一種挺柱及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種挺柱的制備方法，包括以下步驟：a）將挺柱基體置于磁控濺射設(shè)備中，抽真空后對所述挺柱基體進行預(yù)熱；b）將步驟a）得到的挺柱進行活化；c）在氮氣氛圍下，采用TiC靶與SiC靶對步驟b）得到的挺柱進行濺射；d）將步驟c）得到的挺柱進行退火處理。本申請采用TiC、SiC雙靶濺射的方法對挺柱進行表面處理，使挺柱表面附著TiSiCN復(fù)合層，從而提高了挺柱表面的硬度、耐磨性與抗接觸疲勞特性。本申請還提供了一種挺柱，所述挺柱的表面設(shè)置有TiSiCN復(fù)合層。
【專利說明】一種挺柱及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及金屬材料【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種挺柱及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]氣門挺柱是汽車發(fā)動機配氣機構(gòu)的關(guān)鍵部件，在發(fā)動機運行過程中與凸輪軸直接接觸。隨著排氣剎車的需求，為了使發(fā)動機可靠的工作，發(fā)動機的排氣門彈簧力比不使用排氣剎車的狀態(tài)增加近一倍。此外隨著功率的增加，挺柱承受的力也越來越大，導(dǎo)致挺柱易出現(xiàn)嚴重的磨損，從而影響發(fā)動機的可靠性。
[0003]目前普遍采用表面化學(xué)鍍技術(shù)、表面離子滲氮以及焊接硬質(zhì)合金等技術(shù)對材料的表面進行改性。但是采用傳統(tǒng)的普通表面強化工藝如表面鍍鉻，厚度較薄，由于鍍層與基體是兩種金屬，沒有過渡層，采用傳統(tǒng)的工藝往往造成鍍層的結(jié)合力不高，很容易脫落且沉積薄膜速度低；而采用表層滲氮技術(shù)，由于裝爐方式的不合理及氣壓調(diào)節(jié)不當(dāng)?shù)?，滲氮處理期間溫度不均勻、爐內(nèi)氣流不合理等，因此采用表面滲氮工藝得到的材料的硬度和滲層不均勻。另外由于合金元素在晶界偏聚及氮原子的擴散，在模具滲氮后表層易出現(xiàn)網(wǎng)狀及波紋狀、針狀氮化物及厚的白色脆性層，上述組織缺陷將會導(dǎo)致模具韌性降低、脆性增加、耐沖擊性能減弱、疲勞剝落、耐磨性降低，大大降低模具的使用壽命。
[0004]磁控濺射技術(shù)是一種新型的表面處理技術(shù)，其原理是:電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片，氬離子在電場作用下加速轟 擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子或分子沉積在基片上成膜。磁控濺射技術(shù)具有成膜速率高、基片溫度低、膜的粘附性好，可實現(xiàn)大規(guī)模鍍膜，因此磁控濺射技術(shù)廣泛應(yīng)用于材料的表面改性上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的技術(shù)問題在于提供一種挺柱及其制備方法，本申請制備的挺柱的表面設(shè)置有復(fù)合層，使挺柱具有較高的硬度、耐磨性與抗接觸疲勞性能。
[0006]有鑒于此，本申請?zhí)峁┝艘环N挺柱的制備方法，包括以下步驟:
[0007]a)將挺柱基體置于磁控濺射設(shè)備中，抽真空后對所述挺柱基體進行預(yù)熱；
[0008]b)將步驟a)得到的挺柱進行活化；
[0009]c)在氮氣氛圍下，采用TiC靶與SiC靶對步驟b)得到的挺柱進行濺射；
[0010]d)將步驟c)得到的挺柱進行退火處理。
[0011]優(yōu)選的，步驟b)具體為:
[0012]在所述磁控濺射設(shè)備中通入氬氣，磁控濺射設(shè)備中的真空室內(nèi)壓強為0.1Pa~10Pa，射頻電流為100A~200A時，利用氬氣等離子體對步驟a)得到的挺柱的表面進行轟擊活化。
[0013]優(yōu)選的，步驟c)中所述濺射的過程中，所述磁控濺射設(shè)備的工作壓強為0.1Pa~IOPa,革巴心距為60mm~100mm。[0014]優(yōu)選的，所述TiC靶的磁控濺射鈀的功率為500W~1000W，SiC靶的磁控濺射靶的功率為300W~500W。
[0015]優(yōu)選的，所述退火處理的溫度為200°C~1200°C，所述退火處理的時間為Ih~2h。
[0016]優(yōu)選的，所述預(yù)熱的溫度為300°C~500°C。
[0017]優(yōu)選的，步驟a)中抽真空后所述磁控濺射設(shè)備的真空度為2X 10_3Pa~5X 10_3Pa。
[0018]本申請?zhí)峁┝艘环N上述方案所制備的挺柱，所述挺柱的表面設(shè)置有TiSiCN復(fù)合層。
[0019]優(yōu)選的，所述TiSiCN復(fù)合層中Si的含量為0.2wt%~ 10wt%，C的含量為0.2wt%~10wt%, Ti 的含量為 0.lwt% ~5wt%，N 的含量為 0.5wt% ~20wt%。
[0020]優(yōu)選的，所述TiSiCN復(fù)合層的厚度為20μπι~50μπι。
[0021]本申請?zhí)峁┝艘环N挺柱的制備方法。在制備挺柱的過程中，本申請首先將挺柱基體置于磁控濺射設(shè)備中，將其進行預(yù)熱，以有利于挺柱表面的活化；再將預(yù)熱后的挺柱進行活化，為磁控濺射作準備；然后在氮氣的氛圍下將活化后的挺柱采用TiC靶與SiC靶對挺柱進行雙靶濺射，從而得到TiSiCN復(fù)合層，最后將挺柱進行退火處理，使復(fù)合層與挺柱能夠?qū)崿F(xiàn)有效結(jié)合。
[0022]本申請在對挺柱基體進行表面處理的過程中，采用TiC靶與SiC靶對挺柱進行雙靶濺射，從而在挺柱表 面電鍍了 TiSiCN復(fù)合層，復(fù)合層中的Ti元素能夠細化晶粒，減小了晶格中的殘余應(yīng)力，同時Ti元素為碳化物形成元素，易存在于碳化物中，使得物質(zhì)之間的結(jié)合力大幅提高，提高了涂層的厚度，使得鍍層更加牢固；Si提高了涂層的潤滑性能，增加了挺柱的抗疲勞性能；最后對挺柱進行退火處理，提高了復(fù)合層與基體間原子的相互擴散，加速了化學(xué)反應(yīng)，增加了復(fù)合層與基體間的結(jié)合力，并且磁控濺射方法提高了復(fù)合層在挺柱表面的均勻性，因此，本申請制備的挺柱具有較高的硬度、耐磨性與抗接觸疲勞性能。
【具體實施方式】
[0023]為了進一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合實施例對本發(fā)明優(yōu)選實施方案進行描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些描述只是為進一步說明本發(fā)明的特征和優(yōu)點，而不是對本發(fā)明權(quán)利要求的限制。
[0024]本發(fā)明實施例公開了一種挺柱的制備方法，包括以下步驟:
[0025]a)將挺柱基體置于磁控濺射設(shè)備中，抽真空后對所述挺柱基體進行預(yù)熱；
[0026]b)將步驟a)得到的挺柱進行活化；
[0027]c)在氮氣氛圍下，采用TiC靶與SiC靶對步驟b)得到的挺柱進行濺射；
[0028]d)將步驟c)得到的挺柱進行退火處理。
[0029]本發(fā)明提供挺柱的制備方法是采用磁控濺射技術(shù)對挺柱的表面進行處理，從而在挺柱表面得到了一層復(fù)合層，使挺柱具有較高的硬度、耐磨性與抗接觸疲勞性能。
[0030]按照本發(fā)明，首先將挺柱基體置于磁控濺射設(shè)備中，將磁控濺射設(shè)備抽真空。本申請中所述挺柱基體為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的挺柱，其材質(zhì)可以為碳鋼、合金鋼、鎳鉻合金鑄鐵或冷激合金鑄鐵，所述挺柱基體的材質(zhì)本申請沒有特別的限制。為了避免在磁控濺射過程中，在所述挺柱基體中引入雜質(zhì)，本申請在將所述挺柱基體置于磁控濺射設(shè)備中之前，優(yōu)選將所述挺柱進行除油除銹處理。同樣為了保證挺柱表面鍍層的純凈，本申請對所述磁控濺射設(shè)備抽真空，抽真空后所述磁控濺射設(shè)備的真空度優(yōu)選為2 X KT3Pa~5 X 10_3Pa。本發(fā)明然后在所述磁控濺射設(shè)備中對所述挺柱基體進行預(yù)熱，為挺柱的表面活化做準備。所述預(yù)熱的溫度優(yōu)選為300°C~500°C，更優(yōu)選為350°C~420°C ;若所述預(yù)熱溫度過高，則會造成資源浪費；若所述預(yù)熱溫度過低，則挺柱表面活化效果不好，從而影響磁控濺射的質(zhì)量。
[0031]本發(fā)明在將挺柱基體預(yù)熱后，則將其進行活化處理。所述活化處理是將挺柱基體在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子碰撞，電離出大量的氬離子和電子，從而實現(xiàn)挺柱基體的活化。本申請所述活化過程具體為:
[0032]在所述磁控濺射設(shè)備中通入氬氣，磁控濺射設(shè)備中的真空室內(nèi)壓強為0.1Pa~10Pa，射頻電流為IOOA~200A時，利用氬氣等離子體對步驟a)得到的挺柱的表面進行轟擊活化。
[0033]按照本發(fā)明，在將所述挺柱活化后，挺柱表面的電子或原子處于活躍狀態(tài)，將挺柱進行濺射，有利于靶材原子的沉積。本申請采用TiC靶材與SiC靶材在氮氣的氛圍下，對所述挺柱進行雙靶濺射，在濺射結(jié)束之后，則在所述挺柱表面電鍍一層TiSiCN復(fù)合層。在濺射的過程中，本申請通過調(diào)整工作壓強與靶心距來濺射一定厚度的TiSiCN復(fù)合層。為了使挺柱表面具有較高的硬度、耐磨性與抗接觸疲勞特性，所述TiSiCN復(fù)合層的厚度優(yōu)選為20 μ m~50 μ m。為了得到上述厚度的復(fù)合層，所述磁控濺射設(shè)備的工作壓強優(yōu)選為0.1~10Pa，靶心距優(yōu)選為60mm~100mm。在所述濺射過程中，所述TiC靶的磁控濺射靶的功率優(yōu)選為500W~1000W，所述SiC靶的磁控濺射靶的功率優(yōu)選為300~500W ;氮氣分壓優(yōu)選為50%~60% ;沉積時間優(yōu)選為80min~lOOmin。本申請在磁控派射過程中，通過控制革巴心距、射頻電流、氮氣分壓、沉積時間、工作強度與磁控濺射靶的功率使挺柱表面復(fù)合層中Si的含量為0.2wt%~10w t%，C的含量為0.2wt%~10wt%，Ti的含量為0.lwt%~5wt%，N的含量為0.5wt%~20wt%。
[0034]本申請采用磁控濺射雙靶電鍍技術(shù)，提高了涂層的沉積速率，使得在磁場的作用下在基體表面能夠盡可能多的沉積Si離子，提高涂層的耐腐蝕性與潤滑性能；同時濺射過程中的Ti元素細化了晶粒，減小了晶格中的殘余應(yīng)力，解決了離子鍍大顆粒的問題，使得物質(zhì)之間的結(jié)合力大幅度提高，鍍層更加牢固。
[0035]本申請最后對磁控濺射后的挺柱進行退火處理，退火之后復(fù)合層中的原子部分滲透至挺柱表面，從而提高了 TiSiCN復(fù)合層與基體間原子的相互擴散，加速了化學(xué)反應(yīng)，增加了復(fù)合層與基體之間的結(jié)合力。所述退火處理的溫度優(yōu)選為200°C~1200°C，更優(yōu)選為500°C~1000°C ;所述退火處理的時間優(yōu)選為Ih~2h。
[0036]本申請還提供了一種按照上述方案制備的挺柱，所述挺柱的表面設(shè)置有TiSiCN復(fù)合層。所述TiSiCN復(fù)合層中Si的含量優(yōu)選為0.2wt%~ 10wt%，C的含量優(yōu)選為0.2wt%~10wt%, Ti的含量優(yōu)選為0.lwt%~5wt%，N的含量優(yōu)選為0.5wt%~20wt%。為了使挺柱表面具有較高的硬度、耐磨性與抗接觸疲勞特性，所述TiSiCN復(fù)合層的厚度優(yōu)選為20 μ m~50 μ m。在挺柱的復(fù)合層中引入Ti元素能夠細化晶粒，減小晶格中的殘余應(yīng)力，同時Ti元素為碳化物形成元素，易存在于碳化物中，使得物質(zhì)之間的結(jié)合力大幅度提高，提高了復(fù)合層的厚度，使得復(fù)合層更加牢固；而引入Si元素，提高了復(fù)合層的潤滑性能，增加了挺柱的抗疲勞性能。
[0037]本申請?zhí)峁┝艘环N挺柱的制備方法。在制備挺柱的過程中，本申請首先將挺柱基體置于磁控濺射設(shè)備中，將其進行預(yù)熱，以有利于挺柱表面的活化；再將預(yù)熱后的挺柱進行活化，使挺柱表面的原子處于活化狀態(tài)，為磁控濺射作準備；然后在氮氣的氛圍下將活化后的挺柱采用TiC靶與SiC靶對挺柱進行雙靶濺射，從而得到TiSiCN復(fù)合層，最后將挺柱進行退火處理，使復(fù)合層與挺柱能夠?qū)崿F(xiàn)有效結(jié)合。本申請在對挺柱基體進行表面處理的過程中，采用TiC靶與SiC靶對挺柱進行雙靶濺射，從而在挺柱表面電鍍了 TiSiCN復(fù)合層，在復(fù)合層中引入Ti元素能夠細化晶粒，減小了晶格中的殘余應(yīng)力，Ti元素為碳化物形成元素，易存在于碳化物中，使得物質(zhì)之間的結(jié)合力大幅提高，提高了涂層的厚度，使得鍍層更加牢固；同時引入Si元素提高了涂層的潤滑性能，增加了挺柱的抗疲勞性能；本申請最后對挺柱進行退火處理，提高了復(fù)合層與基體間原子的相互擴散，加速化學(xué)反應(yīng)，增加了復(fù)合層與基體間的結(jié)合力。綜上所述，本申請制備的挺柱表面附著的TiSiCN復(fù)合層可以提高挺柱的硬度、耐磨性及接觸疲勞性能。
[0038]為了進一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合實施例對本發(fā)明提供的挺柱及其制備方法進行詳細說明，本發(fā)明的保護范圍不受以下實施例的限制。
[0039]實施例1
[0040]步驟I)將除油、除銹后的挺柱基體放入磁控濺射設(shè)備中特制的工裝架上；將磁控濺射設(shè)備抽真空，真空度為2X 10_3Pa，然后將基體預(yù)熱至300~500°C ；
[0041]步驟2)在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣，當(dāng)磁控濺射真空室內(nèi)壓強達到0.1~IOPa時，射頻電流為100~200A，利用氬氣等離子體對步驟I)得到的挺柱表面進行轟擊活化；
[0042]步驟3)在磁控派射設(shè)備的真空室內(nèi)通入氮氣,氮氣分壓占50%,沉積時間80min,靶心距為60mm，TiC靶的磁控濺射靶的功率為600W，SiC靶的磁控濺射靶的功率為400W，利用TiC、SiC雙靶濺射的方法，在步驟2)得到的挺柱基體表面沉積TiSiCN抗磨潤滑層；
[0043]步驟4)在真空管式高溫爐中將步驟3)得到的挺柱在750°C下進行退火，保溫時間2小時，為避免由于快速冷卻引起的應(yīng)力缺陷，緩慢冷卻至室溫。
[0044]將本實施例得到的挺柱進行測試，其表面硬度可以達到900~1050HV1，鍍膜的厚度達到35 μ m ;采用摩擦磨損試驗機對本實施例制備的挺柱表面的TiSiCN超厚涂層進行壽命評估，摩擦試驗采用鍍膜挺柱與凸輪軸配副進行往復(fù)滑動，滑動頻率為20Hz，載荷為1000N，溫度為100°C，測試結(jié)果表明:在1000N的載荷下，本實施例制備的挺柱表面的TiSiCN復(fù)合涂層的耐磨性是CrN涂層的2.5倍；在柴油機正常的工作壓力下，挺柱的疲勞壽命是表面鍍鉻挺柱的10倍，是普通氮化挺柱的5倍；由于挺柱鍍層在高溫下退火，保證了挺柱具有較高的熱穩(wěn)定性。
[0045]實施例2
[0046]步驟I)將除油、除銹后的挺柱基體放入磁控濺射設(shè)備中特制的工裝架上；將磁控濺射設(shè)備抽真空，真空度2X 10_3Pa，然后將基體預(yù)熱至300~500°C ；
[0047]步驟2)在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣，當(dāng)磁控濺射真空室內(nèi)壓強達到0.1~IOPa時，射頻電流為100~200A，利用氬氣等離子體對步驟I)得到的挺柱基體表面進行轟擊活化；
[0048]步驟3)在磁控派射設(shè)備的真空室內(nèi)通入氮氣,氮氣分壓占55%,沉積時間90min,靶心距為80mm，TiC靶的磁控濺射靶的功率為800W，SiC靶的磁控濺射靶的功率為400W，利用TiC、SiC雙靶濺射的方法，在步驟2)得到的挺柱基體表面沉積TiSiCN抗磨潤滑層；[0049]步驟4)在真空管式高溫爐中將步驟3)得到的挺柱在1000°C下進行退火，保溫時間2小時，為避免由于快速冷卻引起的應(yīng)力缺陷，緩慢冷卻至室溫。
[0050]將本實施例制備的挺柱進行測試，其表面硬度可以達到1000~1150HV1，鍍膜的厚度達到40 μ m。采用摩擦磨損試驗機對本實施例制備的挺柱表面的TiSiCN超厚涂層進行壽命評估，摩擦試驗采用鍍膜挺柱與凸輪軸配副進行往復(fù)滑動，滑動頻率為20Hz，載荷為1000N，溫度為100°C，測試結(jié)果表明:在1000N的載荷下，本實施例制備的挺柱表面超厚的TiSiCN復(fù)合涂層的耐磨性是CrN涂層的3.5倍；在柴油機正常的工作壓力下，挺柱的疲勞壽命是表面鍍鉻挺柱的15倍，是普通氮化挺柱的7倍；由于挺柱鍍層在高溫下退火，保證了挺柱具有較高的熱穩(wěn)定性。
[0051]實施例3
[0052]步驟I)將除油、除銹后的挺柱基體放入磁控濺射設(shè)備中特制的工裝架上；將磁控濺射設(shè)備抽真空，真空度2X 10_3Pa，然后將基體預(yù)熱至300~500°C ；[0053]步驟2)在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣，當(dāng)磁控濺射真空室內(nèi)壓強達到0.1~IOPa時，射頻電流為100~200A，利用氬氣等離子體對步驟I)得到的挺柱的表面進行轟擊活化；
[0054]步驟3)在磁控派射設(shè)備的真空室內(nèi)通入氮氣,氮氣分壓占60%,沉積時間IOOmin,靶心距為100mm，TiC靶的磁控濺射靶的功率為900W，SiC靶的磁控濺射靶的功率為500W，利用TiC、SiC雙靶濺射的方法，在步驟2)得到的挺柱基體表面沉積TiSiCN抗磨潤滑層；
[0055]步驟4)在真空管式高溫爐中將步驟3)得到的的挺柱在1200°C下進行退火，保溫時間2小時，為避免由于快速冷卻引起的應(yīng)力缺陷，緩慢冷卻至室溫。
[0056]將本實施例制備的挺柱進行測試，表面硬度可以達到900~1000HV1，鍍膜的厚度達到32 μ m。采用摩擦磨損試驗機對本實施例制備的挺柱表面的TiSiCN超厚涂層進行壽命評估，摩擦試驗采用鍍膜挺柱與凸輪軸配副進行往復(fù)滑動，滑動頻率為20Hz，載荷為1000N，溫度為100°C，測試結(jié)果表明:在1000N的載荷下，本實施例制備的挺柱表面超厚的TiSiCN復(fù)合涂層的耐磨性是CrN涂層的2倍；在柴油機正常的工作壓力下，挺柱的疲勞壽命是表面鍍鉻挺柱的10倍，是普通氮化挺柱的6倍；由于挺柱鍍層在高溫下退火，保證了挺柱具有較高的熱穩(wěn)定性。
[0057]以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
[0058]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種挺柱的制備方法，包括以下步驟: a)將挺柱基體置于磁控濺射設(shè)備中，抽真空后對所述挺柱基體進行預(yù)熱； b)將步驟a)得到的挺柱進行活化； c)在氮氣氛圍下，采用TiC靶與SiC靶對步驟b)得到的挺柱進行濺射； d)將步驟c)得到的挺柱進行退火處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟b)具體為: 在所述磁控濺射設(shè)備中通入氬氣，磁控濺射設(shè)備中的真空室內(nèi)壓強為0.1Pa~lOPa，射頻電流為IOOA~200A時，利用氬氣等離子體對步驟a)得到的挺柱的表面進行轟擊活化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟c)中所述濺射的過程中，所述磁控派射設(shè)備的工作壓強為0.1Pa~1OPa,祀心距為60mm~100mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述TiC靶的磁控濺射鈀的功率為.500W~1000W，SiC靶的磁控濺射靶的功率為300W~500W。
5.根據(jù)權(quán)利要 求1所述的制備方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為200°C~.1200°C，所述退火處理的時間為1h~2h。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述預(yù)熱的溫度為300°C~500°C。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟a)中抽真空后所述磁控濺射設(shè)備的真空度為2Xl(T3Pa~5Xl(T3Pa。
8.權(quán)利要求1~7任一項所制備的挺柱，所述挺柱的表面設(shè)置有TiSiCN復(fù)合層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的挺柱，其特征在于，所述TiSiCN復(fù)合層中Si的含量為.0.2wt%~10wt%，C的含量為0.2wt%~10wt%，Ti的含量為0.lwt%~5wt%，N的含量為.0.5wt% ~20wt%o
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的挺柱，其特征在于，所述TiSiCN復(fù)合層的厚度為20μ m~.50 μ m0
【文檔編號】C23C14/35GK103938167SQ201410103297
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月19日
【發(fā)明者】辛延君, 王慧芹, 程祥軍, 王洋, 楊玉霞 申請人:濰柴動力股份有限公司