一種平面磁控濺射靶的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種平面磁控濺射靶，由法蘭、壓套、通水筒、勵磁線圈、電工純鐵套筒、絕緣套筒、水嘴、壓板、緊定螺釘、電工純鐵壓桿、密封圈、墊圈、絕緣套、壓環(huán)、螺栓、絕緣隔套、屏蔽罩、開槽沉頭螺釘、壓緊圈、釹鐵硼永久磁鐵柱、定位支架部件組成。該平面磁控濺射靶在屏蔽罩設(shè)計，勵磁線圈、電工純鐵套筒和永久磁鐵的結(jié)構(gòu)布置，磁控濺射靶的磁場可調(diào)以及冷卻結(jié)構(gòu)設(shè)計等方面具有獨(dú)到之處，解決了磁控濺射靶經(jīng)常遇到的尖端放電、對磁性材料濺射率低以及冷卻結(jié)構(gòu)復(fù)雜等常見缺點(diǎn)，提高了靶材利用率。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、工作穩(wěn)定可靠、磁場調(diào)節(jié)范圍大、濺射效率高、維護(hù)方便且成本低，可廣泛應(yīng)用于真空磁控濺射鍍膜設(shè)備上。
【專利說明】一種平面磁控濺射靶

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明提供一種平面磁控濺射靶，屬于真空濺射鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]磁控濺射是真空鍍膜領(lǐng)域中一項(xiàng)重要鍍膜技術(shù)，其具有低溫、快速、低能耗、適用的基片和鍍膜材料范圍寬、膜層致密、光潔度高、結(jié)合力好等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射鍍膜主要是應(yīng)用潘寧放電原理，通過在放電空間施加磁場，將帶電粒子(電子、離子)束縛在放電空間，增加了帶電粒子對中性原子(分子)的離化率，使輝光放電需要的氣壓和電壓降低，同時靶材表面的磁場將二次電子束縛在靶材表面，增加二次電子對靶材表面的轟擊，提高對靶材的濺射速率。
[0003]根據(jù)靶的結(jié)構(gòu)、磁場安放位置，磁控濺射靶可以分為平面型靶、圓柱型靶、圓錐型靶、對向靶等；而根據(jù)磁場產(chǎn)生的方式可以分為永磁靶和電磁靶。靶的結(jié)構(gòu)、磁場強(qiáng)度及分布是磁控濺射靶設(shè)計的兩個重要因素，其決定了磁控濺射靶的效率和鍍膜質(zhì)量。目前，磁控濺射靶材利用率相對較低，對磁控濺射靶進(jìn)行科學(xué)合理地設(shè)計，可有效提高靶材利用率并改善鍍膜質(zhì)量。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]解決的技術(shù)問題:本發(fā)明針對磁控濺射靶材利用率相對較低，需要對磁控濺射靶進(jìn)行科學(xué)合理地設(shè)計，以有效提高靶材利用率并改善鍍膜質(zhì)量的問題，提供了一種平面磁控濺射靶，該平面磁控濺射靶具有結(jié)構(gòu)簡單、工作穩(wěn)定可靠、磁場調(diào)節(jié)范圍大、濺射效率高、維護(hù)方便以及成本低等優(yōu)點(diǎn)。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]一種平面磁控濺射靶，其特征在于它是由法蘭1、壓套2、通水筒3、勵磁線圈4、電工純鐵套筒5、絕緣套筒6、水嘴7、壓板8、緊定螺釘9、電工純鐵壓桿10、密封圈11、墊圈12、絕緣套13、壓環(huán)14、螺栓15、絕緣隔套16、屏蔽罩17、開槽沉頭螺釘18、壓緊圈19、釹鐵硼永久磁鐵柱20和定位支架21所組成，其中定位支架21大端向下水平放置于法蘭I中央的圓形深凹槽中；電工純鐵套筒5和定位支架21被固定在法蘭I中央的圓形深凹槽內(nèi)；釹鐵硼永久磁鐵柱20疊放于絕緣套筒6內(nèi)，釹鐵硼永久磁鐵柱20 —端插入定位支架21中心的通孔中，并且其插入端端面與法蘭I接觸，壓板8大端向下水平放置于電工純鐵套筒5和絕緣套筒6上端，電工純鐵壓桿10小端向下穿過壓板8中心部位的通孔插入絕緣套筒6中，壓緊釹鐵硼永久磁鐵柱20，通過緊定螺釘9將壓板8和電工純鐵壓桿10緊固；將通水筒3直接套在電工純鐵套筒5外，并使其一端嵌入法蘭I的環(huán)形凹槽中；水嘴7與通水筒3通過螺紋連接，接頭處采用密封圈11密封；對開的階梯環(huán)形壓套2扣在通水筒3的環(huán)形凹槽中，并通過螺栓15將通水筒3壓緊固定在法蘭I上，通水筒3與法蘭I接頭處以密封圈密封；法蘭I通過壓環(huán)14壓緊，由螺栓15緊固到真空室上，法蘭I與真空室之間以絕緣隔套16進(jìn)行絕緣，螺栓15與壓環(huán)14和法蘭I之間以絕緣套13進(jìn)行絕緣，法蘭I與絕緣隔套16的端面接頭處以及絕緣隔套16與真空室壁端面接頭處均以密封圈11密封；靶材22放置在法蘭I 一側(cè)中間的淺凹槽內(nèi)，通過壓緊圈19壓緊，由開槽沉頭螺釘18固定在法蘭I上；屏蔽罩17置于靶材22四周上方l_3mm處，通過螺栓15固定在真空室壁上，屏蔽罩17中心孔的中心線與靶材中心線重合；勵磁線圈4直接套在通水筒3上。
[0007]所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于:
[0008](I)所述的絕緣隔套16采用可在真空下使用的耐熱絕緣材料制作，所述的法蘭I采用導(dǎo)熱性好的順磁或抗磁性金屬材料制作。
[0009](2)所述的法蘭I整體外輪廓呈圓柱臺階狀，法蘭I小端的端面中心部位有一用于放置靶材22的圓形淺凹槽；法蘭I另一端的中央部位有一用于放置電工純鐵套筒5、定位支架21、釹鐵硼永久磁鐵柱20、絕緣套筒6的圓形深凹槽，在此圓形深凹槽外側(cè)相鄰處加工有一用作冷卻通道的環(huán)形凹槽，環(huán)形凹槽內(nèi)、外側(cè)于法蘭I端面處均加工有一個用于冷卻介質(zhì)密封的密封圈槽；法蘭I與絕緣隔套16接觸的端面處有一用于真空密封的密封圈槽。
[0010](3)所述的通水筒3筒壁上沿與壁厚垂直的方向鉆有二個成180度對稱分布的孔，分別用于冷卻媒介的輸入和輸出，通水筒3上部內(nèi)孔處有螺紋，水嘴7與通水筒3通過螺紋連接，通水筒3下端面處有一環(huán)形凸臺，該凸臺可嵌入法蘭I環(huán)形凹槽中，通水筒3下部外側(cè)壁有一環(huán)形凹槽，將壓套2的一側(cè)卡入該環(huán)形凹槽后，用螺栓15將壓套2與法蘭I緊固。
[0011](4)靶材22放置在法蘭I頂部，用壓緊圈19卡住靶材22，通過開槽沉頭螺釘18將壓緊圈19緊固。
[0012](5)所述勵磁線圈4是暴露在大氣環(huán)境中，無需額外的冷卻裝置。
[0013](6)所述釹鐵硼永久磁鐵柱20不直接與靶材22接觸，避免了由于靶材在濺射時溫升對永久磁鐵的退磁效應(yīng)。
[0014](7)所述屏蔽罩17設(shè)置在靶材22四周上方l_3mm處，并使屏蔽罩17與法蘭I絕緣。
[0015](8)所述的水嘴7、通水筒3、密封圈11、法蘭I上的環(huán)形凹槽組合于一起所形成的冷卻通道與釹鐵硼永久磁鐵柱20完全分隔開，使釹鐵硼永久磁鐵柱20不與冷卻媒介接觸，避免了釹鐵硼永久磁鐵柱20被冷卻媒介腐蝕。
[0016](9)所述的釹鐵硼永久磁鐵柱20和電工純鐵壓桿10位于電工純鐵套筒5內(nèi)側(cè)，勵磁線圈4位于電工純鐵套筒5外側(cè)，且釹鐵硼永久磁鐵柱20、電工純鐵壓桿10、電工純鐵套筒5、勵磁線圈4中心線重合，這種布置可有效避免濺射磁性材料時容易產(chǎn)生的磁短路現(xiàn)象，對磁性材料也有很高的濺射效率。
[0017](10)所述的勵磁線圈4中的電流連續(xù)可調(diào)、釹鐵硼永久磁鐵柱20的大小可改變，靶材22濺射區(qū)域隨勵磁線圈4中電流以及釹鐵硼永久磁鐵柱20大小的變化而改變，有效提聞了祀材的利用率。
[0018]有益效果:
[0019]本平面磁控濺射靶內(nèi)部設(shè)有一個獨(dú)立的冷卻通道，使釹鐵硼永久磁鐵柱不與冷卻媒介接觸，避免了永久磁鐵柱被冷卻媒介腐蝕；靶材設(shè)置在法蘭頂部，通過壓緊圈固定，靶材的冷卻簡單可靠；勵磁線圈暴露在大氣中無需額外的冷卻裝置；釹鐵硼永久磁鐵柱不直接與靶材接觸，避免了由于靶材在濺射時溫升對永久磁鐵的退磁效應(yīng)；屏蔽罩設(shè)置在濺射靶材四周上方1-3_處并與法蘭絕緣，可以有效的抑制尖端放電，使靶工作穩(wěn)定；釹鐵硼永久磁鐵柱，電工純鐵套筒和勵磁線圈布置合理，有效的避免了濺射磁性材料時容易產(chǎn)生的磁短路現(xiàn)象，對磁性材料也有很高的濺射效率；通過改變勵磁線圈中的勵磁電流以及濺射靶中心部位的釹鐵硼永久磁鐵柱，可以調(diào)整磁場位形分布，改變靶材濺射區(qū)域，提高靶材的利用率。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、工作穩(wěn)定可靠、磁場調(diào)節(jié)范圍大、濺射效率高、維護(hù)方便、成本低廉，可廣泛應(yīng)用于真空磁控濺射鍍膜設(shè)備上。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1 一種平面磁控濺射靶裝配示意圖；
[0021]圖2—種平面磁控濺射靶的法蘭示意圖，其中(a)為法蘭A-A剖面圖，(b)為法蘭俯視圖；
[0022]圖3 —種平面磁控濺射靶的壓套示意圖，其中(a)為壓套A-A方向正視圖，(b)為壓套俯視圖；
[0023]圖4 一種平面磁控濺射靶的通水筒示意圖，其中(a)為通水筒A-A剖面圖，(b)為通水筒俯視圖；
[0024]圖5 —種平面磁控濺射靶的電工純鐵套筒示意圖，其中(a)為電工純鐵套筒正視圖，(b)為電工純鐵套筒俯視圖；
[0025]圖6 —種平面磁控濺射靶的絕緣套筒示意圖，其中(a)為絕緣套筒正視圖，(b)為絕緣套筒俯視圖；
[0026]圖7—種平面磁控濺射靶的水嘴示意圖，其中(a)為水嘴A-A剖面圖，(b)為水嘴俯視圖；
[0027]圖8 —種平面磁控濺射靶的壓板示意圖，其中(a)為壓板A-A剖面圖，(b)為壓板俯視圖；
[0028]圖9 一種平面磁控濺射靶的電工純鐵壓桿示意圖，其中(a)為電工純鐵壓桿正視圖，(b)為電工純鐵俯視圖；
[0029]圖10 —種平面磁控派射祀的絕緣套示意圖,其中(a)為絕緣套正視圖，(b)為絕緣套俯視圖；
[0030]圖11 一種平面磁控濺射靶的壓環(huán)示意圖，其中(a)為壓環(huán)A-A剖面圖，(b)為壓環(huán)俯視圖；
[0031]圖12—種平面磁控濺射靶的絕緣隔套示意圖，其中(a)為絕緣隔套正視圖，(b)為絕緣隔套俯視圖；
[0032]圖13 —種平面磁控濺射靶的屏蔽罩示意圖，其中(a)為屏蔽罩A_A剖面圖，(b)為屏蔽罩俯視圖；
[0033]圖14 一種平面磁控濺射靶的壓緊圈示意圖，其中(a)為壓緊圈A_A剖面圖，(b)為壓緊圈俯視圖；
[0034]圖15—種平面磁控濺射靶的定位支架示意圖，其中(a)為定位支架正視圖，(b)為定位支架俯視圖。
[0035]附圖標(biāo)記:
[0036]1-法蘭，2-壓套，3-通水筒，4-勵磁線圈，5-電工純鐵套筒，6_絕緣套筒，7_水嘴，8-壓板，9-緊定螺釘，10-電工純鐵壓桿，11-密封圈，12-墊圈，13-絕緣套，14-壓環(huán)，15-螺栓，16-絕緣隔套，17-屏蔽罩，18-開槽沉頭螺釘，19-壓緊圈，20-釹鐵硼永久磁鐵柱，21-定位支架，22-靶材。

【具體實(shí)施方式】
[0037]實(shí)施例1:
[0038]一種平面磁控濺射靶，其特征在于它是由法蘭1、壓套2、通水筒3、勵磁線圈4、電工純鐵套筒5、絕緣套筒6、水嘴7、壓板8、緊定螺釘9、電工純鐵壓桿10、密封圈11、墊圈12、絕緣套13、壓環(huán)14、螺栓15、絕緣隔套16、屏蔽罩17、開槽沉頭螺釘18、壓緊圈19、釹鐵硼永久磁鐵柱20和定位支架21所組成，其中定位支架21大端向下水平放置于法蘭I中央的圓形深凹槽中；電工純鐵套筒5和定位支架21被固定在法蘭I中央的圓形深凹槽內(nèi)；釹鐵硼永久磁鐵柱20疊放于絕緣套筒6內(nèi)，釹鐵硼永久磁鐵柱20 —端插入定位支架21中心的通孔中，并且其插入端端面與法蘭I接觸，壓板8大端向下水平放置于電工純鐵套筒5和絕緣套筒6上端，電工純鐵壓桿10小端向下穿過壓板8中心部位的通孔插入絕緣套筒6中，壓緊釹鐵硼永久磁鐵柱20，通過緊定螺釘9將壓板8和電工純鐵壓桿10緊固；將通水筒3直接套在電工純鐵套筒5外，并使其一端嵌入法蘭I的環(huán)形凹槽中；水嘴7與通水筒3通過螺紋連接，接頭處采用密封圈11密封；對開的階梯環(huán)形壓套2扣在通水筒3的環(huán)形凹槽中，并通過螺栓15將通水筒3壓緊固定在法蘭I上，通水筒3與法蘭I接頭處以密封圈密封；法蘭I通過壓環(huán)14壓緊，由螺栓15緊固到真空室上，法蘭I與真空室之間以絕緣隔套16進(jìn)行絕緣，螺栓15與壓環(huán)14和法蘭I之間以絕緣套13進(jìn)行絕緣，法蘭I與絕緣隔套16的端面接頭處以及絕緣隔套16與真空室壁端面接頭處均以密封圈11密封；靶材放置在法蘭I另一側(cè)中間的淺凹槽內(nèi)，通過壓緊圈19壓緊，由開槽沉頭螺釘18固定在法蘭I上；屏蔽罩17置于靶材四周上方l_3mm處，通過螺栓15固定在真空室壁上，屏蔽罩中心孔的中心線與靶材中心線重合；勵磁線圈4直接套在通水筒3上。
[0039]所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述的絕緣隔套16采用可以在真空下使用的耐熱絕緣材料制作，所述的法蘭I采用導(dǎo)熱性好的順磁或抗磁性金屬材料制作；所述的法蘭I整體外輪廓呈圓柱臺階狀，法蘭I小端的端面中心部位有一用于放置靶材22的圓形淺凹槽，法蘭I另一端的中央部位有一用于放置電工純鐵套筒5、定位支架21、釹鐵硼永久磁鐵柱20、絕緣套筒6的圓形深凹槽，在此圓形深凹槽外側(cè)相鄰處加工有一用作冷卻通道的環(huán)形凹槽，環(huán)形凹槽內(nèi)、外側(cè)于法蘭I端面處均加工有一個用于冷卻介質(zhì)密封的密封圈槽，法蘭I與絕緣隔套16接觸的端面處有一用于真空密封的密封圈槽；所述的通水筒3筒壁上沿與壁厚垂直的方向鉆有二個成180度對稱分布的孔，分別用于冷卻媒介的輸入和輸出，通水筒3上部內(nèi)孔處有螺紋，水嘴7與通水筒3通過螺紋連接，通水筒3下端面處有一環(huán)形凸臺，該凸臺可嵌入法蘭I環(huán)形凹槽中，通水筒3下部外側(cè)壁有一環(huán)形凹槽，將壓套2的一側(cè)卡入該環(huán)形凹槽后，用螺栓15將壓套2與法蘭I緊固；靶材22放置在法蘭I頂部，用壓緊圈19卡住靶材22，通過開槽沉頭螺釘18將壓緊圈19緊固；所述勵磁線圈4是暴露在大氣環(huán)境中，無需額外的冷卻裝置；所述釹鐵硼永久磁鐵柱20不直接與靶材22接觸，避免了由于靶材在濺射時溫升對永久磁鐵的退磁效應(yīng)；所述屏蔽罩17設(shè)置在靶材22四周上方l-3mm處，并使屏蔽罩17與法蘭I絕緣。
[0040]其中:
[0041]①采用聚四氟乙烯加工絕緣套和絕緣隔套，絕緣套和絕緣隔套均為通底、二級階梯圓柱筒形。絕緣套的總高度為21.5_，中心孔直徑為Φ6_，小端圓柱筒外徑為Φ10_，大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ20mm和3.5mm。絕緣隔套的總高度為35mm，中心孔直徑為Φ 132mm,小端圓柱筒外徑為Φ 150mm,大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ 175mm和5_。
[0042]②采用酚醛樹脂加工壓環(huán)，壓環(huán)呈環(huán)形，其內(nèi)徑與外徑分別為Φ 146mm和Φ205mm,高度為8mm,以Φ 185_為圓心線，均布有8個Φ 10_的孔。
[0043]③采用尼龍加工定位支架、絕緣套筒、通水筒和壓板。定位支架為通底、二級階梯圓柱筒形，總高度為9mm,中心孔直徑為Φ30ηιηι,小端圓柱筒外徑為Φ49ι?πι,大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ55mm和2mm。絕緣套筒高度為130mm，內(nèi)徑為Φ30mm，外徑為Φ38πιπι。通水筒總高度為105mm,內(nèi)徑和外徑分別為C>60mm和Φ 102mm ;其端面環(huán)形凸臺的高度、內(nèi)徑和外徑分別為2mm、C>72mm和Φ88ι?πι ;外側(cè)壁上環(huán)形凹槽的深度為5mm,環(huán)形凹槽兩側(cè)邊距通水筒環(huán)形凸臺端面的距離分別為7mm和Ilmm ;筒壁上的兩孔呈180度對稱分布，兩孔的中心線距離為80mm，其與水嘴連接的部分呈螺紋孔，螺紋孔的孔徑和長度分別為M12mm和36mm,孔的其余部分為光孔,直徑為C>6mm。壓板的總高度為16mm,大端圓柱筒外徑、內(nèi)徑和高度分別為Φ56ι?πι、C>30mm和5.5mm,小端圓柱筒外徑和內(nèi)徑分別為C>38mm和C>32mm,小端筒壁左右兩側(cè)鉆有M4的螺紋通孔，孔中心線距大端外端面10mm。
[0044]④采用招加工水嘴,水嘴呈管狀，總長為52.5mm,其內(nèi)部中心通孔孔徑為C>6mm,水嘴外壁除接近中間部位有一段長為5mm、直徑為Φ22πιπι的光滑部分外，其余部分均加工有Μ12_的螺紋，水嘴外壁螺紋較長的一端與通水筒連接，該段螺紋長度為32.5_。
[0045]⑤采用電工純鐵加工電工純鐵壓桿和電工純鐵套筒。電工純鐵壓桿為二級階梯圓柱形，總長為119mm,小端圓柱直徑和長度分別為C>30mm和90mm,大端圓柱直徑為C>40mm。電工純鐵套筒呈通底圓柱筒狀，其外徑、內(nèi)徑和高度分別為Φ60πιπι、Φ 50mm和139mm，其一端底部加工有一環(huán)形凹臺，凹臺內(nèi)徑、外徑和凹臺平面距該端端面距離分別為O50mm、Φ 55mm 和 2mm。
[0046]⑥采用鋁加工壓套和法蘭。壓套呈對開的二級階梯環(huán)形，環(huán)外徑為Φ 136mm，總高度為7mm,環(huán)內(nèi)徑分別為C>93mm和Φ 102mm,其中內(nèi)徑較小的環(huán)高度為3mm,在環(huán)壁上以Φ 118mm為圓心線，均布有6個Φ6mm的通孔。法蘭總高度為43mm,大端圓柱直徑和高度分別為Φ175_和8mm,小端圓柱直徑為Φ 132mm ;小端的端面中心部位用于放置祀材的圓形淺凹槽直徑和深度分別為Φ69ι?πι和2mm,在小端端面處以Φ 10mm為圓心線加工有8個均布的M4X 1mm的螺紋孔；法蘭另一端中央部位的圓形深凹槽直徑和深度分別為Φ60πιπι和36mm，在此圓形深凹槽外側(cè)相鄰處用作冷卻通道的環(huán)形凹槽的內(nèi)徑、外徑和深度分別為C>72mm、C>89mm和30mm,環(huán)形凹槽內(nèi)、外側(cè)于法蘭端面處加工有用于冷卻介質(zhì)密封的密封圈槽，內(nèi)側(cè)的密封圈槽內(nèi)徑、外徑和深度分別為Φ63ι?πι、C>69mm和2mm,夕卜側(cè)的密封圈槽內(nèi)徑、夕卜徑和深度分別為Φ92_、Φ98_和2mm,在法蘭該端端面處以Φ118_為圓心線加工有6個均布的Μ6 X 12mm的螺紋孔，法蘭大端與絕緣隔套接觸的端面處用于真空密封的密封圈槽內(nèi)徑、夕卜徑和深度分別為Φ 155mm、Φ 171mm和4.5mm。
[0047]⑦采用ICrlSN1Ti不銹鋼加工屏蔽罩和壓緊圈。屏蔽罩呈帶邊緣的通底薄壁圓柱筒狀，壁厚為3mm，筒的內(nèi)徑為Φ155πιπι，筒邊緣外徑為Φ 180mm，筒底中心部位的孔徑為Φ62ι?πι,筒邊緣上以Φ 172mm為圓心線均布有6個Φ3ι?πι的孔。壓緊圈為二級階梯環(huán)形，環(huán)外徑為Φ 114mm,總高度為6.5mm,環(huán)內(nèi)徑分別為Φ64mm和Φ69mm,其中內(nèi)徑較大的環(huán)高度為3mm，在環(huán)壁上以ΦΙΟΟπιπι為圓心線，均布有8個二級階梯狀通孔，孔上部分為Φ 10_X 3mm,孔下部分為Φ4_。
[0048]⑧勵磁線圈采用0.2mm的細(xì)銅線繞制而成。
[0049]⑨所述平面磁控濺射靶中采用的密封圈均為O形橡膠密封圈，水嘴與通水筒連接接頭處的密封圈為11.8X1.8-G-N-GB/T3452.1_2005，通水筒與法蘭接頭處的密封圈為 92.5X2.65-G-N-GB/T3452.1-2005 和 63X2.65-G-N-GB/T3452.1-2005，法蘭與絕緣隔套端面的接頭處以及絕緣隔套與真空室壁端面接頭處的密封圈為155X5.3-G-N-GB/T3452.1-2005。
[0050]⑩壓套與法蘭之間的連接螺栓為六角頭螺栓M6X16mm，壓環(huán)與真空室之間的連接螺栓為六角頭螺栓M6X 30mm，壓緊圈與法蘭之間的連接螺釘為開槽沉頭螺釘M4X 12mm，屏蔽罩與真空室之間的連接螺栓為六角頭螺栓M3 X 6_。
[0051]該平面磁控濺射靶的勵磁線圈的勵磁電流在O?100mA范圍內(nèi)可調(diào)。采用該平面磁控濺射靶進(jìn)行真空鍍膜，濺射靶工作穩(wěn)定可靠、濺射效率和靶材利用率高，膜層質(zhì)量好。利用該平面磁控派射IE對Φ68ι?πιΧ5πιπι的Laa7Sra3MnO3祀進(jìn)行派射沉積，通過調(diào)節(jié)勵磁電流可以使祀的派射區(qū)域在ΦΙΟι?πι?C>62mm之間變化，當(dāng)勵磁電流為550mA時，Laa7Sra3MnO3祀起輝區(qū)域最小可以控制到Φ 1mm,祀材利用率可達(dá)到81 該利用率值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于通常的靶材利用率值(20% -28 % ) 0當(dāng)Laa7Sra3MnO3靶厚為5mm，濺射電流為400mA，濺射氣壓為0.1Pa，濺射氣體為25vol.% 02+75vol.% Ar，靶與基體間距為10mm時，Laa7Sra3MnO3薄膜的沉積速率為0.7 μ m/h。采用該平面磁控濺射靶對金屬T1、Al、Ag、Mg、Cu和Fe靶進(jìn)行濺射真空鍍膜，這些金屬靶的利用率均超過50%。當(dāng)濺射氣壓為0.1Pa、濺射氣體為Ar、靶與基體間距為10mm時:祀厚5mm，濺射電流650mA時，Ti和Al的薄膜沉積速率均為3 μ m/h ;祀厚5mm，濺射電流250mA時，Ag和Mg的薄膜沉積速率為分別為2 μ m/h和4.5 μ m/h ;祀厚5mm，濺射電流400mA時，Cu的薄膜沉積速率為2 μ m/h ;祀厚0.5mm,濺射電流400mA時，F(xiàn)e的薄膜沉積速率為I μ m/h。
[0052]實(shí)施例2:
[0053]一種平面磁控濺射靶，結(jié)構(gòu)同實(shí)施例1。
[0054]其中:
[0055]①采用聚四氟乙烯加工絕緣套和絕緣隔套，絕緣套和絕緣隔套均為通底、二級階梯圓柱筒形。絕緣套的總高度為21.5_，中心孔直徑為Φ6_，小端圓柱筒外徑為Φ10_，大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ20mm和3.5mm。絕緣隔套的總高度為35mm，中心孔直徑為Φ 132mm,小端圓柱筒外徑為Φ 150mm,大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ 175mm和5_。
[0056]②采用酚醛樹脂加工壓環(huán)，壓環(huán)呈環(huán)形，其內(nèi)徑與外徑分別為Φ 146mm和Φ205mm,高度為8mm,以Φ 185_為圓心線，均布有8個Φ 10_的孔。
[0057]③采用尼龍加工定位支架、絕緣套筒、通水筒和壓板。定位支架為通底、二級階梯圓柱筒形，總高度為9mm,中心孔直徑為Φ30ηιηι,小端圓柱筒外徑為Φ49ι?πι,大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ55mm和2mm。絕緣套筒高度為130mm，內(nèi)徑為Φ30mm，外徑為Φ38πιπι。通水筒總高度為105mm,內(nèi)徑和外徑分別為C>60mm和Φ 102mm ;其端面環(huán)形凸臺的高度、內(nèi)徑和外徑分別為2mm、C>72mm和C>88mm ;外側(cè)壁上環(huán)形凹槽的深度為5mm,環(huán)形凹槽兩側(cè)邊距通水筒環(huán)形凸臺端面的距離分別為7mm和Ilmm;筒壁上的兩孔呈180度對稱分布，兩孔的中心線距離為80mm，其與水嘴連接的部分呈螺紋孔，螺紋孔的孔徑和長度分別為M12mm和36mm,孔的其余部分為光孔,直徑為C>6mm。壓板的總高度為16mm,大端圓柱筒外徑、內(nèi)徑和高度分別為Φ56ι?πι、C>30mm和5.5mm,小端圓柱筒外徑和內(nèi)徑分別為C>38mm和C>32mm,小端筒壁左右兩側(cè)鉆有M4的螺紋通孔，孔中心線距大端外端面10mm。
[0058]④采用奧氏體不銹鋼加工水嘴,水嘴呈管狀，總長為52.5mm,其內(nèi)部中心通孔孔徑為Φ6πιπι，水嘴外壁除接近中間部位有一段長為5mm、直徑為Φ22mm的光滑部分外，其余部分均加工有M12mm的螺紋，水嘴外壁螺紋較長的一端與通水筒連接，該段螺紋長度為32.Smnin
[0059]⑤采用電工純鐵加工電工純鐵壓桿和電工純鐵套筒。電工純鐵壓桿為二級階梯圓柱形，總長為119mm,小端圓柱直徑和長度分別為C>30mm和90mm,大端圓柱直徑為C>40mm。電工純鐵套筒呈通底圓柱筒狀，其外徑、內(nèi)徑和高度分別為Φ60πιπι、Φ 50mm和139mm，其一端底部加工有一環(huán)形凹臺，凹臺內(nèi)徑、外徑和凹臺平面距該端端面距離分別為O50mm、Φ 55mm 和 2mm。
[0060]⑥采用奧氏體不銹鋼加工壓套和法蘭。壓套呈對開的二級階梯環(huán)形，環(huán)外徑為Φ 136mm,總高度為7mm,環(huán)內(nèi)徑分別為Φ93mm和Φ 102mm,其中內(nèi)徑較小的環(huán)高度為3mm,在環(huán)壁上以Φ 118mm為圓心線，均布有6個C>6mm的通孔。法蘭總高度為43mm,大端圓柱直徑和高度分別為Φ 175mm和8mm,小端圓柱直徑為Φ 132mm ;小端的端面中心部位用于放置革巴材的圓形淺凹槽直徑和深度分別為Φ69ι?πι和2mm,在小端端面處以ΦΙΟΟι?πι為圓心線加工有8個均布的Μ4Χ 1mm的螺紋孔；法蘭另一端中央部位的圓形深凹槽直徑和深度分別為Φ60?和36mm，在此圓形深凹槽外側(cè)相鄰處用作冷卻通道的環(huán)形凹槽的內(nèi)徑、外徑和深度分別為Φ72ι?πι、C>89mm和30mm,環(huán)形凹槽內(nèi)、外側(cè)于法蘭端面處加工有用于冷卻介質(zhì)密封的密封圈槽，內(nèi)側(cè)的密封圈槽內(nèi)徑、外徑和深度分別為Φ63πιπι、Φ69πιπι和2mm，外側(cè)的密封圈槽內(nèi)徑、夕卜徑和深度分別為Φ92ι?πι、Φ98πιπι和2mm,在法蘭該端端面處以Φ118ι?πι為圓心線加工有6個均布的Μ6Χ 12_的螺紋孔，法蘭大端與絕緣隔套接觸的端面處用于真空密封的密封圈槽內(nèi)徑、外徑和深度分別為Φ 155臟、Φ 171mm和4.5mm。
[0061]⑦采用奧氏體不銹鋼加工屏蔽罩和壓緊圈。屏蔽罩呈帶邊緣的通底薄壁圓柱筒狀，壁厚為3mm,筒的內(nèi)徑為Φ 155mm,筒邊緣外徑為Φ 180mm,筒底中心部位的孔徑為C>62mm,筒邊緣上以Φ 172mm為圓心線均布有6個Φ3ι?πι的孔。壓緊圈為二級階梯環(huán)形，環(huán)外徑為φ 114mm,總高度為6.5mm,環(huán)內(nèi)徑分別為Φ 64mm和Φ 69mm,其中內(nèi)徑較大的環(huán)高度為3mm，在環(huán)壁上以Φ 10mm為圓心線，均布有8個二級階梯狀通孔，孔上部分為Φ 10_X 3mm,孔下部分為Φ4_。
[0062]⑧勵磁線圈采用0.2mm的細(xì)銅線繞制而成。
[0063]⑨所述平面磁控濺射靶中采用的密封圈均為O形橡膠密封圈，水嘴與通水筒連接接頭處的密封圈為11.8X1.8-G-N-GB/T3452.1_2005，通水筒與法蘭接頭處的密封圈為 92.5X2.65-G-N-GB/T3452.1-2005 和 63X2.65-G-N-GB/T3452.1-2005，法蘭與絕緣隔套端面的接頭處以及絕緣隔套與真空室壁端面接頭處的密封圈為155X5.3-G-N-GB/T3452.1-2005。
[0064]⑩壓套與法蘭之間的連接螺栓為六角頭螺栓M6X 16mm，壓環(huán)與真空室之間的連接螺栓為六角頭螺栓M6X 30mm，壓緊圈與法蘭之間的連接螺釘為開槽沉頭螺釘M4X 12mm，屏蔽罩與真空室之間的連接螺栓為六角頭螺栓M3 X 6_。
[0065]該平面磁控濺射靶的勵磁線圈的勵磁電流在O?100mA范圍內(nèi)可調(diào)。采用該平面磁控濺射靶進(jìn)行真空鍍膜，濺射靶工作穩(wěn)定可靠、濺射效率和靶材利用率高，膜層質(zhì)量好。通過調(diào)節(jié)勵磁電流(O?1000mA)可以大范圍改變祀材派射區(qū)域的大小,祀材起輝區(qū)域最小可以控制到ΦΙΟπιπι，靶材利用率超過50%，該利用率值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于通常的靶材利用率值(20% -28% )0采用該平面磁控濺射靶進(jìn)行真空鍍膜，當(dāng)濺射氣壓為0.1Pa、濺射氣體為Ar、靶與基體間距為10mm時:濺射電流為700mA，Ti和Al靶厚為5mm時，Ti和Al的薄膜沉積速率均為3 μ m/h ;濺射電流為300mA，Ag靶厚為5mm時，Ag的薄膜沉積速率為2 μ m/h ;濺射電流為600mA，Ni靶厚為3mm時，Ni的薄膜沉積速率為1.5 μ m/h。
[0066]實(shí)施例3:
[0067]一種平面磁控濺射靶，結(jié)構(gòu)同實(shí)施例1。
[0068]其中:
[0069]①采用聚四氟乙烯加工絕緣套和絕緣隔套，絕緣套和絕緣隔套均為通底、二級階梯圓柱筒形。絕緣套的總高度為21.5_，中心孔直徑為Φ6_，小端圓柱筒外徑為Φ10_，大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ20mm和3.5mm。絕緣隔套的總高度為35mm，中心孔直徑為Φ 132mm,小端圓柱筒外徑為Φ 150mm,大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ 175mm和5_。
[0070]②采用酚醛樹脂加工壓環(huán)，壓環(huán)呈環(huán)形，其內(nèi)徑與外徑分別為Φ 146mm和Φ205mm,高度為8mm,以Φ 185_為圓心線，均布有8個Φ 10_的孔。
[0071]③采用尼龍加工定位支架、絕緣套筒、通水筒和壓板。定位支架為通底、二級階梯圓柱筒形，總高度為9mm,中心孔直徑為Φ30ι?πι,小端圓柱筒外徑為Φ49ι?πι,大端圓柱筒外徑和高度分別為Φ55mm和2mm。絕緣套筒高度為130mm，內(nèi)徑為Φ30mm，外徑為Φ38πιπι。通水筒總高度為105mm,內(nèi)徑和外徑分別為C>60mm和Φ 102mm ;其端面環(huán)形凸臺的高度、內(nèi)徑和外徑分別為2mm、C>72mm和C>88mm ;外側(cè)壁上環(huán)形凹槽的深度為5mm,環(huán)形凹槽兩側(cè)邊距通水筒環(huán)形凸臺端面的距離分別為7mm和Ilmm ;筒壁上的兩孔呈180度對稱分布，兩孔的中心線距離為80mm，其與水嘴連接的部分呈螺紋孔，螺紋孔的孔徑和長度分別為M12mm和36mm,孔的其余部分為光孔,直徑為C>6mm。壓板的總高度為16mm,大端圓柱筒外徑、內(nèi)徑和高度分別為Φ56ι?πι、C>30mm和5.5mm,小端圓柱筒外徑和內(nèi)徑分別為C>38mm和C>32mm,小端筒壁左右兩側(cè)鉆有M4的螺紋通孔，孔中心線距大端外端面10mm。
[0072]④采用鋁合金加工水嘴，水嘴呈管狀，總長為52.5mm，其內(nèi)部中心通孔孔徑為Φ 6mm，水嘴外壁除接近中間部位有一段長為5mm、直徑為Φ22πιπι的光滑部分外，其余部分均加工有Μ12_的螺紋，水嘴外壁螺紋較長的一端與通水筒連接，該段螺紋長度為32.5_。
[0073]⑤采用電工純鐵加工電工純鐵壓桿和電工純鐵套筒。電工純鐵壓桿為二級階梯圓柱形，總長為119mm,小端圓柱直徑和長度分別為C>30mm和90mm,大端圓柱直徑為C>40mm。電工純鐵套筒呈通底圓柱筒狀，其外徑、內(nèi)徑和高度分別為Φ60πιπι、Φ 50mm和139mm，其一端底部加工有一環(huán)形凹臺，凹臺內(nèi)徑、外徑和凹臺平面距該端端面距離分別為O50mm、Φ 55mm 和 2mm。
[0074]⑥采用鋁合金加工壓套和法蘭。壓套呈對開的二級階梯環(huán)形，環(huán)外徑為Φ136_，總高度為7mm,環(huán)內(nèi)徑分別為C>93mm和Φ 102mm,其中內(nèi)徑較小的環(huán)高度為3mm,在環(huán)壁上以Φ 118mm為圓心線,均布有6個C>6mm的通孔。法蘭總高度為43mm,大端圓柱直徑和高度分別為Φ175_和8mm,小端圓柱直徑為Φ 132mm ;小端的端面中心部位用于放置祀材的圓形淺凹槽直徑和深度分別為Φ69ι?πι和2mm,在小端端面處以Φ 10mm為圓心線加工有8個均布的M4X 1mm的螺紋孔；法蘭另一端中央部位的圓形深凹槽直徑和深度分別為Φ60πιπι和36mm，在此圓形深凹槽外側(cè)相鄰處用作冷卻通道的環(huán)形凹槽的內(nèi)徑、外徑和深度分別為C>72mm、C>89mm和30mm,環(huán)形凹槽內(nèi)、外側(cè)于法蘭端面處加工有用于冷卻介質(zhì)密封的密封圈槽，內(nèi)側(cè)的密封圈槽內(nèi)徑、外徑和深度分別為Φ63ι?πι、C>69mm和2mm,夕卜側(cè)的密封圈槽內(nèi)徑、夕卜徑和深度分別為Φ92_、Φ98_和2mm,在法蘭該端端面處以Φ118_為圓心線加工有6個均布的Μ6 X 12mm的螺紋孔，法蘭大端與絕緣隔套接觸的端面處用于真空密封的密封圈槽內(nèi)徑、夕卜徑和深度分別為Φ 155mm、Φ 171mm和4.5mm。
[0075]⑦采用ICrlSN1Ti不銹鋼加工屏蔽罩和壓緊圈。屏蔽罩呈帶邊緣的通底薄壁圓柱筒狀，壁厚為3mm，筒的內(nèi)徑為Φ155πιπι，筒邊緣外徑為Φ 180mm，筒底中心部位的孔徑為Φ62ι?πι,筒邊緣上以Φ 172mm為圓心線均布有6個Φ3ι?πι的孔。壓緊圈為二級階梯環(huán)形，環(huán)外徑為Φ 114mm,總高度為6.5mm,環(huán)內(nèi)徑分別為Φ64ι?πι和Φ69ι?πι,其中內(nèi)徑較大的環(huán)高度為3mm，在環(huán)壁上以Φ 10mm為圓心線，均布有8個二級階梯狀通孔，孔上部分為Φ 10_X 3mm,孔下部分為Φ4_。
[0076]⑧勵磁線圈采用0.2mm的細(xì)銅線繞制而成。
[0077]⑨所述平面磁控濺射靶中采用的密封圈均為O形橡膠密封圈，水嘴與通水筒連接接頭處的密封圈為11.8X1.8-G-N-GB/T3452.1_2005，通水筒與法蘭接頭處的密封圈為 92.5X2.65-G-N-GB/T3452.1-2005 和 63X2.65-G-N-GB/T3452.1-2005，法蘭與絕緣隔套端面的接頭處以及絕緣隔套與真空室壁端面接頭處的密封圈為155X5.3-G-N-GB/T3452.1-2005。
[0078]⑩壓套與法蘭之間的連接螺栓為六角頭螺栓M6X16mm，壓環(huán)與真空室之間的連接螺栓為六角頭螺栓M6X 30mm，壓緊圈與法蘭之間的連接螺釘為開槽沉頭螺釘M4X 12mm，屏蔽罩與真空室之間的連接螺栓為六角頭螺栓M3 X 6_。
[0079]該平面磁控濺射靶的勵磁線圈的勵磁電流在O?100mA范圍內(nèi)可調(diào)。采用該平面磁控濺射靶進(jìn)行真空鍍膜，濺射靶工作穩(wěn)定可靠、濺射效率和靶材利用率高，膜層質(zhì)量好。通過調(diào)節(jié)勵磁電流(O?1000mA)可以大范圍改變祀材派射區(qū)域的大小,祀材起輝區(qū)域最小可以控制到ΦΙΟπιπι，靶材利用率超過50%，該利用率值遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于通常的靶材利用率值(20% -28% )0采用該平面磁控濺射靶進(jìn)行真空鍍膜，當(dāng)濺射氣壓為0.1Pa、濺射氣體為Ar、靶與基體間距為10mm時:濺射電流為650mA，T1、Al靶厚為5mm時，Ti和Al的薄膜沉積速率均為3 μ m/h ;濺射電流為250mA，Ag靶厚為5mm時，Ag的薄膜沉積速率為2 μ m/h ;濺射電流為600mA，Ni靶厚為3mm時，Ni的薄膜沉積速率為1.5 μ m/h ;濺射電流為400mA，F(xiàn)e靶厚為0.5mm時，F(xiàn)e的薄膜沉積速率為I μ m/h。
【權(quán)利要求】
1.一種平面磁控濺射靶，其特征在于它是由法蘭(I)、壓套(2)、通水筒(3)、勵磁線圈(4)、電工純鐵套筒(5)、絕緣套筒(6)、水嘴(7)、壓板(8)、緊定螺釘(9)、電工純鐵壓桿(10)、密封圈(11)、墊圈(12)、絕緣套(13)、壓環(huán)(14)、螺栓(15)、絕緣隔套(16)、屏蔽罩(17)、開槽沉頭螺釘(18)、壓緊圈(19)、釹鐵硼永久磁鐵柱(20)和定位支架(21)所組成，其中定位支架(21)大端向下水平放置于法蘭(I)中央的圓形深凹槽中；電工純鐵套筒(5)和定位支架(21)被固定在法蘭(I)中央的圓形深凹槽內(nèi)；釹鐵硼永久磁鐵柱(20)疊放于絕緣套筒(6)內(nèi)，釹鐵硼永久磁鐵柱(20)—端插入定位支架(21)中心的通孔中，并且其插入端端面與法蘭(I)接觸，壓板(8)大端向下水平放置于電工純鐵套筒(5)和絕緣套筒(6)上端，電工純鐵壓桿(10)小端向下穿過壓板(8)中心部位的通孔插入絕緣套筒(6)中，壓緊釹鐵硼永久磁鐵柱(20)，通過緊定螺釘(9)將壓板(8)和電工純鐵壓桿(10)緊固；將通水筒(3)直接套在電工純鐵套筒(5)外，并使其一端嵌入法蘭(I)的環(huán)形凹槽中；水嘴(7)與通水筒(3)通過螺紋連接，接頭處采用密封圈(11)密封；對開的階梯環(huán)形壓套(2)扣在通水筒(3)的環(huán)形凹槽中，并通過螺栓(15)將通水筒(3)壓緊固定在法蘭(I)上，通水筒(3)與法蘭(I)接頭處以密封圈密封；法蘭(I)通過壓環(huán)(14)壓緊，由螺栓(15)緊固到真空室上，法蘭(I)與真空室之間以絕緣隔套(16)進(jìn)行絕緣，螺栓(15)與壓環(huán)(14)和法蘭(I)之間以絕緣套(13)進(jìn)行絕緣，法蘭(I)與絕緣隔套(16)的端面接頭處以及絕緣隔套(16)與真空室壁端面接頭處均以密封圈(11)密封；靶材(22 )放置在法蘭(I) 一側(cè)中間的淺凹槽內(nèi)，通過壓緊圈(19)壓緊，由開槽沉頭螺釘(18)固定在法蘭(I)上；屏蔽罩(17)置于靶材(22)四周上方l_3mm處，通過螺栓(15)固定在真空室壁上，屏蔽罩(17)中心孔的中心線與靶材中心線重合；勵磁線圈(4)直接套在通水筒(3)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述的絕緣隔套(16)采用可在真空下使用的耐熱絕緣材料制作，所述的法蘭(I)采用導(dǎo)熱性好的順磁或抗磁性金屬材料制作。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述的法蘭(I)整體外輪廓呈圓柱臺階狀，法蘭(I)小端的端面中心部位有一用于放置靶材(22)的圓形淺凹槽；法蘭(I)另一端的中央部位有一用于放置電工純鐵套筒(5)、定位支架(21)、釹鐵硼永久磁鐵柱(20)、絕緣套筒(6)的圓形深凹槽，在此圓形深凹槽外側(cè)相鄰處加工有一用作冷卻通道的環(huán)形凹槽，環(huán)形凹槽內(nèi)、外側(cè)于法蘭(I)端面處均加工有一個用于冷卻介質(zhì)密封的密封圈槽；法蘭(I)與絕緣隔套(16)接觸的端面處有一用于真空密封的密封圈槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述的通水筒(3)筒壁上沿與壁厚垂直的方向鉆有二個成180度對稱分布的孔,分別用于冷卻媒介的輸入和輸出，通水筒(3)上部內(nèi)孔處有螺紋，水嘴(7)與通水筒(3)通過螺紋連接，通水筒(3)下端面處有一環(huán)形凸臺，該凸臺可嵌入法蘭(I)環(huán)形凹槽中，通水筒(3)下部外側(cè)壁有一環(huán)形凹槽，將壓套(2)的一側(cè)卡入該環(huán)形凹槽后，用螺栓(15)將壓套(2)與法蘭(I)緊固。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于靶材(22)放置在法蘭(I)頂部，用壓緊圈(19)卡住靶材(22)，通過開槽沉頭螺釘(18)將壓緊圈(19)緊固。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述勵磁線圈(4)是暴露在大氣環(huán)境中，無需額外的冷卻裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述釹鐵硼永久磁鐵柱(20 )不直接與靶材(22 )接觸，避免了由于靶材在濺射時溫升對永久磁鐵的退磁效應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述屏蔽罩(17)設(shè)置在靶材(22)四周上方l-3mm處，并使屏蔽罩(17)與法蘭(I)絕緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述的水嘴(7)、通水筒(3)、密封圈(11)、法蘭(I)上的環(huán)形凹槽組合于一起所形成的冷卻通道與釹鐵硼永久磁鐵柱(20)完全分隔開，使釹鐵硼永久磁鐵柱(20)不與冷卻媒介接觸，避免了釹鐵硼永久磁鐵柱(20)被冷卻媒介腐蝕。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述的釹鐵硼永久磁鐵柱(20 )和電工純鐵壓桿(10 )位于電工純鐵套筒(5 )內(nèi)側(cè)，勵磁線圈(4)位于電工純鐵套筒(5)外側(cè)，且釹鐵硼永久磁鐵柱(20)、電工純鐵壓桿(10)、電工純鐵套筒(5)、勵磁線圈(4)中心線重合,這種布置可有效避免濺射磁性材料時容易產(chǎn)生的磁短路現(xiàn)象,對磁性材料也有很高的濺射效率。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種平面磁控濺射靶，其特征在于所述的勵磁線圈(4)中的電流連續(xù)可調(diào)、釹鐵硼永久磁鐵柱(20)的大小可改變，靶材(22)濺射區(qū)域隨勵磁線圈(4)中電流以及釹鐵硼永久磁鐵柱(20)大小的變化而改變，有效提高了靶材的利用率。
【文檔編號】C23C14/35GK104404463SQ201410650707
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月14日
【發(fā)明者】王剛, 江少群, 王澤華, 周澤華, 程江波 申請人:河海大學(xué)