用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的裝置和方法和用于制造光電子構(gòu)件的方法
【專利摘要】在本發(fā)明的不同實(shí)施方式中提供一種用于對(duì)襯底(30)進(jìn)行表面處理的裝置。該裝置具有可圍繞旋轉(zhuǎn)軸線(58)轉(zhuǎn)動(dòng)安裝的工藝頭部(22)，工藝頭部具有多個(gè)排氣口(50)，該排氣口至少部分地構(gòu)造在工藝頭部(22)的徑向外邊緣上。
【專利說明】用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的裝置和方法和用于制造光電子 構(gòu)件的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的裝置和方法和用于制造光電子構(gòu)件 的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在襯底上的、例如柔性襯底上的其功能層由有機(jī)的和/或有機(jī)金屬的材料構(gòu)造的 電子構(gòu)件通常被保護(hù)以抵御氧氣和水。例如，具有有機(jī)功能層的光電子構(gòu)件通常在有機(jī)功 能層上方和/或下方具有封裝層，封裝層保護(hù)了有機(jī)功能層例如以抵御濕氣。封裝層例如 借助于沉積方法來施加、例如借助原子層沉積或化學(xué)的氣相沉積來施加。這類系統(tǒng)的實(shí)例 是光電子構(gòu)件、例如吸收光的或發(fā)射光的電池、例如電化學(xué)的電池或0LED，也還是有機(jī)太陽 能電池。在所有這些系統(tǒng)中，壽命和性能主要取決于封裝的質(zhì)量。
[0003] 在用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的常規(guī)的裝置或者相應(yīng)的方法中，尤其在用于制造 具有襯底的光電子構(gòu)件的涂覆方法中，能夠用不同的層、例如有機(jī)功能層和/或封裝層 來涂覆襯底。這些層能夠僅具有幾個(gè)原子層或者厚至幾百納米。所述層例如能夠利用 CVD(ChemicalVapourDeposition化學(xué)氣相沉積）法或者ALD(AtomLayerDeposition原 子層沉積）法來施加。這些方法、例如ALD法的缺點(diǎn)當(dāng)然是相當(dāng)耗費(fèi)時(shí)間的處理工藝，其具 有每個(gè)涂覆工藝大約1A的層生長速率。由此原因，在具有用于容納襯底復(fù)合物的相應(yīng)的工 藝室的較大的ALD反應(yīng)器中，執(zhí)行對(duì)襯底復(fù)合物進(jìn)行最常用（單個(gè)，批量Batches)的涂覆， 其中在若干小時(shí)內(nèi)同時(shí)涂覆多個(gè)構(gòu)件。在此，例如在大型襯底復(fù)合物中涂覆襯底，在后續(xù)的 工藝中從襯底復(fù)合物中分出各個(gè)襯底，襯底復(fù)合物例如是晶圓或者襯底板。附加地，借助于 玻璃板能夠進(jìn)行封裝。
[0004] 例如在襯底復(fù)合物中的待涂覆的襯底能夠引入到工藝室中，依次向該工藝室輸送 一種、兩種或多種過程氣體。過程氣體例如具有反應(yīng)氣體并且用于使原子和/或分子沉積 在襯底上并且通過反應(yīng)形成層，和/或過程氣體具有吹洗氣體，該吹洗氣體用于吹洗工藝 室，以便隨后能夠引入反應(yīng)氣體，該反應(yīng)氣體不能與之前引入的反應(yīng)氣體混合、或者至少僅 在襯底的表面上允許該反應(yīng)氣體參與和之前引入的反應(yīng)氣體的原子或分子的結(jié)合，例如在 ALD工藝中的情況。此外，反應(yīng)氣體能夠是具有反應(yīng)氣體和載體氣體的混合氣體。在將過程 氣體輸送給工藝室的各個(gè)工藝步驟之間，能夠執(zhí)行一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)工藝步驟，其中再次抽 吸所輸送的過程氣體和/或在工藝室中產(chǎn)生負(fù)壓。這種過程例如經(jīng)常能夠在輸送吹洗氣體 之前和之后進(jìn)行。
[0005] 在涂覆大量襯底時(shí)，目前出現(xiàn)多種問題。例如，僅數(shù)量有限的襯底能夠引入到工藝 室中。此外，根據(jù)涂覆工藝而會(huì)需要的是，為用于涂覆上述數(shù)量的襯底的工藝室多次輸送相 同的和/或不同的過程氣體，并且在此期間總是再次抽吸出上述過程氣體，其中產(chǎn)生過程 氣體損失。此外，在位于主要的氣流之外的區(qū)域（死空間）中，由于在該處變得困難的氣體 交換而形成了長處理時(shí)間和/或由于雜質(zhì)而出現(xiàn)質(zhì)量問題。此外，如果工藝步驟出錯(cuò)，那么 出現(xiàn)很大的損害，因?yàn)闀?huì)涉及所有數(shù)量的襯底或者所有的襯底復(fù)合物并且其之后不能再應(yīng) 用。此外，在涂覆襯底時(shí)，持續(xù)地將襯底插入工藝室或從中取出和對(duì)工藝室的可能的頻繁填 充和抽吸，導(dǎo)致了很長的工藝持續(xù)時(shí)間。
[0006] 已知的是，作為位置固定的工藝室的替選方案，為了避免所述缺點(diǎn)而使用可移動(dòng) 的工藝頭部。尤其是在制造柔性的太陽能電池和柔性的發(fā)光系統(tǒng)時(shí)，例如嘗試使用卷對(duì)卷 (Roll-to-Roll) (R2R)方法，其中從卷中展開襯底或襯底復(fù)合物、成件地被處理并且在處理 之后再次卷到卷上或者被分割，以便能夠更有效地且成本更低廉地生產(chǎn)。當(dāng)然，例如也應(yīng)當(dāng) 盡可能與這種工藝相協(xié)調(diào)地實(shí)施封裝。
[0007] 在柔性的系統(tǒng)中，通常希望不由于玻璃封裝而損失柔性。因此，通常使用薄的閉合 的層用于封裝。為了制造層，在參考文獻(xiàn)中通常提出ALD方法，因?yàn)橛纱四軌蛑圃熘旅艿那?共性的、即也包圍三維結(jié)構(gòu)的層。ALD方法涉及分別施加涂層的、例如金屬氧化物層的原子 層的方法。這通過利用也稱作前驅(qū)體1或第一離析物的第一反應(yīng)氣體（例如水蒸氣）覆蓋 待涂覆的襯底的方式來進(jìn)行。在泵出第一離析物之后，在表面上保留所吸收的第一離析物 的單層。隨后，輸送也稱作前驅(qū)體2或第二離析離析物的第二反應(yīng)氣體（例如TMA，三甲基 鋁）?，F(xiàn)在，第二離析氣體與保留在表面上的第一離析物反應(yīng)并且在表面上形成相應(yīng)的固體 反應(yīng)產(chǎn)物、例如金屬氧化物（A1203)的單原子層。在輸送不同的反應(yīng)氣體之間必須對(duì)工藝 室進(jìn)行泵吸和/或用惰性氣體吹洗，以便移除氣態(tài)的反應(yīng)產(chǎn)物和相應(yīng)的前驅(qū)體的未反應(yīng)的 殘余。由此，還避免了前驅(qū)體1和前驅(qū)體2的混合和氣態(tài)中的這兩種物質(zhì)的不期望的反應(yīng)。
[0008] 為了對(duì)柔性襯底進(jìn)行快速的ALD涂覆，已知不同的途徑：
[0009] 例如ALD涂覆工藝頭部能夠具有狹槽形的排氣口，其用于使前驅(qū)體流經(jīng)襯底（參 見D.Cameron等人的"TowardsaRoll-to-RollALD-Process，'，ASTRal，MIICS2010,第 15 頁）。除了對(duì)于前驅(qū)體的排氣口之外，頭部也承載用于吹洗氣體的排氣口，以及用于抽吸不 同氣體的進(jìn)氣口?，F(xiàn)在，相對(duì)于襯底，橫向地交替且向前地/向后地移動(dòng)這種涂覆頭部（當(dāng) 然也能夠設(shè)想橫向于襯底的移動(dòng)）。移動(dòng)循環(huán)與兩個(gè)層生長循環(huán)相對(duì)應(yīng)，因?yàn)殡S著每次移動(dòng) 施加了這兩個(gè)共同形成層的前驅(qū)體。反轉(zhuǎn)涂覆方向的必要性總是與正的和負(fù)的加速度相關(guān) 聯(lián)。因此，僅能夠通過很長的大型裝置達(dá)到可接受的涂覆速度。但是，大量的空間需求意味 著更難于自動(dòng)控制的顆粒自由度，并且在固定的ALD涂覆工藝頭部的情況下，意味著長的 氣體饋送管道又或者意味著在帶引導(dǎo)和帶移動(dòng)柔性襯底中的高昂耗費(fèi)。因此，利用這種方 法不能實(shí)現(xiàn)具有高流量的緊湊的ALD涂覆單元。此外，例如在工藝頭部的前部和后部或側(cè) 向的反轉(zhuǎn)點(diǎn)處的加速路徑可能能夠?qū)е聦淤|(zhì)量的不均勻性。
[0010] 從前述提高的公開刊物中已知一種ALD處理單元作為替代方案，其示出徑向?qū)ΨQ 的涂覆工藝頭部，該涂覆工藝頭部的排氣口朝向中央的方向。從例如具有在卷上纏繞的環(huán) 形襯底的襯底復(fù)合物分出襯底部段，所述襯底部段的長度大致短于涂覆頭部的內(nèi)圓周。所 分出的襯底部段張緊到圓形的布置在工藝頭部內(nèi)的襯底支架上。因此，襯底支架隨襯底部 段旋轉(zhuǎn)并且在此借助于工藝頭部來涂覆，其中在旋轉(zhuǎn)時(shí)例如能夠使一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)相同 的或不同的層施加到襯底部段上。因此，在高轉(zhuǎn)速時(shí)能夠快速地將多個(gè)層施加到襯底部段 上。所示出的裝置的缺點(diǎn)當(dāng)然是以下必要性，即必須從卷中展開柔性襯底、必須分割該襯底 并且其必須作為已分割的襯底部段依次張緊到在工藝頭部內(nèi)的同軸旋轉(zhuǎn)的輥形的襯底支 架上。因此，放棄卷對(duì)卷工藝，然而具有下述優(yōu)點(diǎn)：能夠更快地構(gòu)建層。也就是說，涂覆速度 基本通過襯底支架的旋轉(zhuǎn)速度來預(yù)設(shè)。此外，取消加速路徑、例如利用取消反轉(zhuǎn)點(diǎn)。
[0011] 另一個(gè)從所提到的公開文獻(xiàn)中已知的另一個(gè)方法利用不同的氣體區(qū)來工作。在此 不利的是，可靠地避免氣體相互擴(kuò)散，以及必須以幾百次或更多的數(shù)量級(jí)來偏轉(zhuǎn)待涂覆的 襯底而不損壞或污染層的必要性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] 以不同的實(shí)施方式提供一種用于對(duì)襯底的表面進(jìn)行表面處理方法和裝置，其中能 夠簡單且快速地處理襯底的表面。此外，以不同的實(shí)施方式提供了用于制造光電子構(gòu)件的 方法，其中能夠簡單且快速地處理光電子構(gòu)件的襯底的表面。表面處理例如能夠具有對(duì)襯 底的涂覆和/或襯底能夠是柔性的襯底和/或方法能夠是卷對(duì)卷方法的一部分，例如用于 對(duì)多個(gè)襯底、如柔性襯底的涂覆、例如在不必事先分割柔性襯底的情況下（R2R，非批次運(yùn) 行）。
[0013] 以不同的實(shí)施方式提供了一種用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的裝置。該裝置具有可圍 繞旋轉(zhuǎn)軸線轉(zhuǎn)動(dòng)安裝的工藝頭部。工藝頭部具有多個(gè)排氣口，該排氣口至少部分地構(gòu)造在 工藝頭部的徑向外邊緣上。
[0014] 徑向外邊緣上的排氣口實(shí)現(xiàn)了，在工藝頭部的外邊緣上布置襯底和/或，在柔性 襯底的情況下，至少部分地圍繞工藝頭部的徑向外邊緣來引導(dǎo)地布置柔性襯底，并且處理 襯底的朝向工藝頭部的一側(cè)。上述情況結(jié)合可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝的工藝頭部實(shí)現(xiàn)了，使得例如是環(huán) 形薄膜的、例如直接連接到薄膜制造工藝的環(huán)形襯底，不斷地引導(dǎo)經(jīng)過工藝頭部的外邊緣， 并且處理該環(huán)形襯底。這實(shí)現(xiàn)了，快速地、簡單地和/或例如以卷對(duì)卷方法執(zhí)行表面處理。 例如，在表面處理中能夠涂覆柔性襯底、例如以CVD工藝和/或例如以ALD工藝。為此所需 的過程氣體能夠經(jīng)由徑向外邊緣處的排氣口來輸送。襯底是柔性的例如意味著，能夠引導(dǎo) 襯底至少部分地圍繞工藝頭部，而沒有在此受到損壞。這例如也能夠取決于工藝頭部的半 徑和由此預(yù)設(shè)的襯底曲率。
[0015] 尤其是當(dāng)每一層依次需要多種氣體和/或當(dāng)多個(gè)相同的或不同的層必須彼此疊 加地涂覆或剝離時(shí)，具有徑向外邊緣上的排氣口的可旋轉(zhuǎn)的工藝頭部實(shí)現(xiàn)了，在氣體消耗 小且處理速度高的情況下對(duì)襯底、例如柔性襯底進(jìn)行表面處理。此外，能夠極其緊湊地構(gòu)造 裝置并且該裝置能夠簡單地加入到現(xiàn)有的生產(chǎn)線中。此外，在錯(cuò)誤處理的情況下僅小部分 的柔性襯底、尤其是貼靠工藝頭部處的部分是有缺陷的并且能夠在沒有大的損壞的情況下 被移除。
[0016] 柔性襯底例如能夠從卷中展開，借助于工藝頭部進(jìn)行處理并且例如在沒有分割工 藝時(shí)又卷到另一卷上。替代于此，在處理之后能夠立即分割柔性襯底。柔性襯底例如具有 聚酰亞胺薄膜、金屬薄膜或PET薄膜。柔性襯底能夠是已經(jīng)涂覆的，例如利用發(fā)射或吸收光 的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)、利用一個(gè)或多個(gè)光學(xué)功能層、如散射層或折射層、和/或利用一個(gè)或多 個(gè)電極層來涂覆。換而言之，在襯底上能夠已經(jīng)構(gòu)造了層的堆疊（Stack)，然后借助可旋轉(zhuǎn) 的工藝頭部涂覆該襯底。替代于此，這些層在表面處理期間能夠施加到襯底上。在此，在表 面處理時(shí)例如能夠施加封裝層，例如根據(jù)ALD方法來施加。替代于此，也能夠施加一個(gè)或多 個(gè)阻擋層、光學(xué)層和/或一個(gè)或多個(gè)薄層晶體管。
[0017] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，如下地構(gòu)造并布置排氣口，即在運(yùn)行時(shí)，過程氣體如下地離 開排氣口中的至少一個(gè)，以至于過程氣體至少部分地在具有徑向定向的方向分量的方向上 流動(dòng)遠(yuǎn)離工藝頭部。換而言之，過程氣體從排氣口流動(dòng)直至柔性襯底,其中過程氣體流能夠 直接地指向襯底上，和/或過程氣體能夠自身偏轉(zhuǎn)到工藝頭部上并且然后間接地朝襯底流 動(dòng)。這有助于，均勻地涂覆圍繞外邊緣布置的柔性襯底。例如，過程氣體能夠在徑向方向 上、即垂直于旋轉(zhuǎn)軸線地從工藝頭部中吹出，但是，過程氣體也能夠僅部分指向徑向方向地 從工藝頭部中吹出，例如在考慮自身旋轉(zhuǎn)的工藝頭部中的流動(dòng)優(yōu)化的情況下。排氣口例如 能夠流動(dòng)優(yōu)化地構(gòu)成。
[0018] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，工藝頭部構(gòu)造成柱形的，例如根據(jù)直的圓柱來構(gòu)造，并且具 有軸線和外周面，其中軸線例如是穿過圓柱的基面和罩面的中心點(diǎn)來延伸的直線。換而言 之，工藝頭部能夠構(gòu)造成卷筒形的。軸線例如位于旋轉(zhuǎn)軸線上，并且布置在外邊緣處的排氣 口構(gòu)造在外周面上。這以簡單的方式實(shí)現(xiàn)將排氣口定位在徑向外邊緣上，柔性襯底圍繞徑 向外邊緣或外周面來布置，并且均勻地涂覆柔性襯底的待涂覆的表面。在軸向方向上，根 據(jù)待處理的襯底的寬度，工藝頭部的寬度能夠例如在1mm和10000mm之間、例如在10mm和 1000mm之間、例如在100mm和500mm之間。工藝頭部的半徑例如能夠在10mm和1000mm之 間、例如100mm和600mm之間。
[0019] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，在工藝頭部的徑向外邊緣處構(gòu)造至少一個(gè)進(jìn)氣口。這實(shí)現(xiàn) 了，例如再次移除、例如抽吸出通過排氣口引入到柔性襯底和工藝頭部之間的過程氣體。在 徑向外邊緣處的氣體進(jìn)氣口能夠根據(jù)排氣口中的一個(gè)來構(gòu)造，或者構(gòu)造成與其不同的，例 如構(gòu)造在工藝頭部的外周面上。
[0020] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，至少一個(gè)排氣口和/或至少一個(gè)布置在徑向外邊緣處的進(jìn) 氣口構(gòu)造成狹槽形和/或圓形。例如，相應(yīng)的排氣口或進(jìn)氣口能夠具有在徑向外邊緣中、例 如在外周面中的一個(gè)或多個(gè)狹槽形或圓形的空隙。狹槽例如能夠從工藝頭部的軸向端部向 工藝頭部的另一軸向端部延伸、例如平行于旋轉(zhuǎn)軸線和/或切向地延伸到工藝頭部的外周 面上。替代地或附加地，多個(gè)圓形的空隙例如能夠沿著從工藝頭部的一個(gè)軸向端部到工藝 頭部的另一軸向端部的一條或多條直線來布置。這有助于均勻地涂覆柔性襯底的待涂覆的 表面。替代于此的，一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)例如狹槽形或圓形的出口能夠共同形成一個(gè)排氣口。 此外，空隙能夠構(gòu)造成角形和/或流動(dòng)優(yōu)化地構(gòu)成。
[0021] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，工藝頭部具有用于向第一工藝室輸送第一反應(yīng)氣體的第一 排氣口、用于向第二工藝室輸送第二反應(yīng)氣體的第二排氣口、和用于向也能稱為另一個(gè)工 藝室的吹洗區(qū)域輸送吹洗氣體的另一個(gè)排氣口。反應(yīng)氣體和吹洗氣體也能夠稱為過程氣 體。附加地，工藝頭部在排氣口之間能夠具有圍繞圓周的各一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣口，通過 所述進(jìn)氣口能夠抽吸反應(yīng)氣體和/或吹洗氣體。這使得例如能夠輸送三種不同的過程氣 體，例如在ALD方法期間作為第一反應(yīng)氣體的第一氣態(tài)離析物（原材料）和作為第二反應(yīng) 氣體的第二氣態(tài)離析物以用于產(chǎn)生由第一材料或第一材料組合構(gòu)造的層、和吹洗氣體。此 夕卜，還能夠設(shè)置另一個(gè)的排氣口，例如能夠輸送兩種另外的、例如用于產(chǎn)生由第二材料或第 二材料組合構(gòu)造的層的離析物，或者還能夠設(shè)置多個(gè)用于輸送第一和/或第二離析物的排 氣口。例如，在兩個(gè)用于離析物的排氣口之間能夠總是設(shè)置各一個(gè)用于吹洗氣體的排氣口。 此外，在離析物的排氣口之間能夠分別設(shè)置用于抽吸離析物的進(jìn)氣口。因此例如沿著徑向 外邊緣的圓周能夠依次設(shè)置：用于第一離析物的排氣口、用于抽吸第一離析物的進(jìn)氣口、用 于吹洗氣體的排氣口、用于抽吸吹洗氣體的進(jìn)氣口、用于第二離析物的排氣口、用于抽吸第 二離析物的進(jìn)氣口，還有用于吹洗氣體的排氣口和用于抽吸沖洗吸氣的進(jìn)氣口。該順序能 夠多次重復(fù)，和/或還能夠設(shè)置用于其他的離析物和/或其他的進(jìn)氣口的其他的排氣口。
[0022] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，裝置具有殼體，在所述殼體中能轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝工藝頭部，并且 所述殼體具有用于輸送襯底、例如柔性襯底的輸送開口和用于導(dǎo)出襯底的導(dǎo)出開口。殼體 例如實(shí)現(xiàn)了，保護(hù)裝置的周圍環(huán)境免受過程氣體影響、對(duì)工藝區(qū)域調(diào)溫和/或保護(hù)襯底。在 輸送開口的區(qū)域中和/或在導(dǎo)出開口的區(qū)域中能夠構(gòu)造進(jìn)給設(shè)備的各一個(gè)元件。在可能的 情況下，進(jìn)給設(shè)備能夠有助于將襯底移入或抽入到殼體中和/或從中移出或抽出。例如，進(jìn) 給設(shè)備能夠具有一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)輥，所述輥例如能夠主動(dòng)地或被動(dòng)地旋轉(zhuǎn)。此外，進(jìn)給設(shè) 備能夠如下地集成在殼體中，使得其是殼體的和/或輸送開口的和/或?qū)С鲩_口的一部分。 例如，輸送開口和/或?qū)С鲩_口例如能夠通過在進(jìn)給設(shè)備的各一個(gè)輥和殼體之間的狹槽來 形成。
[0023] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，裝置具有加熱設(shè)備，其加熱了殼體的內(nèi)部空間。加熱設(shè)備能 夠以特別簡單的方式有助于：只要相應(yīng)的工藝需要，就達(dá)到表面處理的工藝溫度。在執(zhí)行表 面處理時(shí)，在殼體中能夠產(chǎn)生〇°C和1000°C之間的溫度、例如10°C和500°C之間的溫度、例 如20°C和250°C之間的溫度，例如大約200°C的溫度。替代于此的，能夠在室溫下執(zhí)行表面 處理。
[0024] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，裝置具有用于從殼體中抽吸出氣體的殼體抽吸系統(tǒng)。氣體 例如能夠具有空氣或過程氣體。這能夠有助于防止過程氣體逸出到裝置的周圍環(huán)境中。殼 體抽吸系統(tǒng)例如能夠具有多個(gè)抽吸系統(tǒng)，其例如實(shí)現(xiàn)了階梯式的和/或差分式的氣體抽 吸。通過根據(jù)差分泵的原理連續(xù)地布置抽吸系統(tǒng)例如能夠防止：例如當(dāng)殼體內(nèi)壓強(qiáng)低于環(huán) 境壓強(qiáng)時(shí)，環(huán)境空氣進(jìn)入到殼體中，或者例如當(dāng)殼體內(nèi)壓強(qiáng)高于環(huán)境壓強(qiáng)時(shí)，過程氣體逸出 到環(huán)境中。殼體抽吸系統(tǒng)例如能夠在襯底的待涂覆的一側(cè)上或在襯底的不要涂覆的一側(cè)上 實(shí)現(xiàn)，例如在進(jìn)給設(shè)備的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)、在輸送開口之間或在工藝頭部的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)。此外， 在殼體中能夠如下地布置抽吸系統(tǒng)，使得抽吸系統(tǒng)在襯底的不要涂覆的一側(cè)上產(chǎn)生負(fù)壓， 使得襯底從工藝頭部抽離并且因此具有到工藝頭部的預(yù)設(shè)的間距。
[0025] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，殼體具有用于使吹洗氣體輸送到殼體中的殼體吹洗氣體輸 送系統(tǒng)。在此，殼體例如能夠借助于升溫的吹洗氣體來加熱。吹洗氣體例如能夠在襯底的 待涂覆的一側(cè)上或者在不要涂覆的一側(cè)上輸送、例如在進(jìn)給設(shè)備的區(qū)域中、在輸送開口之 間或者在工藝頭部的區(qū)域中輸送。殼體吹洗氣體輸送系統(tǒng)例如能夠與抽吸系統(tǒng)共同作用以 保護(hù)裝置的周圍環(huán)境免受過程氣體影響。
[0026] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，裝置具有進(jìn)給設(shè)備，其用于朝工藝頭部進(jìn)給襯底、例如柔性 襯底并用于繼續(xù)引導(dǎo)襯底遠(yuǎn)離工藝頭部。這使得能夠以簡單的方式執(zhí)行卷對(duì)卷方法。進(jìn)給 設(shè)備例如能夠具有一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)可旋轉(zhuǎn)的卷或者前述的輥，所述卷或輥的旋轉(zhuǎn)軸線例 如能夠構(gòu)造成平行于工藝頭部的旋轉(zhuǎn)軸線。
[0027] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，為了將襯底鋪設(shè)到工藝頭部上，工藝頭部具有兩個(gè)或更多 個(gè)間隔件。間隔件能夠構(gòu)造成與工藝頭部相鄰的或者構(gòu)造在工藝頭部自身上。例如，間隔 件能夠在徑向方向上從工藝頭部的外周面突起和/或能相對(duì)于工藝頭部轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝。在運(yùn) 行中，引導(dǎo)柔性襯底至少部分如此地圍繞工藝頭部，使得該襯底鋪設(shè)到間隔件上。待涂覆的 表面和工藝頭部因此對(duì)一個(gè)或多個(gè)被輸送過程氣體的工藝室限定邊界。間隔件例如構(gòu)造 成，使得襯底具有到工藝頭部的外周面的以下間距、例如在〇. 01和l〇mm之間的間距、例如 在0? 05和5mm之間的間距、例如在0? 1和1mm之間的間距。因此，一個(gè)或多個(gè)工藝室在敷 設(shè)了柔性襯底時(shí)具有在0. 01和l〇mm之間的高度、或者在0. 05和5mm之間的高度、或者在 0. 1和1mm之間的高度。替代地或附加地，工藝頭部和襯底之間的間距能夠通過在一個(gè)或多 個(gè)工藝室中的過壓或者通過在襯底的背離一個(gè)或多個(gè)工藝室的一側(cè)上的負(fù)壓來設(shè)定。
[0028]根據(jù)不同的實(shí)施方式，間隔件具有至少兩個(gè)接片，該接片布置在工藝頭部的軸向 外邊緣中。接片例如相對(duì)于工藝頭部可轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝。接片例如與工藝頭部無關(guān)地固定在殼 體中、或者固定在工藝頭部上。在運(yùn)行中，引導(dǎo)柔性襯底至少部分地經(jīng)過接片上并且圍繞工 藝頭部，使得柔性襯底在襯底的待涂覆的表面的不要涂覆的邊緣處安置到接片上。然后，待 涂覆的表面、工藝頭部和接片對(duì)一個(gè)或多個(gè)被輸送過程氣體的工藝室限定邊界。接片例如 能夠具有1和20mm之間的寬度、例如5和15mm之間的寬度。此外，在接片之間在工藝頭部 的軸向端部上能夠布置一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)另外的接片，以便防止柔性襯底在外周面的方向 上下垂。接片的數(shù)量和寬度例如能夠根據(jù)工藝頭部的軸向長度和/或柔性襯底的穩(wěn)定性和 /或?qū)挾冗x擇。替代地或附加地，外周面能夠構(gòu)造成，使得襯底能夠在外部的接片之間下垂， 而不改變到外周面的間距。例如，外周面能夠構(gòu)造成凹形的，即向內(nèi)拱起。接片的徑向外周 面例如能夠是用于襯底的連續(xù)的或點(diǎn)狀的支承面。排氣口例如構(gòu)造在接片之間。例如，排 氣口從接片中的一個(gè)延伸至接片中的另一個(gè)。
[0029]除了接片之外，能夠設(shè)置固定元件，其用于使襯底在其圍繞工藝頭部期間在進(jìn)給 方向上固定到接片上。例如，接片能夠具有銷并且襯底能夠具有與銷相對(duì)應(yīng)的孔，使得銷嚙 合到孔中并且相對(duì)于可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝的接片固定襯底。替代于此，固定元件還能夠具有一個(gè)或 多個(gè)夾緊設(shè)備，借助于夾緊設(shè)備能夠，例如自動(dòng)地將襯底固定夾緊和/或在軸向方向上張 緊襯底。
[0030] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，裝置在其徑向外邊緣處具有多個(gè)橫壁，所述橫壁在徑向方 向上從徑向外邊緣中突起并且在具有至少一個(gè)軸向方向上的方向分量的方向上延伸。換而 言之，橫壁的延伸方向的至少一個(gè)方向分量平行于工藝頭部的旋轉(zhuǎn)軸線。換而言之，橫壁形 成外周面處的切線。橫壁將工藝頭部的圓周劃分成多個(gè)區(qū)段。橫壁例如能夠可選地用作間 隔件以預(yù)設(shè)在工藝頭部的徑向外邊緣、例如外周面和襯底之間的間距。橫壁例如能夠從接 片中的一個(gè)延伸到接片中的另一個(gè)。例如，橫壁能夠垂直于接片地布置。例如當(dāng)借助于間隔 件和/或在一個(gè)或多個(gè)工藝室中的過壓或在襯底的背離一個(gè)或多個(gè)工藝室的一側(cè)上的負(fù) 壓，實(shí)現(xiàn)在襯底和工藝頭部的外周面之間的間距時(shí)，橫壁例如能夠具有小于間隔件的高度。 例如，橫壁能夠與接片、與工藝頭部的徑向外邊緣、例如外周面，并且與襯底形成、包圍和/ 或彼此界定各個(gè)工藝室。在此，根據(jù)橫壁的高度，界定能夠或多或少地是分散的。例如，在 每個(gè)橫壁之前和/或之后能夠布置用于抽吸過程氣體的進(jìn)氣口。以這種方式能夠在外圓周 上形成分區(qū)段的工藝室，在工藝室中能夠產(chǎn)生依次不同的壓強(qiáng)，并且能夠輸送或抽吸例如 不同的過程氣體。例如，在每兩個(gè)橫壁之間能夠構(gòu)造各一個(gè)用于將各一種過程氣體輸送給 相應(yīng)的工藝室的排氣口。
[0031] 替代于此，能夠放棄橫壁，使得工藝室的界定不再是分散的，而是工藝室連續(xù)地過 渡到彼此中。過程氣體的越過各個(gè)工藝室的混合和/或傳播能夠通過過程氣體的部部分壓 強(qiáng)來調(diào)節(jié)、特別是減小或阻止。例如在反應(yīng)氣體之間輸送吹洗氣體也能夠有助于阻止反應(yīng) 氣體的傳播。如果不設(shè)置橫壁或者橫壁與間隔件相比僅具有很小的高度，那么工藝室過渡 到彼此中，并且基本上通過在運(yùn)行期間位于其中的過程氣體來標(biāo)識(shí)。換而言之，過程氣體形 成了氣墊，氣墊隨著工藝頭部一同旋轉(zhuǎn)并且以工藝頭部的旋轉(zhuǎn)速度移動(dòng)經(jīng)過襯底。氣墊定 義了工藝室。因此，氣墊進(jìn)而工藝室的體積和形狀根據(jù)工藝頭部的旋轉(zhuǎn)速度、工藝頭部和襯 底之間的間距、過程氣體的粘性和/或過程氣體的流動(dòng)參數(shù)、例如根據(jù)流動(dòng)密度、差壓和/ 或部部分壓強(qiáng)來變化。
[0032] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，在工藝頭部中構(gòu)造與徑向外邊緣間隔開的通道，所述通道 用于：將徑向外邊緣上的排氣口或進(jìn)氣口與氣體穿引系統(tǒng)連接，通過氣體穿引系統(tǒng)為徑向 外邊緣處的排氣口供應(yīng)過程氣體或通過氣體穿引系統(tǒng)導(dǎo)出所抽吸的過程氣體。通道能夠在 軸向和/或徑向方向上延伸。例如，通道能夠在工藝頭部的軸向端部處在徑向方向上延伸 和/或與工藝頭部的軸向端部間隔開地在軸向方向上延伸。
[0033] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，裝置具有用于旋轉(zhuǎn)工藝頭部的驅(qū)動(dòng)單元。驅(qū)動(dòng)單元例如能 夠具有電動(dòng)機(jī)、傳動(dòng)裝置、例如齒輪或變速器。驅(qū)動(dòng)單元能夠集成到殼體中或布置在殼體之 外和/或接合在工藝頭部的旋轉(zhuǎn)軸線上。
[0034]根據(jù)不同的實(shí)施方式，裝置具有多個(gè)串聯(lián)地布置的工藝頭部。串聯(lián)地布置工藝頭 部在此意味著：襯底依次穿過各個(gè)工藝頭部，其中工藝頭部能夠布置成，使得由一個(gè)或多個(gè) 后續(xù)的工藝頭部對(duì)襯底的相同的側(cè)和/或不同的側(cè)進(jìn)行處理。這能夠簡單地有助于：依次 將多個(gè)相同的或不同的層施加到襯底上。
[0035] 以不同的實(shí)施方式提供用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的方法，其中至少部分圍繞能轉(zhuǎn) 動(dòng)安裝的工藝頭部的徑向外邊緣安置襯底，使得襯底的表面朝向工藝頭部并且使得在柔性 襯底的表面和工藝頭部之間形成工藝室。旋轉(zhuǎn)工藝頭部，經(jīng)由旋轉(zhuǎn)的工藝頭部向工藝室輸 送用于對(duì)襯底的朝向工藝頭部的表面進(jìn)行處理的至少一種過程氣體。工藝室隨著工藝頭部 而旋轉(zhuǎn)。
[0036] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，如下地構(gòu)造工藝頭部且其中將襯底如下地圍繞工藝頭部的 徑向外邊緣來放置，即，使得由工藝頭部和柔性襯底對(duì)在工藝頭部的徑向外邊緣和襯底之 間形成的工藝室限定邊界。例如，工藝室能夠通過例如外周面的徑向外邊緣、通過工藝頭部 的外邊緣的軸向端部上的各一個(gè)接片、可能的情況下通過橫壁中的兩個(gè)并且通過柔性襯底 的待涂覆的表面限定邊界。通過輸送和導(dǎo)出過程氣體能夠在工藝室中例如產(chǎn)生例如〇. 001 至5bar、例如0. 01至2bar的、例如0. 1至1. 5bar的平均壓強(qiáng)。根據(jù)不同的實(shí)施方式，通過 工藝頭部的徑向外邊緣導(dǎo)出過程氣體，例如反應(yīng)氣體和/或吹洗氣體。例如，能夠依次導(dǎo)出 不應(yīng)當(dāng)混合的反應(yīng)氣體，例如ALD工藝中的氣態(tài)的離析物。此外，在該此之間能夠?qū)С龃迪?氣體。在此，在工藝室中能夠產(chǎn)生例如在0.001和lbar之間的、例如在0.01和0.lbar之 間的、例如在0. 05和0. 08bar之間的負(fù)壓或差壓，其中差壓例如與在兩個(gè)相鄰的工藝室之 間的壓強(qiáng)差相關(guān)。
[0037] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，借助于工藝頭部執(zhí)行涂覆方法。涂覆方法例如能夠是CVD 工藝或ALD工藝。替代于此，借助于工藝頭部也能夠執(zhí)行移除工藝，例如干式蝕刻工藝，例 如能夠執(zhí)行化學(xué)干式蝕刻。例如能夠施加單原子的或多原子的層，所述層能夠是幾埃直至 幾納米厚的。例如，100至200個(gè)相同的或不同的彼此疊加的層能夠施加到襯底上。相應(yīng)的 層的厚度僅取決于工藝頭部在襯底的待涂覆的區(qū)域上的旋轉(zhuǎn)次數(shù)，其中厚度隨著旋轉(zhuǎn)的數(shù) 量的增加而上升。
[0038] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，執(zhí)行ALD工藝。
[0039] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，首先將第一反應(yīng)氣體、例如第一氣態(tài)的離析物作為工藝氣 體依次輸送經(jīng)過自身旋轉(zhuǎn)的工藝頭部的排氣口、然后輸送吹洗氣體并且隨后輸送第二反應(yīng) 氣體、例如第二氣態(tài)的離析物。反應(yīng)氣體或吹洗氣體例如能夠多次地依次重復(fù)地輸送，以便 產(chǎn)生多個(gè)層序列。此外，也能夠輸送另外的氣態(tài)的離析物，以便產(chǎn)生不同的層。例如，柔性 襯底的要涂覆的表面利用第一氣態(tài)的離析物來飽和，并且第二氣態(tài)的離析物堆積在第一氣 態(tài)的離析物的層上。由此，尤其是在旋轉(zhuǎn)工藝頭部時(shí)，形成單原子的第一層。此外，在工藝 頭部旋轉(zhuǎn)期間，通過輸送另外的離析物能夠形成一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)另外的層和/或在后續(xù) 的旋轉(zhuǎn)時(shí)，由一種或多種相同的材料或材料組合或不同的材料或材料組合構(gòu)造另外的層。 這例如實(shí)現(xiàn)了交替地施加第一ALD層和第二ALD層。替代于此，在多次旋轉(zhuǎn)期間，能夠僅輸 送第一反應(yīng)氣體并且隨后在多次另外的旋轉(zhuǎn)中輸送第二反應(yīng)氣體。此外，在多次旋轉(zhuǎn)期間 能夠分別輸送兩種反應(yīng)氣體，并且在另外的多次旋轉(zhuǎn)期間能夠分別輸送兩種另外的反應(yīng)氣 體。這例如實(shí)現(xiàn)：施加第一ALD層的多個(gè)層并且隨后施加第二ALD層的多個(gè)層。
[0040] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，在表面處理期間停止或者不停止襯底的進(jìn)給。例如，能夠按 時(shí)鐘脈沖地對(duì)襯底進(jìn)行進(jìn)給，從而依次連續(xù)處理襯底的連續(xù)的長形區(qū)域。在一個(gè)時(shí)鐘脈沖 期間，在襯底上能夠沉積或從中移除具有相同或不同材料的或者具有相同或不同的材料組 合的多個(gè)層。替代于此，能夠連續(xù)地進(jìn)行襯底的進(jìn)給，例如以恒定的進(jìn)給速度。在此，例如 當(dāng)工藝頭部的圓周速度大于襯底的進(jìn)給速度時(shí)，也能夠在柔性襯底上沉積或從中移除具有 相同或不同材料的或者具有相同或不同材料組合的多個(gè)層。
[0041] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，工藝頭部的圓周速度大于襯底的進(jìn)給速度。在應(yīng)用一個(gè)工 藝頭部時(shí)，襯底的進(jìn)給速度例如能夠位于0和l〇〇m/min之間的范圍中，例如在0. 1和10m/ min之間的范圍中，例如0. 5和5m/min之間的范圍中。在依次應(yīng)用多個(gè)工藝頭部時(shí)，隨著工 藝頭部的數(shù)量的增加能夠進(jìn)一步提高進(jìn)給速度。工藝頭部的旋轉(zhuǎn)頻率能夠位于1和1000U/ min范圍中、例如在100和500U/min之間、例如在150和250U/min之間。圓周速度、換而言 之在工藝頭部的徑向外邊緣上的點(diǎn)移動(dòng)的速度，取決于旋轉(zhuǎn)速度和工藝頭部的半徑。
[0042] 根據(jù)不同的實(shí)施方式，襯底能夠圍繞一個(gè)或多個(gè)另外的工藝頭部的徑向外邊緣來 鋪設(shè)并且利用工藝頭部能夠相應(yīng)地繼續(xù)處理襯底的表面。例如，利用第一工藝頭部能夠涂 覆襯底的第一側(cè)面，并且利用第二工藝頭部能夠涂覆襯底的背離第一側(cè)面的第二側(cè)面。替 代于此，利用兩個(gè)或多個(gè)工藝頭部能夠多次地涂覆襯底的相同的側(cè)面。
[0043] 以不同的實(shí)施方式提供了用于制造光電子構(gòu)件的方法，所述方法具有用于對(duì)襯底 進(jìn)行表面處理的前述和/或下述方法。例如，在此，用電極層、光學(xué)功能層、有機(jī)功能層、阻 擋層和/或封裝層涂覆襯底。例如，襯底能夠是薄膜。例如，封裝層對(duì)于水蒸氣和/或氣體 而言能夠是盡可能不可穿透的。此外，光學(xué)的功能層例如能夠是（高）折射層、例如高折射 率的層、散射層或者用于轉(zhuǎn)換光的轉(zhuǎn)換層。此外，在襯底上能夠已經(jīng)形成了已涂覆的結(jié)構(gòu)。 例如，在襯底上能夠已經(jīng)構(gòu)造了層的堆疊（Stack)和/或?qū)影?br>
【專利附圖】

【附圖說明】
[0044] 在附圖中示出本發(fā)明的實(shí)施方式并且在下面詳細(xì)闡明。
[0045] 其示出：
[0046] 圖1是用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的裝置的實(shí)施例的示意圖；
[0047] 圖2是垂直于裝置的工藝頭部的旋轉(zhuǎn)軸線的貫穿用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的裝 置的一個(gè)實(shí)施例的剖面圖；
[0048] 圖3是根據(jù)圖2的用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的裝置的實(shí)施例的透視圖；
[0049] 圖4是沿著裝置的工藝頭部的旋轉(zhuǎn)軸線的貫穿根據(jù)圖2的用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處 理的裝置的實(shí)施例的剖面圖；
[0050] 圖5是根據(jù)圖2的裝置的氣體引導(dǎo)系統(tǒng)的側(cè)視圖；
[0051] 圖6是根據(jù)圖5的氣體引導(dǎo)裝置的剖面圖；
[0052] 圖7是用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的裝置的示例性工藝頭部的示意側(cè)視圖；
[0053] 圖8是示例性的第一層結(jié)構(gòu)；
[0054] 圖9是示例性的第二層結(jié)構(gòu)；
[0055] 圖10是示例性的第三層結(jié)構(gòu)；
[0056] 圖11是用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖；
[0057] 圖12是用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖；
[0058] 圖13是用于襯底的表面處理的裝置的實(shí)施例；
[0059] 圖14是用于襯底的表面處理的裝置的另一個(gè)實(shí)施例；
[0060] 圖15是工藝頭部的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖；
[0061]圖16是工藝頭部的另一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖；
[0062]圖17是用于對(duì)用于對(duì)襯底進(jìn)行表面處理的和傳播過程氣體的裝置的功能原理的 圖表。

【具體實(shí)施方式】
[0063] 在下面詳細(xì)的說明中參考附圖，附圖形成了說明書的一部分，并且在附圖中為了 詳細(xì)說明而示出能夠?qū)嵤┍景l(fā)明的具體的實(shí)施例。在此方面，關(guān)于所描述的附圖的定向而 應(yīng)用方向術(shù)語例如"上"、"下"、"前"、"后"、"之前"、"之后"等等。因?yàn)閷?shí)施例的組成部分能 夠以多個(gè)不同的取向來定位，所以方向術(shù)語用于詳細(xì)說明并且不以任何方式受到限制。顯 然，能夠使用其他的實(shí)施例并且能夠采取結(jié)構(gòu)上的或邏輯上的變更，而不偏離本發(fā)明的保 護(hù)范圍。顯然，除非另作具體說明，在此描述的不同的實(shí)施例的特征能夠互相組合。因此， 下面詳細(xì)的說明不應(yīng)解釋為具有限制性意義，并且本發(fā)明的保護(hù)范圍通過所附的權(quán)利要求 來限定。
[0064] 在本說明書的范圍內(nèi)，術(shù)語"連接"、"聯(lián)接"以及"耦聯(lián)"用于描述直接的和間接的 連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或間接的耦聯(lián)。在附圖中，只要是適宜的，相同的或 類似的元件就設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。
[0065] 光電子構(gòu)件能夠是發(fā)射光的構(gòu)件或者吸收光的構(gòu)件。發(fā)射光的構(gòu)件在不同的實(shí)施 例中能夠理解為有機(jī)發(fā)光二級(jí)管（organiclightemittingdiode, 0LED)、發(fā)光電化學(xué)電 池（lightemittingelectrochemicalcell,LEC)或者有機(jī)發(fā)光晶體管。根據(jù)不同的實(shí)施 例，發(fā)光構(gòu)件能夠是集成電路的一部分。
[0066] 圖1示出用于對(duì)襯底30進(jìn)行表面處理的裝置10的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。裝置10 可選地能夠具有第一工藝級(jí)12和/或第二工藝級(jí)14。裝置10還具有工藝單元20,該工藝 單元具有工藝頭部22，所述工藝頭部可沿旋轉(zhuǎn)方向25轉(zhuǎn)動(dòng)地安置在殼體24中。殼體24例 如實(shí)現(xiàn)保護(hù)工藝單元20的周圍環(huán)境免受過程氣體影響、對(duì)殼體24中的工藝區(qū)域調(diào)溫和/ 或保護(hù)襯底30。
[0067]襯底30例如具有聚酰亞胺薄膜（PI)、金屬薄膜或者PET薄膜。例如襯底30能夠 是鋼薄膜、塑料薄膜或者具有一個(gè)或具有多個(gè)塑料薄膜的層壓塑料或者由其形成。塑料能 夠具有一種或多種聚烯烴（例如具有高密度或低密度的聚乙烯（PE)或多種聚丙烯）或者 由其形成。此外，塑料能夠具有聚氯乙烯（PVC)、聚苯乙烯（PS)、聚酯和/或聚碳酸酯（PC)、 聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚醚砜樹脂（PES)、PEEK、PTFE和/或聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN)或者由其形成。襯底30能夠具有一種或多種上述材料。
[0068] 裝置10還具有進(jìn)給設(shè)備，進(jìn)給設(shè)備例如具有第一輥26和第二輥28。輥26, 28的 旋轉(zhuǎn)軸線例如能夠構(gòu)造成與工藝頭部22的旋轉(zhuǎn)軸線58平行的。
[0069] 工藝單元20、工藝頭部22和進(jìn)給設(shè)備例如能夠如下地構(gòu)造，使得例如是柔性襯底 的襯底30能夠被輸送給工藝單元20、能夠引導(dǎo)該襯底圍繞工藝頭部22并且該襯底能夠通 過第二輥28從工藝單元20中引出。在進(jìn)給過程中，襯底30沿著第一方向朝向第一輥26 移動(dòng)，并且沿著第二方向42圍繞著第一輥26地放置，從而使得襯底與工藝頭部22的徑向 外邊緣接觸。襯底沿著第三方向44和第四方向46圍繞著工藝頭部22地直到第二輥28為 止地放置。在第二輥28處，襯底30在第五方向48上彎曲，由此從工藝單元20中引出該襯 底并且其繼續(xù)沿著第六方向49延伸。
[0070] 因此，襯底30能夠布置在工藝頭部22的徑向外邊緣上，并且在柔性襯底的情況下 至少部分地圍繞工藝頭部22的徑向外邊緣來布置。由此，襯底30的朝向工藝頭部22的表 面能夠借助于工藝頭部22來處理。這實(shí)現(xiàn)了：襯底復(fù)合物中的襯底30例如作為環(huán)形的襯 底、例如作為環(huán)形薄膜不斷地被移動(dòng)經(jīng)過工藝頭部22的徑向外邊緣處，并且在此時(shí)處理環(huán) 形襯底。這實(shí)現(xiàn)：在卷對(duì)卷工藝中執(zhí)行襯底30的表面的處理，而不必分割襯底30。例如， 在卷對(duì)卷工藝中能夠涂覆柔性襯底30,例如以CVD工藝、例如以ALD工藝實(shí)現(xiàn)。
[0071] 裝置10并且尤其是工藝單元20用于處理、例如涂覆襯底30的表面。替代于此， 能夠借助于工藝單元20剝離襯底30上的表面層。襯底30例如能夠在圖1中在裝置10的 左側(cè)從未示出的卷中展開，借助于工藝單元20能夠?qū)ζ浔砻孢M(jìn)行處理，并且所處理的襯底 30能夠在圖1中在裝置10的右側(cè)卷到未示出的另一卷上。此后，能夠再次展開襯底30并 且進(jìn)行分割。替代于此，在表面處理之后能夠立即分割襯底30。還未分割的襯底30也能夠 稱作為襯底復(fù)合物。襯底30可以是已涂覆的，例如利用用于發(fā)射或吸收光的有機(jī)功能層結(jié) 構(gòu)和/或利用一個(gè)或多個(gè)電極層涂覆的。例如，襯底30可選地能夠借助于可選地布置的第 一工藝級(jí)12和/或第二工藝級(jí)14涂覆。
[0072] 圖2示出具有工藝頭部22的工藝單元20的圖1中示出的實(shí)施例的放大剖面圖。 工藝頭部22可圍繞旋轉(zhuǎn)軸線58轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝。工藝頭部22構(gòu)造成柱形并且具有軸線和外 周面，外周面構(gòu)造在工藝頭部22的徑向外邊緣處，其中軸線位于旋轉(zhuǎn)軸線58上。例如，工 藝頭部能夠基本上形成直的柱體，柱體的軸線從其覆蓋面的中點(diǎn)延伸至其基面的中點(diǎn)。換 而言之，工藝頭部22能夠構(gòu)造為卷筒形的。工藝頭部22具有多個(gè)進(jìn)氣口 51和多個(gè)排氣口 50,排氣口構(gòu)造在工藝頭部22的徑向外邊緣上、例如外周面上。排氣口 50如下地構(gòu)造且布 置，使得在運(yùn)行中過程氣體在具有指向徑向的方向分量的方向上離開排氣口 50中的至少 一個(gè)。在軸向方向上，工藝頭部22的寬度例如能夠根據(jù)待涂覆的襯底30的寬度例如在1mm 和10000mm之間、例如在10mm和1000mm之間、例如在100mm和500mm之間。工藝頭部22 的半徑例如能夠在l〇mm和1000mm之間、例如100mm和600mm之間。
[0073] 特別當(dāng)每個(gè)層必須依次需要多種氣體和/或當(dāng)多個(gè)相同的或不同的層必須以彼 此疊加的方式涂覆或剝離時(shí)，徑向外邊緣處的排氣口 50在氣體消耗小且處理速度高的情 況下實(shí)現(xiàn)對(duì)襯底30進(jìn)行表面處理。此外，工藝單元20能夠極其緊湊地構(gòu)造并且進(jìn)而能夠 簡單地加入到現(xiàn)有的生產(chǎn)線中。
[0074] 在不同的實(shí)施例中，過程氣體例如能夠在徑向方向上、即垂直于旋轉(zhuǎn)軸線58從工 藝頭部22中吹出。替代于此，過程氣體也能夠僅部分指向徑向方向地從工藝頭部22中吹 出，例如在考慮旋轉(zhuǎn)的工藝頭部22中的流動(dòng)優(yōu)化的情況下。
[0075] 外周面的排氣口 50和/或進(jìn)氣口 51能夠構(gòu)造為狹槽形。例如，排氣口 50通過各 一個(gè)狹槽（見圖15)來形成，所述狹槽在軸向方向上橫向地在外周面上延伸，例如平行于旋 轉(zhuǎn)軸線58和/或從工藝頭部22的一個(gè)軸向端部至工藝頭部22的另一軸向端部，并且在徑 向方向上從工藝頭部22外圓周朝向與工藝頭部22的徑向外邊緣間隔開的多個(gè)通道52,54， 55,56,57延伸到工藝頭部22中，所述通道用于使用于輸送的排氣口 50或用于導(dǎo)出過程氣 體的排氣口 51與另外的下面描述的氣體穿引系統(tǒng)連接。排氣口 50的狹槽形的構(gòu)造有助于 均勻地涂覆圍繞外邊緣布置的襯底30。替代于此，排氣口 50能夠構(gòu)造成圓形或角形（見 圖16)。替代于此，一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)狹槽形或圓形的出口能夠共同地形成排氣口 50中的一 個(gè)。
[0076] 例如，工藝頭部22能夠具有多個(gè)排氣口 50,其為了輸送第一反應(yīng)氣體而具有與第 一通道52相通的第一排氣口 50a，和/或?yàn)榱溯斔偷诙磻?yīng)氣體而具有與第二通道55相通 的第二排氣口 50b。此外，工藝頭部22為了輸送第一反應(yīng)氣體或?yàn)榱溯斔偷谌磻?yīng)氣體而 具有與第三通道56相通的第三排氣口 50c，和/或?yàn)榱溯斔偷诙磻?yīng)氣體或者第四反應(yīng)氣 體而具有與第四通道57相通的第四排氣口 50d，和/或?yàn)榱藢?shí)施作為另外的或第五過程氣 體的吹洗氣體而具有一個(gè)或多個(gè)另外的、或者說第五排氣口 50e，其與一個(gè)或多個(gè)第五通道 54相通。
[0077] 排氣口 50&，5013,50(3,50(1，5〇6實(shí)現(xiàn)：例如輸送三種不同的過程氣體，例如在40)工 藝中作為第一過程氣體的第一氣態(tài)離析物和作為第二過程氣體的第二氣態(tài)離析物用于產(chǎn) 生由第一材料或第一材料組合構(gòu)成的材料層，和作為另外的過程氣體的吹洗氣體用于執(zhí)行 吹洗（Purge)。在ALD工藝中，第一和第二氣態(tài)離析物也能夠稱作為第一或第二前驅(qū)體。附 加地，能夠輸送兩種另外的過程氣體，例如作為第三過程氣體的第三前驅(qū)體和作為第四過 程氣體的第四前驅(qū)體以用于產(chǎn)生第二材料的或第二材料組合的材料層。此外，還能夠設(shè)置 另外的排氣口，例如能夠輸送兩種另外的離析物或者也能夠設(shè)置多個(gè)用于過程氣體中的一 個(gè)的排氣口。
[0078] 在工藝頭部22的外邊緣處的排氣口 50之間能夠在工藝頭部22的外邊緣處構(gòu)造 有各一個(gè)或兩個(gè)進(jìn)氣口 51。相應(yīng)于排氣口 50,進(jìn)氣口 51能夠構(gòu)造成狹槽形和/或圓形并且 在軸向方向上橫向地在外周面上延伸，例如平行于旋轉(zhuǎn)軸線58和/或從工藝頭部22的一 個(gè)軸向端部延伸至工藝頭部22的另一軸向端部，并且在徑向方向上從工藝頭部22的外圓 周朝向多個(gè)相應(yīng)的、與工藝頭部22的徑向外邊緣間隔開的通道53延伸到工藝頭部22中， 所述通道用于使工藝頭部22的外邊緣上的進(jìn)氣口 51與下面繼續(xù)描述的氣體穿引系統(tǒng)連 接。
[0079] 在不同的實(shí)施例中，例如總是能夠在用于離析物的兩個(gè)排氣口 50a，50b，50c，50d 之間設(shè)置用于吹洗氣體的各一個(gè)第五排氣口 50e。此外，在離析物的排氣口 50a，50b，50c， 50d之間能夠分別設(shè)置用于抽吸離析物或吹洗氣體的進(jìn)氣口 51。因此，例如能夠沿著徑向 外邊緣的圓周依次設(shè)置：用于第一離析物的第一排氣口 50a、用于抽吸第一離析物的進(jìn)氣 口 51、用于吹洗氣體50e的第五排氣口 50e、用于抽吸吹洗氣體的另一進(jìn)氣口 51、用于第二 離析物的第二排氣口 50b、用于抽吸第二離析物的另一進(jìn)氣口 51、用于吹洗氣體的另外的 第五排氣口 50e和用于抽吸吹洗氣體的另外的進(jìn)氣口 51。所述順序能夠多次重復(fù)和/或還 能夠設(shè)置用于另外的離析物的另外的排氣口 50。
[0080] 通道52,53,54,55,56,57能夠在軸向方向和/或徑向方向上延伸穿過工藝頭部 22。例如，通道52, 53, 54, 55, 56, 57能夠在工藝頭部22的軸線端部上延伸，換而言之在柱體 形狀的覆蓋面和/或基面上在徑向方向上延伸，并且與工藝頭部22的軸向端部間隔開地在 軸向方向上延伸。代替通道52, 53, 54, 55, 56, 57的徑向延伸的部分，能夠布置端體部101， 103 (見圖4)，其與工藝頭部22耦聯(lián)并且容納通道52, 53, 54, 55, 56, 57的徑向部分，并且軸 向延伸的通道52, 53, 54, 55, 56, 57因此與下面進(jìn)一步闡明的氣體穿引系統(tǒng)連接。
[0081] 在具有第一輥26和第二輥28的進(jìn)給設(shè)備的區(qū)域中、例如在第一輥26和第二輥 28之間，能夠構(gòu)成：中間件60,用于從殼體24中抽吸過程氣體的第一殼體抽吸系統(tǒng)62,用 于將吹洗氣體輸送到殼體24中的第一殼體吹洗氣體輸送系統(tǒng)64,用于從殼體24中抽吸氣 體的第二殼體抽吸系統(tǒng)66和/或用于將吹洗氣體輸送到殼體24中的第二殼體吹洗氣體輸 送系統(tǒng)68,其例如朝向襯底30的待涂覆的表面。附加地，還能夠布置另外的抽吸系統(tǒng)62， 66。另外的抽吸系統(tǒng)62,66例如能夠依次從外向內(nèi)或從內(nèi)向外、例如連續(xù)向外地布置，使得 根據(jù)差分泵的原理防止了周圍空氣侵入到殼體24中和/或過程氣體從殼體24中逸出。此 夕卜，在殼體24中能夠布置抽吸系統(tǒng)，使得襯底30在殼體24中從工藝頭部22抽出，由此預(yù) 設(shè)在工藝頭部22的外周面和襯底30之間的間距。
[0082] 替代地或附加地，能夠構(gòu)造用于將吹洗氣體輸送到殼體24中的第三殼體吹洗氣 體輸送系統(tǒng)70,和/或用于從殼體24中抽吸氣體的第三殼體抽吸系統(tǒng)72,其例如能夠與進(jìn) 給設(shè)備間隔開和/或其例如能夠布置在襯底30的背離襯底30的待涂覆的表面的一側(cè)上。 例如，第三殼體抽吸系統(tǒng)72能夠有助于：將襯底30從工藝頭部22中抽出和/或預(yù)設(shè)襯底 30和工藝頭部22的外周面之間的間隔。
[0083] 吹洗氣體例如能夠輸送在襯底30的待涂覆的表面上，例如進(jìn)給設(shè)備的區(qū)域中，例 如在輥26, 28之間，和/或輸送在襯底30的不要涂覆的表面上，例如與進(jìn)給設(shè)備間隔開的 表面。
[0084] 在殼體24中能夠布置加熱設(shè)備24,借助加熱設(shè)備能夠加熱殼體24的內(nèi)部空間。 替代地或附加地，殼體24能夠借助于升溫的吹洗氣體來加熱。替代地或附加地，能夠加熱 工藝頭部22。殼體14中的溫度能夠在0°C和1000°C之間，例如在20°C和500°C之間，例如 在150°C和250°C之間，例如大約200°C。
[0085] 圖3示出了，殼體24能夠具有用于輸送襯底30的輸送開口 78和用于導(dǎo)出襯底30 的導(dǎo)出開口 76。此外，工藝單元20能夠具有用于旋轉(zhuǎn)工藝頭部22的驅(qū)動(dòng)單元90。驅(qū)動(dòng)單 元90例如能夠具有電動(dòng)機(jī)、傳動(dòng)裝置，例如齒輪或變速器。驅(qū)動(dòng)單元能夠集成到殼體24中， 或在殼體24之外嚙合到工藝頭部22的位于旋轉(zhuǎn)軸線58上的旋轉(zhuǎn)軸上。
[0086] 為了將過程氣體輸送給工藝頭部22或從中導(dǎo)出過程氣體，例如能夠設(shè)置一個(gè)或 兩個(gè)旋轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)80,82 (見圖4).
[0087]圖4示出貫穿工藝單元20和貫穿第一旋轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)80和第二旋轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)82 的剖面圖。旋轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)80，82具有各一個(gè)可旋轉(zhuǎn)的內(nèi)體部81，所述內(nèi)體部能夠圍繞旋轉(zhuǎn) 軸線58旋轉(zhuǎn)。例如，內(nèi)體部81能夠固定在與工藝頭部22相同的旋轉(zhuǎn)軸上，或者旋轉(zhuǎn)穿引 系統(tǒng)80,82能夠具有自身的旋轉(zhuǎn)軸，其與工藝頭部22的旋轉(zhuǎn)軸機(jī)械地耦聯(lián)。內(nèi)體部81具 有多個(gè)軸向延伸的空腔83,所述空腔構(gòu)造用于輸送或?qū)С鲞^程氣體，所述空腔也能夠稱作 為氣體穿引系統(tǒng)并且在下面參考圖6更詳細(xì)闡述。
[0088] 圖4還示出了，通道52, 53, 54, 55, 56, 57,例如通道52, 56在軸向方向上穿過工藝 頭部22延伸，并且工藝頭部22在軸向方向上與第一端體部101，103機(jī)械地耦合，其中這 兩個(gè)端體部101，103將工藝頭部22與第一或第二旋轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)80,80機(jī)械地耦聯(lián)。端體 部101，103例如能夠具有空隙105,所述空隙至少部分地在徑向方向上延伸，并且旋轉(zhuǎn)穿引 系統(tǒng)80,82的空腔83經(jīng)由所述空隙，即經(jīng)由氣體穿引系統(tǒng)能夠與通道52, 53, 54, 55, 56, 57 相通。換而言之，空隙105形成了通道52, 53, 54, 55, 56, 57的一部分。替代地或附加地，例 如未示出的空隙能夠構(gòu)造在工藝頭部22的端面上或其中，換而言之構(gòu)造在工藝頭部22的 柱形的基面和/或覆蓋面上，其形成通道52, 53, 54, 55, 56, 57的徑向部分，并且經(jīng)由所述空 隙，旋轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)80,82的空腔83能夠與通道52, 53, 54, 55, 56, 57相通。
[0089] 為了圍繞工藝頭部22布置襯底30,裝置能夠具有各一個(gè)與工藝頭部22的徑向外 邊緣的軸向外端部相鄰的接片102,104,所述接片分別在徑向方向上從工藝頭部22的外 周面突起，并且接片例如圍繞工藝頭部22的整個(gè)圓周或圍繞圓周的部段延伸。接片102， 104用作用于預(yù)設(shè)工藝頭部22的外周面和襯底30之間的間距的間隔件。除了或替代接片 102,104,能夠設(shè)置另外的間隔件140 (見圖15)。在運(yùn)行工藝單元20時(shí)，能夠引導(dǎo)襯底30 至少部分地圍繞工藝頭部30,使得襯底在其待涂覆的表面的不要涂覆的側(cè)邊緣處位于接片 102,104上。襯底30的待涂覆的表面、工藝頭部22的外周面和接片102,104然后對(duì)一個(gè) 或多個(gè)工藝室限定邊界，例如第一工藝室100和第三工藝室120,在運(yùn)行中將用于處理襯底 20的表面的過程氣體輸送給工藝室。接片102,104在徑向方向上從工藝頭部22的徑向外 邊緣例如在0. 01和l〇mm之間，例如在0. 05和5mm之間，例如在0. 1和1mm之間突起，使得 工藝室在敷設(shè)了襯底30的情況下具有在0? 01和10mm之間，例如在0? 05和5mm之間，例如 0? 1和1mm之間的高度。接片102,104例如能夠具有在1和20mm之間的寬度，例如在5和 15mm之間的寬度。排氣口 50和進(jìn)氣口 51例如構(gòu)造在接片102，104之間。工藝室100，120 通過體積來定義和/或標(biāo)識(shí)，其中存在確定的過程氣體，和/或應(yīng)當(dāng)將預(yù)設(shè)的過程氣體輸送 給所述工藝室或者在其中應(yīng)當(dāng)導(dǎo)出一種或兩種過程氣體。工藝室100,120隨工藝頭部22 旋轉(zhuǎn)并且在待涂覆的襯底表面上移動(dòng)。
[0090] 附加地，在接片102,104之間能夠布置一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)另外的相應(yīng)的接片，襯底 30能夠附加地鋪設(shè)到所述接片上，例如以便防止襯底30下垂，由此將縮小工藝室。布置另 外的接片例如能夠根據(jù)工藝頭部22的軸向長度、待處理的襯底30的寬度和/或穩(wěn)定性來 進(jìn)行。
[0091]此外，除了接片102,104之外，還能夠設(shè)置未示出的固定元件，所述固定元件用 于：將襯底30在其圍繞工藝頭部22期間在第三和第四方向44,46上固定在接片102,104 上。例如，接片102,104能夠具有銷并且襯底30能夠具有與銷相對(duì)應(yīng)的孔，從而銷能夠嚙 合到孔中并且相對(duì)于可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝的接片102,104在進(jìn)給期間固定襯底30,并且襯底與接片 102,104共同旋轉(zhuǎn)，或者這些一起旋轉(zhuǎn)，如從裝配有帶孔的環(huán)形紙的印刷機(jī)中已知。替代于 此，固定元件也能夠具有一個(gè)或多個(gè)夾緊設(shè)備，借助于夾緊設(shè)備能夠夾住襯底30和/或使 其在軸向方向張緊，例如自動(dòng)地夾住和/或張緊。
[0092] 圖5示出了旋轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)80,82中的一個(gè)的實(shí)例的從外部的側(cè)視圖。所示出的旋 轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)80,82在軸向方向上劃分成多個(gè)區(qū)段，例如劃分成第一區(qū)段84、第二區(qū)段85、第 三區(qū)段86、第四區(qū)段87、第五區(qū)段88和/或第六區(qū)段89。區(qū)段84至89能夠具有多個(gè)連 接開口。區(qū)段84至89能夠由一體件或由多個(gè)機(jī)械耦聯(lián)的一體件構(gòu)成。例如能在第一區(qū)段 84上構(gòu)造第一連接開口 94,在第二區(qū)段85上構(gòu)造第二連接開口 95,在第三區(qū)段86上構(gòu)造 第三連接開口 96,在第四區(qū)段87上構(gòu)造第四連接開口 97,在第五區(qū)段88上構(gòu)造第五連接 開口 98和/或在第六區(qū)段89上構(gòu)造第六連接開口 99。
[0093] 內(nèi)部體81能夠相對(duì)于區(qū)段84至89旋轉(zhuǎn)，從而在工藝單元20運(yùn)行期間并且進(jìn)而 在工藝頭部22和內(nèi)部體81旋轉(zhuǎn)期間，區(qū)段84至89能夠保持位置固定。這實(shí)現(xiàn)了，使用于 輸送或?qū)С鲞^程氣體的連接開口 94至99與未示出的位置固定的氣體管道連接，經(jīng)由氣體 管道能夠向工藝頭部22輸送過程氣體或從工藝頭部中導(dǎo)出過程氣體。
[0094] 圖6示出了根據(jù)圖5的所示出的旋轉(zhuǎn)穿引系統(tǒng)80,82的沿著在此示出的切邊A-A 的剖面圖。區(qū)段84至89具有多個(gè)內(nèi)槽，連接開口 94至99經(jīng)由內(nèi)槽與空腔83相通（見圖 4)，其中空腔83例如具有第一氣體穿引系統(tǒng)123和/或第四穿引系統(tǒng)126。例如，第一區(qū)段 84具有第一內(nèi)槽114,第一連接開口 94經(jīng)由第一內(nèi)槽與第一氣體穿引系統(tǒng)123相通，第二 區(qū)段85具有第二內(nèi)槽115,第二連接開口 95經(jīng)由第二內(nèi)槽與未示出的第二氣體穿引系統(tǒng)相 通，第三區(qū)段86具有第三內(nèi)槽116,第三連接開口 96經(jīng)由第三內(nèi)槽與未示出的第三氣體穿 引系統(tǒng)相通，第四區(qū)段87具有第四內(nèi)槽117,第四連接開口 97經(jīng)由第四內(nèi)槽與第四氣體穿 引系統(tǒng)126相通，第五區(qū)段88具有第五內(nèi)槽118,第五連接開口 98經(jīng)由第五內(nèi)槽與未示出 的第五氣體穿引系統(tǒng)相通，和/或第六區(qū)段89具有第六內(nèi)槽119,第六連接開口 99經(jīng)由第 六內(nèi)槽與未示出的第六氣體穿引系統(tǒng)相通。
[0095] 內(nèi)槽114至119引起：甚至在內(nèi)部體81本身旋轉(zhuǎn)時(shí)能夠經(jīng)由連接開口 94至99和 氣體穿引系統(tǒng)123,126為工藝頭部22持續(xù)地輸送過程氣體或者能夠從工藝頭部22中導(dǎo)出 過程氣體。
[0096] 圖7示出工藝頭部22的示意側(cè)視圖，其中為了更好地闡述而并沒有示出接片102， 104并且引導(dǎo)襯底30圍繞工藝頭部22。在工藝頭部22的徑向外邊緣上，例如在其外周面 上，例如能夠構(gòu)造多個(gè)橫壁131，橫壁將工藝頭部22的圓周劃分成多個(gè)區(qū)段。橫壁131能夠 在徑向方向上從外周面突起并且在具有軸向方向上的方向分量的方向上延伸，即相切地抵 靠在外周面處。例如，橫壁131能夠在軸向方向上從接片102延伸至接片104和/或例如 垂直于接片102,104。橫壁131例如能夠具有比接片102,104更小的高度。例如，橫壁131 能夠利用接片102,104、利用工藝頭部22的外周面并且利用襯底30的待處理的表面或多或 少地將各個(gè)工藝室100,120彼此限定邊界。以這種方式能夠在外圓周上形成分區(qū)段的工藝 室100,120,在工藝室中能夠產(chǎn)生依次不同的壓強(qiáng)，并且例如能夠輸送或抽吸不同的過程氣 體。例如，因此能夠構(gòu)造第一工藝室100、第二工藝室110、第三工藝室120和/或第四工藝 室130。在工藝室100,110,120,130之間形成另外的工藝室，例如一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)第五工 藝室134和/或一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)第六工藝室132。
[0097] 例如，第一、第二、第三或第四反應(yīng)氣體能夠經(jīng)由第一至第四進(jìn)氣口 50a，50b，50c， 50d輸送給第一至第四工藝室100,110,120,130以用于處理襯底30的表面。替代于此，例 如能夠僅向第一至第四工藝室100,110,120,130輸送一種或交替的兩種反應(yīng)氣體。吹洗氣 體作為第五或另外的過程氣體例如能夠經(jīng)由第五進(jìn)氣口 50e輸送給第五工藝室134。第五 工藝室13在此也能夠稱為吹洗區(qū)域。在第六工藝室132中，例如能夠經(jīng)由進(jìn)氣口 51持續(xù) 地產(chǎn)生負(fù)壓，或者產(chǎn)生至少比在之前的工藝室中更小的壓強(qiáng)，使得之前輸送的過程氣體能 夠抽吸到第六工藝室132中。第六工藝室132在此也能夠稱為負(fù)壓區(qū)域。例如，在限定了 第六工藝室132的橫壁131附近，在第六工藝室132之內(nèi)能夠布置各一個(gè)進(jìn)氣口 51以用于 抽吸過程氣體。
[0098] 襯底30的其中布置了在襯底上的預(yù)設(shè)位置A的區(qū)域鄰接第一工藝室100。因此， 在圖7中示出的情況中，例如第一工藝室100中的第一反應(yīng)氣體作用到襯底的預(yù)設(shè)位置A。 在稍后的時(shí)間點(diǎn)，具有預(yù)設(shè)位置A的襯底30的區(qū)域鄰接另一工藝室，從而另一過程氣體出 現(xiàn)到預(yù)設(shè)位置A上。
[0099] 圖8不出第一層結(jié)構(gòu)200的實(shí)施例，在處理襯底30的表面時(shí)產(chǎn)生所述層結(jié)構(gòu)并且 借助該層結(jié)構(gòu)涂覆襯底30的表面。第一層結(jié)構(gòu)200例如具有多個(gè)第一層210,第一層分別 由相同的第一材料或由相同的第一材料組合構(gòu)成。例如，每個(gè)第一層210形成完整的ALD 層，其例如由兩種離析物進(jìn)行反應(yīng)形成和/或例如在工藝頭部22的唯一旋轉(zhuǎn)中形成。
[0100] 圖9示出第二層結(jié)構(gòu)202的實(shí)施例，在處理襯底30的表面時(shí)產(chǎn)生所述層結(jié)構(gòu)并且 借助層結(jié)構(gòu)涂覆襯底30的表面。第二層結(jié)構(gòu)202例如具有多個(gè)分別由相同的第一材料或 由相同的第一材料組合構(gòu)成的第一層210,和多個(gè)分別由第二材料或由第二材料組合構(gòu)成 的第二層220。第一和第二層210, 220交替地且交錯(cuò)地依次布置。例如，每個(gè)第二層220形 成完整的ALD層，其例如由另一種與至今的離析物進(jìn)行反應(yīng)或由兩種另外的離析物進(jìn)行反 應(yīng)形成和/或例如在工藝頭部22的唯一旋轉(zhuǎn)中形成。
[0101] 圖10示出第三層結(jié)構(gòu)204的實(shí)施例，在處理襯底30的表面時(shí)產(chǎn)生所述層結(jié)構(gòu)并 且借助所述層結(jié)構(gòu)涂覆襯底30的表面。第三層結(jié)構(gòu)204例如具有多個(gè)分別由第一材料或 由第一材料組合構(gòu)成的第一層210,和多個(gè)分別由第二材料或由第二材料組合構(gòu)成的第二 層220。在第三層結(jié)構(gòu)204中，依次布置形成第一層包的多個(gè)第一層210和形成第二層包的 多個(gè)第二層220,其中交替地且交錯(cuò)地依次布置多個(gè)這種層包。除了或替代上面示出的層結(jié) 構(gòu)200, 202, 204,能夠考慮另外的層結(jié)構(gòu)200, 202, 204,所述層結(jié)構(gòu)例如具有帶更多或更少 層的和/或帶更多或更少的不同層的、即具有不同材料的層結(jié)構(gòu)。
[0102] 下面結(jié)合用于對(duì)襯底30進(jìn)行表面處理的方法來詳細(xì)闡述用于對(duì)襯底30進(jìn)行表面 處理的裝置10的作用方式和層結(jié)構(gòu)200, 202, 204的制造，其中方法例如能夠借助于之前闡 明的裝置10或借助于替代裝置來執(zhí)行。層結(jié)構(gòu)200, 202, 204在用于對(duì)襯底30進(jìn)行表面處 理的方法中產(chǎn)生，這例如有助于制造具有帶層結(jié)構(gòu)200, 202, 204中的一個(gè)層結(jié)構(gòu)的襯底30 的光電子構(gòu)件。
[0103] 圖11示出用于對(duì)襯底30進(jìn)行表面處理的示例性方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。該 方法例如能夠借助于上述裝置10執(zhí)行。
[0104] 在步驟S2中，襯底30被引入到裝置10中。例如引入到工藝單元20中。襯底30 引入到工藝單元20中例如能夠經(jīng)由開口 78如下地進(jìn)行，使得襯底30首先在第一輥28和中 間件60之間，然后在工藝頭部22和第一輥28之間并且隨后在工藝頭部22和殼體24的內(nèi) 壁之間移動(dòng)或被移動(dòng)。在此，襯底30至少部分地圍繞工藝頭部22的外周面放置并且在可 能的情況下置于接片102,104上，使得襯底30的朝向工藝頭部22的待涂覆的表面和工藝 頭部22的外周面和可能的接片102,104和可能的橫壁131形成工藝室100,110,120,130， 132,134。
[0105] 吹洗氣體例如是惰性氣體
[0106] 在步驟S4中旋轉(zhuǎn)工藝頭部22。工藝頭部22的旋轉(zhuǎn)頻率能夠例如位于1和1000U/ min范圍中，例如在100和500U/min之間，例如在150和250U/min之間或者是200U/min。 此外，工藝頭部22能夠在旋轉(zhuǎn)方向25上旋轉(zhuǎn)，所述旋轉(zhuǎn)方向與襯底30的進(jìn)給方向相反，或 者與旋轉(zhuǎn)方向25相反。
[0107] 在步驟S6中，處理襯底30的表面。例如，能夠至少部分地剝離襯底30的表面或 者能夠涂覆襯底30的表面。例如，為了涂覆或剝離襯底30的表面，經(jīng)由自身旋轉(zhuǎn)的工藝 頭部22例如向工藝室100,110,120,130,132,134輸送一種、兩種或多種過程氣體，或者從 其中導(dǎo)出該過程氣體。通過輸送和導(dǎo)出過程氣體能夠在相應(yīng)的工藝室中例如產(chǎn)生〇. 001至 5bar的、例如0. 01至2bar的、例如0. 1至1. 5bar的壓強(qiáng)。在導(dǎo)出過程氣體時(shí)，在第六工藝 室132中例如產(chǎn)生0. 0005至4. 95bar的、例如0. 0005至1. 95bar的、例如0. 01至1. 45bar 的壓強(qiáng)。所述壓強(qiáng)值為絕對(duì)壓強(qiáng)。但是，各個(gè)工藝室之間的差壓也能夠?qū)τ谟行У亟档突?防止混合和/或傳播過程氣體和/或有效地輸送或從這個(gè)或這些工藝室中導(dǎo)出過程氣體起 決定性作用。例如，當(dāng)工藝室不是分散地彼此隔開時(shí)，而是或多或少連續(xù)地過渡到彼此中。 這種類型的差壓例如能夠在〇.001至lbar之間、例如0. 01至0. lbar之間、例如0. 05至 0. 08bar之間。差壓例如也能夠是襯底30上的預(yù)設(shè)位置處的，例如預(yù)設(shè)位置A處的在不同 時(shí)間點(diǎn)的兩個(gè)壓強(qiáng)之間的壓強(qiáng)差。如果執(zhí)行剝離工藝，那么剝離工藝?yán)缒軌蚴歉墒轿g刻 工藝，例如化學(xué)干式蝕刻。
[0108] 在步驟S8中能夠?qū)⒁r底30從工藝單元20中引出。在此，襯底30首先在工藝頭 部22和第二輥28之間引導(dǎo)、然后在第二輥28和中間件60之間引導(dǎo)并且然后經(jīng)由導(dǎo)出開 口 76從殼體24中導(dǎo)出。
[0109] 襯底30的輸送和導(dǎo)出例如能夠在沒有分割襯底30的情況下進(jìn)行，由此卷對(duì)卷工 藝是可行的。襯底30到殼體24中的輸送或從殼體中的導(dǎo)出在此能夠連續(xù)地或者按時(shí)鐘脈 沖地進(jìn)行。例如，襯底30的進(jìn)給在表面處理期間能夠中斷或者不中斷。例如，襯底30的進(jìn) 給能夠是按時(shí)鐘脈沖的，從而依次連續(xù)處理襯底30的疊加的長形的區(qū)域。在時(shí)鐘脈沖期 間，通過輸送過程氣體和在涂覆時(shí)通過堆積相應(yīng)的原子和/或分子，能夠在襯底30上沉積 相同或不同材料的或者相同或不同材料組合的多個(gè)層，或者在剝離時(shí)從中移除。替代于此， 能夠連續(xù)地繼續(xù)移動(dòng)襯底30,例如以恒定的給進(jìn)速度。在此，只要工藝頭部22的圓周速度、 即例如排氣口 50和/或進(jìn)氣口 41移動(dòng)的速度大于襯底30的進(jìn)給速度，就也能夠?qū)⑾嗤?不同材料的或者相同或不同材料組合的多個(gè)層沉積在襯底上或者從其中移除。例如，能夠 與上面闡述的進(jìn)給類型無關(guān)地產(chǎn)生第一至第四層結(jié)構(gòu)200至204。襯底30的平均進(jìn)給速度 能夠位于0和l〇〇m/min之間的范圍中，其中在按時(shí)鐘脈沖的進(jìn)給中例如能夠暫時(shí)出現(xiàn)0m/ min，例如在0. 1和10m/min之間的范圍中，例如在0. 5和5m/min之間的范圍中。工藝頭部 22的圓周速度能夠大于襯底30的進(jìn)給速度。在依次布置多個(gè)工藝頭部22用于處理相同襯 底30時(shí)能夠提高進(jìn)給速度。
[0110] 在涂覆循環(huán)中或在工藝頭部22旋轉(zhuǎn)時(shí)，例如層生長能夠是00.lnm/cy。因此，在假 設(shè)轉(zhuǎn)速是200U/min時(shí)，在60s之后能夠達(dá)到20nm的ALD層厚。在假設(shè)工藝頭部22的半徑 為11cm時(shí)，外周面的周長為69.lcm，由此得到大約0. 6m的襯底的涂覆長度。因此，對(duì)于卷 對(duì)卷工藝而言，能夠以0. 6m/min的涂覆速度實(shí)現(xiàn)20nm的層生長。在此，工藝室100,110， 120,130中的一個(gè)例如在24ms中移動(dòng)經(jīng)過襯底30上的預(yù)設(shè)的位置。
[0111] 在假設(shè)工藝頭部22的半徑為55cm時(shí)，得到大約5*0. 6m/min，即3m/min的涂覆速 度，即能夠?qū)崿F(xiàn)大型的生產(chǎn)線。在假設(shè)所述參數(shù)的情況下，根據(jù)所應(yīng)用的前驅(qū)體能夠部分地 在室溫下執(zhí)行各個(gè)工藝。
[0112] 在步驟S10中能夠分割具有已處理的表面的襯底30。例如，已處理的襯底30能夠 從卷中展開和/或切割、鋸割或刻蝕。
[0113] 圖12示出用于涂覆襯底30的表面的方法的實(shí)施例的流程圖，所述方法例如能夠 在前述方法的步驟S6中執(zhí)行。涂覆方法例如能夠是CVD工藝或ALD工藝。例如能夠施加 單原子的或多原子的層，所述層能夠是從幾埃直至若干納米厚的。例如，100至200個(gè)相同 的或不同的彼此疊加的層能夠施加到襯底30上，例如根據(jù)第一至第三層結(jié)構(gòu)200, 202, 204 來施加。
[0114] 該流程圖簡要地描述了從襯底30上的示例性預(yù)設(shè)位置起觀察的涂覆工藝，例如 從預(yù)設(shè)位置A起觀察。所述工藝室在該方法期間移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。持續(xù)地實(shí)施各個(gè)步 驟，然而，工藝室旋轉(zhuǎn)經(jīng)過襯底30,從而從襯底30上的預(yù)設(shè)位置A起觀察得到各個(gè)步驟的時(shí) 間順序。因此，流程圖在襯底30上的不同位置處在不同的時(shí)間點(diǎn)進(jìn)行。此外，該方法還是 理想的工藝流程，其中不出現(xiàn)過程氣體從一個(gè)工藝室向另一工藝室的傳播，這例如能夠至 少近似地借助橫壁131來實(shí)現(xiàn)。然而實(shí)際上，在應(yīng)用橫壁的情況下并且更加在沒有橫壁131 的情況下也出現(xiàn)傳播，從而例如總是在抽吸過程氣體時(shí)也共同抽吸了之前的工藝室的過程 氣體，并且進(jìn)而至少在抽吸時(shí)出現(xiàn)過程氣體的氣相混合。反應(yīng)氣體彼此間的不期望的反應(yīng) 能夠通過總是在兩個(gè)反應(yīng)氣體之間應(yīng)用吹洗氣體來避免，因?yàn)槿缓笤诔槲鼤r(shí)僅出現(xiàn)反應(yīng)氣 體中的一種與吹洗氣體的混合。例如如果橫壁131的高度小于工藝室的高度，或者如果棄 用橫壁131，那么下面參考附圖17詳細(xì)闡述其中或多或少地出現(xiàn)傳播的情況。
[0115] 如果執(zhí)行ALD工藝，那么例如為了產(chǎn)生第一層210能夠經(jīng)由旋轉(zhuǎn)的工藝頭部22 依次首先輸送第一氣態(tài)離析物，然后輸送吹洗氣體并且隨后輸送第二氣態(tài)離析物。離析物 也能夠稱為前驅(qū)體。第一離析物例如能夠具有水并且第二離析物例如能夠具有三甲基鋁 (TMA)，由此能夠產(chǎn)生A1203層。替代地或者附加地，例如能夠?qū)iCl4應(yīng)用為第二離析物。
[0116] 例如，在步驟S12中，能夠輸送第一過程氣體，其等于第一離析物，例如第一反應(yīng) 氣體。第一過程氣體例如能夠輸送給第一工藝室100。在此，第一過程氣體的原子和/或分 子能夠堆積在襯底30的待涂覆的表面上。例如，襯底30的待涂覆的表面利用第一氣態(tài)離 析物的氣體原子或氣體分子來飽和。第一離析物例如能夠具有水蒸汽、氧氣或臭氧。
[0117] 在步驟S14中，能夠抽吸出第一過程氣體，例如經(jīng)由與旋轉(zhuǎn)方向25相反的跟隨第 一工藝室100的第六工藝室132。
[0118] 在步驟S16中能夠輸送吹洗氣體，所述吹洗氣體與剩余的第一過程氣體混合。吹 洗氣體例如能夠輸送給與旋轉(zhuǎn)方向25相反的跟隨第一工藝室100的第五工藝室134。吹洗 氣體盡可能地抑制了不同的離析物的混合。換而言之，通過吹洗氣體防止氣態(tài)前驅(qū)體的氣 體原子或氣體分子或者物質(zhì)的混合，并且進(jìn)而防止不期望的氣相反應(yīng)。此外，由此確保了直 至輸送過程氣體中的下一個(gè)之前快速地移除過程氣體中的一個(gè)。惰性氣體能夠用作過程氣 體。步驟S16和輸送過程氣體的另外的步驟通常也能夠稱為"吹洗（purge)"步驟。
[0119] 在步驟S18中，能夠抽吸出吹洗氣體與剩余的第一過程氣體，例如經(jīng)由與旋轉(zhuǎn)方 向相反的跟隨前述第五工藝室134的第六工藝室132。在此，在工藝室中能夠產(chǎn)生負(fù)壓或者 產(chǎn)生例如數(shù)值在0. 001至lbar之間的相對(duì)于鄰接的工藝室的預(yù)設(shè)差壓。差壓例如也能夠 是襯底30上的預(yù)設(shè)位置A處的在不同時(shí)間點(diǎn)的兩個(gè)壓強(qiáng)之間的壓力差。
[0120] 在步驟S20中，能夠輸送第二過程氣體，第二過程氣體等于第二離析物，例如第二 反應(yīng)氣體。第二過程氣體例如能夠輸送給第二工藝室110。在此，第二過程氣體的原子和/ 或分子能夠堆積在由第一離析物構(gòu)成的層上并且與其化合，由此形成第一層210,例如在工 藝頭部22唯一的旋轉(zhuǎn)中。由此，例如能夠單原子地構(gòu)造第一層210。第二離析物例如能夠 是TMA。
[0121] 在步驟S22中，能夠抽吸出第二過程氣體，例如經(jīng)由與旋轉(zhuǎn)方向25相反的跟隨第 二工藝室110的第六工藝室132。
[0122] 在步驟S24中能夠輸送吹洗氣體，所述吹洗氣體與剩余的第二過程氣體混合。吹 洗氣體例如能夠輸送給與旋轉(zhuǎn)方向25相反的跟隨第二工藝室120的第五工藝室134。
[0123] 在步驟S26中，能夠抽吸出吹洗氣體與剩余的第二過程氣體，例如經(jīng)由與旋轉(zhuǎn)方 向相反的跟隨前述第五工藝室134的第六工藝室132。
[0124] 第一和第二離析物例如能夠多次地依次重復(fù)地輸送，以便產(chǎn)生第一層210的多個(gè) 層序列。例如，能夠多次地依次執(zhí)行步驟S12至步驟S26。步驟S12至S26能夠分別在旋轉(zhuǎn) 工藝頭部22時(shí)執(zhí)行。這在旋轉(zhuǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)了，施加第一ALD層的層，例如根據(jù)第一層結(jié)構(gòu)200來 施加。替代于此，在一次旋轉(zhuǎn)期間能夠多次地執(zhí)行步驟S12至26,例如通過經(jīng)由排氣口 50 中的另外的排氣口輸送第一和第二過程氣體的方式來執(zhí)行。這在一次旋轉(zhuǎn)時(shí)例如實(shí)現(xiàn)施加 第一ALD層的兩個(gè)或多個(gè)層，例如根據(jù)第一層結(jié)構(gòu)200來施加。此外，替代地或附加地，在 此能夠在多次旋轉(zhuǎn)時(shí)形成一個(gè)或多個(gè)ALD層。
[0125] 涂覆例如能夠在按時(shí)鐘脈沖地進(jìn)給襯底30時(shí)進(jìn)行。在此，襯底30分別僅繼續(xù)運(yùn) 輸大約相應(yīng)于工藝頭部22的周長的路段，然而在涂覆期間，不繼續(xù)運(yùn)輸襯底30。然后僅為 工藝頭部22供應(yīng)對(duì)于相應(yīng)的層所需的過程氣體，而全部其他的工藝室、輸送系統(tǒng)和導(dǎo)出系 統(tǒng)例如利用吹洗氣體吹洗或抽吸出。由此能夠?qū)崿F(xiàn)任意厚度的層。
[0126] 此外，也能夠輸送其他的氣態(tài)的離析物，以便產(chǎn)生不同的層。例如，在工藝頭部22 的一次旋轉(zhuǎn)期間或在其進(jìn)一步旋轉(zhuǎn)的情況下能夠形成兩個(gè)或多個(gè)另外的層，例如根據(jù)第二 層結(jié)構(gòu)202,和/或能夠在后續(xù)的旋轉(zhuǎn)中形成由一種或多種相同的材料或材料組合構(gòu)成的 另外的層，例如根據(jù)第三層結(jié)構(gòu)204來形成。這實(shí)現(xiàn)了，施加第一ALD層的多個(gè)層并且然后 施加第二ALD層的多個(gè)層。
[0127] 例如，在步驟S30中能夠輸送第三過程氣體，所述第三過程氣體等于第三離析物， 例如第三反應(yīng)氣體。第三過程氣體例如能夠輸送給第三工藝室120。在此，第三過程氣體的 原子和/或分子能夠堆積在第一層210上。例如，第一層210用第三氣態(tài)離析物來飽和。
[0128] 在步驟S32中，能夠抽吸出第三過程氣體，例如經(jīng)由與旋轉(zhuǎn)方向25相反的跟隨第 三工藝室120的第六工藝室132。
[0129] 在步驟S34中能夠輸送吹洗氣體，所述吹洗氣體與剩余的第三過程氣體混合。吹 洗氣體例如能夠輸送給與旋轉(zhuǎn)方向25相反的跟隨第三工藝室110的第五工藝室134。
[0130] 在步驟S36中，能夠抽吸出吹洗氣體與剩余的第三過程氣體，例如經(jīng)由與旋轉(zhuǎn)方 向相反的跟隨前述第五工藝室134的第六工藝室132。在此，在第六工藝室132中能夠產(chǎn)生 負(fù)壓或者產(chǎn)生例如數(shù)值從10至lOOmbar的差壓。
[0131] 在步驟S38中能夠輸送第四過程氣體，所述第四過程氣體等于第四離析物，例如 第四反應(yīng)氣體。第四過程氣體例如能夠輸送給第四工藝室130。在此，第四過程氣體的原子 和/或分子能夠堆積在由第三離析物構(gòu)成的層上并且與其化合，由此形成第二層220,例如 在工藝頭部22的唯一旋轉(zhuǎn)中。由此，例如能夠單原子地構(gòu)造第二層220。
[0132] 在步驟S40中，能夠抽吸出第四過程氣體，例如經(jīng)由與旋轉(zhuǎn)方向25相反的跟隨第 四工藝室130的第六工藝室132。
[0133] 在步驟S42中能夠輸送吹洗氣體，吹洗氣體與剩余的第四過程氣體混合。吹洗氣 體例如能夠輸送給與旋轉(zhuǎn)方向25相反的跟隨第四工藝室130的第五工藝室134。
[0134] 在步驟S44中，能夠抽吸出吹洗氣體與剩余的第四過程氣體，例如經(jīng)由與旋轉(zhuǎn)方 向相反的跟隨前述第五工藝室134的第六工藝室132。
[0135] 第三和第四離析物例如能夠多次地依次重復(fù)地輸送，以便產(chǎn)生第二層220的多個(gè) 層220。例如，步驟S30至步驟S44能夠多次地依次執(zhí)行。這實(shí)現(xiàn)施加第二ALD層的多個(gè)層 220。此外，步驟S12至26和/或S30至44能夠多次地依次執(zhí)行，以便構(gòu)造由ALD層構(gòu)成 的不同的層結(jié)構(gòu)200, 202, 204。
[0136] 在制造光電子構(gòu)件時(shí)，能夠形成或者在其上形成層210, 220,例如ALD層、一個(gè)、兩 個(gè)或多個(gè)電極層、有機(jī)功能層、光學(xué)層、如反射層或透射層，薄膜晶體管層、阻擋層和/或封 裝層。
[0137] 在不同的實(shí)施例中，電極層能夠由有導(dǎo)電能力的材料構(gòu)成或形成，例如由金屬或 有導(dǎo)電能力的透明氧化物（transparentconductiveoxide,TC0)形成，或由相同金屬或不 同金屬的和/或相同TC0或不同TC0的多個(gè)層的層堆疊來形成。有導(dǎo)電能力的透明氧化物 是透明的、有導(dǎo)電能力的材料，例如金屬氧化物、例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化 銦或銦錫氧化物（IT0)。除了二元的金屬氧化物，例如ZnO,Sn02或In203以外，三元的金 屬氧化物例如AIZnO,Zn2Sn04,CdSn03,ZnSn03,Mgln204,Galn03,Zn2In205 或In4Sn3012 或不同透明的有導(dǎo)電能力的氧化物的混合物也屬于TC0族，并且能夠在不同的實(shí)施例中使 用。此外，TC0不強(qiáng)制地符合化學(xué)計(jì)量的組分并且還能夠是p型摻雜的或n型摻雜的。此 夕卜，電極層能夠具有例如Ag，Pt，Au，Mg，Al，Ba，In,Ag，Au，Mg,Ca，Sm或Li,以及這些材料的 化合物、組合或合金。例如，電極層能夠由在TC0層上的金屬層組合的層堆疊來形成，或者 反向進(jìn)行。一個(gè)實(shí)例是施加在銦錫氧化物層（ITO)上的銀層（ITO上的Ag)或ITO-Ag-ITO復(fù)合層。此外，除了或替代上述材料，能夠設(shè)置具有下述材料中的一種或多種的電極層：由 例如由Ag制成的金屬的納米線和納米微粒構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；石墨微粒 和石墨層；由半導(dǎo)體納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。此外，電極層能夠具有有導(dǎo)電能力的聚合物或過渡 金屬氧化物或有導(dǎo)電能力的透明氧化物。
[0138] 在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層能夠包含例如具有發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā) 射體的一個(gè)或多個(gè)發(fā)射層，以及一個(gè)或多個(gè)空穴導(dǎo)電層（也稱為空穴傳輸層）和/或一 個(gè)或多個(gè)電子導(dǎo)電層（也稱為電子傳輸層）。能夠用于發(fā)射層的發(fā)射材料的實(shí)例包括有 機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物（例如2-或2, 5-取代的 聚-對(duì)-亞苯基亞乙烯基）以及金屬絡(luò)合物，例如銥絡(luò)合物，如發(fā)藍(lán)色磷光的FIrPic(雙 (3,5-二氟-2-(2-吡啶）苯基-(2-羧基吡啶基）-銥111)、發(fā)綠色磷光的11~(-- 7)3(三 (2-苯基吡啶）銥III)、發(fā)紅色磷光的Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4,4'-二-叔-丁 基-(2, 2')-二吡啶]釕（III)絡(luò)合物）以及發(fā)藍(lán)色熒光的DPAVBi(4, 4-雙[4-(二-對(duì)-甲 苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯）、發(fā)綠色熒光的TTPA(9, 10-雙[N，N-二-(對(duì)-甲苯基）-氨 基]蒽）和發(fā)紅色熒光的DCM2 (4-二氰基亞甲基）-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡 喃）作為非聚合物發(fā)射體。此外，能夠使用聚合物發(fā)射體。發(fā)射材料能夠以適當(dāng)?shù)姆绞角?入在基體材料中。需要指出的是，在另外的實(shí)施例中同樣設(shè)置了其他適當(dāng)?shù)陌l(fā)射材料。有 機(jī)功能層一般能夠具有一個(gè)或多個(gè)功能層。一個(gè)或多個(gè)功能層能夠具有有機(jī)聚合物、有機(jī) 低聚物、有機(jī)單體、非聚合物的有機(jī)小分子（"小分子smallmolecules"）或上述材料的組 合。例如，有機(jī)功能層能夠具有構(gòu)造為或者是空穴傳輸層的一個(gè)或多個(gè)功能層，使得例如在 0LED的情況下實(shí)現(xiàn)將空穴有效地注入到電子發(fā)光的層中或電子發(fā)光的區(qū)域中。替代地，在 不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層能夠具有一個(gè)或多個(gè)實(shí)施為電子傳輸層的功能層，使得例如 在0LED的情況下實(shí)現(xiàn)將電子有效地注入到電子發(fā)光的層中或電子發(fā)光的區(qū)域中。作為空 穴傳輸層的材料例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物、導(dǎo)電的聚苯胺或聚亞乙基二氧基噻吩。在 不同的實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)功能層能夠?qū)嵤殡娮影l(fā)光層。
[0139] 在不同的實(shí)施例中，封裝層能夠具有下述材料中的一種或由其制成：氧化鋁、氧化 鋅、氧化锫、氧化鈦、氧化鉿、氧化鉭，氧化鑭，氧化娃，氮化娃，氮氧化娃，氧化銦錫，氧化銦 鋅，摻鋁氧化鋅以及其混合物和合金。在不同的實(shí)施例中，封裝層或者（在層堆疊具有多個(gè) 子層的情況下）封裝層的一個(gè)或多個(gè)子層，能夠具有一個(gè)或多個(gè)高折射的材料，換而言之， 具有高折射率的、例如具有至少為2的折射率的一種或多種材料，例如M〇03。
[0140] 在不同的實(shí)施例中，阻擋層能夠具有下述材料中的一種或多種或者由其制成：氧 化錯(cuò)，氧化鋅，氧化锫，氧化鈦，氧化鉿，氧化鉭，氧化鑭，氧化娃，氮化娃，氮氧化娃，氧化銦 錫，氧化銦鋅，摻鋁氧化鋅，以及其混合物和合金。
[0141] 作為第一前驅(qū)體和/或第一反應(yīng)氣體，例如為了形成氧化物能夠應(yīng)用氧源，例如 11 20，11202，隊(duì)04，隊(duì)0,02,0 3,0130)011，1?011(其中1?等同013,01201101 20113-(：4119011或者11-(：411 9011) 或者金屬醇鹽，為了形成氮化物應(yīng)用氮源，例如NH3,（CH3)NNH2,tBuNH2或者CH2CHCH2NH，為了 形成純金屬例如應(yīng)用h2,B2H6，娃燒或者混合物，為了形成硫化物、硒化物或者締化物例如 應(yīng)用H2S，H2Se或者H2Te。
[0142] 作為第二前驅(qū)體和/或第二反應(yīng)氣體，例如為了形成A1203，例如能夠輸送 (CH3)3A1，（CH3)2A1C1，（CH3)2A1H或者（CH3CH2)3A1，為 了形成ZnO,例如輸送 (CH3CH2)4Zn或者（C2H5)2Zn，為 了形成Zr02，例如輸送（C5H5)2ZrCl2,（切故 Zr[(C2H5) (CH3)N]4,ZrCl4 或者Zr(CH3C5H4)2CH3OCH3，為 了形成Ti02/TiN例如輸送 Ti(0CH(CH3)2)4,Ti[N(CH3)2]4,TiCl4 或者[(C2H5)2N]4Ti，為 了形成Hf02，例如輸送 (C5H5)2HfCl2，（C5H5)2Hf(CH3)2,Hf[(C2H5) (CH3)N]4,HfCl4,Hf[C5H4(CH3)]2(CH3)2 或者 HfCH3 (0CH3) [C5H4 (CH3) ] 2，為 了形成Ta205/Ta3N5，例如輸送TaCl5 或者（CH3)3CNTa(N(C2H5) 2) 3， 為了形成La203，例如輸送（C5H5) 3La或者（C5MeH4) 3La，為了形成Si02/SiN，例如輸送SiCl4， Si(0 (CH2) 3CH3) 4，（ (CH3) 3C0) 3SiOH，（CH3CH2C(CH3) 20)3SiOH或者（HSiCH30) 4,為 了形成Sn02， 例如輸送（CH3)4Sn或者（CH3CH2) 4Sn，為 了形成ITO,例如輸送In(0CCH3CH0CCH3) 3,（CH3)4Sn 或者（CH3CH2)4Sn，為了形成MgO,例如輸送（C5H5)2Mg，為了形成Sc203,例如輸送（C5H5)3Sc， 為了形成1〇3例如輸送（C5H5)3Y或者（C5MeH4)3Y，為了形成Pt，例如輸送（C5MeH4)PtMe3* 者C5H4CH3Pt(CH3)3,為 了形成NiO,例如輸送（C5H5)2Ni或者Ni(C5H4C2H5)2，為了 形成V205， 例如輸送〇V(OCH(CH3) 2) 3，為了形成Fe203,例如輸送{(CH3) 3C0) 3Fe} 2，為了形成WN，例如輸 送（(013從隊(duì)1(叭013)2) 2，為了形成6&六8，例如輸送（013012)抑，6 &(013)3，（(：6115)#或者 (Qft) 2AsGH2〇yVs(Qft) 2，為了 形成ZnS,例如輸送((?) 4Zn, (013012)4Zn或者(G2H5) 2Zn,為了 形成CdS，例如輸送Cd(C2H702) 2，為了形成B203,例如輸送（C6H5) 3B或者[(CH3) 2CH0] 3B，為了 形成Pd，例如輸送Pd(C5H702) 2，為 了形成BaO,例如輸送Ba(OCC(CH3) 3CHC0CF2CF2CF3) 2,為了 形成SrO,例如輸送Sr(OCC(CH3) 3CHC0CF2CF2CF3) 2或者C22H3804Sr，或者為了形成M〇03,例如能 夠輸送CnH8Mo04,C1(iH1(iC12Mo, [ (C6H5) 2PCH2CH2P(C6H5) 2]Mo(CO) 4,C16H1(IM〇206,Mo(CO) 6,Mo(CO) 6， C22H22M〇206,C7H8Mo(CO) 3 或者M(jìn)o(NCCH3) 3 (CO) 3。
[0143] 在將過程氣體輸送到工藝室100,110,120,130中之前，在相應(yīng)的工藝室中能夠產(chǎn) 生或者不產(chǎn)生至接近真空的負(fù)壓。此外，能夠構(gòu)造多原子的層。
[0144] 圖13示出了用于對(duì)襯底30進(jìn)行表面處理的裝置10的實(shí)施例，所述裝置具有帶相 應(yīng)串聯(lián)布置的工藝頭部22的多個(gè)串聯(lián)地布置的工藝單元20。串聯(lián)布置工藝頭部22在此意 味著，襯底30在相應(yīng)的工藝頭部22旁依次經(jīng)過各個(gè)工藝單元20。工藝頭部22例如如下地 布置，使得由一個(gè)或多個(gè)后續(xù)的工藝頭部22中的一個(gè)處理襯底30的與之前的工藝頭部22 所處理的相同的一側(cè)。由此能夠施加另外的層和/或例如交替的層或?qū)影?，或者能夠完?或部分地剝離之前施加的層。替代地或附加地，在層結(jié)構(gòu)保持相同時(shí)，能夠整體地更快速地 施加層，例如能夠提高進(jìn)給速度。
[0145] 圖14示出了用于對(duì)襯底30進(jìn)行表面處理的裝置10的另一個(gè)實(shí)施例，所述裝置具 有帶相應(yīng)串聯(lián)地布置的工藝頭部22的多個(gè)串聯(lián)地布置的工藝單元20。例如如下地布置工 藝頭部22,使得由一個(gè)或多個(gè)后續(xù)的工藝頭部22中的一個(gè)處理襯底30的與之前的工藝頭 部22所處理的不同的另一側(cè)，并且進(jìn)而處理襯底30的另一個(gè)表面。由此能夠使層施加到 襯底30的另一個(gè)的表面上，或者能夠完全或部分地剝離之前施加到另一側(cè)上的層。
[0146] 圖15示出了工藝頭部、例如工藝頭部22的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖，其中僅在截面圖 中展示了襯底30。在工藝頭部22的該實(shí)施例中，橫壁131僅是可選地布置的并且在圖15 中用虛線示出。排氣口 50中的一個(gè)和進(jìn)氣口 51中的一個(gè)通過各一個(gè)狹槽形空隙構(gòu)造而成。 此外，圍繞工藝頭部22的圓周布置多個(gè)間隔件140。間隔件140用于，預(yù)設(shè)襯底30距工藝 頭部22的間距并且進(jìn)而預(yù)設(shè)工藝室110,132,134的高度。除了或者替代地接片102,104， 能夠布置間隔件140。此外，附加地或替代地，橫壁131能夠承擔(dān)間隔件140的功能。在圖 15中示出的實(shí)施例中，間隔件140構(gòu)造成球形并且可轉(zhuǎn)動(dòng)地安放在工藝頭部22的相應(yīng)的空 隙中，使得在運(yùn)行中能夠很小地保持在間隔件140和襯底30之間的摩擦。替代于球形，間 隔件140例如也能夠構(gòu)造為輥形的和/或例如平行于旋轉(zhuǎn)軸線58來延伸，其中間隔件140 此時(shí)同樣能夠可轉(zhuǎn)動(dòng)地安放在工藝頭部22的相應(yīng)的空隙中。間隔件140還能夠有助于能 夠處理相對(duì)較寬的襯底30。
[0147] 圖16示出了工藝頭部、例如工藝頭部22的另一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖，其中僅在截面 圖中展示襯底30。在工藝頭部22的該實(shí)施例中，工藝頭部22具有外周面，所述外周面凹 形地、即向內(nèi)彎曲。這例如能夠有助于，襯底30能夠向內(nèi)下垂并且進(jìn)而確保了工藝室100， 110,132,134中的一個(gè)或多個(gè)的期望高度。進(jìn)氣口 50和/排氣口 51在該實(shí)施例中例如通 過圓形的空隙形成。此外，多個(gè)圓形的空隙形成了進(jìn)氣口 50或排氣口 51中的各一個(gè)。除 了或者替代狹槽形空隙，能夠構(gòu)造圓形的空隙。此外，能夠構(gòu)造更多或者更少的和/或更大 或更小的空隙。此外，空隙能夠構(gòu)造成彼此具有更大或更小的間距。與空隙的形狀無關(guān)，在 工藝頭部22中的空隙本身和/或其走向和/或延伸在運(yùn)行期間有意地形成氣體流。例如， 空隙能夠流動(dòng)優(yōu)化地構(gòu)成。例如，狹槽開口的寬度在垂直于軸線58的方向上能夠變化。
[0148] 間隔件140例如如下地構(gòu)造，即襯底30距工藝頭部22的間距例如在0. 01和10mm 之間，例如在〇? 05和5mm之間，例如在0? 1和1mm之間。在敷設(shè)了柔性襯底30時(shí)，一個(gè)或 多個(gè)工藝室的高度此時(shí)在0.01和l〇mm之間、或者在0.05和5mm之間或者在0? 1和1mm之 間。
[0149] 替代地或附加地，通過借助于在襯底30的背離工藝頭部22-側(cè)上的負(fù)壓來將襯 底30抽離工藝頭部22,預(yù)設(shè)了襯底30距工藝頭部22的間距。
[0150] 在全部的上述實(shí)施例中，所提及的工藝室能夠或多或少地是彼此分離的。在此，例 如借助于橫壁131，分離能夠是相對(duì)較廣的，從而工藝室例如彼此分散地隔開。然而，例如利 用橫壁131的下降的高度，也能夠減小分離。這例如能夠一直進(jìn)行直到橫壁131不再使工 藝室彼此分離開和/或完全放棄隔壁131。因此，各個(gè)工藝室連續(xù)地過渡到彼此中。此外， 工藝室此時(shí)通過氣墊來標(biāo)識(shí)和/或定義，其中存在過程氣體中的一種或者其中導(dǎo)出過程氣 體。隨著分離變小，過程氣體的混合和進(jìn)而過程氣體的傳播在裝置10運(yùn)行期間增加。過程 氣體彼此間由于傳播而導(dǎo)致了不期望的反應(yīng)，其例如能夠通過適當(dāng)?shù)剡x擇工藝室中的或共 同的工藝室中的部分壓強(qiáng)來防止或至少較小地保持。部分壓強(qiáng)能夠經(jīng)由輸送和/或?qū)С鲞^ 程氣體來設(shè)定。例如，殼體24中的壓強(qiáng)能夠大于或小于殼體24的周圍壓強(qiáng)。例如，工藝室 中的平均壓強(qiáng)能夠大致等于殼體24中的壓強(qiáng)。例如，工藝室中的平均壓強(qiáng)能夠在0. 001和 5bar之間，例如在0.01和2bar之間。例如排氣口 50的范圍中的壓強(qiáng)能夠大于進(jìn)氣口 51 的范圍中的壓強(qiáng)，例如因此進(jìn)行了充分的流動(dòng)和/或不產(chǎn)生前驅(qū)體在吹洗氣體室、即輸送 有吹洗氣體的工藝室中的積聚。例如，能夠使吹洗氣體的平均壓強(qiáng)保持大于前驅(qū)體的平均 壓強(qiáng)。替代地或附加地，吹洗氣體流能夠設(shè)定成大于前驅(qū)體流的，由此例如能夠較低地保持 或者防止傳播。
[0151] 圖17示出用于說明用于對(duì)襯底30進(jìn)行表面處理的裝置10的功能原理的圖表。 此外，圖17說明了在運(yùn)行裝置10中的過程氣體的傳播。特別地，圖17示出了在襯底30上 的預(yù)設(shè)位置A中，過程氣體的濃度c與時(shí)間t的相關(guān)性。在此，例如在時(shí)鐘脈沖的進(jìn)給運(yùn)行 中，襯底30能夠是位置固定的，或者襯底30能夠例如以前述的進(jìn)給速度來移動(dòng)。在時(shí)間t內(nèi)，工藝室移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A，使得隨時(shí)間進(jìn)程，不同濃度的不同過程氣體移動(dòng)經(jīng)過襯底 30上的預(yù)設(shè)位置A。換而言之，隨時(shí)間進(jìn)程，具有不同濃度的過程氣體的氣墊移動(dòng)經(jīng)過襯底 30上的預(yù)設(shè)位置A。然而在不同的時(shí)間點(diǎn)，在襯底30的沿著工藝頭部22的圓周遠(yuǎn)離預(yù)設(shè) 位置A的不同位置處，同樣出現(xiàn)不同的濃度，其中相對(duì)于圖17中示出的圖表，與各個(gè)不同的 位置相對(duì)應(yīng)的圖表是時(shí)移或相移的。
[0152] 在第一時(shí)間區(qū)間210中，在位置A處，以點(diǎn)劃線示出的第一反應(yīng)氣體的濃度c提高 直到最大值，然后在預(yù)設(shè)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)維持該最大值。持續(xù)時(shí)間基本上由工藝頭部22的旋 轉(zhuǎn)速度來預(yù)設(shè)。在第一時(shí)間區(qū)間210內(nèi)，第一工藝室100例如移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A，如圖7 中示出。
[0153] 緊接在第一時(shí)間區(qū)間210之后，即在第一時(shí)間區(qū)間210和第二時(shí)間區(qū)間220之間， 抽吸第一過程氣體，而例如連接到第一工藝室100的第六工藝室132移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。 因此，出現(xiàn)第一反應(yīng)氣體從第一工藝室100向跟隨其后的第六工藝室132的傳播。此外，從 跟隨在第六工藝室132之后的第五工藝室134中抽吸吹洗氣體，這說明了吹洗氣體的傳播。 因此，在跟隨在第一工藝室100之后的第六工藝室132中出現(xiàn)第一反應(yīng)氣體和吹洗氣體的 混合。
[0154] 在第二時(shí)間區(qū)間220中，吹洗氣體的濃度c在位置A處最大，該濃度以實(shí)線示出， 并且然后在預(yù)設(shè)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)維持該濃度。持續(xù)時(shí)間基本上由工藝頭部22的旋轉(zhuǎn)速度來 預(yù)設(shè)。第一反應(yīng)氣體完全地或近似完全地抽吸出，從而避免了第一反應(yīng)氣體與隨后要輸送 的第二反應(yīng)氣體在氣相上的混合。在第二時(shí)間區(qū)間220內(nèi)，例如位于第一和第二工藝室 100,110之間的第五工藝室134移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。
[0155] 緊接在第二時(shí)間區(qū)間220之后、即在第二時(shí)間區(qū)間220和第三時(shí)間區(qū)間230之間， 抽吸吹洗氣體，而例如位于第二工藝室110之前的第六工藝室132移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。因 此，出現(xiàn)吹洗氣體從第五工藝室134朝跟隨其后的第六工藝室132的傳播。此外，從跟隨在 第六工藝室132之后的第二工藝室110中抽吸第二反應(yīng)氣體，這說明了第二反應(yīng)氣體的傳 播。因此，在位于第二工藝室110之前的第六工藝室132中出現(xiàn)第二反應(yīng)氣體和吹洗氣體 的混合。
[0156] 在第三時(shí)間區(qū)間230中，第二反應(yīng)氣體的濃度c在位置A處最大，該濃度以雙點(diǎn)劃 線示出，并且然后在預(yù)設(shè)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)維持該最大濃度。持續(xù)時(shí)間基本上由工藝頭部22的 旋轉(zhuǎn)速度來預(yù)設(shè)。在第三時(shí)間區(qū)間230內(nèi)，第二工藝室110移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。
[0157] 緊接在第三時(shí)間區(qū)間230之后，即在第三時(shí)間區(qū)間230和第四時(shí)間區(qū)間240之間， 抽吸第二反應(yīng)氣體，而例如連接到第二工藝室110的第六工藝室132移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。 因此，出現(xiàn)第二反應(yīng)氣體從第二工藝室110朝跟隨其后的第六工藝室132的傳播。此外，從 跟隨在第六工藝室132之后的第五工藝室134中抽吸吹洗氣體，這說明了吹洗氣體的傳播。 因此，在跟隨在第二工藝室110之后的第六工藝室132中出現(xiàn)了第二反應(yīng)氣體和吹洗氣體 的混合。
[0158] 在第三時(shí)間區(qū)間230結(jié)束后，在預(yù)設(shè)位置A上例如施加了第一ALD層。隨后，另一 ALD層在預(yù)設(shè)位置處施加到襯底30上，例如借助相同的反應(yīng)氣體、例如借助第一和第二反 應(yīng)氣體來施加相同材料的層，或者借助另外的反應(yīng)氣體、例如借助第三和第四反應(yīng)氣體施 加不同材料的層。
[0159] 在第四時(shí)間區(qū)間240中，吹洗氣體的濃度c在位置A處最大，然后在預(yù)設(shè)的持續(xù)時(shí) 間內(nèi)維持該濃度。持續(xù)時(shí)間基本上由工藝頭部22的旋轉(zhuǎn)速度來預(yù)設(shè)。第二反應(yīng)氣體完全 地或近似完全地抽吸出，從而避免了第二反應(yīng)氣體與隨后在預(yù)設(shè)位置A處輸送給襯底30的 反應(yīng)氣體在氣相上的混合。在第四時(shí)間區(qū)間240內(nèi)，例如位于第二和第三工藝室110,120 之間的第五工藝室134移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。
[0160] 緊接在第四時(shí)間區(qū)間240之后、即在第四時(shí)間區(qū)間240和第五時(shí)間區(qū)間250之間， 抽吸吹洗氣體，而例如位于第三工藝室120之前的第六工藝室132移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。出 現(xiàn)了吹洗氣體從第五工藝室134朝跟隨其后的第六工藝室132傳播。此外，從跟隨在第六 工藝室132之后的第三工藝室120中抽吸位于該處的反應(yīng)氣體、例如第三反應(yīng)氣體，這說明 了第三反應(yīng)氣體的傳播。因此，在位于第三工藝室120之前的第六工藝室132中出現(xiàn)了第 三反應(yīng)氣體和吹洗氣體的混合。
[0161] 在第五時(shí)間區(qū)間250中，第三反應(yīng)氣體的濃度c在位置A處提高直到最大值，所述 濃度以點(diǎn)劃線示出，然后在預(yù)設(shè)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)維持該濃度。持續(xù)時(shí)間基本上由工藝頭部22 的旋轉(zhuǎn)速度來預(yù)設(shè)。在第五時(shí)間區(qū)間250內(nèi)，例如第三工藝室120移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。替 代于此，在第五時(shí)間區(qū)間250中，在預(yù)設(shè)位置A處也能夠再次輸送第一反應(yīng)氣體。
[0162] 緊接在第五時(shí)間區(qū)間250之后、即在第五時(shí)間區(qū)間210和第六時(shí)間區(qū)間260之間， 抽吸第三反應(yīng)氣體，而例如連接到第三工藝室120的第六工藝室132移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。 因此，出現(xiàn)了第三反應(yīng)氣體從第三工藝室120朝跟隨其后的第六工藝室132的傳播。此外， 從跟隨在第六工藝室132之后的第五工藝室134中抽吸吹洗氣體，這說明了吹洗氣體的傳 播。因此，在跟隨在第三工藝室100之后的第六工藝室132中出現(xiàn)了第三反應(yīng)氣體和吹洗 氣體的混合。
[0163] 在第六時(shí)間區(qū)間260中，吹洗氣體的濃度c在位置A處最大，該濃度作為實(shí)線示 出，并且然后在預(yù)設(shè)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)維持該濃度。持續(xù)時(shí)間基本上由工藝頭部22的旋轉(zhuǎn)速度 來預(yù)設(shè)。第三反應(yīng)氣體完全地或近似完全地抽吸出，使得避免了第三反應(yīng)氣體與第四反應(yīng) 氣體在氣相上的混合。在第六時(shí)間區(qū)間260內(nèi)，例如位于第三和第四工藝室120,130之間 的第五工藝室134移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。
[0164] 緊接在第六時(shí)間區(qū)間260之后、即在第六時(shí)間區(qū)間260和第七時(shí)間區(qū)間270之間， 抽吸第三反應(yīng)氣體，而例如位于第四工藝室130之前的第六工藝室132移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置 A。因此，出現(xiàn)吹洗氣體從第五工藝室134朝跟隨其后的第六工藝室132的傳播。此外，從 跟隨在第六工藝室132之后的第四工藝室130中抽吸第四反應(yīng)氣體，這說明了第四反應(yīng)氣 體的傳播。因此，在位于第四工藝室110之前的第六工藝室132中出現(xiàn)第四反應(yīng)氣體和吹 洗氣體的混合。
[0165] 在第七時(shí)間區(qū)間270中，第四反應(yīng)氣體的濃度c在位置A處最大，該濃度以雙點(diǎn)劃 線示出，并且然后在預(yù)設(shè)的持續(xù)時(shí)間內(nèi)維持該最大濃度c。持續(xù)時(shí)間基本上由工藝頭部22 的旋轉(zhuǎn)速度來預(yù)設(shè)。在第七時(shí)間區(qū)間270內(nèi)，例如第三工藝室110移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。替 代于此，在第七時(shí)間區(qū)間270中，在預(yù)設(shè)的位置A處能夠例如再次向襯底30輸送第二反應(yīng) 氣體。
[0166] 緊接在第七時(shí)間區(qū)間270之后，即在第七時(shí)間區(qū)間270和第八時(shí)間區(qū)間280之間， 抽吸第四反應(yīng)氣體，而例如連接到第四工藝室130的第六工藝室132移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。 因此，出現(xiàn)第四反應(yīng)氣體從第四工藝室130朝跟隨其后的第六工藝室132的傳播。此外，從 跟隨在第六工藝室132之后的第五工藝室134中抽吸吹洗氣體，這說明了吹洗氣體的傳播。 因此，在跟隨在第四工藝室110之后的第六工藝室132中出現(xiàn)了第四反應(yīng)氣體和吹洗氣體 的混合。
[0167] 在第七時(shí)間區(qū)間270結(jié)束后，在預(yù)設(shè)位置A上施加了例如第二ALD層。隨后，在預(yù) 設(shè)位置A處能夠?qū)⒘硪粋€(gè)ALD層施加到襯底30上，例如借助于相同的反應(yīng)氣體、例如借助 第三和第四反應(yīng)氣體來施加相同材料的層，或者借助于另外的反應(yīng)氣體、例如借助于第一 和第二反應(yīng)氣體施加不同材料的層。
[0168] 在第八時(shí)間區(qū)間280中，吹洗氣體的濃度c在位置A處最大，然后在預(yù)設(shè)的持續(xù)時(shí) 間內(nèi)維持該濃度。持續(xù)時(shí)間基本上由工藝頭部22的旋轉(zhuǎn)速度來預(yù)設(shè)。第四反應(yīng)氣體完全 地或近似完全地抽吸出，從而避免了第二反應(yīng)氣體與隨后在預(yù)設(shè)位置A處輸送給襯底30的 反應(yīng)氣體在氣相上的混合。在第八時(shí)間區(qū)間280內(nèi)，例如位于第四和第一工藝室130,100 之間的第五工藝室134移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。
[0169] 緊接在第八時(shí)間區(qū)間280之后，抽吸吹洗氣體，而例如位于第一工藝室100之前的 第六工藝室132移動(dòng)經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A。因此，出現(xiàn)了吹洗氣體從第五工藝室134朝跟隨其后 的第六工藝室132的傳播。此外，從跟隨在第六工藝室132之后的第一工藝室100中抽吸 位于該處的反應(yīng)氣體，例如抽吸第一反應(yīng)氣體，這說明了第一反應(yīng)氣體的傳播。因此，在位 于第一工藝室100之前的第六工藝室132中出現(xiàn)了第一反應(yīng)氣體和吹洗氣體的混合。
[0170] 在圖17中示出的圖表涉及工藝頭部22的一個(gè)實(shí)施例，其中不設(shè)置橫壁131，并且 工藝室單獨(dú)地通過相應(yīng)的過程氣體和由此形成的經(jīng)過預(yù)設(shè)位置A旋轉(zhuǎn)的氣墊來定義。盡管 沒有布置橫壁131，如上面示出的不發(fā)生不同反應(yīng)氣體在氣相上的混合并且進(jìn)而不發(fā)生與 襯底30分離的不期望的分子形成。反應(yīng)僅局限于在襯底30上的反應(yīng)氣體的、例如前驅(qū)體 的已經(jīng)在表面吸收的原子和/或分子。所出現(xiàn)的反應(yīng)氣體與吹洗氣體的傳播和/或混合例 如能夠通過提高吹洗氣體流、和/或通過沿著工藝頭部22的圓周的更寬的第五和/或第六 工藝室134,132、和/或通過在第六工藝室132中的更強(qiáng)的抽吸來降低。減少在襯底30和 工藝頭部22之間的間距也能夠抵消傳播。這也能夠有助于降低過程氣體消耗。
[0171] 如果布置了橫壁131，那么能夠建立類似的圖表，其中相應(yīng)的圖表例如在所示出的 時(shí)間區(qū)間之間區(qū)別于所示出的圖表。例如，發(fā)生過程氣體的較少的傳播和/或混合，和/或 例如根據(jù)橫壁131的高度改變濃度圖的邊沿的斜率。
[0172] 本發(fā)明不局限于所給出的實(shí)施例。例如，在殼體24中能夠布置兩個(gè)或多個(gè)工藝頭 部22。此外，能夠布置另外的工藝單元20。例如，在圖13和圖14中示出的裝置10能夠彼 此組合。此外，能夠輸送更多或更少的過程氣體，并且與此相應(yīng)地構(gòu)造更多或更少的（不 同）層，例如ALD層。此外，在執(zhí)行卷對(duì)卷方法時(shí)能夠布置帶緩沖器，或者能夠在沒有帶緩 沖器的情況下執(zhí)行卷對(duì)卷方法。層結(jié)構(gòu)200, 202, 204能夠具有更多或更少的層210, 220。 此外，能夠制造任意的層組合。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于對(duì)襯底（30)進(jìn)行表面處理的裝置，所述裝置具有能圍繞旋轉(zhuǎn)軸線（58)轉(zhuǎn) 動(dòng)安裝的工藝頭部（22)，所述工藝頭部具有多個(gè)排氣口（50)，所述排氣口至少部分地構(gòu)造 在所述工藝頭部（22)的徑向的外邊緣上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述排氣口（50)構(gòu)造且布置成，使得在運(yùn)行時(shí)，過 程氣體如下地離開所述排氣口（50)中的至少一個(gè)，以至于所述過程氣體至少部分地在具 有徑向定向的方向分量的方向上流動(dòng)遠(yuǎn)離所述工藝頭部。說明：直接或間接地經(jīng)由在工藝 頭部處的偏轉(zhuǎn)。
3. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述工藝頭部（22)構(gòu)造成柱形的并 且具有軸線和外周面，其中所述軸線位于所述旋轉(zhuǎn)軸線（58)上，并且其中，布置在所述外 邊緣處的所述排氣口（50)構(gòu)造在所述外周面上。
4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，在所述工藝頭部（22)的徑向的所述 外邊緣處構(gòu)造至少一個(gè)進(jìn)氣口（51)。
5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，至少一個(gè)所述排氣口（50)和/或至 少一個(gè)布置在徑向的所述外邊緣處的所述進(jìn)氣口（51)構(gòu)造成狹槽形和/或圓形。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述工藝頭部（22)具有 用于向第一工藝室（1〇〇)輸送第一反應(yīng)氣體的第一排氣口（50a)， 用于向第二工藝室（110)輸送第二反應(yīng)氣體的第二排氣口（50b)， 用于向另一個(gè)工藝室（134)輸送吹洗氣體的另一個(gè)的排氣口（50e)。
7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置具有殼體（24)，在所述殼體中能 轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝有所述工藝頭部（22)，并且所述殼體具有用于輸送所述襯底（30)的輸送開口 (78)和用于導(dǎo)出所述襯底（30)的導(dǎo)出開口（76)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，所述裝置具有加熱設(shè)備（74)，所述加熱設(shè)備加熱所述 殼體（24)的內(nèi)部空間。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置具有用于從所述殼體（24)中抽 吸出氣體的殼體抽吸系統(tǒng)（72)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述殼體（24)具有用于將吹洗氣 體輸送到所述殼體（24)中的殼體吹洗氣體輸送系統(tǒng)（70)。
11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置具有進(jìn)給設(shè)備，所述進(jìn)給設(shè)備用 于朝向所述工藝頭部（22)進(jìn)給所述襯底（30)和用于繼續(xù)引導(dǎo)所述襯底（30)遠(yuǎn)離所述工 藝頭部（22)。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置為了預(yù)設(shè)所述襯底（30)和所述 工藝頭部（22)之間的間距而具有兩個(gè)或多個(gè)間隔件（140)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中，所述間隔件（140)具有至少兩個(gè)接片（102， 104)，所述接片布置在所述工藝頭部（22)的軸向外邊緣中。
14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置在所述裝置的徑向的所述外邊 緣處具有多個(gè)橫壁（131)，所述橫壁在徑向方向上從徑向的所述外邊緣中突起，并且所述橫 壁在具有沿軸向方向的方向分量的方向上延伸。
15. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，在所述工藝頭部（22)中構(gòu)造與徑 向的所述外邊緣間隔開的通道（52, 53, 54, 55,56, 57)，所述通道用于：將所述排氣口（50) 和所述進(jìn)氣口（51)與相應(yīng)的氣體穿引部連接。
16. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置具有用于旋轉(zhuǎn)所述工藝頭部 (22)的驅(qū)動(dòng)單元（90)。
17. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的裝置，所述裝置具有多個(gè)串聯(lián)布置的工藝頭部 (22)。
18. -種用于對(duì)襯底（30)進(jìn)行表面處理的方法，其中 至少部分圍繞能轉(zhuǎn)動(dòng)安裝的工藝頭部（22)的徑向的外邊緣布置所述襯底（30)，使得 所述襯底（30)的表面朝向所述工藝頭部（22)，并且使得在所述襯底（30)的所述表面和所 述工藝頭部（22)之間形成工藝室（100,110,120,130,132,134)， 相對(duì)于所述襯底（30)旋轉(zhuǎn)所述工藝頭部（22)， 通過自身旋轉(zhuǎn)的所述工藝頭部（22)至少將用于處理所述襯底（30)的朝向所述工藝頭 部（22)的表面的過程氣體輸送給所述工藝室（100,110,120,130)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，如下地構(gòu)造所述工藝頭部（22)且其中如下 地圍繞所述工藝頭部（22)的徑向的所述外邊緣放置所述襯底（30)，使得由所述工藝頭部 (22)和所述襯底（30)對(duì)在所述工藝頭部（22)的徑向的所述外邊緣和所述襯底（30)之間 形成的工藝室（100,110,120,130,132,134)限定邊界。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18或19中任一項(xiàng)所述的方法，其中，通過所述工藝頭部（22)的徑向 的所述外邊緣引出過程氣體。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18至20中任一項(xiàng)所述的方法，其中，借助所述工藝頭部（22)執(zhí)行涂 覆方法。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，執(zhí)行ALD工藝。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，首先將第一反應(yīng)氣體作為過程氣體依次輸送 經(jīng)過自身旋轉(zhuǎn)的所述工藝頭部（22)的排氣口（50)、然后輸送吹洗氣體并且隨后輸送第二 反應(yīng)氣體。
24. 根據(jù)權(quán)利要求18至23中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在所述表面處理期間停止或者 繼續(xù)引導(dǎo)所述襯底（30)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求18至24中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述工藝頭部（22)的圓周速度 大于所述襯底（30)的進(jìn)給速度。
26. -種用于制造光電子構(gòu)件的方法，所述方法包括根據(jù)權(quán)利要求18至25中任一項(xiàng)所 述的方法，并且其中，用電極層、光學(xué)功能層、有機(jī)功能層、阻擋層和/或封裝層涂覆所述襯 底（30)。
【文檔編號(hào)】C23C16/455GK104271798SQ201380022535
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年4月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月30日
【發(fā)明者】于爾根·鮑爾, 弗蘭克·福爾克梅爾, 格哈德·德爾, 克勞斯-迪特爾·鮑爾, 菲利普·艾哈德 申請(qǐng)人:歐司朗有限公司