1.一種陰極構(gòu)件，其用于真空電弧放電，并且
包含玻璃狀碳，蒸發(fā)面的算術(shù)平均粗糙度Ra小于15.4μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陰極構(gòu)件，其中
以下式(1)表示的抗熱震性R大于7.9，
[數(shù)1]
R＝σ×λ/α/E…(1)
此處，所述式(1)中，σ為彎曲強度[MPa]，λ為導(dǎo)熱率[W/mK]，α為熱膨脹率[/106K]，E為楊氏模量[GPa]。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陰極構(gòu)件，其包括：
柱狀部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陰極構(gòu)件，其中
所述柱狀部分的與中心軸垂直的剖面呈圓形狀、橢圓形狀、多邊形狀、角部帶圓形的多邊形狀、或環(huán)狀。
5.一種等離子體裝置，其包括：
真空容器；以及
安裝于所述真空容器上的包含陰極構(gòu)件的電弧式蒸發(fā)源；并且
所述陰極構(gòu)件包含玻璃狀碳，以下式(1)表示的抗熱震性R大于7.9，
[數(shù)1]
R＝σ×λ/α/E…(1)
此處，所述式(1)中，σ為彎曲強度[MPa]，λ為導(dǎo)熱率[W/mK]，α為熱膨脹率[/106K]，E為楊氏模量[GPa]。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體裝置，其中
所述陰極構(gòu)件的蒸發(fā)面的算術(shù)平均粗糙度Ra小于15.4μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的等離子體裝置，其中
所述陰極構(gòu)件包括柱狀部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子體裝置，其中
所述柱狀部分的與中心軸垂直的剖面呈圓形狀、橢圓形狀、多邊形狀、角部帶圓形的多邊形狀、或環(huán)狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的等離子體裝置，其還包括：
磁場產(chǎn)生元件，以電弧斑點在所述柱狀部分的側(cè)面上呈螺旋狀移動的方式產(chǎn)生磁場。
10.根據(jù)權(quán)利要求5至9中任一項所述的等離子體裝置，其還包括：
保持構(gòu)件，用于保持配置于所述真空容器內(nèi)的基材；并且
所述等離子體裝置是真空電弧蒸鍍裝置。