化學(xué)氣相沉積裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉積裝置包括：支撐構(gòu)件，被構(gòu)造成支撐基板的下表面；遮蔽框架，被構(gòu)造成覆蓋基板的上表面的邊緣部分；以及護(hù)套，具有吹掃氣體供應(yīng)開口，吹掃氣體供應(yīng)開口被構(gòu)造成供應(yīng)吹掃氣體，使得吹掃氣體從位于基板的下表面下方的位置離開吹掃氣體供應(yīng)開口。護(hù)套鄰近于遮蔽框架的一部分并被構(gòu)造成覆蓋基板的下表面的一部分。排放單元設(shè)置在護(hù)套中，或者排放單元位于護(hù)套和遮蔽框架之間。
【專利說明】化學(xué)氣相沉積裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的一方面涉及一種化學(xué)氣相沉積裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 通常，化學(xué)氣相沉積裝置可以用于對各種基板進(jìn)行沉積。例如，化學(xué)氣相沉積裝置 可以用于對制造太陽能電池時必需的基板進(jìn)行沉積，或者對制造顯示面板時必需的基板進(jìn) 行沉積。這樣的化學(xué)氣相沉積裝置可以通過在上側(cè)上噴射沉積氣體來對基板進(jìn)行沉積。這 里，可以從基板的下側(cè)噴射吹掃氣體，以防止沉積氣體在基板的下表面上的沉積或沉積氣 體在基板的側(cè)表面上的不均勻沉積。
[0003] 供應(yīng)的吹掃氣體可能從基板的下表面移動到基板的上表面。此外，因固定或支撐 基板的結(jié)構(gòu)的移動，所以在基板的邊緣區(qū)域處，基板可能不會被合適地沉積。因此，吹掃氣 體經(jīng)常不能被順利地排放或者在基板邊緣區(qū)域處不能均勻地沉積。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 提供本
【發(fā)明內(nèi)容】
，以介紹進(jìn)一步在【具體實(shí)施方式】中描述的構(gòu)思的選擇。本發(fā)明內(nèi) 容不意圖標(biāo)明要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵或必要特征，也不意圖用來幫助限制要求保護(hù)的主題 的范圍。
[0005] 本發(fā)明的實(shí)施例的方面涉及一種能夠改善基板的邊緣部分和/或下表面處的膜 均勻性的化學(xué)氣相沉積裝置。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方面，可以通過防止吹掃氣體移動到基板的上表面或者防 止吹掃氣體被儲存在基板的邊緣區(qū)域中來改善沉積均勻性。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的 方面,可以通過將吹掃氣體排放到護(hù)套的側(cè)部來促進(jìn)吹掃氣體的順利排放。
[0007] 在一個實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置包括：支撐構(gòu)件，被構(gòu)造成支撐基板的下表 面；遮蔽框架，被構(gòu)造成覆蓋基板的上表面的邊緣部分；以及護(hù)套，具有吹掃氣體供應(yīng)開 口，吹掃氣體供應(yīng)開口被構(gòu)造成供應(yīng)吹掃氣體，使得吹掃氣體從位于基板的下表面下方的 位置離開吹掃氣體供應(yīng)開口。護(hù)套可以鄰近于遮蔽框架的一部分并被構(gòu)造成覆蓋基板的下 表面的一部分，排放單元可以位于護(hù)套中或者位于護(hù)套和遮蔽框架之間。
[0008] 在一個實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置的排放單元被構(gòu)造成沿著與基板的下表面平 行的方向排放吹掃氣體的至少一部分。
[0009] 在一個實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置還包括容納支撐構(gòu)件、遮蔽框架和護(hù)套的室。 在一些實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置包括位于室的側(cè)部或底部處的抽吸單元。在一些實(shí)施 例中，抽吸單元位于室的底部處。
[0010] 在另一實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置的吹掃氣體供應(yīng)開口穿過護(hù)套延伸。
[0011] 在一個實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置的護(hù)套包括：吹掃氣體供應(yīng)單元，與吹掃氣體 供應(yīng)開口結(jié)合；以及護(hù)套體，結(jié)合到吹掃氣體供應(yīng)單元。吹掃氣體供應(yīng)單元可以具有第一厚 度，護(hù)套體可具有與第一厚度不同的第二厚度。在一些實(shí)施例中，第一厚度小于第二厚度。 在另一實(shí)施例中，在遮蔽框架和吹掃氣體供應(yīng)單元之間存在空間，使得空間結(jié)合到排放單 J Li 〇
[0012] 在另一實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置的吹掃氣體供應(yīng)開口被構(gòu)造成向基板的下表 面供應(yīng)吹掃氣體，排放單元被構(gòu)造成將從吹掃氣體供應(yīng)開口供應(yīng)的吹掃氣體的至少一部分 排放到護(hù)套的外側(cè)。在另一實(shí)施例中，排放單元被構(gòu)造成通過將吹掃氣體的過量部分排放 到護(hù)套的外側(cè)來防止吹掃氣體朝著基板的上表面供應(yīng)。在另一實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝 置還包括被構(gòu)造成朝著基板的上表面噴射沉積氣體的噴頭。在另一實(shí)施例中，排放單元被 構(gòu)造成將從吹掃氣體供應(yīng)開口供應(yīng)的一部分吹掃氣體和從噴頭供應(yīng)的一部分沉積氣體排 放到護(hù)套的外側(cè)。
[0013] 在一個實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置的排放單元位于遮蔽框架和護(hù)套之間。在另 一實(shí)施例中，遮蔽框架包括固定單元和接觸單元。固定單元可以鄰近于并接觸基板的上表 面的邊緣部分，接觸單元可以鄰近于排放單元。遮蔽框架可以被構(gòu)造成將基板固定在遮蔽 框架和支撐構(gòu)件之間。
[0014] 在另一實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置的排放單元包括多個排放單元，護(hù)套還包括 在第一方向上位于所述多個排放單元中的兩個相鄰的排放單元之間的支撐單元。護(hù)套的一 部分可以以每個支撐單元與遮蔽框架的一部分接觸。在一些實(shí)施例中，排放單元的深度為 護(hù)套的厚度的大約20%至大約75%。在另一實(shí)施例中，排放單元的直徑為護(hù)套的厚度的大約 20%至大約75%。
[0015] 在一個實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置的排放單元的沿著與基板的側(cè)表面平行的第 一方向的第一寬度與支撐單元的沿著第一方向的第二寬度不同。在一些實(shí)施例中，第一寬 度與第二寬度之比在〇. 25和4之間。在另一實(shí)施例中，排放單元的沿著與基板的側(cè)表面平 行的第一方向的直徑與所述多個排放單元中的兩個相鄰的排放單元之間的最短距離不同。 在一些實(shí)施例中，排放單元的直徑與所述多個排放單元中的兩個相鄰的排放單元之間的最 短距離之比在0. 25和4之間。
[0016] 在另一實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置包括容納支撐構(gòu)件、遮蔽框架和護(hù)套的室，其 中，支撐構(gòu)件被構(gòu)造成支撐基板的下表面，遮蔽框架被構(gòu)造成覆蓋基板的上表面的邊緣部 分，以及護(hù)套具有吹掃氣體供應(yīng)開口，吹掃氣體供應(yīng)開口被構(gòu)造成供應(yīng)吹掃氣體，使得吹掃 氣體從位于基板的下表面下方的位置離開吹掃氣體供應(yīng)開口。護(hù)套可以鄰近于遮蔽框架的 一部分并被構(gòu)造成覆蓋基板的下表面的一部分。排放單元可以位于護(hù)套中或者在護(hù)套和遮 蔽框架之間。抽吸單元可以與室結(jié)合并被構(gòu)造成從室抽吸氣體。
[0017] 在一個實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置的抽吸單元包括：抽吸管，與室結(jié)合；以及真 空泵，與抽吸管結(jié)合。在一些實(shí)施例中，通過抽吸單元，吹掃氣體的一部分經(jīng)過排放單元排 放到室的外部。
[0018] 在另一實(shí)施例中，通過抽吸單元，化學(xué)氣相沉積裝置的吹掃氣體的一部分和沉積 氣體的一部分經(jīng)過排放單元排放到室的外部。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積裝置的正視圖。
[0020] 圖2是圖1的化學(xué)氣相沉積裝置的部分A的放大正視圖。
[0021] 圖3是示出了圖2的化學(xué)氣相沉積裝置的所述部分的遮蔽框架和護(hù)套的側(cè)表面的 側(cè)視圖。
[0022] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積裝置的正視圖。
[0023] 圖5是圖4的化學(xué)氣相沉積裝置的部分B的放大正視圖。
[0024] 圖6是示出了圖5的化學(xué)氣相沉積裝置的所述部分的遮蔽框架和護(hù)套的側(cè)表面的 側(cè)視圖。
[0025] 圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積裝置的正視圖。
[0026] 圖8是圖7的化學(xué)氣相沉積裝置的部分C的放大正視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 現(xiàn)在將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本 發(fā)明可以以許多不同的形式來呈現(xiàn)，并且不應(yīng)被解釋為限制于這里闡述的實(shí)施例；而是，提 供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底的和完全的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā) 明的構(gòu)思。附圖中同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件，因此將省略它們的描述。除非諸如"包 括"、"具有"或"包含"的術(shù)語與術(shù)語"僅"一起使用，否則這些術(shù)語可以意圖指示多個組件。 諸如"第一"和"第二"的術(shù)語可以用于描述不同的組件，但是本發(fā)明不受這些術(shù)語限制。這 些術(shù)語僅用來將一個組件與另一組件區(qū)分開。
[0028] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積裝置100的正視圖。圖2是圖1的化 學(xué)氣相沉積裝置的部分A的放大正視圖。圖3是示出了圖2的化學(xué)氣相沉積裝置100的所 述部分的遮蔽框架140和護(hù)套（jacket) 130的側(cè)表面的側(cè)視圖。
[0029] 參照圖1至圖3,在一些實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置100包括在其中形成空間的 室110。另外，在一些實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置100包括用于放置基板S的支撐構(gòu)件 120。在一些實(shí)施例中，安裝了加熱器以向放置的基板S施加熱。
[0030] 此外，在一些實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置100覆蓋支撐構(gòu)件120的外部，并包括 護(hù)套130,護(hù)套130具有用于向基板S供應(yīng)吹掃氣體的吹掃氣體供應(yīng)開口 131。在一些實(shí)施 例中，在護(hù)套130的外側(cè)的一部分距支撐構(gòu)件120的外側(cè)的一部分特定距離的位置處，形成 吹掃氣體供應(yīng)開口 131。此外，吹掃氣體供應(yīng)開口 131可以被形成為從護(hù)套的底表面貫穿護(hù) 套130。在下面更詳細(xì)地描述的實(shí)施例中，為了便于解釋，吹掃氣體供應(yīng)開口 131被形成為 穿過護(hù)套130。
[0031] 上面的吹掃氣體供應(yīng)開口 131可以連接到吹掃氣體供應(yīng)線。在一個實(shí)施例中，吹 掃氣體供應(yīng)線沿著支撐構(gòu)件120的內(nèi)部彎曲，并通過支撐構(gòu)件120的一部分連接到外部。
[0032] 此外，護(hù)套130可以包括：吹掃氣體供應(yīng)單元134,吹掃氣體供應(yīng)開口 131形成在 吹掃氣體供應(yīng)單元134中；護(hù)套體單元或護(hù)套體135,連接到吹掃氣體供應(yīng)單元134,其中， 護(hù)套體單元或護(hù)套體135的至少一部分支撐遮蔽框架140。
[0033] 可以以多階梯的方式形成上述護(hù)套130。具體地說，可以將吹掃氣體供應(yīng)單元134 的厚度設(shè)置為與護(hù)套體單元或護(hù)套體135的厚度不同。具體地講，可以將吹掃氣體供應(yīng)單 元134的厚度形成為比護(hù)套體單元或護(hù)套體135的厚度小。
[0034] 此外，護(hù)套130可以包括將從吹掃氣體供應(yīng)開口 131供應(yīng)到基板S的吹掃氣體的 一部分排放到外側(cè)的排放單元132。在這些實(shí)施例中，排放單元132相對于護(hù)套130形成在 不同的位置，以沿著從支撐構(gòu)件120向護(hù)套130的外側(cè)的方向排放吹掃氣體的一部分，如上 所述。
[0035] 此外，排放單元132可以形成在不同的位置處。例如，排放單元132可以形成在護(hù) 套130的外側(cè)處。具體地，排放單元132可以形成在護(hù)套體單元或護(hù)套體135的其處遮蔽 框架140接觸護(hù)套130的外側(cè)處。在一些實(shí)施例中，排放單元132被形成為貫穿護(hù)套130 的孔。在下文中描述的實(shí)施例中，將集中對在護(hù)套130的外側(cè)的一部分距支撐構(gòu)件120的 外側(cè)的一部分特定距離的位置處形成吹掃氣體供應(yīng)開口 131的實(shí)施例進(jìn)行描述。
[0036] 通過排放單元132排放的氣體可以沿著從護(hù)套體單元或護(hù)套體135的接觸遮蔽框 架140的外側(cè)向下的方向進(jìn)入。另外，排放單元132可以沿著護(hù)套130在縱向方向上延伸。
[0037] 在一個實(shí)施例中，排放單元132被形成為連接到由吹掃氣體供應(yīng)單元134的上側(cè)、 基板S的邊界以及遮蔽框架140的下側(cè)形成的空間V。
[0038] 在另一實(shí)施例中，提供了多個排放單元132。在這些實(shí)施例中，以規(guī)則的間隔形成 多個排放單元132。具體地講，如上所述，如果存在多個排放單元132,則護(hù)套130可以鄰近 于排放單元132而包括支撐遮蔽框架140的一部分的支撐單元133。
[0039] 多個排放單元132可以與多個吹掃氣體供應(yīng)開口 131以各種形式布置。例如，每 個排放單元132和每個吹掃氣體供應(yīng)開口 131可以布置在一條直線上。在這個實(shí)施例中， 每個排放單元132僅形成在護(hù)套體單元或護(hù)套體135上，使得每個排放單元132沒有連接 到吹掃氣體供應(yīng)開口 131。另外，每個排放單元132可以形成在吹掃氣體供應(yīng)單元134和護(hù) 套體單元或護(hù)套體135的外側(cè)上，從而被連接到每個吹掃氣體供應(yīng)開口 131。另外，每個排 放單元132和每個吹掃氣體供應(yīng)開口 131可以交替地形成。在一些實(shí)施例中，每個排放單 元132僅形成在護(hù)套體單元或護(hù)套體135上。為了便于解釋，下面的描述將集中于每個排 放單元132和每個吹掃氣體供應(yīng)開口 131交替地形成的實(shí)施例。
[0040] 排放單元132和支撐單元133可以形成為具有不同的高度。例如，排放單元132 的高度可以比支撐單元133的高度小。具體地講，排放單元132可以從護(hù)套體單元或護(hù)套 體135的外表面嵌入，支撐單元133可以從護(hù)套體單元或護(hù)套體135的外表面突出，或者支 撐單元133可以以與形成護(hù)套體單元或護(hù)套體135的外表面的方式相同的方式形成。艮P， 排放單元132和支撐單元133可以交替地形成，或者可以以特定的比例形成，以形成不均勻 的結(jié)構(gòu)。
[0041] 在一個實(shí)施例中，排放單元132與支撐單元133之比為4:1或1:4。例如，如果排 放單元132的寬度為4,則支撐單元133的寬度為1 ;如果排放單元132的寬度為1，則支撐 單元133的寬度為4。
[0042] 具體地講，在排放單元132的寬度超過支撐單元133的寬度四倍的實(shí)施例中，支撐 單元133可能變形，使得支撐單元133不能支撐遮蔽框架140,或者遮蔽框架140的位置偏 離。
[0043] 相反，在排放單元132的寬度比支撐單元133的寬度的1/4小的實(shí)施例中，排放單 元132的尺寸可能太小而不能順利地排放沉積氣體或吹掃氣體。
[0044] 在排放單元132與支撐單元133之比為4:1或1:4的另一實(shí)施例中，所述比例包括 排放單元132沿平行于基板S的側(cè)表面的第一方向的直徑與存在多個排放單元132的情況 下兩個相鄰的排放單元132之間的最短距離之間的比例。例如，如果每個排放單元132的 直徑為4,則多個排放單元132中的兩個相鄰的排放單元132之間的最短距離可以為I ;如 果每個排放單元132的直徑為1，則多個排放單元132中的兩個相鄰的排放單元132之間的 最短距離可以為4。具體地講，在每個排放單元132的直徑超過多個排放單元132中的兩個 相鄰的排放單元132之間的最短距離的四倍的實(shí)施例中，布置在多個排放單元132的相鄰 的排放單元132之間的支撐單元133可能變形，使得支撐單元133不能支撐遮蔽框架140， 或者遮蔽框架140的位置偏離。相反，在每個排放單元132的直徑比多個排放單元132中 的兩個相鄰的排放單元132之間的最短距離的1/4小的實(shí)施例中，排放單元132的尺寸可 能太小而不能順利地排放沉積氣體或吹掃氣體。
[0045] 在一些實(shí)施例中，排放單元132的深度或直徑在護(hù)套130的厚度的大約20%和大 約75%之間。在這些實(shí)施例中，如果排放單元132的深度或直徑小于護(hù)套130的厚度的20%， 則可能不能順利地排放吹掃氣體和沉積氣體，并且不能確?；錝的沉積均勻性。此外，如 果排放單元132的深度或直徑超過護(hù)套130的厚度的75%，則護(hù)套130可能不能有效地支撐 遮蔽框架140,使得遮蔽框架140的位置會偏離或者基板S會損壞。
[0046] 在一些實(shí)施例中，化學(xué)氣相沉積裝置100包括接觸護(hù)套130的遮蔽框架140,遮蔽 框架140的至少一部分布置在基板S的上表面上。在這個實(shí)施例中，遮蔽框架140包括布 置在基板S的上表面上的固定單元141。此外，遮蔽框架140可以包括從固定單元141彎曲 的接觸單元142。在這個實(shí)施例中，接觸單元142在基板S的邊界開始以規(guī)則的間隔布置， 并接觸護(hù)套130的一個表面。具體地，排放單元132可以連接到由吹掃氣體供應(yīng)單元134 的上側(cè)、基板S的邊界以及遮蔽框架140的下側(cè)形成的空間V，并且可以將吹掃氣體排放到 外側(cè)。
[0047] 化學(xué)氣相沉積裝置100可以包括將沉積氣體噴射到基板S上或朝著基板S噴射沉 積氣體的噴頭160,噴頭160可以安裝在室110內(nèi)部。在這個實(shí)施例中，噴頭160供應(yīng)來自 外部的沉積氣體并將沉積氣體噴射到基板S上或朝著基板S噴射沉積氣體。
[0048] 另外，化學(xué)氣相沉積裝置100可以允許基板插入到室110的內(nèi)部中，其中，基板S 可以穩(wěn)固地布置在支撐構(gòu)件120上。在這個實(shí)施例中，遮蔽框架140以規(guī)則的間隔與基板 S分隔開。
[0049] 在如上所述地布置基板S的實(shí)施例中，支撐構(gòu)件120上升，使得基板S可以與遮蔽 框架140接觸。具體地，可以通過將固定單元141布置在基板S的上表面上以接觸基板S 來固定基板S。
[0050] 在這些實(shí)施例中，通過噴頭160將沉積氣體供應(yīng)到基板S，通過吹掃氣體供應(yīng)開口 131從基板S的下表面供應(yīng)吹掃氣體。具體地講，吹掃氣體可以通過吹掃氣體供應(yīng)線從外部 供應(yīng)到吹掃氣體供應(yīng)開口 131。在一個實(shí)施例中，二乙基鋅（DEZ)和水蒸氣（H20)用作沉積 氣體，氬氣（Ar)用作吹掃氣體。然而，本發(fā)明的實(shí)施例的沉積氣體和吹掃氣體僅是示例，可 以包括化學(xué)氣相沉積方法中使用的任何合適的沉積氣體和/或吹掃氣體。
[0051] 在分別供應(yīng)沉積氣體和吹掃氣體的一些實(shí)施例中，吹掃氣體防止沉積氣體流到基 板S的下表面。具體地，沉積氣體可以從基板S的中心部分流動到邊界部分，并且可以進(jìn)入 基板S和固定單元141之間的空間中。具體地講，沉積氣體會流入由吹掃氣體供應(yīng)單元134 的上側(cè)、基板S的邊界以及遮蔽框架140的下側(cè)形成的空間V中。另外，在一些實(shí)施例中， 吹掃氣體通過吹掃氣體供應(yīng)開口 131流動到基板S的下表面和護(hù)套130的上表面之間的空 間。在一些實(shí)施例中，吹掃氣體流入由吹掃氣體供應(yīng)單元134的上側(cè)、基板S的邊界以及遮 蔽框架140的下側(cè)形成的空間V中。
[0052] 在一些實(shí)施例中，沉積氣體和吹掃氣體根據(jù)兩種氣體之間的相互壓強(qiáng)而平衡，沉 積氣體在由吹掃氣體供應(yīng)單元134的上側(cè)、基板S的邊界以及遮蔽框架140的下側(cè)形成的 空間V中維持這種相互壓強(qiáng)狀態(tài)。在這個實(shí)施例中，當(dāng)沉積氣體的濃度因儲存在由吹掃氣 體供應(yīng)單元134的上側(cè)、基板S的邊界以及遮蔽框架140的下側(cè)形成的空間V中的沉積氣 體而在基板S的邊界增加時，會執(zhí)行不均勻的沉積。
[0053] 另外，如果沉積氣體的壓強(qiáng)小于吹掃氣體的壓強(qiáng)，則吹掃氣體會從由吹掃氣體供 應(yīng)單元134的上側(cè)、基板S的邊界以及遮蔽框架140的下側(cè)形成的空間V通過遮蔽框架140 和基板S之間的空間被排放到室110的內(nèi)部。在這個實(shí)施例中，如上所說明的，在基板S的 邊界部分的沉積被阻礙的位置，基板S的邊界區(qū)域的沉積會變得不均勻。具體地講，遮蔽框 架140會因吹掃氣體的壓強(qiáng)而移動。
[0054] 然而，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的化學(xué)氣相沉積裝置100的情況下，通過將吹掃氣 體通過排放單元132排放到外側(cè)，防止基板S的邊界部分的不均勻沉積。
[0055] 具體地，在一些實(shí)施例中，通過排放單元132將通過吹掃氣體供應(yīng)開口 131供應(yīng)的 吹掃氣體的一部分排放到室110的側(cè)部。例如，如上所述，排放單元132可以通過將由吹掃 氣體供應(yīng)單元134的上側(cè)、基板S的邊界以及遮蔽框架140的下側(cè)形成的空間V與基板S 的邊界連接，將吹掃氣體排放到護(hù)套130的外側(cè)。
[0056] 同樣，在一個實(shí)施例中，通過排放單元132排出或排放的氣體連接到由吹掃氣體 供應(yīng)單元134的上側(cè)、基板S的邊界以及遮蔽框架140的下側(cè)形成的空間V和吹掃氣體供 應(yīng)開口 131中的至少一個，并可以將吹掃氣體引導(dǎo)到護(hù)套130的外側(cè)。另外，排放單元132 可以將沉積氣體的一部分排放到護(hù)套130的外側(cè)。
[0057] 此外，在一些實(shí)施例中，當(dāng)排放時，吹掃氣體不流入到基板S和固定單元141之間 的空間V中；并且，因此，沉積氣體不需要流動到基板S的下表面。另外，可以恒定地維持在 基板S的邊界區(qū)域處的沉積氣體均勻性。
[0058] 具體地講，在下面的對比示例中示出了實(shí)施例的沒有設(shè)置排放單元132的對比示 例，在下面的實(shí)驗(yàn)示例中示出了設(shè)置了排放單元132的實(shí)施例。在這些示例中，T表示沉積 膜的厚度，單位是微米（μπ〇。Rs表示沉積膜的電阻，單位是Ω/sq。另外，水平數(shù)字和堅(jiān)直 數(shù)字分別表示基板S的X坐標(biāo)和y坐標(biāo)。此外，百分比值表示數(shù)據(jù)中的最大值和最小值之 間的關(guān)系（％)，并且可以使用下面的式子來獲得：(最大值-最小值)/ (最大值+最小值)乘 以 100。
[0059] 對比示例
[0060]

【權(quán)利要求】
1. 一種化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉積裝置包括： 支撐構(gòu)件，被構(gòu)造成支撐基板的下表面； 遮蔽框架，被構(gòu)造成覆蓋基板的上表面的邊緣部分；以及 護(hù)套，具有吹掃氣體供應(yīng)開口，吹掃氣體供應(yīng)開口被構(gòu)造成供應(yīng)吹掃氣體，使得吹掃氣 體從位于基板的下表面下方的位置離開吹掃氣體供應(yīng)開口，護(hù)套鄰近于遮蔽框架的一部分 并被構(gòu)造成覆蓋基板的下表面的一部分， 其中，排放單元設(shè)置在護(hù)套中，或者排放單元位于護(hù)套和遮蔽框架之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元被構(gòu)造成沿著與基板的下 表面平行的方向排放吹掃氣體的至少一部分。
3. 如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉積裝置還包括容納支撐構(gòu) 件、遮蔽框架和護(hù)套的室。
4. 如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，吹掃氣體供應(yīng)開口穿過護(hù)套延伸。
5. 如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，護(hù)套包括： 吹掃氣體供應(yīng)單元，與吹掃氣體供應(yīng)開口結(jié)合；以及 護(hù)套體，結(jié)合到吹掃氣體供應(yīng)單元。
6. 如權(quán)利要求5所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，吹掃氣體供應(yīng)單元具有第一厚度，護(hù) 套體具有與第一厚度不同的第二厚度。
7. 如權(quán)利要求6所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，第一厚度小于第二厚度。
8. 如權(quán)利要求6所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，在遮蔽框架和吹掃氣體供應(yīng)單元之 間存在空間，所述空間結(jié)合到排放單元。
9. 如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，吹掃氣體供應(yīng)開口被構(gòu)造成向基板 的下表面供應(yīng)吹掃氣體，排放單元被構(gòu)造成將從吹掃氣體供應(yīng)開口供應(yīng)的吹掃氣體的至少 一部分排放到護(hù)套的外側(cè)。
10. 如權(quán)利要求9所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元被構(gòu)造成通過將吹掃氣體 的過量部分排放到護(hù)套的外側(cè)來防止吹掃氣體朝著基板的上表面供應(yīng)。
11. 如權(quán)利要求9所述的化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉積裝置還包括被構(gòu)造成 朝著基板的上表面噴射沉積氣體的噴頭。
12. 如權(quán)利要求11所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元被構(gòu)造成將從吹掃氣體 供應(yīng)開口供應(yīng)的一部分吹掃氣體和從噴頭供應(yīng)的一部分沉積氣體排放到護(hù)套的外側(cè)。
13. 如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元位于遮蔽框架和護(hù)套之 間。
14. 如權(quán)利要求13所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，遮蔽框架包括固定單元和接觸單 元，其中，固定單元鄰近于并接觸基板的上表面的邊緣部分，接觸單元鄰近于排放單元，其 中，遮蔽框架被構(gòu)造成將基板固定在遮蔽框架和支撐構(gòu)件之間。
15. 如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元包括多個排放單元，護(hù)套 還包括位于所述多個排放單元中的兩個相鄰的排放單元之間的支撐單元，其中，護(hù)套的一 部分以每個支撐單元與遮蔽框架的一部分接觸。
16. 如權(quán)利要求15所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元的深度為護(hù)套的厚度的 20% 至 75%。
17. 如權(quán)利要求15所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元的直徑為護(hù)套的厚度的 20% 至 75%。
18. 如權(quán)利要求15所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元的沿著與基板的側(cè)表面 平行的第一方向的第一寬度與支撐單元的沿著第一方向的第二寬度不同。
19. 如權(quán)利要求18所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，第一寬度與第二寬度之比在0. 25 和4之間。
20. 如權(quán)利要求15所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，排放單元的沿著與基板的側(cè)表面 平行的第一方向的直徑與所述多個排放單元中的兩個相鄰的排放單元之間沿著第一方向 的最短距離不同，其中，排放單元的直徑與所述多個排放單元中的兩個相鄰的排放單元之 間的最短距離之比在0. 25和4之間。
21. -種化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉積裝置包括： 室，所述室容納： 支撐構(gòu)件，被構(gòu)造成支撐基板的下表面； 遮蔽框架，被構(gòu)造成覆蓋基板的上表面的邊緣部分；以及 護(hù)套，具有吹掃氣體供應(yīng)開口，吹掃氣體供應(yīng)開口被構(gòu)造成供應(yīng)吹掃氣體，使得吹掃氣 體從位于基板的下表面下方的位置離開吹掃氣體供應(yīng)開口，護(hù)套鄰近于遮蔽框架的一部分 并被構(gòu)造成覆蓋基板的下表面的一部分， 其中，排放單元設(shè)置在護(hù)套中，或者排放單元位于護(hù)套和遮蔽框架之間；以及 抽吸單元，與室結(jié)合并被構(gòu)造成從室抽吸氣體。
22. 如權(quán)利要求21所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，抽吸單元包括： 抽吸管，與室結(jié)合；以及 真空泵，與抽吸管結(jié)合。
23. 如權(quán)利要求21所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，通過抽吸單元，吹掃氣體的一部分 經(jīng)過排放單元排放到室的外部。
24. 如權(quán)利要求21所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，通過抽吸單元，吹掃氣體的一部分 和沉積氣體的一部分經(jīng)過排放單元排放到室的外部。
【文檔編號】C23C16/455GK104372306SQ201410117013
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年3月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月15日
【發(fā)明者】金友鎮(zhèn) 申請人:三星Sdi株式會社