一種研磨的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種研磨機(jī)，在提高研磨精度的同時(shí)，避免了在研磨過程中研磨砂液以及細(xì)碎的晶片飛濺的現(xiàn)象，改善工作效果，提高工作效率。且在研磨加工結(jié)束后，打開進(jìn)水裝置即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)清洗，減少了人工清洗的繁瑣過程，大大提高了工作效率。
【專利說明】一種研磨機(jī)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種研磨機(jī),屬于晶片研磨加工領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體塊出廠時(shí)，其表面都是比較粗糙的，需要通過研磨機(jī)進(jìn)行進(jìn)行研磨。用于晶片研磨加工的研磨機(jī)，在加工過程中，一般不單獨(dú)對(duì)研磨上盤進(jìn)行清洗，而我們都知道，在研磨加工結(jié)束后，研磨上盤上會(huì)帶有研磨砂液以及少許其它雜質(zhì)，現(xiàn)在的對(duì)研磨上盤的清洗大多是采用人工清洗的方式進(jìn)行，人工清洗費(fèi)時(shí)費(fèi)力效率低下。
[0003]用于晶片研磨加工的研磨機(jī)，在加工過程中，研磨上盤與研磨下盤在研磨晶片時(shí)，會(huì)有研磨砂液以及細(xì)碎的晶片飛濺，造成工作環(huán)境的污染，由于研磨液屬于化學(xué)制劑，晶片碎屑又過于碎小，難以清理造成周圍環(huán)境的污染。且隨著晶片產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，目前對(duì)晶片研磨的技術(shù)要求越來越高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)以上弊端提供一種研磨機(jī)，在提高研磨精度的同時(shí)，避免了在研磨過程中研磨砂液以及細(xì)碎的晶片飛濺的現(xiàn)象，改善工作效果，提高工作效率。且在研磨加工結(jié)束后，打開進(jìn)水裝置即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)清洗，減少了人工清洗的繁瑣過程，大大提高了工作效率。
[0005]一種研磨機(jī)，包括研磨上盤、通過支柱固定支撐在研磨上盤上的研磨砂液導(dǎo)槽、研磨上盤提拉支架以及通過研磨上盤提拉支架以提拉研磨上盤的提拉裝置，與研磨下盤，其中，研磨上盤位于研磨下盤正上方，所述提拉支架上固定設(shè)有進(jìn)水管，所述進(jìn)水管位于研磨上盤上方，所述進(jìn)水管一端連接有進(jìn)水裝置，所述進(jìn)水管上設(shè)置有多個(gè)噴頭，所述噴頭上設(shè)置有多個(gè)噴嘴，包括中心噴嘴，內(nèi)側(cè)噴嘴及外側(cè)噴嘴，所述中心噴嘴，內(nèi)側(cè)噴嘴及外側(cè)噴嘴在噴頭右側(cè)自中心向外呈“十”字型均勻分布，所述中心噴嘴與噴頭所成夾角α為90度，所述內(nèi)側(cè)噴嘴與噴頭所成夾角β為60度，所述外側(cè)噴嘴與噴頭所成夾角Y為30度。所述研磨下盤上表面沿周向均勻分布有多條“S”型刀片，所述“S”型刀片間所成角度Θ為30度;所述研磨下盤邊緣沿圓周設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)流孔，所述導(dǎo)流孔在研磨下盤內(nèi)呈傾斜設(shè)置，所述導(dǎo)流孔與研磨下盤下表面所成角度δ為45度，所述導(dǎo)流孔上孔口設(shè)有封口件；所述研磨下盤外側(cè)設(shè)有環(huán)形擋塊，所述環(huán)形擋塊與研磨下盤連接處設(shè)有密封構(gòu)件，所述密封構(gòu)件由兩個(gè)“N”型密封環(huán)與一個(gè)“Ζ”型密封環(huán)組成，呈多重密封結(jié)構(gòu)，三個(gè)密封環(huán)間間隙構(gòu)成迷宮密封。
[0006]一種研磨機(jī)，其中，所述噴頭的數(shù)量為3個(gè)。
[0007]一種研磨機(jī)，其中，所述噴嘴的數(shù)量為9個(gè)。
[0008]一種研磨機(jī)，其中，所述“S”型刀片的數(shù)量為12條。
[0009]一種研磨機(jī)，其中，所述兩個(gè)“N”型密封環(huán)位于“Ζ”型密封環(huán)上下兩端。
[0010]工作方法:使用時(shí)，研磨下盤呈順時(shí)針旋轉(zhuǎn)研磨，研磨砂液以及細(xì)碎的晶片飛濺時(shí)被周圍的環(huán)形擋塊阻擋，落在研磨下盤上。研磨結(jié)束后，將研磨好的晶片取出，將導(dǎo)流孔上的封口件取下，在導(dǎo)流孔下放置垃圾箱，打開進(jìn)水裝置，水通過進(jìn)水裝置流入進(jìn)水管，進(jìn)水管內(nèi)的水經(jīng)過噴頭時(shí)通過噴嘴噴出，根據(jù)不同角度的噴嘴噴至下方的研磨上盤進(jìn)行清洗，污水自導(dǎo)流孔流出，直至清洗干凈關(guān)閉進(jìn)水裝置即可。
[0011]有益效果；研磨下盤的“S”型刀片結(jié)構(gòu)可加快研磨時(shí)間，大大提高研磨效率。研磨砂液以及細(xì)碎的晶片飛濺時(shí)被周煒的環(huán)形擋塊阻擋，避免四周環(huán)境污染。在研磨加工結(jié)束后，打開進(jìn)水裝置即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)清洗，減少了人工清洗的繁瑣過程，大大提高了工作效率。根據(jù)不同角度的噴嘴對(duì)下方的研磨上盤與研磨下盤進(jìn)行噴灑，實(shí)現(xiàn)多角度清洗，大大提高清洗效果。清理時(shí)，污水自導(dǎo)流孔流出，方便簡(jiǎn)單。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本實(shí)用新型的剖視圖。
[0013]圖2為本實(shí)用新型的噴頭示意圖。
[0014]圖3為本實(shí)用新型的噴嘴分布示意圖。
[0015]圖4為本實(shí)用新型的研磨下盤俯視圖。
[0016]圖5為本實(shí)用新型的導(dǎo)流孔示意圖。
[0017]圖6為本實(shí)用新型的密封部件示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0019]實(shí)施例
[0020]如圖所示，一種研磨機(jī)，包括研磨上盤1、通過支柱固定支柱2撐在研磨上盤I上的研磨砂液導(dǎo)槽3、研磨上盤提拉支架4以及通過研磨上盤提拉支架以提拉研磨上盤的提拉裝置5，與研磨下盤10，其中，研磨上盤I位于研磨下盤正上方10，所述提拉支架4上固定設(shè)有進(jìn)水管6，所述進(jìn)水管6位于研磨上盤I上方，所述進(jìn)水管6 —端連接有進(jìn)水裝置7，所述進(jìn)水管6上設(shè)置有多個(gè)噴頭8,所述噴頭8上設(shè)置有多個(gè)噴嘴9,包括中心噴嘴91,內(nèi)側(cè)噴嘴91及外側(cè)噴嘴93，所述中心噴嘴91，內(nèi)側(cè)噴嘴92及外側(cè)噴嘴93在噴頭8右側(cè)自中心向外呈“十”字型均勻分布，所述中心噴嘴91與噴頭8所成夾角α為90度，所述內(nèi)側(cè)噴嘴92與噴頭8所成夾角β為60度，所述外側(cè)噴嘴93與噴頭8所成夾角Y為30度。所述研磨下盤10上表面沿周向均勻分布有多條“S”型刀片11，所述“S”型刀片11間所成角度Θ為30度；所述研磨下盤10邊緣沿圓周設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)流孔12，所述導(dǎo)流孔12在研磨下盤10內(nèi)呈傾斜設(shè)置，所述導(dǎo)流孔12與研磨下盤10下表面所成角度δ為45度，所述導(dǎo)流孔12上孔口設(shè)有封口件13 ;所述研磨下盤12外側(cè)設(shè)有環(huán)形擋塊14，所述環(huán)形擋塊14與研磨下盤10連接處設(shè)有密封構(gòu)件15，所述密封構(gòu)件15由兩個(gè)“N”型密封環(huán)151與一個(gè)“Ζ”型密封環(huán)152組成，呈多重密封結(jié)構(gòu)，三個(gè)密封環(huán)間間隙構(gòu)成迷宮密封。所述噴頭8的數(shù)量為3個(gè)。所述噴嘴9的數(shù)量為9個(gè)。所述“S”型刀片11的數(shù)量為12條。所述兩個(gè)“N”型密封環(huán)151位于“Ζ”型密封環(huán)152上下兩端。
[0021]工作方法:使用時(shí)，研磨下盤10呈順時(shí)針旋轉(zhuǎn)研磨，研磨砂液以及細(xì)碎的晶片飛濺時(shí)被周圍的環(huán)形擋塊14阻擋，落在研磨下盤10上。研磨結(jié)束后，將研磨好的晶片取出，將導(dǎo)流孔12上的封口件取下，在導(dǎo)流孔12下放置垃圾箱，打開進(jìn)水裝置7，水通過進(jìn)水裝置7流入進(jìn)水管6，進(jìn)水管6內(nèi)的水經(jīng)過噴頭8時(shí)通過噴嘴9噴出，根據(jù)不同角度的噴嘴9噴至下方的研磨上盤I與研磨下盤10進(jìn)行清洗，污水自導(dǎo)流孔12流出，直至清洗干凈關(guān)閉進(jìn)水裝置7即可。
[0022]有益效果；研磨下盤的“S”型刀片結(jié)構(gòu)可加快研磨時(shí)間，大大提高研磨效率。研磨砂液以及細(xì)碎的晶片飛濺時(shí)被周煒的環(huán)形擋塊阻擋，避免四周環(huán)境污染。在研磨加工結(jié)束后，打開進(jìn)水裝置即可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)清洗，減少了人工清洗的繁瑣過程，大大提高了工作效率。根據(jù)不同角度的噴嘴對(duì)下方的研磨上盤進(jìn)行噴灑，實(shí)現(xiàn)多角度清洗，大大提高清洗效果。清理時(shí)，污水自導(dǎo)流孔流出，方便簡(jiǎn)單。
[0023]以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種研磨機(jī)，包括研磨上盤、通過支柱固定支撐在研磨上盤上的研磨砂液導(dǎo)槽、研磨上盤提拉支架以及通過研磨上盤提拉支架以提拉研磨上盤的提拉裝置，與研磨下盤，其特征在于，研磨上盤位于研磨下盤正上方，所述提拉支架上固定設(shè)有進(jìn)水管，所述進(jìn)水管位于研磨上盤上方，所述進(jìn)水管一端連接有進(jìn)水裝置，所述進(jìn)水管上設(shè)置有多個(gè)噴頭，所述噴頭上設(shè)置有多個(gè)噴嘴，包括中心噴嘴，內(nèi)側(cè)噴嘴及外側(cè)噴嘴，所述中心噴嘴，內(nèi)側(cè)噴嘴及外側(cè)噴嘴在噴頭右側(cè)自中心向外呈“十”字型均勻分布，所述中心噴嘴與噴頭所成夾角α為90度，所述內(nèi)側(cè)噴嘴與噴頭所成夾角β為60度，所述外側(cè)噴嘴與噴頭所成夾角Y為30度；所述研磨下盤上表面沿周向均勻分布有多條“S”型刀片，所述“S”型刀片間所成角度Θ為30度；所述研磨下盤邊緣沿圓周設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)流孔，所述導(dǎo)流孔在研磨下盤內(nèi)呈傾斜設(shè)置，所述導(dǎo)流孔與研磨下盤下表面所成角度δ為45度，所述導(dǎo)流孔上孔口設(shè)有封口件；所述研磨下盤外側(cè)設(shè)有環(huán)形擋塊，所述環(huán)形擋塊與研磨下盤連接處設(shè)有密封構(gòu)件，所述密封構(gòu)件由兩個(gè)“N”型密封環(huán)與一個(gè)“Ζ”型密封環(huán)組成，呈多重密封結(jié)構(gòu)，三個(gè)密封環(huán)間間隙構(gòu)成迷宮密封。
2.如權(quán)利要求1所述的一種研磨機(jī)，其特征在于，所述噴頭的數(shù)量為3個(gè)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種研磨機(jī)，其特征在于，所述噴嘴的數(shù)量為9個(gè)。
4.如權(quán)利要求1所述的一種研磨機(jī)，其特征在于，所述“S”型刀片的數(shù)量為12條。
5.如權(quán)利要求1所述的一種研磨機(jī)，其特征在于，所述兩個(gè)“N”型密封環(huán)位于“Ζ”型密封環(huán)上下兩端。
【文檔編號(hào)】B24B37/04GK203817959SQ201320893201
【公開日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】聶金根 申請(qǐng)人:鎮(zhèn)江市港南電子有限公司