技術(shù)編號：12110043
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁控濺射技術(shù)，尤其涉及一種磁控濺射方法及裝置。背景技術(shù)磁控濺射發(fā)生在磁場范圍內(nèi)，現(xiàn)有技術(shù)中常用移動磁場提高靶材利用率。通過勻速移動磁體形成移動磁場，讓磁體做往復(fù)運動，這樣可以有效提高靶材的利用率，可以讓靶材的利用率達(dá)到40％至50％。但是這種方法依舊存在的問題，假設(shè)磁場的移動速度為V1，工件的移動速度為V2，磁場做往復(fù)運動時，當(dāng)磁場與工件同向運動，他們的相對速度為V2-V1，當(dāng)磁場與工件反向運動，他們的相對速度為V1+V2。而且，當(dāng)移動磁場運動速度較慢時(與工件運行速度相比)，移動磁場...
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