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一種手機(jī)納米防水膜的制備方法與流程

文檔序號(hào):12585302閱讀:403來(lái)源:國(guó)知局
本發(fā)明涉及手機(jī)防水鍍膜
技術(shù)領(lǐng)域
,具體涉及一種手機(jī)納米防水膜的制備方法。
背景技術(shù)
:手機(jī)是現(xiàn)代人中必不可少的通訊設(shè)備,隨著手機(jī)功能的日益強(qiáng)大,手機(jī)幾乎成了人們時(shí)刻不可離身的用品。正因?yàn)槿绱?,人們?cè)诰筒汀⒐ぷ?、游泳、甚至在上洗手間的時(shí)候都會(huì)隨身攜帶手機(jī),也因此提升了手機(jī)不小心進(jìn)水的概率。目前大部分的手機(jī)都不具備防水的功能,一旦有水分進(jìn)入,就很容易影響到電路板,直接造成手機(jī)報(bào)廢。有些手機(jī)的防水功能稍微比較強(qiáng),在進(jìn)水的時(shí)候?qū)κ謾C(jī)的影響不大,但是積聚在手機(jī)內(nèi)的水分會(huì)逐漸損壞電路板或其他元器件,造成手機(jī)使用壽命降低的問(wèn)題?,F(xiàn)有的手機(jī)防水有以下三種:一是密封膠,它利用的主要原料是橡膠,它有一定的力學(xué)性能,能起到防濺水的效果,但是橡膠壓縮變形,且不透氣、耐溫、耐腐。目前改善的方法是加入填充劑、補(bǔ)強(qiáng)劑,降低含膠率,減少膠料的彈性變形。但是透氣、耐酸堿等還沒(méi)得到理想解決。二是塑料密封圈,主要原料是聚乙烯、聚四氟乙烯,它具有更致密的結(jié)構(gòu)及結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,壁厚可以控制比較薄。但是塑料密封圈透氣效果不好,手機(jī)都是需要散熱的,應(yīng)用受阻。三是防水透氣膜,它的主要原料是憎水性材料膨體聚四氟乙烯EPTFE,具有承壓、透氣和無(wú)損傳聲為一體的高性能防水材料,但是EPTFE材料昂貴,且氟元素是有毒性的,導(dǎo)致市場(chǎng)無(wú)法推廣。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)和不足,本發(fā)明的目的在于提供一種手機(jī)納米防水膜的制備方法,其得到的納米防水膜具有防水效果好、鍍膜成本低、透氣性好的特點(diǎn),納米防水膜無(wú)毒性,有利于市場(chǎng)推廣應(yīng)用。本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種手機(jī)納米防水膜的制備方法,包括以下步驟:手機(jī)前處理:a、用美紋紙將手機(jī)內(nèi)部不需要鍍膜的元器件遮蓋封閉;本發(fā)明所鍍膜的手機(jī)是已經(jīng)生產(chǎn)好的成品手機(jī),而手機(jī)有部分的元器件是不能鍍防水膜的,因此需要用美紋紙事先將不需要鍍膜的元器件遮蓋起來(lái),避免鍍膜后影響手機(jī)的正常使用。b、拆開(kāi)手機(jī)內(nèi)部的靜電膠紙;將需要鍍膜的部分顯露出來(lái),以確保手機(jī)全方位鍍膜防水。c、用清洗劑對(duì)待鍍膜表面進(jìn)行清洗、清除表面灰塵及殘余油污;本發(fā)明采用的是化學(xué)氣相沉積法,單體沉積在基體表面吸附、沉積、聚合、最后形成純凈、厚度均勻并能保持物體外形的防水膜,因此最好確?;w表面的潔凈度,減低灰塵、油污等雜質(zhì)的影響,提高防水膜的效果。d、清洗后將手機(jī)放入干燥箱烘干殘余水分;清洗之后的手機(jī)需要烘干,除去殘余水分,提高防水膜的致密效果。本發(fā)明所使用的鍍膜設(shè)備包括有依次連接的蒸發(fā)室、裂解室和真空鍍膜室,還包括有裂解閥、加熱管、冷泵和抽真空裝置,抽真空裝置包括有維持泵和羅茨泵。鍍膜處理:1)將待鍍膜手機(jī)放入真空鍍膜室,加熱并抽真空;2)將鍍膜原材料放入蒸發(fā)室,繼續(xù)抽真空,原材料加熱升華;3)連通蒸發(fā)室與裂解室,鍍膜原材料進(jìn)入裂解室裂解成活性單體;4)活性單體進(jìn)入真空鍍膜室,最后沉積在手機(jī)待鍍膜表面,得到防水膜層;5)鍍膜完成后降溫,裂解室抽真空,鍍膜室放氣,取出手機(jī)鍍膜產(chǎn)品;鍍膜后處理:①拆除貼覆在遮蔽元器件上的美紋紙;需要注意的是,美紋紙要小心拆除,以免破壞成型的防水膜,降低防水效果。②清除銅片間的防水膜層,防止防水膜接入在銅片間的空隙中,影響手機(jī)的正常使用。其中,所述步驟c中的清洗劑為無(wú)水乙醇和NY-120號(hào)汽油按照體積比8:3混合的混合清洗劑。一般手機(jī)待鍍膜面板上都會(huì)殘留有灰塵或油漬等細(xì)微的顆粒雜質(zhì),這些雜質(zhì)會(huì)影響防水膜的防水性能和持久性,因此需要利用清洗劑進(jìn)行清洗,本發(fā)明采用體積比為8:3的無(wú)水乙醇和NY-120號(hào)汽油混合作為清洗劑,對(duì)手機(jī)待鍍膜面板進(jìn)行擦拭清洗處理,能有效去除油漬和灰塵雜質(zhì),該清洗劑的揮發(fā)性好,無(wú)殘留,對(duì)手機(jī)待鍍面板的元器件不會(huì)產(chǎn)生損傷。其中,所述步驟d中的烘干溫度為35-40℃,烘干時(shí)間為20-25min。烘干溫度過(guò)高,會(huì)使美紋紙軟化,與元器件粘結(jié),溫度過(guò)低,則烘干不徹底,烘干速度慢。烘干時(shí)間過(guò)低會(huì)提高鍍膜成本,烘干時(shí)間過(guò)短,則烘干不徹底,清洗劑容易殘留,本發(fā)明的烘干溫度和烘干時(shí)間能夠有效提高烘干速度,提高烘干的效果,無(wú)殘留雜質(zhì)。其中,所述步驟2)中原材料為聚對(duì)二甲苯類(lèi)型粉體,其中包括有N粉、C粉和D粉,所述N粉、C粉和D粉的重量比為1:3:2。聚對(duì)二甲苯(Poly-p-xylene),商品名帕里綸(Parylene),是通過(guò)化學(xué)氣相沉積法制備的具有聚二甲撐苯撐結(jié)構(gòu)的聚合物薄膜的統(tǒng)稱,它有極其優(yōu)良的電性能、耐熱性、耐候性和化學(xué)穩(wěn)定性,主要有ParyleneN(聚對(duì)二甲苯)、ParyleneC(聚一氯對(duì)二甲苯)和ParyleneD(聚二氯對(duì)二甲苯)三種,本發(fā)明簡(jiǎn)稱N粉、C粉和D粉,本發(fā)明采用的鍍膜原料粉體的顆粒粒徑為30-70nm,得到的防水膜致密性好。N粉(聚對(duì)二甲苯)的滲透能力強(qiáng),能有效的在各種隙縫或針孔表面形成薄膜,介電常數(shù)低,摩擦系數(shù)極低,潤(rùn)滑效果優(yōu)異。C粉(聚一氯對(duì)二甲苯)具有優(yōu)良的介電性能和物理機(jī)械性能,具有極低的水分子和腐蝕性氣體的穿透率,沉積速率比N粉快,相應(yīng)的滲透能力低于N粉。D粉(聚二氯對(duì)二甲苯)在更高溫度下具有更好的物力及電性能,同時(shí)具有更好的熱穩(wěn)定性,其沉積與聚合速度非??臁1景l(fā)明鍍膜的工作原理是在真空環(huán)境下固體對(duì)二甲苯環(huán)二體加熱升華為氣態(tài)環(huán)二體,氣態(tài)環(huán)二體高溫下裂解為活動(dòng)單體,活性單體進(jìn)入真空鍍膜室中,在基體表面吸附、沉積、聚合,形成純凈、厚度均勻并能保持物體外形的保護(hù)膜??梢詰?yīng)用于任何形狀的表面涂裝,包括尖銳的棱角、隙縫內(nèi)部與極細(xì)微的真空中,在產(chǎn)品的任何部位均可以沉積出膜厚均勻、且不產(chǎn)生死角的致密性薄膜。本發(fā)明采用N粉、C粉和D粉的混合比例為(重量比)1:3:2復(fù)配的方式對(duì)手機(jī)鍍防水膜,膜的致密性好,防水效果好,透氣性好,熱穩(wěn)定性能強(qiáng),防水等級(jí)可達(dá)到國(guó)際最高標(biāo)準(zhǔn):IPX8。其中,所述步驟2)中的升華溫度為120℃-125℃,蒸發(fā)室壓力為20-30Pa。鍍膜的核心反應(yīng)是固態(tài)的對(duì)甲苯環(huán)二體加熱升華成氣態(tài)的對(duì)甲苯環(huán)二體,再發(fā)生裂解,2個(gè)亞甲基-亞甲基鍵斷裂,生成帶自由基的活潑單體,單體首尾相連,相互耦合,形成帶有自由基的中間體,中間體再聚合長(zhǎng)大,形成高聚物分子。升華的溫度越高,鍍膜原料氣化越快,真空鍍膜室內(nèi)單體分子濃度越高,沉積聚合越快,但升華溫度越高,活性單體分子動(dòng)能越高,相對(duì)于較低動(dòng)能的分子,這些高能量分子有很大比例擴(kuò)散至冷阱中,而不沉積在溫度較高的基體上,造成原料利用率低。如果升華的速率過(guò)高,超過(guò)裂解速度,部分環(huán)二體氣態(tài)分子來(lái)不及裂解就進(jìn)入沉降室,直接沉積在基體表面,容易形成聚合度較低、性能差的多孔狀聚合物。單體分子的沉積速率會(huì)隨著壓力的增加而提高,但壓力過(guò)高,則沉積過(guò)快,分子成長(zhǎng)不夠快,會(huì)出現(xiàn)霧狀薄膜,致密性不足,因此蒸發(fā)的溫度和壓力需要有個(gè)很好的平衡,才能得到致密性好,原料使用率高的防水膜。其中,所述步驟3)中的裂解溫度為685℃-690℃,裂解室壓力為8-10Pa。如前面所述,如果裂解的速率跟不上升華的速率,則得到的防水膜致密性差,防水效果不好,本發(fā)明的裂解溫度和壓力與上述的蒸發(fā)溫度和壓力相互配合,相互影響,得到本發(fā)明的手機(jī)防水膜的防水效果優(yōu)異,并且原料的利用率高。其中,所述步驟4)中的待鍍膜的基體溫度為25℃-30℃,鍍膜壓力為7-7.5Pa。通過(guò)研究發(fā)現(xiàn),防水膜的生長(zhǎng)速率隨著基體溫度的降低而快速升高,壓力對(duì)薄膜的生長(zhǎng)速度也有較大的影響,因此本發(fā)明的手機(jī)表面溫度選擇在25℃-30℃,鍍膜壓力為7-7.5Pa,更加有利于防水膜的生長(zhǎng),降低原料的使用量,降低鍍膜成本。其中,所述步驟4)中的防水膜層的厚度為10-15μm。防水膜過(guò)薄,則防水的效果不佳,但防水膜過(guò)厚,則不但浪費(fèi)原料,并且會(huì)造成膜的表面粗糙度增加,反而會(huì)降低防水膜的防水性能。其中,所述步驟1)中當(dāng)蒸發(fā)室的溫度達(dá)到120℃打開(kāi)冷泵。冷泵指的是低溫泵,它是通過(guò)冷凝表面氣體來(lái)抽氣的,是一種真空獲得設(shè)備,是為了獲得干凈的真空環(huán)境,本發(fā)明采用冷泵的效果好,真空環(huán)境得到有效地調(diào)控,提高鍍膜的效率和效果。其中,所述步驟2)中放鍍膜原材料前冷泵的溫度要達(dá)到-30℃以下,通過(guò)控制冷泵的溫度能有效控制放鍍膜原材料時(shí)的真空度環(huán)境,該方法對(duì)整體工藝的控制效果好。本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明利用納米級(jí)別的鍍膜原材料對(duì)手機(jī)進(jìn)行鍍膜處理,得到的防水膜具有以下優(yōu)點(diǎn):1、真空氣密性好,涂膜完全包覆,沒(méi)有死角;2、手機(jī)防水效果好,可達(dá)到國(guó)際最高標(biāo)準(zhǔn):IPX8;3、耐老化、耐酸堿、無(wú)毒、絕緣、低摩擦系數(shù);4、適合各類(lèi)內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜的手機(jī)產(chǎn)品,室溫下鍍膜,對(duì)基材無(wú)損傷;5、利用固體高分子鍍膜,無(wú)有機(jī)廢氣排放,綠色環(huán)保。6、原料利用率高,鍍膜成本低,推廣應(yīng)用容易。具體實(shí)施方式為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解,下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明,實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對(duì)本發(fā)明的限定。實(shí)施例1一種手機(jī)納米防水膜的制備方法,包括以下步驟:手機(jī)前處理:a、用美紋紙將手機(jī)內(nèi)部不需要鍍膜的元器件遮蓋封閉。b、拆開(kāi)手機(jī)內(nèi)部的靜電膠紙。c、用清洗劑對(duì)待鍍膜表面進(jìn)行清洗、清除表面灰塵及殘余油污;清洗劑為無(wú)水乙醇和NY-120號(hào)汽油按照體積比8:3混合的混合清洗劑。d、清洗后將手機(jī)放入干燥箱烘干殘余水分;烘干溫度為35℃,烘干時(shí)間為20min。鍍膜處理:1)將待鍍膜手機(jī)放入真空鍍膜室,加熱并抽真空;當(dāng)蒸發(fā)室的溫度達(dá)到120℃打開(kāi)冷泵。2)將鍍膜原材料放入蒸發(fā)室,繼續(xù)抽真空,放鍍膜原材料前冷泵的溫度要達(dá)到-30℃以下;原材料加熱升華;原材料為聚對(duì)二甲苯類(lèi)型粉體,其中包括有N粉、C粉和D粉,所述N粉、C粉和D粉的混合比例為(重量比)1:3:2,升華溫度為120℃,蒸發(fā)室壓力為20Pa。3)連通蒸發(fā)室與裂解室,鍍膜原材料進(jìn)入裂解室裂解成活性單體;裂解溫度為685℃℃,裂解室壓力為8Pa。4)活性單體進(jìn)入真空鍍膜室,最后沉積在手機(jī)待鍍膜表面,得到防水膜層;待鍍膜的基體溫度為25℃,鍍膜壓力為7Pa,防水膜層的厚度為10μm。5)鍍膜完成后降溫,裂解室抽真空,鍍膜室放氣,取出手機(jī)鍍膜產(chǎn)品。鍍膜后處理:①拆除貼覆在遮蔽元器件上的美紋紙;②清除銅片間的防水膜層。實(shí)施例2一種手機(jī)納米防水膜的制備方法,包括以下步驟:手機(jī)前處理:a、用美紋紙將手機(jī)內(nèi)部不需要鍍膜的元器件遮蓋封閉。b、拆開(kāi)手機(jī)內(nèi)部的靜電膠紙。c、用清洗劑對(duì)待鍍膜表面進(jìn)行清洗、清除表面灰塵及殘余油污;清洗劑為無(wú)水乙醇和NY-120號(hào)汽油按照體積比8:3混合的混合清洗劑。d、清洗后將手機(jī)放入干燥箱烘干殘余水分;烘干溫度為40℃,烘干時(shí)間為25min。鍍膜處理:1)將待鍍膜手機(jī)放入真空鍍膜室,加熱并抽真空;當(dāng)蒸發(fā)室的溫度達(dá)到120℃打開(kāi)冷泵。2)將鍍膜原材料放入蒸發(fā)室,繼續(xù)抽真空,放鍍膜原材料前冷泵的溫度要達(dá)到-30℃以下;原材料加熱升華;原材料為聚對(duì)二甲苯類(lèi)型粉體,其中包括有N粉、C粉和D粉,所述N粉、C粉和D粉的混合比例為(重量比)1:3:2,升華溫度為125℃,蒸發(fā)室壓力為30Pa。3)連通蒸發(fā)室與裂解室,鍍膜原材料進(jìn)入裂解室裂解成活性單體;裂解溫度為685℃-690℃,裂解室壓力為10Pa。4)活性單體進(jìn)入真空鍍膜室,最后沉積在手機(jī)待鍍膜表面,得到防水膜層;待鍍膜的基體溫度為25℃-30℃,鍍膜壓力為7.5Pa,防水膜層的厚度為15μm。5)鍍膜完成后降溫,裂解室抽真空,鍍膜室放氣,取出手機(jī)鍍膜產(chǎn)品。鍍膜后處理:①拆除貼覆在遮蔽元器件上的美紋紙;②清除銅片間的防水膜層。實(shí)施例3一種手機(jī)納米防水膜的制備方法,包括以下步驟:手機(jī)前處理:a、用美紋紙將手機(jī)內(nèi)部不需要鍍膜的元器件遮蓋封閉。b、拆開(kāi)手機(jī)內(nèi)部的靜電膠紙。c、用清洗劑對(duì)待鍍膜表面進(jìn)行清洗、清除表面灰塵及殘余油污;清洗劑為無(wú)水乙醇和NY-120號(hào)汽油按照體積比8:3混合的混合清洗劑。d、清洗后將手機(jī)放入干燥箱烘干殘余水分;烘干溫度為35℃,烘干時(shí)間為20min。鍍膜處理:1)將待鍍膜手機(jī)放入真空鍍膜室,加熱并抽真空;當(dāng)蒸發(fā)室的溫度達(dá)到120℃打開(kāi)冷泵。2)將鍍膜原材料放入蒸發(fā)室,繼續(xù)抽真空,放鍍膜原材料前冷泵的溫度要達(dá)到-30℃以下;原材料加熱升華;原材料為聚對(duì)二甲苯類(lèi)型粉體,其中包括有N粉、C粉和D粉,所述N粉、C粉和D粉的混合比例為(重量比)1:3:2,升華溫度為125℃,蒸發(fā)室壓力為20Pa。3)連通蒸發(fā)室與裂解室,鍍膜原材料進(jìn)入裂解室裂解成活性單體;裂解溫度為690℃,裂解室壓力為8Pa。4)活性單體進(jìn)入真空鍍膜室,最后沉積在手機(jī)待鍍膜表面,得到防水膜層;待鍍膜的基體溫度為30℃,鍍膜壓力為7Pa,防水膜層的厚度為15μm。5)鍍膜完成后降溫,裂解室抽真空,鍍膜室放氣,取出手機(jī)鍍膜產(chǎn)品。鍍膜后處理:①拆除貼覆在遮蔽元器件上的美紋紙;②清除銅片間的防水膜層。實(shí)施例4一種手機(jī)納米防水膜的制備方法,包括以下步驟:手機(jī)前處理:a、用美紋紙將手機(jī)內(nèi)部不需要鍍膜的元器件遮蓋封閉。b、拆開(kāi)手機(jī)內(nèi)部的靜電膠紙。c、用清洗劑對(duì)待鍍膜表面進(jìn)行清洗、清除表面灰塵及殘余油污;清洗劑為無(wú)水乙醇和NY-120號(hào)汽油按照體積比8:3混合的混合清洗劑。d、清洗后將手機(jī)放入干燥箱烘干殘余水分;烘干溫度為40℃,烘干時(shí)間為25min。鍍膜處理:1)將待鍍膜手機(jī)放入真空鍍膜室,加熱并抽真空;當(dāng)蒸發(fā)室的溫度達(dá)到120℃打開(kāi)冷泵。2)將鍍膜原材料放入蒸發(fā)室,繼續(xù)抽真空,放鍍膜原材料前冷泵的溫度要達(dá)到-30℃以下;原材料加熱升華;原材料為聚對(duì)二甲苯類(lèi)型粉體,其中包括有N粉、C粉和D粉,所述N粉、C粉和D粉的混合比例為(重量比)1:3:2,升華溫度為120℃℃,蒸發(fā)室壓力為30Pa。3)連通蒸發(fā)室與裂解室,鍍膜原材料進(jìn)入裂解室裂解成活性單體;裂解溫度為685℃,裂解室壓力為10Pa。4)活性單體進(jìn)入真空鍍膜室,最后沉積在手機(jī)待鍍膜表面,得到防水膜層;待鍍膜的基體溫度為25℃,鍍膜壓力為7.5Pa,防水膜層的厚度為10μm。5)鍍膜完成后降溫,裂解室抽真空,鍍膜室放氣,取出手機(jī)鍍膜產(chǎn)品。鍍膜后處理:①拆除貼覆在遮蔽元器件上的美紋紙;②清除銅片間的防水膜層。實(shí)施例5一種手機(jī)納米防水膜的制備方法,包括以下步驟:手機(jī)前處理:a、用美紋紙將手機(jī)內(nèi)部不需要鍍膜的元器件遮蓋封閉。b、拆開(kāi)手機(jī)內(nèi)部的靜電膠紙。c、用清洗劑對(duì)待鍍膜表面進(jìn)行清洗、清除表面灰塵及殘余油污;清洗劑為無(wú)水乙醇和NY-120號(hào)汽油按照體積比8:3混合的混合清洗劑。d、清洗后將手機(jī)放入干燥箱烘干殘余水分;烘干溫度為40℃,烘干時(shí)間為25min。鍍膜處理:1)將待鍍膜手機(jī)放入真空鍍膜室,加熱并抽真空;當(dāng)蒸發(fā)室的溫度達(dá)到120℃打開(kāi)冷泵。2)將鍍膜原材料放入蒸發(fā)室,繼續(xù)抽真空,放鍍膜原材料前冷泵的溫度要達(dá)到-30℃以下;原材料加熱升華;原材料為聚對(duì)二甲苯類(lèi)型粉體,其中包括有N粉、C粉和D粉,所述N粉、C粉和D粉的混合比例為(重量比)1:3:2,升華溫度為120℃,蒸發(fā)室壓力為20Pa。3)連通蒸發(fā)室與裂解室,鍍膜原材料進(jìn)入裂解室裂解成活性單體;裂解溫度為685℃,裂解室壓力為10Pa。4)活性單體進(jìn)入真空鍍膜室,最后沉積在手機(jī)待鍍膜表面,得到防水膜層;待鍍膜的基體溫度為30℃,鍍膜壓力為7Pa,防水膜層的厚度為10μm。5)鍍膜完成后降溫,裂解室抽真空,鍍膜室放氣,取出手機(jī)鍍膜產(chǎn)品。鍍膜后處理:①拆除貼覆在遮蔽元器件上的美紋紙;②清除銅片間的防水膜層。實(shí)施例6一種手機(jī)納米防水膜的制備方法,包括以下步驟:手機(jī)前處理:a、用美紋紙將手機(jī)內(nèi)部不需要鍍膜的元器件遮蓋封閉。b、拆開(kāi)手機(jī)內(nèi)部的靜電膠紙。c、用清洗劑對(duì)待鍍膜表面進(jìn)行清洗、清除表面灰塵及殘余油污;清洗劑為無(wú)水乙醇和NY-120號(hào)汽油按照體積比8:3混合的混合清洗劑。d、清洗后將手機(jī)放入干燥箱烘干殘余水分;烘干溫度為38℃,烘干時(shí)間為22min。鍍膜處理:1)將待鍍膜手機(jī)放入真空鍍膜室,加熱并抽真空;當(dāng)蒸發(fā)室的溫度達(dá)到120℃打開(kāi)冷泵。2)將鍍膜原材料放入蒸發(fā)室,繼續(xù)抽真空,放鍍膜原材料前冷泵的溫度要達(dá)到-30℃以下;原材料加熱升華;原材料為聚對(duì)二甲苯類(lèi)型粉體,其中包括有N粉、C粉和D粉,所述N粉、C粉和D粉的混合比例為(重量比)1:3:2,升華溫度為122℃,蒸發(fā)室壓力為25Pa。3)連通蒸發(fā)室與裂解室,鍍膜原材料進(jìn)入裂解室裂解成活性單體;裂解溫度為687℃,裂解室壓力為89Pa。4)活性單體進(jìn)入真空鍍膜室,最后沉積在手機(jī)待鍍膜表面,得到防水膜層;待鍍膜的基體溫度為28℃,鍍膜壓力為7.2Pa,防水膜層的厚度為12μm。5)鍍膜完成后降溫,裂解室抽真空,鍍膜室放氣,取出手機(jī)鍍膜產(chǎn)品。鍍膜后處理:①拆除貼覆在遮蔽元器件上的美紋紙;②清除銅片間的防水膜層。將實(shí)施例1-6所制得的防水膜進(jìn)行以下性能測(cè)試:1、防水測(cè)試,采用PX防水等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。2、熱穩(wěn)定性測(cè)試,將手機(jī)鍍膜產(chǎn)品置于加熱裝置下加溫至100℃持續(xù)的時(shí)間,觀察防水膜層是否會(huì)氣泡。3、中性酸霧測(cè)試,將手機(jī)鍍膜產(chǎn)品置于特定的試驗(yàn)箱內(nèi),將含有(5士0.5)%氯化鈉、pH值為6.5~7.2的鹽水通過(guò)噴霧裝置進(jìn)行噴霧,讓鹽霧沉降到手機(jī)鍍膜產(chǎn)品上,其表面發(fā)生腐蝕所經(jīng)歷的時(shí)間。試驗(yàn)箱的溫度要求在(35±2)℃,濕度大于95%,降霧量為1~2mL/(h·cm2),噴嘴壓力為78.5~137.3kPa(0.8~1.4kgf/cm2)。4、硫化鉀腐蝕試驗(yàn),將手機(jī)鍍膜產(chǎn)品浸泡于質(zhì)量濃度為5%的硫化鉀溶液中,觀察防水膜表面被腐蝕時(shí)所經(jīng)歷的時(shí)間。5、硫化鈉腐蝕試驗(yàn),將手機(jī)鍍膜產(chǎn)品浸泡于質(zhì)量濃度為5%的硫化鉀溶液中,觀察防水膜表面被腐蝕時(shí)所經(jīng)歷的時(shí)間。表1實(shí)施例1-6所得到的手機(jī)納米防水膜的性能測(cè)試結(jié)果表測(cè)試項(xiàng)目實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例2實(shí)施例3實(shí)施例4實(shí)施例5實(shí)施例6防水測(cè)試(IPX防水等級(jí)標(biāo)準(zhǔn))8888888熱穩(wěn)定性測(cè)試(h)>72>72>72>72>72>72>72中性酸霧測(cè)試(h)38403942454340硫化鉀腐蝕試驗(yàn)(min)30354038364238硫化鈉腐蝕試驗(yàn)(min)70806875797470從上述的性能測(cè)試中可以看出,本發(fā)明所得到的手機(jī)納米防水膜的防水性能好,熱穩(wěn)定性好,耐腐蝕效果好,綜合性能優(yōu)異。上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)現(xiàn)方案,除此之外,本發(fā)明還可以其它方式實(shí)現(xiàn),在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下任何顯而易見(jiàn)的替換均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 
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