專利名稱：化學氣相沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種化學氣相沉積裝置。
背景技術(shù)：
在物體上形成薄膜的方法通常可以被分成物理氣相沉積(PVD)方法，其中利用物理碰撞例如濺射來形成薄膜；和化學氣相沉積(CVD)方法，其中利用化學反應(yīng)來形成薄膜。然而，因為PVD方法具有的組成或厚度均勻性以及臺階覆蓋率不如CVD方法的好，所以CVD方法更常用。CVD方法包括APCVD (大氣壓CVD)方法、LPCVD (低壓CVD)方法、和 PECVD (等離子體增強CVD)方法等。在CVD方法中，PECVD方法由于其低溫沉積和快速形成薄膜的能力近來被廣泛采用。PECVD方法是指向注入到反應(yīng)室中的反應(yīng)氣體施加RF功率以使反應(yīng)氣體成為等離子體狀態(tài)，并使等離子體中的自由基沉積在晶片或玻璃襯底上的方法。不管采用哪種方法，薄膜的均勻沉積是薄膜沉積工藝的最關(guān)鍵，從而為此提議了大量的改進思路。對于薄膜的均勻沉積來說，反應(yīng)氣體或等離子體的均勻分布起著很重要的作用。PECVD裝置是薄膜沉積工藝中不可缺少的裝備，PECVD裝置的規(guī)模由于需要的產(chǎn)量規(guī)模的增大而逐漸增大。例如，在近來用來制造平面屏幕顯示裝置的工藝中使用的PECVD 裝置超大，一邊的尺寸很容易超過2米，因此為了獲得期望質(zhì)量的薄膜，需要將它的具體功能配置得更精確。為了使用于制造大表面薄膜的PECVD裝置內(nèi)薄膜的厚度均勻，本發(fā)明提出了用于改進噴射氣體的功能并且使由氣體噴射表面的熱膨脹所引起的彎曲現(xiàn)象最小化的概念。圖1示出常見PECVD裝置的簡要結(jié)構(gòu)，下面參照圖1描述了使用PECVD裝置的工藝。首先，一旦通過機械手(未示出)將襯底3安全地接收在安裝在反應(yīng)室1內(nèi)的基座2的上表面上之后，用于薄膜工藝的氣體就通過氣體入口管7進入位于噴頭4上方的緩沖空間5中，并在所述緩沖空間5中擴散。擴散到緩沖空間5中的氣體通過噴頭4的噴嘴 4a均勻地噴射到襯底3上，并且通過經(jīng)等離子體電極6提供的RF(射頻)功率將噴射的氣體轉(zhuǎn)換成等離子體8的狀態(tài)。等離子體8的狀態(tài)下的反應(yīng)氣體沉積到襯底3上，并且通過真空泵(未示出)經(jīng)出口管9排放在完成薄膜沉積工藝之后剩余的任何反應(yīng)氣體。然而，如圖2所示，PECVD裝置中的噴頭4由于其自身的重量和熱變形而具有在中部下陷的問題。熱變形是由于來自高溫等離子體和安裝在基座2中的加熱器(未示出)的熱傳遞引起的熱膨脹而導致的，并且熱膨脹在水平方向比在垂直(厚度)方向上大。當噴頭4的中部下陷從而彎曲時，噴頭4與基座2之間的距離在中部比在外圍區(qū)域要近，使得噴射氣體的分布密度不均勻并且使工藝均勻性變差
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種化學氣相沉積裝置，該化學氣相沉積裝置能夠使工藝氣體平穩(wěn)地流動并且能夠使噴頭的熱膨脹變形最小化。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種化學氣相沉積裝置，可包括處理室，被配置為用來界定反應(yīng)空間；背板，放置于所述反應(yīng)空間上方，并且在該背板的中部具有氣體入口 ； 氣體擴散構(gòu)件，設(shè)置在該氣體入口的下方并且與該氣體入口分離，該氣體擴散構(gòu)件被配置為用來擴散通過該氣體入口提供的工藝氣體，并且該氣體擴散元件通過第一耦合構(gòu)件與該背板耦合；噴頭，放置于所述背板和氣體擴散構(gòu)件的下方并且與所述背板和氣體擴散構(gòu)件分離，在該噴頭中通過打孔形成有多個噴孔，該噴頭的中部通過第二耦合構(gòu)件與該氣體擴散構(gòu)件耦合；以及基座，設(shè)置在該噴頭的下方并且與該噴頭分離，該基座用于支撐襯底。優(yōu)選地，所述第一耦合構(gòu)件和第二耦合構(gòu)件的至少其中之一可以是螺釘。優(yōu)選地，該背板的下端部具有形成在其中的膨脹腔，該氣體擴散構(gòu)件的一部分或全部可放置在該膨脹腔內(nèi)部，該膨脹腔具有比該氣體入口大的橫截面面積。優(yōu)選地，該處理室可具有六面體形狀，該氣體擴散構(gòu)件可包括盤形的支撐板和形成在該支撐板的上表面上的四角錐，該四角錐的每一個側(cè)面可面對該處理室的角。該第一耦合構(gòu)件可放置于線性路徑上，該線性路徑從該四角錐的中心穿過該四角錐的角。優(yōu)選地，該氣體擴散構(gòu)件可包括矩形板形狀的支撐板和形成在該支撐板的上表面上的錐體，該支撐板的每一個側(cè)邊可面對該處理室的角。該第一耦合構(gòu)件可放置于線性路徑上，該線性路徑從該錐體的中心穿過該支撐板的角?？稍谠摶鶅?nèi)部安裝熱絲，該噴頭可由鋁制成。優(yōu)選地，該裝置還可包括夾緊構(gòu)件，該夾緊構(gòu)件通過第三耦合構(gòu)件與該背板耦合以支撐該噴頭的邊緣，其中在該噴頭的側(cè)面與該夾緊構(gòu)件之間可形成預(yù)定間隙。該夾緊構(gòu)件可包括用于支撐該噴頭的下表面的水平部分和用于支撐該噴頭的側(cè)面的垂直部分，并且該噴頭的邊緣的下部可形成有用于與該夾緊構(gòu)件的水平部分嚙合的溝槽。優(yōu)選地，該裝置還可包括插在該夾緊構(gòu)件和該背板之間的熱阻構(gòu)件，該熱阻構(gòu)件的一側(cè)可與該背板的下表面接觸，并且該熱阻構(gòu)件的另一側(cè)可與該噴頭的上表面接觸。該熱阻構(gòu)件可以是薄金屬板。優(yōu)選地，該噴頭可具有在其邊緣形成的橢圓形長孔，并且第四耦合構(gòu)件可通過穿透該夾緊構(gòu)件的水平部分而插入到該長孔中。優(yōu)選地，在該噴頭具有矩形板形狀的情況下，所述夾緊構(gòu)件、橢圓形長孔和第四耦合構(gòu)件可設(shè)置在該噴頭的每一個側(cè)面上。此外，所述長孔和第四耦合構(gòu)件可成對地設(shè)置在該噴頭的每一個側(cè)面上。采用本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，可以最小化噴頭的熱膨脹變形，從而可以獲得具有優(yōu)良質(zhì)量的均勻大面積薄膜。


圖1示出根據(jù)常規(guī)技術(shù)的PECVD裝置。圖2示出根據(jù)常規(guī)技術(shù)的噴頭的彎曲現(xiàn)象。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的化學氣相沉積裝置的剖視圖。圖4是圖3中用“A”標記的部分的放大圖。
圖5是圖3中用“B”標記的部分的放大圖。圖6是噴頭的頂視圖，在所述噴頭中形成有多個長孔。圖7示出通過氣體入口流進真空容器中的工藝氣體如何在根據(jù)常規(guī)技術(shù)的PECVD 裝置中擴散。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的氣體擴散構(gòu)件的立體圖。圖9示出通過氣體入口流入真空容器中的工藝氣體如何在應(yīng)用了圖8的氣體擴散構(gòu)件的PECVD裝置中擴散。圖10是根據(jù)本發(fā)明另一個實施方式的氣體擴散構(gòu)件的立體圖。圖11示出通過氣體入口流入真空容器中的工藝氣體如何在應(yīng)用了圖10的氣體擴散構(gòu)件的PECVD裝置中擴散。附圖標記說明
100處理室
110室主體
120上蓋
150反應(yīng)空間
200背板
210氣體入口
220緩沖空間
230膨脹腔
250第一耦合構(gòu)件
300A、300B 氣體擴散構(gòu)件
400噴頭
410噴孔
450第二耦合構(gòu)件
460長孔
500基座
600夾緊構(gòu)件
610水平部分
620垂直部分
650第三耦合構(gòu)件
670第四耦合構(gòu)件
700熱阻構(gòu)件
800襯底
具體實施例方式
由于本發(fā)明可以有多種改變和實施方式，所以將參照附圖闡述和描述多個具體的實施方式。然而這決不是要將本發(fā)明限制于特定的實施方式，而是應(yīng)該理解為本發(fā)明包括由本發(fā)明的概念和范圍所涵蓋的所有的改變、等效物和替代物。在對本發(fā)明的整個描述中， 當確定對某種技術(shù)的描述會回避本發(fā)明的要點時，將省略相關(guān)的詳細描述。
術(shù)語諸如“第一”和“第二”可以用來描述不同的元件，但是上述元件不應(yīng)限于上述術(shù)語。上述術(shù)語僅用來將一個元件與其它元件區(qū)別開來。說明書中使用的術(shù)語僅用來描述具體的實施方式，而決不是用來限制本發(fā)明。除非清楚地使用，單數(shù)形式的表述包括多數(shù)形式的意思。在本說明書中，諸如“包括”或“包含”的描述意在指定特性、數(shù)量、步驟、操作、元件、部件或其組合，而不應(yīng)解釋為排除一個或多個其它特性、數(shù)量、步驟、操作、元件、部件或其組合的任何存在或可能性。下面將參照附圖詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的化學氣相沉積裝置的具體優(yōu)選實施方式。在整個附圖中，相同或相應(yīng)的元件將賦予相同的參考標號，對相同或相應(yīng)元件的任何多余描述將會省略。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的PECVD裝置的剖視圖。圖4是圖3中用“A” 標記的部分的放大圖，圖5是圖3中用“B”標記的部分的放大圖。圖3到5中示出了處理室100、反應(yīng)空間150、背板200、氣體入口 210、第一耦合構(gòu)件250、氣體擴散構(gòu)件300、噴頭 400、噴孔410、第二耦合構(gòu)件450、長孔460、基座500、夾緊構(gòu)件600、第三耦合構(gòu)件650、第四耦合構(gòu)件670、熱阻構(gòu)件700和襯底800。如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明實施方式的CVD裝置包括處理室100，界定反應(yīng)空間 150;背板200，放置于反應(yīng)空間150上方，且在其中部具有氣體入口 210;氣體擴散構(gòu)件 300，設(shè)置在氣體入口 210下方并與氣體入口 210分離，被配置為用于擴散通過氣體入口流入的工藝氣體；噴頭400，放置于背板200和氣體擴散構(gòu)件300下方并與背板200和氣體擴散構(gòu)件300分離，且在其中通過打孔形成多個噴孔410 ；和基座500，設(shè)置在噴頭400下方并與噴頭400分離，且支撐襯底800。氣體擴散構(gòu)件300通過第一耦合構(gòu)件250與背板200耦合，噴頭400的中部通過第二耦合構(gòu)件450與氣體擴散構(gòu)件300耦合。換句話說，噴頭400的中部經(jīng)由氣體擴散構(gòu)件300與背板200耦合。根據(jù)具有這種結(jié)構(gòu)的本實施方式，可以解決噴頭400的中部由于熱膨脹而下陷的問題。更具體地說，如圖4所示，在氣體擴散構(gòu)件300與背板200分離預(yù)定距離的同時， 氣體擴散構(gòu)件300通過第一耦合構(gòu)件250 (諸如穿透氣體擴散構(gòu)件300的邊緣的螺釘)與背板200耦合。而且，在氣體擴散構(gòu)件300與噴頭400分離預(yù)定距離的同時，氣體擴散構(gòu)件 300通過諸如螺釘?shù)牡诙詈蠘?gòu)件450與噴頭400耦合。這里，可以通過穿透噴頭400將第二耦合構(gòu)件的端部插入到氣體擴散構(gòu)件的中部。雖然本實施方式提出了將螺釘用于第一耦合構(gòu)件和第二耦合構(gòu)件，但是本發(fā)明不限于本實施方式中所提出的方案，只要氣體擴散構(gòu)件可以在與背板200和噴頭400分離的同時被緊固，就可以使用任何構(gòu)件(例如銷)。處理室100界定處于真空狀態(tài)的反應(yīng)空間150。處理室100主要劃分為上蓋120 和室主體110，將密封構(gòu)件(未示出)諸如0形圈插在其間以將處理室100內(nèi)的反應(yīng)空間 150相對于外部密封。背板200位于反應(yīng)空間150的上側(cè)，更具體地說，位于上蓋120所界定的空間中。 背板200可以由金屬諸如鋁制成，并且用于注入工藝氣體的氣體入口 210設(shè)置在背板200 的中部。氣體入口 210可以是穿透背板200的孔或插入在該孔中的管。由外部氣體源(未示出)提供的工藝氣體可以通過氣體入口 210注入到背板200下方。
用于擴散所提供的工藝氣體的氣體擴散構(gòu)件300位于背板200下方，更具體地，位于設(shè)置在背板200中的氣體入口 210下方，如圖4所示。如上所述，在氣體擴散構(gòu)件300通過第一耦合構(gòu)件250與背板200分離的同時，氣體擴散構(gòu)件300被固定。氣體擴散構(gòu)件300用于在處理室100內(nèi)部，更具體地說，在背板200和噴頭400之間的空間200(下文稱為“緩沖空間”)中，有效地擴散注入的工藝氣體。為此，注入的工藝氣體具有層流(laminar flow)很重要。下文將描述氣體擴散空間300的具體形狀和功能。如圖4所述，具有比氣體入口 210大的橫截面面積的膨脹腔230可以形成在背板 200的下端部，一部分或全部的氣體擴散構(gòu)件300可以放置于膨脹腔230內(nèi)部。這里，膨脹腔230和氣體擴散構(gòu)件300可以具有類似的形狀。噴頭400以與背板200和氣體擴散構(gòu)件300分離的方式設(shè)置在背板200和氣體擴散構(gòu)件300的下方。噴頭400是用于擴散注入的工藝氣體并且均勻地將工藝氣體噴射到襯底的整個表面上(其中所述襯底放置在基座500上)的裝置，并可以具有與處理室100的橫截面形狀相似的形狀。例如，如果處理室100具有六面體形狀并且從而具有矩形的橫截面形狀，噴頭400就可以具有矩形板的形狀。噴頭400還可以具有在由金屬諸如鋁制成的板形主體中均勻打孔形成的噴孔410。這里，噴孔410可以具有錐體的形狀，其橫截面面積朝著其下側(cè)逐漸變大。由于上述結(jié)構(gòu)，注入的工藝氣體首先通過形成在背板200下方的氣體擴散構(gòu)件 300擴散，然后通過噴頭400 二次擴散，從而可被均勻噴射到襯底800 (其中襯底800容置在基座500的上表面上)的上表面上。這里，RF源900與背板200和噴頭400連接，并提供用以激勵噴射的工藝氣體所需要的能量，以將通過噴頭400噴射的工藝氣體轉(zhuǎn)換成等離子體。換句話說，背板200和噴頭400可以用作上電極。由于處理室100，更具體地，上蓋120起到接地的作用，如圖5所示，絕緣體160、 170、180插在用作上電極的背板和噴頭與上蓋120之間，保持它們之間的電絕緣。這里，0 形圈190設(shè)置于絕緣體160的預(yù)定位置處，以便于維持反應(yīng)空間150的真空狀態(tài)。在晶體硅太陽能電池的制造工藝中，主要使用硅氮化物(SiNx)膜作為抗反射膜； 為了形成這種抗反射膜，可以通過注入SiH4和NH3作為工藝氣體來執(zhí)行上述工藝。如圖5所示，可以通過夾緊構(gòu)件600支撐噴頭400的邊緣，其中夾緊構(gòu)件600包括用于支撐噴頭400的下表面的水平部分610和用于支撐噴頭400的側(cè)表面的垂直部分620。 這里，噴頭400的下部可以形成有用于與所述夾緊構(gòu)件的下部(即水平部分610)嚙合的溝槽 430。夾緊構(gòu)件600，例如夾緊構(gòu)件600的垂直部分620可以通過第三耦合構(gòu)件650與背板200耦合，并且夾緊構(gòu)件600的水平部分610可以通過與噴頭400的下表面嚙合而支撐噴頭400的下表面?？梢栽趪婎^400的側(cè)面和夾緊構(gòu)件600之間形成預(yù)定間隙420。這個間隙420是考慮到噴頭400的熱膨脹而形成的。在噴頭400的邊緣中形成橢圓形的長孔460，并且第四耦合構(gòu)件670可以通過穿透夾緊構(gòu)件600的水平部分而插入到長孔460中。第四耦合構(gòu)件670是用于通過將夾緊構(gòu)件 600與噴頭400耦合來支撐噴頭400的邊緣的裝置。應(yīng)該理解的是，各種耦合裝置，諸如螺釘、銷等都可以用于第四耦合構(gòu)件670。如圖6所示，噴頭400具有形成在其中的多個長孔460。通過形成這些長孔460， 盡管噴頭400有熱膨脹，也可以避免由于第四耦合構(gòu)件670的存在而使過大的應(yīng)力施加在噴頭400上。這是因為長孔460中的額外空間可以用作考慮到噴頭400的熱膨脹而預(yù)留的空間。如果噴頭400為矩形板的形狀，夾緊構(gòu)件600、橢圓形長孔460和第四耦合構(gòu)件 670可以設(shè)置在噴頭400的每一個側(cè)面上。換句話說，通過在噴頭400的每一個側(cè)面上形成夾緊構(gòu)件600和第四耦合構(gòu)件670，可以更牢固地支撐噴頭400的邊緣。如圖6所示，長孔460和第四耦合構(gòu)件670成對地設(shè)置在噴頭400的每一個側(cè)面上，從而能夠更牢固地支撐噴頭。而且，可以在夾緊構(gòu)件600和背板200之間插入熱阻構(gòu)件700。如圖5所示，熱阻構(gòu)件700的一側(cè)與背板200的下表面接觸，熱阻構(gòu)件700的另一側(cè)與噴頭400的上表面接觸，從而使熱阻構(gòu)件700可以在噴頭400和背板200之間的熱傳遞中起到阻力的作用。由于熱阻構(gòu)件700所起的作用，可以減少從噴頭400傳遞到背板200上的熱。由諸如鋁的材料制成的薄金屬板可以用于熱阻構(gòu)件700。熱阻構(gòu)件700的厚度可以在約1. 5mm到3. Omm 之間。基座500 (在基座500上容置襯底800)以與噴頭400分離的方式放置于噴頭400 下方。可以在基座500內(nèi)部放置加熱器510 (例如熱絲)，在這種情況下，在基座500上容置的襯底800可以被加熱到適于在薄膜沉積工藝期間沉積的溫度(例如400°C)。而且，基座 500電接地，從而可以用作下電極，并且可以通過用于裝載和卸載襯底800的單獨的升降裝置520來提升或降低基座500?？梢栽谔幚硎?00的下方，更具體地說，在基座500下方，設(shè)置排氣出口 130，使得剩余在處理室100內(nèi)部的工藝氣體可以在沉積反應(yīng)完成之后排放到外部。下面將更詳細地描述前面描述的氣體擴散構(gòu)件300的形狀和功能。圖7示出通過氣體入口 210流進處理室(更具體地說是緩沖空間220)中的工藝氣體如何在常規(guī)的PECVD 裝置中擴散。其中，箭頭表示擴散的工藝氣體。為了在襯底800上形成均勻的薄膜，在整個襯底800上均勻地提供工藝氣體很重要。為此，需要使通過氣體入口 210提供到噴頭400的上側(cè)的工藝氣體在整個噴頭400中均勻分布。然而，如圖7所示，根據(jù)常規(guī)的技術(shù)，具有六面體形狀的處理室100的角區(qū)域102 位于距處于處理室100中部的氣體入口 210較遠的距離處，這限制了工藝氣體在整個處理室100中均勻分布。考慮到上述事實，本發(fā)明實施方式采用氣體擴散構(gòu)件300A，氣體擴散構(gòu)件300A包括矩形板形狀的支撐板310A和形成在支撐板310A的上表面上(優(yōu)選為上表面的中部) 的錐體320A。這里，將支撐板310A的每一個側(cè)邊312A設(shè)置為面對處理室100的每一個角 102。如圖9所示，通過使用這種氣體擴散構(gòu)件300A，經(jīng)氣體入口 210提供的工藝氣體沿錐體320A的側(cè)表面在所有方向上下降，然后沿支撐板310A的上表面移動。由于支撐板310A 的上表面起到抵抗工藝氣體移動的阻力的作用，工藝氣體可以在離中心相對較近(即，具有較小的阻力)的支撐板310A的側(cè)邊312A的方向上平滑地流動，并且工藝氣體不會在離
9中心相對較遠(即，具有較大的阻力)的支撐板310A的角314A的方向上平滑地流動。這里，如圖9所示，通過在從錐體320A的中心穿過支撐板310A的角314A的線性路徑上設(shè)置第一耦合構(gòu)件250，第一耦合構(gòu)件250起到抵抗工藝氣體移動的阻力的作用，這能夠使工藝氣體在支撐板310A的側(cè)邊312A的方向上更加平滑地流動。這樣，通過改變氣體擴散構(gòu)件的形狀，使工藝氣體在相對較遠的處理室100的角102的方向上更平滑地流動， 可以補償用于處理室100的角102的工藝氣體，由此提高了處理室100中工藝氣體的整體均勻性。在另一個實施方式中，如圖10所示，可以使用包括盤形的支撐板310B和在支撐板 310B的上表面上形成的四角錐320B的氣體擴散構(gòu)件300B。這里，四角錐320B的每一個側(cè)面322B面對處理室100的每一個角102。在本實施方式中，四角錐320B的角區(qū)域324B起到阻礙工藝氣體流動的阻力的作用，從而如圖11所示，通過使四角錐320B的側(cè)面322B(在所述側(cè)面322B上工藝氣體相對更加平滑地流動)面對處理室100的角102，可以補償用于處理室100的角102的工藝氣體。這里，如圖11所示，通過在從四角錐320B的中心穿過四角錐320B的角324B的線性路徑上放置第一耦合構(gòu)件250，第一耦合構(gòu)件250起到抵抗工藝氣體移動的阻力的作用， 由此能夠使工藝氣體在處理室100的角102的方向上更加平滑地流動。雖然描述了本發(fā)明的具體優(yōu)選實施方式，但是應(yīng)該理解，在不偏離本發(fā)明的技術(shù)概念和范圍的情況下，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種修改和變形。還應(yīng)該理解的是，在本發(fā)明的權(quán)利要求中可以存在除了上述實施方式之外的其它實施方式。
權(quán)利要求
1.一種化學氣相沉積裝置，包括處理室，被配置為用來界定反應(yīng)空間；背板，放置于所述反應(yīng)空間上方，并且在該背板的中部具有氣體入口 ；氣體擴散構(gòu)件，設(shè)置在該氣體入口的下方并且與該氣體入口分離，該氣體擴散構(gòu)件被配置為用來擴散通過該氣體入口提供的工藝氣體，并且該氣體擴散元件通過第一耦合構(gòu)件與該背板耦合；噴頭，放置于所述背板和氣體擴散構(gòu)件的下方并且與所述背板和氣體擴散構(gòu)件分離， 在該噴頭中通過打孔形成有多個噴孔，該噴頭的中部通過第二耦合構(gòu)件與該氣體擴散構(gòu)件耦合；以及基座，設(shè)置在該噴頭的下方并且與該噴頭分離，該基座用于支撐襯底。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一耦合構(gòu)件和第二耦合構(gòu)件的至少其中之一是螺釘。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該背板的下端部具有形成在其中的膨脹腔，該氣體擴散構(gòu)件的一部分或全部放置在該膨脹腔內(nèi)部，該膨脹腔具有比該氣體入口大的橫截面面積。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該處理室具有六面體形狀，其中該氣體擴散構(gòu)件包括盤形的支撐板和形成在該支撐板的上表面上的四角錐，以及其中該四角錐的每一個側(cè)面面對該處理室的角。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其中該第一耦合構(gòu)件放置于線性路徑上，該線性路徑從該四角錐的中心穿過該四角錐的角。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該處理室具有六面體形狀，其中該氣體擴散構(gòu)件包括矩形板形狀的支撐板和形成在該支撐板的上表面上的錐體，以及其中該支撐板的每一個側(cè)邊面對該處理室的角。
7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其中該第一耦合構(gòu)件放置于線性路徑上，該線性路徑從該錐體的中心穿過該支撐板的角。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中在該基座內(nèi)部安裝有熱絲。
9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中該噴頭由鋁制成。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括夾緊構(gòu)件，該夾緊構(gòu)件通過第三耦合構(gòu)件與該背板耦合以支撐該噴頭的邊緣，其中在該噴頭的側(cè)面與該夾緊構(gòu)件之間形成預(yù)定間隙。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，還包括插在該夾緊構(gòu)件和該背板之間的熱阻構(gòu)件，該熱阻構(gòu)件的一側(cè)與該背板的下表面接觸，并且該熱阻構(gòu)件的另一側(cè)與該噴頭的上表面接觸。
12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其中該夾緊構(gòu)件包括用于支撐該噴頭的下表面的水平部分和用于支撐該噴頭的側(cè)面的垂直部分，其中該噴頭的邊緣的下部形成有用于與該夾緊構(gòu)件的水平部分嚙合的溝槽。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中該熱阻構(gòu)件是薄金屬板。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其中該熱阻構(gòu)件由鋁制成。
15.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中該噴頭具有在其邊緣形成的橢圓形長孔，并且該裝置還包括通過穿透該夾緊構(gòu)件的水平部分而插入到該長孔中的第四耦合構(gòu)件。
16.如權(quán)利要求15所述的裝置，其中該噴頭具有矩形板形狀，以及其中所述夾緊構(gòu)件、橢圓形長孔和第四耦合構(gòu)件設(shè)置在該噴頭的每一個側(cè)面上。
17.如權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述長孔和第四耦合構(gòu)件成對地設(shè)置在該噴頭的每一個側(cè)面上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種化學氣相沉積裝置。該化學氣相沉積裝置包括處理室，被配置為用來界定反應(yīng)空間；背板，放置于所述反應(yīng)空間上方，并且在該背板的中部具有氣體入口；氣體擴散構(gòu)件，設(shè)置在該氣體入口的下方并且與該氣體入口分離，該氣體擴散構(gòu)件被配置為用來擴散通過該氣體入口提供的工藝氣體，并且該氣體擴散元件通過第一耦合構(gòu)件與該背板耦合；噴頭，放置于所述背板和氣體擴散構(gòu)件的下方并且與所述背板和氣體擴散構(gòu)件分離，在該噴頭中通過打孔形成有多個噴孔，該噴頭的中部通過第二耦合構(gòu)件與該氣體擴散構(gòu)件耦合；以及基座，設(shè)置在該噴頭的下方并且與該噴頭分離，該基座用于支撐襯底。
文檔編號C23C16/455GK102373440SQ201110234249
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月12日
發(fā)明者樸勝一, 許閏成 申請人:Snt能源技術(shù)有限公司