1.一種磁控濺射方法，其特征在于，
提供至少兩個具有靶材和磁體的靶位，相鄰所述靶位之間具有一定間距，并所述磁體相對所述靶材以第二速度運動形成移動磁場且所述移動磁場具有一定功率；
提供一以第一速度勻速穿過所述移動磁場的工件，所述工件的運動方向為第一方向，與所述第一方向相反的方向設(shè)定為第二方向；
所述磁體在所述第一方向與所述第二方向之間往復(fù)運動于所述靶材內(nèi)，所述磁體完成一次往復(fù)運動的時間為一個周期；
各所述靶位的所述移動磁場的初始位置互補設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述磁體往復(fù)運動過程中的所述功率恒定。
3.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述第一速度恒定，調(diào)整所述間距及所述周期，使所述間距的長度與所述工件在二分之一周期內(nèi)經(jīng)過的距離的奇數(shù)倍相等。
4.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述間距恒定，調(diào)整所述第一速度及所述周期，使所述間距的長度與所述工件在二分之一周期內(nèi)經(jīng)過的距離的奇數(shù)倍相等。
5.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述周期恒定，調(diào)整所述第一速度及所述間距，使所述間距的長度與所述工件在二分之一周期內(nèi)經(jīng)過的距離的奇數(shù)倍相等。
6.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述磁體往復(fù)運動過程中，所述磁體沿第一方向運動產(chǎn)生第一功率，所述磁體沿第二方向運動產(chǎn)生第二功率，且所述第一功率與所述第二功率不同。
7.如權(quán)利要求6所述的磁控濺射方法，其特征在于，所述第一功率與所述第二功率的比值為第一速度與第二速度之和比第一速度與第二速度之差。
8.一種磁控濺射裝置，其特征在于，包括至少兩個靶位、傳送機構(gòu)、第 一驅(qū)動機構(gòu)以及第二驅(qū)動機構(gòu)；
設(shè)置至少兩個具有靶材和磁體的靶位，相鄰兩個所述靶位之間具有一定間距，所述靶材固定于所述靶位上，并所述磁體相對所述靶材以第二速度運動形成移動磁場且所述移動磁場具有一定功率；
所述第一驅(qū)動機構(gòu)設(shè)置于所述裝置的至少一端，所述傳送機構(gòu)鋪設(shè)于所述靶位的下方，所述工件放置于所述傳送機構(gòu)上表面，所述第一驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動所述傳送機構(gòu)，所述傳送機構(gòu)以第一速度勻速傳送所述工件穿過所述移動磁場，所述傳送機構(gòu)的運動方向為第一方向，與所述第一方向相反的方向為第二方向；
所述磁體在所述第一方向與所述第二方向之間往復(fù)運動于所述靶材內(nèi)，所述磁體完成一次往復(fù)運動的時間為一個周期；
各所述靶位的所述移動磁場的初始位置互補設(shè)置。
9.如權(quán)利要求8所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述磁體往復(fù)運動過程中，所述功率設(shè)置為恒定；
所述第一速度、所述間距及所述周期中任一項為恒定，另外兩項為變量，設(shè)置所述靶位之間的所述間距與所述工件在二分之一周期內(nèi)經(jīng)過的距離的奇數(shù)倍相等。
10.如權(quán)利要求8所述的磁控濺射裝置，其特征在于，所述磁體往復(fù)運動過程中，所述功率不設(shè)置為恒定；
所述磁體沿第一方向運動產(chǎn)生第一功率，所述磁體沿第二方向運動產(chǎn)生第二功率，且所述第一功率與所述第二功率不相同；
設(shè)置所述第一功率與所述第二功率的比值等于第一速度與第二速度之和比第一速度與第二速度之差。