(duì)比；第二調(diào)整模塊47分別與第二判斷模塊46和每個(gè)加熱器20連接，第二調(diào)整模塊47用于在當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度小于平均值時(shí)，增加對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與平均值相同；第二調(diào)整模塊47還用于在當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度大于平均值時(shí)，降低對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與平均值相同。

具體實(shí)施時(shí)，第二接收模塊44接收載流子檢測(cè)裝置30所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整半導(dǎo)體膜層中第一區(qū)域時(shí)，第一計(jì)算模塊45可以將載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層中第一區(qū)域的載流子濃度作為平均值，此時(shí)，第二判定模塊可以不進(jìn)行對(duì)比操作，第二調(diào)整模塊47則不調(diào)整對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中第一區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度。然后調(diào)整半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域，第一計(jì)算模塊45可以將載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層中第一區(qū)域的載流子濃度作為平均值，第二判斷模塊46則將載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度與平均值對(duì)比，當(dāng)?shù)诙袛嗄K46判斷得知載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度小于平均值時(shí)，第二調(diào)整模塊47則增加對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，以提高對(duì)半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域進(jìn)行退火的退火溫度，進(jìn)而提高半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度，使半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度與平均值相同，即，使半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度與平均值完全相同或基本相同；當(dāng)?shù)诙袛嗄K46判斷得知載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度大于平均值時(shí)，第二調(diào)整模塊47則降低對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，例如，第二調(diào)整模塊47使對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的加熱器20停止對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱，或者，當(dāng)電熱器20為利用電流進(jìn)行加熱的加熱器時(shí)，第二調(diào)整模塊47使通入對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的加熱器20的電流降低，以降低對(duì)半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域進(jìn)行退火的退火溫度，進(jìn)而降低半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度，使半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度與平均值相同，即，使半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度與平均值完全相同或基本相同。然后調(diào)整半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域，第一計(jì)算模塊45計(jì)算半導(dǎo)體膜層中第一區(qū)域的載流子濃度和半導(dǎo)體膜層中第二區(qū)域的載流子濃度的平均值，第二判斷模塊46則將載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度與第一計(jì)算模塊45計(jì)算的平均值對(duì)比，當(dāng)?shù)诙袛嗄K46判斷得知載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度小于平均值時(shí)，第二調(diào)整模塊47則增加對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，以提高對(duì)半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域進(jìn)行退火的退火溫度，進(jìn)而提高半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度，使半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度與平均值相同，即，使半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度與平均值完全相同或基本相同；當(dāng)?shù)诙袛嗄K46判斷得知載流子檢測(cè)裝置30檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度大于平均值時(shí)，第二調(diào)整模塊47則降低對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的加熱器20對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，以降低對(duì)半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域進(jìn)行退火的退火溫度，進(jìn)而降低半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度，使半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度與平均值相同，即，使半導(dǎo)體膜層中第三區(qū)域的載流子濃度與平均值完全相同或基本相同。如此，依次對(duì)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域進(jìn)行調(diào)整，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度處于同一水平，進(jìn)而改善顯示裝置的畫面顯示質(zhì)量。

在上述實(shí)施例中，加熱器20的設(shè)置方式可以為多種，例如，請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，多個(gè)加熱器20可以均設(shè)置在承載臺(tái)10下方，多個(gè)加熱器20位于同一層面上，多個(gè)加熱器20可以貼合在承載臺(tái)10上，加熱器20工作時(shí)，通過熱傳導(dǎo)的方式將熱量經(jīng)承載臺(tái)10傳遞至形成在基板50上的半導(dǎo)體膜層，以對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行退火；或者，多個(gè)加熱器20可以均設(shè)置在承載臺(tái)10內(nèi)，加熱器20朝向基板50的表面可以與承載臺(tái)10上承載基板50的承載面平齊。

值得一提的是，多個(gè)加熱器20用于對(duì)半導(dǎo)體各區(qū)域進(jìn)行分別加熱，每個(gè)加熱器20的加熱范圍覆蓋半導(dǎo)體膜層的其中部分區(qū)域，在實(shí)際應(yīng)用中，多個(gè)加熱器20的排列方式可以根據(jù)利用磁控濺射工藝形成半導(dǎo)體膜層時(shí)所采用的拼裝式濺射靶的拼裝結(jié)構(gòu)來確定，例如，當(dāng)拼裝式濺射靶中半導(dǎo)體靶材的形狀呈方塊狀，且多個(gè)半導(dǎo)體靶材呈陣列排布的形式拼裝在一起，請(qǐng)參閱圖8，則加熱器20的形狀也可以設(shè)置成方塊狀，多個(gè)加熱器20可以呈陣列排布方式，每個(gè)加熱器20的加熱范圍覆蓋半導(dǎo)體膜層中呈方塊狀的區(qū)域；或者，當(dāng)拼裝濺射靶中半導(dǎo)體靶材的形狀呈條狀，多個(gè)半導(dǎo)體靶材平行排列的拼裝在一起，請(qǐng)參閱圖9，則加熱器20的形狀也可以設(shè)置成條狀，多個(gè)加熱器20平行排列，每個(gè)加熱器20的加熱范圍覆蓋半導(dǎo)體膜層中呈條狀的區(qū)域。

上述實(shí)施例中，加熱器20可以為加熱塊，或者，加熱器20也可以為加熱絲。

上述實(shí)施例中，半導(dǎo)體膜層可以為需要進(jìn)行退火處理的任何一種半導(dǎo)體膜層，例如，半導(dǎo)體膜層可以為金屬氧化物膜層，如銦鎵鋅氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)、鋅氧化物(zincoxide，zno)等；或者，半導(dǎo)體膜層可以為無定形硅膜層；或者，半導(dǎo)體膜層可以為多晶硅膜層；或者，半導(dǎo)體膜層可以為單晶硅膜層。

請(qǐng)參閱圖10，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種膜層退火方法，應(yīng)用于如上述實(shí)施例所述的膜層退火設(shè)備，包括：

步驟s100、將形成有半導(dǎo)體膜層的基板放置在承載臺(tái)上。

步驟s200、多個(gè)加熱器對(duì)半導(dǎo)體膜層進(jìn)行加熱。

步驟s300、載流子檢測(cè)裝置監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。

步驟s400、控制裝置根據(jù)載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整加熱器對(duì)半導(dǎo)體膜層中對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對(duì)于方法實(shí)施例而言，由于其基本相似于設(shè)備實(shí)施例，所以描述得比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見設(shè)備實(shí)施例的部分說明即可。

在上述實(shí)施例中，步驟s400、控制裝置根據(jù)載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整加熱器對(duì)半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同中，可以采用多種方式實(shí)現(xiàn)。

例如，請(qǐng)參閱圖11，步驟s400、控制裝置根據(jù)載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整加熱器對(duì)半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，可以包括：

步驟s410、控制裝置的第一接收模塊接收載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。

步驟s420、控制裝置的第一判斷模塊將半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值對(duì)比。

步驟s430、當(dāng)半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域的載流子濃度小于濃度閾值時(shí)，控制裝置的第一調(diào)整模塊增加對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中載流子濃度小于濃度閾值的區(qū)域的加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值相同。

步驟s440、當(dāng)半導(dǎo)體膜層的某區(qū)域的載流子濃度大于濃度閾值時(shí)，控制裝置的第一調(diào)整模塊降低對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體膜層中載流子濃度大于濃度閾值的區(qū)域的加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與濃度閾值相同。

再例如，請(qǐng)參閱圖12，步驟s400、控制裝置根據(jù)載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，調(diào)整加熱器對(duì)半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度相同，也可以包括：

步驟s450、控制裝置的第二接收模塊接收載流子檢測(cè)裝置所檢測(cè)的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。

步驟s460、控制裝置的第一計(jì)算模塊計(jì)算先前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度的平均值。

步驟s470、控制裝置的第二判斷模塊將當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度與平均值進(jìn)行對(duì)比。

步驟s480、當(dāng)當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度小于平均值時(shí)，控制裝置的第二調(diào)整模塊增加對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與平均值相同。

步驟s490、當(dāng)當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度大于平均值時(shí)，控制裝置的第二調(diào)整模塊降低對(duì)應(yīng)于當(dāng)前調(diào)整的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的加熱器對(duì)該區(qū)域進(jìn)行加熱的加熱溫度，使該區(qū)域的載流子濃度與平均值相同。

在本發(fā)明實(shí)施例中，步驟s300、載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度的實(shí)現(xiàn)方式也可以為多種。

例如，請(qǐng)參閱圖13，步驟s300、載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，可以包括：

步驟s310、使多個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置中，每個(gè)所述載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)所述半導(dǎo)體膜層的對(duì)應(yīng)區(qū)域的載流子濃度。

或者，請(qǐng)參閱圖14，步驟s300、載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，可以包括：

步驟s320、使平行排列成一排的多個(gè)載流子檢測(cè)裝置沿垂直于該排載流子檢測(cè)裝置中載流子檢測(cè)裝置的排列方向的方向水平移動(dòng)，每個(gè)載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)該載流子檢測(cè)裝置掃描到的半導(dǎo)體膜層的區(qū)域的載流子濃度。

或者，請(qǐng)參閱圖15，步驟s300、載流子檢測(cè)裝置檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度，可以包括：

步驟s330、使載流子檢測(cè)裝置交替沿平行于基板的第一側(cè)面的方向和平行于基板的第二側(cè)面的方向水平移動(dòng)，載流子監(jiān)測(cè)裝置檢測(cè)半導(dǎo)體膜層各區(qū)域的載流子濃度。

在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。