專利名稱：化學(xué)氣相沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及集成電路工藝裝置，特別涉及一種化學(xué)氣相沉積裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝中，化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)裝 置被廣泛應(yīng)用，以進行化學(xué)氣相沉積工藝，于半導(dǎo)體晶圓上淀積薄膜。請參考圖1，其為現(xiàn)有 的化學(xué)氣相沉積裝置示意圖。如圖1所示，化學(xué)氣相沉積裝置1包括承載臺10和與所述承 載臺10活動連接的遮擋環(huán)11 ；所述遮擋環(huán)11上設(shè)置有定位孔12 ；所述承載臺10上設(shè)置有 與所述定位孔12對應(yīng)的定位管腳13，所述定位孔12的形狀與所述定位管腳13的形狀相匹 配，具體的說，定位孔12形狀為圓柱體，并且定位孔12的孔徑(平行于承載臺表面方向的 寬度)比定位管腳13的直徑略大，恰好使得定位管腳13插入到定位孔12中；所述承載臺 10內(nèi)設(shè)置有與所述定位管腳13固定連接的定位基座14。所述遮擋環(huán)11利用所述定位孔 12與所述定位管腳13的接合，達到與所述承載臺10連接，以在所述承載臺10上限定出用 于承載晶圓的空間。通過現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積裝置1進行化學(xué)氣相沉積工藝時，利用所述遮擋環(huán)11能 夠阻擋化學(xué)氣相沉積工藝中一些雜質(zhì)對半導(dǎo)體晶圓的傷害，從而提高產(chǎn)品的良率。但是，現(xiàn) 有的化學(xué)氣相沉積裝置1的定位孔12經(jīng)常容易損壞。發(fā)明人經(jīng)過長期觀察發(fā)現(xiàn)，這是由于 定位孔12的形狀與定位管腳13的形狀完全吻合，因此，在工藝過程中，人為的對遮擋環(huán)11 與承載臺10進行連接時，往往發(fā)生定位孔12與定位管腳13有些許偏差，即定位管腳13與 定位孔12中心在水平方向(與承載臺表面平行的方向)未對準(zhǔn)，由此造成定位管腳13與 定位孔12整體錯位，從而導(dǎo)致定位孔12損壞。并且，在現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積工藝過程中，承載臺10會在豎直方向運動，由此會 發(fā)生遮擋環(huán)11與承載臺10脫離連接的現(xiàn)象。請參考圖加 2b，其為現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積 工藝過程中化學(xué)氣相沉積裝置示意圖。如圖加 2b所示，承載臺10在進行豎直方向運動 過程中，遮擋環(huán)11由于慣性作用，與承載臺10發(fā)生了一定的脫離，此時，定位孔12與定位 管腳13也伴隨發(fā)生了脫離。接著，由于重力作用，遮擋環(huán)11再次與承載臺10連接，但是， 往往在此過程中，定位管腳13與定位孔12中心在水平方向(與承載臺表面平行的方向) 上發(fā)生了一定的偏移，往往造成定位管腳13與定位孔12整體錯位，因此不能吻合在一起， 遮擋環(huán)11與承載臺10的連接將不可靠，從而可能發(fā)生遮擋環(huán)11對晶圓的損壞或者由于遮 擋環(huán)11不能阻擋雜質(zhì)，而降低晶圓良率。此外，現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積裝置，在使用一段時間后，承載臺10上會沉積有一些 雜質(zhì)，從而導(dǎo)致承載臺10表面凹凸不平，影響化學(xué)氣相沉積工藝的可靠性。為此，現(xiàn)有的化 學(xué)氣相沉積裝置在使用一段時間后，需對承載臺10表面進行打磨，以使得承載臺10表面復(fù) 歸平整。經(jīng)過打磨后，承載臺10的高度將有所降低，相對的，承載臺10上設(shè)置的定位管腳 13的高度將變高，從而，遮擋環(huán)11與承載臺10連接時，定位孔12與定位管腳13不能很好 的吻合。由此，遮擋環(huán)11將發(fā)生晃動，降低了裝置的可靠性，并且，由于定位孔12與定位管腳13不能很好的吻合，即遮擋環(huán)11與承載臺10的連接中具有一些空隙，由此，在化學(xué)氣相 沉積工藝中，遮擋環(huán)11不能很好的阻擋雜質(zhì)對半導(dǎo)體晶圓的傷害，從而降低晶圓良率。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提供一種化學(xué)氣相沉積裝置，以解決現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積 裝置定位孔容易損壞，并且在化學(xué)氣相沉積過程中，定位孔與定位管腳易于脫離的問題。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉 積裝置包括承載臺和與所述承載臺活動連接的遮擋環(huán)；所述遮擋環(huán)上設(shè)置有定位孔；所 述承載臺上設(shè)置有與所述定位孔對應(yīng)的定位管腳；所述定位孔包括靠近承載臺的第二部分 以及遠離承載臺的第一部分，所述第一部分的孔徑與所述定位管腳匹配，所述第二部分的 孔徑大于所述第一部分的孔徑?？蛇x的，在所述的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述定位管腳高出承載臺表面的高度等 于或者小于所述定位孔的深度?？蛇x的，在所述的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述第一部分呈圓柱體狀。可選的，在所述的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述第二部分呈倒漏斗狀。可選的，在所述的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述第二部分呈圓柱體狀?？蛇x的，在所述的化學(xué)氣相沉積裝置中，所述定位孔的數(shù)量為兩個。可選的，在所述的化學(xué)氣相沉積裝置中，兩個所述定位孔位于遮擋環(huán)的同一軸線 上?？蛇x的，在所述的化學(xué)氣相沉積裝置中，還包括設(shè)置于所述承載臺內(nèi)并與所述定 位管腳活動連接的定位基座。本實用新型提供的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，定位孔包括靠近承載臺的第二部分 以及遠離承載臺的第一部分，所述第一部分的孔徑與所述定位管腳匹配，所述第二部分的 孔徑大于所述第一部分的孔徑，由于所述第二部分的孔徑較第一部分孔徑大，即比定位管 腳的孔徑更大，因此，在人為對遮擋環(huán)與承載臺進行連接分離的時候，很容易將定位孔與定 位管腳對準(zhǔn)，從而避免損壞定位孔。此外，在化學(xué)氣相沉積工藝過程中，雖由于慣性作用，遮擋環(huán)與承載臺會發(fā)生脫 離，但，由于本實用新型提供的第二部分的孔徑較第一部分孔徑大，即比定位管腳的孔徑更 大，即使定位管腳與定位孔中心在水平方向(與承載臺表面平行的方向)上發(fā)生了一定的 偏移，定位管腳與定位孔整體并未錯位，從而由于重力作用遮擋環(huán)與承載臺連接時，定位管 腳仍能對準(zhǔn)定位孔，使得遮擋環(huán)與承載臺能夠貼合連接，有效阻擋雜質(zhì)對半導(dǎo)體晶圓的傷 害，提高晶圓良率。在本實用新型的一個優(yōu)選方案中，所述定位基座與所述定位管腳活動連接，從而 使得所述定位管腳是可調(diào)的。當(dāng)化學(xué)氣相沉積裝置在使用一段時間后，承載臺表面變得凹 凸不平，需對承載臺表面進行打磨，從而降低了承載臺高度時，可將現(xiàn)有的定位管腳換成一 個高度低的定位管腳，或者直接將現(xiàn)有定位管腳的高度調(diào)低，使得定位管腳的高度仍與所 述第一部分和第二部分的高度之和相當(dāng)，從而使遮擋環(huán)與承載臺能夠貼合連接，有效阻擋 雜質(zhì)對半導(dǎo)體晶圓的傷害，提高晶圓良率。
圖1是現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積裝置示意圖；圖加 2b是現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積工藝過程中化學(xué)氣相沉積裝置示意圖；圖3是本實用新型的化學(xué)氣相沉積裝置示意圖；圖如 4b是本實用新型的化學(xué)氣相沉積工藝過程中化學(xué)氣相沉積裝置示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型提出的化學(xué)氣相沉積裝置作進一步詳 細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均 采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例 的目的。請參考圖3，其為本實用新型的化學(xué)氣相沉積裝置示意圖。如圖3所示，化學(xué)氣相 沉積裝置2，包括承載臺20和與所述承載臺20活動連接的遮擋環(huán)21 ；所述遮擋環(huán)21上設(shè) 置有定位孔22 ；所述承載臺20上設(shè)置有與所述定位孔22對應(yīng)的定位管腳23 ；所述定位孔 22包括靠近承載臺20的第二部分沈以及遠離承載臺20的第一部分25，所述第一部分25 的孔徑與所述定位管腳23匹配，所述第二部分沈的孔徑大于所述第一部分25的孔徑。在本實用新型提供的化學(xué)氣相沉積裝置2中，由于所述第二部分沈的孔徑比所述 第一部分25的孔徑大，即比定位管腳23的孔徑更大，因此，在人為對遮擋環(huán)21與承載臺20 進行連接的時候，很容易將定位孔22與定位管腳23對準(zhǔn)，從而減小對定位孔22的損壞。進一步的，所述定位管腳23高出承載臺20表面的高度等于或者小于所述定位孔 22的深度。由此，所述遮擋環(huán)21能夠與所述承載臺20很好地貼合連接，有效阻擋雜質(zhì)對半 導(dǎo)體晶圓的傷害，提高晶圓良率。請參考圖如 4b，其為本實用新型的化學(xué)氣相沉積工藝過程中化學(xué)氣相沉積裝 置示意圖。如圖如 4b所示，承載臺20在進行豎直方向運動過程中，遮擋環(huán)21由于慣性 作用，與承載臺20發(fā)生了一定的脫離，此時，定位孔22與定位管腳23也伴隨發(fā)生了脫離。 接著，由于重力作用，遮擋環(huán)21再次與承載臺20連接，由于本實用新型提供的第二部分沈 的孔徑較第一部分25的孔徑大，即比定位管腳23的孔徑更大，即使定位管腳23與定位孔 22中心在水平方向(與承載臺20表面平行的方向)上發(fā)生了一定的偏移，定位管腳23與 定位孔22整體并未錯位，從而由于重力作用遮擋環(huán)21與承載臺20連接時，定位管腳23仍 能對準(zhǔn)定位孔22，使得遮擋環(huán)21與承載臺20能夠貼合連接，有效阻擋雜質(zhì)對半導(dǎo)體晶圓的 傷害，提高晶圓良率。在本實施例中，所述第一部分25呈圓柱體狀，所述第二部分沈呈倒漏斗狀。由此， 在化學(xué)氣相沉積工藝過程中，定位管腳23與定位孔22中心發(fā)生了一定的偏移時，更易于順 著呈到漏斗狀的第二部分沈，進入第一部分25，最終，定位管腳23與定位孔22接合，使得 遮擋環(huán)21與承載臺20能夠貼合連接。可以理解的是，在本實用新型的其他實施例中，所述第一部分25可以呈長方體狀 或者正方體狀或者其他形狀，所述第二部分26也可以呈圓柱體狀或者長方體狀或者正方 體狀或者其他形狀。在本實施例中，所述定位孔22的數(shù)量為兩個，進一步的，兩個所述定位孔22位于遮擋環(huán)21的同一軸線上。通過設(shè)置兩個定位孔22，使得遮擋環(huán)21與承載臺20的連接更穩(wěn) 定。當(dāng)然，為了達到更好的效果，所述遮擋環(huán)21上也可設(shè)置更多個定位孔(如三個)。請繼續(xù)參考圖3，在本實施例中，還包括設(shè)置于所述承載臺20內(nèi)并與所述定位管 腳23活動連接的定位基座M，從而使得所述定位管腳23是可調(diào)的。當(dāng)化學(xué)氣相沉積裝置 2在使用一段時間后，承載臺20表面變得凹凸不平，需對承載臺20表面進行打磨，從而降低 承載臺20高度時，可將現(xiàn)有的定位管腳23換成一個高度相對較低的定位管腳，或者直接將 現(xiàn)有定位管腳23的高度調(diào)低，使得定位管腳23的高度仍與所述第一部分25和第二部分沈 的高度之和相當(dāng)，從而使遮擋環(huán)21與承載臺20能夠貼合連接，有效阻擋雜質(zhì)對半導(dǎo)體晶圓 的傷害，提高晶圓良率。進一步的，所述定位基座M可利用螺母裝置、扣合裝置等與所述定位管腳23連 接。通過本實用新型提供的化學(xué)氣相沉積裝置，遮擋環(huán)上的定位孔不易損壞，在化學(xué) 氣相沉積工藝過程中，定位孔與定位管腳也不易脫離。上述描述僅是對本實用新型較佳實施例的描述，并非對本實用新型范圍的任何限 定，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保 護范圍。
權(quán)利要求1.一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括承載臺以及與所述承載臺活動連接的遮擋環(huán)；所述 遮擋環(huán)上設(shè)置有定位孔；所述承載臺上設(shè)置有與所述定位孔對應(yīng)的定位管腳；其特征在 于，所述定位孔包括靠近承載臺的第二部分以及遠離承載臺的第一部分，所述第一部分的 孔徑與所述定位管腳匹配，所述第二部分的孔徑大于所述第一部分的孔徑。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述定位管腳高出承載臺表 面的高度等于或者小于所述定位孔的深度。
3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一部分呈圓柱體狀。
4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二部分呈倒漏斗狀。
5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二部分呈圓柱體狀。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述定位孔的數(shù) 量為兩個。
7.如權(quán)利要求6所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，兩個所述定位孔位于遮擋環(huán) 的同一軸線上。
8.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，還包括設(shè)置于所述承載臺內(nèi) 并與所述定位管腳活動連接的定位基座。
專利摘要本實用新型提供一種化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉積裝置包括承載臺和與所述承載臺活動連接的遮擋環(huán)；所述遮擋環(huán)上設(shè)置有定位孔；所述承載臺上設(shè)置有與所述定位孔對應(yīng)的定位管腳；所述定位孔包括靠近承載臺的第二部分以及遠離承載臺的第一部分，所述第一部分的孔徑與所述定位管腳匹配，所述第二部分的孔徑大于所述第一部分的孔徑。通過本實用新型提供的化學(xué)氣相沉積裝置，遮擋環(huán)上的定位孔不易損壞，在化學(xué)氣相沉積工藝過程中，定位孔與定位管腳也不易脫離。
文檔編號C23C16/458GK201915144SQ20102066421
公開日2011年8月3日 申請日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月16日
發(fā)明者胡頻升 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司