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一種j型陰極磁控濺射靶的制作方法

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一種j型陰極磁控濺射靶的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種J型陰極磁控濺射靶,特別涉及的是用于航空領(lǐng)域的一種J型陰極磁控濺射靶。
【背景技術(shù)】
[0002]目前真空鍍膜所采用的靶材均是平板靶材或圓柱靶材,對(duì)于一般的平面鍍膜能夠保證均勻性。但是要對(duì)復(fù)合曲面的飛機(jī)座艙罩的外表面進(jìn)行大面積鍍膜,平面靶材相對(duì)于曲面各點(diǎn)的距離差距較大,無(wú)法確保鍍膜的均勻性,進(jìn)而影響其導(dǎo)電率和透光率。因此需要設(shè)計(jì)一種形狀符合飛機(jī)座艙罩曲面外形的靶材,以此來(lái)實(shí)現(xiàn)快速、均勻的大面積鍍膜。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種J型陰極磁控濺射靶,實(shí)現(xiàn)對(duì)復(fù)合曲面的飛機(jī)座艙罩外表面進(jìn)行快速、均勻的大面積鍍膜。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的,達(dá)到上述技術(shù)效果,本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0005]一種J型陰極磁控濺射靶,包括旋轉(zhuǎn)盤、J型基架、靶材、充氣管、輝光放電電極。所述旋轉(zhuǎn)盤支撐整個(gè)靶,可旋轉(zhuǎn)180°。所述J型基架是濺射靶的主要部分,它的形狀是本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的重點(diǎn),設(shè)計(jì)為兩個(gè)并排結(jié)構(gòu)。所述J型基架的圓弧面用許多片所述靶材覆蓋。所述J型基架內(nèi)部填充永久磁體。所述J型基架左側(cè)端面用螺栓固定兩條所述充氣管,右側(cè)端面用螺栓固定兩條所述輝光放電電極。
[0006]優(yōu)選的,所述旋轉(zhuǎn)盤可旋轉(zhuǎn)180°,用于對(duì)曲面板材全方位鍍膜。
[0007]優(yōu)選的,所述J型基架設(shè)計(jì)為兩個(gè)并排結(jié)構(gòu),用于濺鍍不同膜層。
[0008]優(yōu)選的,所述靶材是以一片片長(zhǎng)方形緊密排列,粘結(jié)在所述J型基架的圓弧面,用來(lái)提供膜層材質(zhì)。
[0009]優(yōu)選的,所述充氣管沿所述J型基架左側(cè)端面固定在所述J型基架上,用來(lái)在真空室中充入工作氣體和保護(hù)氣體。
[0010]優(yōu)選的,所述輝光放電電極沿所述J型基架右側(cè)端面固定在所述J型基架上,用來(lái)連接外電源,產(chǎn)生負(fù)高壓。
[0011]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該J型磁控濺射靶在鍍膜時(shí)固定在三維移動(dòng)靶材支架上,并由其承載著按設(shè)定的軌跡運(yùn)動(dòng),分兩次對(duì)曲面板材進(jìn)行鍍膜,并可配合需要鍍兩種不同膜層。采用J型磁控濺射陰極靶,能夠使大面積的復(fù)合曲面的飛機(jī)座艙罩外表面得到均勻、快速的鍍膜。
[0012]上述說(shuō)明是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段,并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施,以下以本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】并配合附圖對(duì)本專利進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型J型陰極磁控濺射靶示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]如圖1所示,本實(shí)用新型J型陰極磁控濺射靶,包括旋轉(zhuǎn)盤1、J型基架2、靶材3、充氣管4、輝光放電電極5。旋轉(zhuǎn)盤I支撐整個(gè)靶,可旋轉(zhuǎn)180°。J型基架2是濺射靶的主要部分,設(shè)計(jì)為兩個(gè)并排結(jié)構(gòu)。J型基架2的圓弧面用許多片靶材3覆蓋,內(nèi)部填充永久磁體。J型基架2左側(cè)端面用螺栓固定兩條充氣管4,右側(cè)端面用螺栓固定兩條輝光放電電極5。
[0015]旋轉(zhuǎn)盤I可旋轉(zhuǎn)180°,用于對(duì)曲面板材全方位鍍膜。
[0016]J型基架2設(shè)計(jì)為兩個(gè)并排結(jié)構(gòu),用于濺鍍不同膜層。
[0017]靶材3是以一片片長(zhǎng)方形緊密排列,粘結(jié)在所述J型基架2的圓弧面,用來(lái)提供膜層材質(zhì)。
[0018]充氣管4沿J型基架2左側(cè)端面固定,用來(lái)在真空室中充入工作氣體和保護(hù)氣體。
[0019]輝光放電電極5沿J型基架2右側(cè)端面固定,用來(lái)連接外電源,產(chǎn)生負(fù)高壓。
[0020]上述實(shí)例可在不脫離本實(shí)用新型的范圍下加以若干變化,故以上的說(shuō)明及附圖中所示的結(jié)構(gòu)應(yīng)視為示例性,而非用以限制本實(shí)用新型的申請(qǐng)專利范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型做出的等效變化或修飾,都涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種J型陰極磁控濺射靶,其特征在于:包括旋轉(zhuǎn)盤(I)、J型基架(2)、靶材(3)、充氣管(4)、輝光放電電極(5),所述J型基架⑵固定在所述旋轉(zhuǎn)盤⑴上,所述J型基架(2)圓弧面用許多片所述靶材(3)覆蓋,內(nèi)部填充永久磁體,所述J型基架(2)左側(cè)端面用螺栓固定兩條所述充氣管(4),右側(cè)端面用螺栓固定兩條所述輝光放電電極(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的J型陰極磁控濺射靶,其特征在于:所述旋轉(zhuǎn)盤(I)可旋轉(zhuǎn)180。。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的J型陰極磁控濺射靶,其特征在于:所述J型基架(2)設(shè)計(jì)為兩個(gè)并排結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的J型陰極磁控濺射靶,其特征在于:所述靶材(3)是以一片片長(zhǎng)方形緊密排列,粘結(jié)在所述J型基架(2)的圓弧面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的J型陰極磁控濺射靶,其特征在于:所述充氣管(4)沿所述J型基架(2)左側(cè)端面固定。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的J型陰極磁控濺射靶,其特征在于:所述輝光放電電極(5)沿所述J型基架(2)右側(cè)端面固定。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于戰(zhàn)機(jī)座艙罩鍍膜的J型陰極磁控濺射靶,包括旋轉(zhuǎn)盤、J型基架、靶材、充氣管、輝光放電電極。所述旋轉(zhuǎn)盤支撐整個(gè)靶,可旋轉(zhuǎn)180°。所述J型基架是濺射靶的主要部分,設(shè)計(jì)為兩個(gè)并排結(jié)構(gòu)。所述J型基架的圓弧面用許多片所述靶材覆蓋,內(nèi)部填充永久磁體。所述J型基架左側(cè)端面用螺栓固定兩條所述充氣管,右側(cè)端面用螺栓固定兩條所述輝光放電電極。本實(shí)用新型J型陰極磁控濺射靶,形狀符合飛機(jī)座艙罩曲面外形,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)復(fù)合曲面的飛機(jī)座艙罩外表面快速、均勻的大面積鍍膜,確保其導(dǎo)電率和透光率。
【IPC分類】C23C14-35
【公開(kāi)號(hào)】CN204325484
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420824324
【發(fā)明人】韓裕鯤
【申請(qǐng)人】昆山艾諾美航天材料有限公司
【公開(kāi)日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2014年12月19日
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