研磨設(shè)備和研磨方法
【專利摘要】一種研磨設(shè)備，該研磨設(shè)備（100）包括：保持臺(tái)（4），該保持臺(tái)（4）保持基板（W）的后表面的中心部分；馬達(dá)（M1），該馬達(dá)（M1）旋轉(zhuǎn)該保持臺(tái)（4）；前表面噴嘴（36），該前表面噴嘴（36）將沖洗液饋送至基板（W）的前表面；后表面噴嘴（37），該后表面噴嘴（37）將沖洗液饋送至基板（W）的后表面；沖洗液控制部分（110），在通過(guò)前表面噴嘴（36）的沖洗液的饋送開(kāi)始后經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間之后，該沖洗液控制部分（110）通過(guò)后表面噴嘴（37）饋送沖洗液；和研磨頭組合體（1A），在沖洗液控制部分（110）將沖洗液饋送至該基板（W）之后，該研磨頭組合體（1A）研磨安裝在保持臺(tái)（4）上的基板（W）的外周部分。
【專利說(shuō)明】研磨設(shè)備和研磨方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種研磨設(shè)備和研磨方法。
【背景技術(shù)】
[0002]考慮到改善半導(dǎo)體制作中的成品率，就會(huì)關(guān)注到例如硅片的基板的外周部分的表面狀態(tài)的管理。亦即，在半導(dǎo)體制作步驟中，許多材料沉積在基板的前表面(裝置表面)上以形成裝置。然而，在制作步驟中，多余的薄膜或者粗糙表面可能形成在基板的外周部分中。此外，近年來(lái)，用于運(yùn)送其外周部分由臂部保持的基板的方法已經(jīng)通用了。
[0003]在這種背景下，當(dāng)執(zhí)行各種步驟時(shí)，殘留在外周部分中的多余的薄膜可能從裝置上剝落并附著到裝置上，從而導(dǎo)致成品率減少。因此，研磨設(shè)備通常用于研磨基板的外周部分以去除多余的薄膜或者粗糙表面。
[0004]通過(guò)例如將基板的后表面的中心部分吸附至臺(tái)以支撐中心部分，并且在使臺(tái)旋轉(zhuǎn)同時(shí)將研磨帶、磨石等等按壓抵靠基板的外周部分，基板的外周部分被研磨。
[0005]更具體地說(shuō)，基板的外周部分通過(guò)首先以例如純水的沖洗液(研磨液)涂敷基板的前表面和后表面而被大致的研磨，在基板的前表面和后表面涂敷有沖洗液后，將研磨帶、磨石等等按壓抵靠該外周部分。
[0006]在這種情況下，在使臺(tái)旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，通過(guò)經(jīng)由前表面沖洗噴嘴饋送沖洗液和經(jīng)由后表面沖洗噴嘴饋送沖洗液來(lái)執(zhí)行沖洗液的涂敷，其中，前表面沖洗噴嘴設(shè)置成與基板的前表面相對(duì)，后表面沖洗噴嘴設(shè)置成與基板的后表面相對(duì)。饋送至基板的前表面和后表面的沖洗液通過(guò)離心力朝向基板的外周部分流動(dòng)，該離心力由基板的旋轉(zhuǎn)引起。因此，基板的前表面和后表面涂敷有沖洗液。
[0007]引用列表
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)專利公報(bào)N0.2011-161625
[0010]然而，常規(guī)方法不能考慮到基板的后表面的顆粒環(huán)繞流動(dòng)至基板的前表面的可能性。
[0011]亦即，常規(guī)方法同時(shí)地通過(guò)前表面沖洗噴嘴和后表面沖洗噴嘴饋送沖洗液。在基板的前表面?zhèn)龋瑳_洗液饋送至基板的前表面的中心部分，然后朝向基板的外周部分流動(dòng)。與此相反，在基板的后表面?zhèn)?，基板的后表面的中心部分保持在臺(tái)上，因此沖洗液饋送至邊界部分(臺(tái)的外周部分)，該邊界部分位于基板的保持在臺(tái)上的后表面的區(qū)域和基板的未保持在臺(tái)上的后表面的區(qū)域之間。從該邊界部分，沖洗液朝向基板的外周部分流動(dòng)。
[0012]因此，后表面的沖洗液可能比前表面先到達(dá)基板的外周部分，然后環(huán)繞流動(dòng)至前表面?zhèn)取Ｒ虼耍街交宓暮蟊砻娴念w?？赡茈S著后表面沖洗液沖離，并且環(huán)繞流動(dòng)至基板的前表面?zhèn)取Ｒ虼?，顆?？赡芪廴拘纬捎醒b置的基板的前表面。
[0013]因此，本發(fā)明的目的是抑制基板的后表面上的顆粒環(huán)繞流動(dòng)至基板的前表面。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]考慮到這個(gè)目的，實(shí)施例的一個(gè)方面是提供一種用于研磨基板的研磨方法，包括:使臺(tái)旋轉(zhuǎn)，基板保持在臺(tái)上；將液體饋送至基板的第一表面，所述基板的第一表面未保持在臺(tái)上；在液體開(kāi)始饋送至基板的第一表面起經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間之后，開(kāi)始將液體饋送至基板的第二表面，基板的第二表面保持在臺(tái)上；并且在液體饋送至基板的第一表面和第二表面之后，研磨基板的外周部分。
[0015]此外，饋送液體包括:在液體開(kāi)始饋送至基板的第一表面起經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間之后，將液體饋送至基板的的第二表面，第二表面保持在臺(tái)上，從而在饋送至基板的第二表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)基板的外周部分之前，饋送至基板的第一表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)基板的外周部分。
[0016]此外，使臺(tái)旋轉(zhuǎn)是可以包括:利用基板的第二表面的中心使臺(tái)旋轉(zhuǎn)，第二表面保持在臺(tái)上此外，將液體饋送至基板的第一表面可以包括:將液體饋送至基板的第一表面的中心部分，并且將液體饋送至基板的第二表面可以包括:將液體饋送至邊界部分，該邊界部分位于基板的第二表面的保持在臺(tái)上的區(qū)域和基板的第二表面的未保持在臺(tái)上的區(qū)域之間。
[0017]此外，本實(shí)施例的一個(gè)方面提供了一種用于研磨基板的研磨方法，包括:使臺(tái)旋轉(zhuǎn)，基板保持在該臺(tái)上；開(kāi)始將液體饋送至基板的第一表面，基板的第一表面未保持在臺(tái)上；將液體饋送至基板的第一表面，并且將液體以比饋送至基板的第一表面低的單位時(shí)間流速饋送至基板的第二表面；并且在液體饋送至基板的第一表面和第二表面之后，研磨基板的外周部分。
[0018]此外，饋送液體可以包括:將液體饋送至基板的第一表面，并且將液體以比饋送至基板的第一表面低的單位時(shí)間流速饋送至基板的第二表面，從而在饋送至基板的第二表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)基板的外周部分之前，饋送至基板的第一表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)基板的外周部分。
[0019]此外，本實(shí)施例的一個(gè)方面提供了一種用于研磨基板的研磨設(shè)備，包括:保持該基板的臺(tái)；使臺(tái)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部分；第一噴嘴，該第一噴嘴將液體饋送至基板的第一表面，第一表面未保持在臺(tái)上；第二噴嘴，該第二噴嘴將液體饋送至基板的第二表面，第二表面保持在臺(tái)上；控制部分，在通過(guò)第一噴嘴的液體開(kāi)始饋送起經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間之后，該控制部分通過(guò)第二噴嘴饋送液體；和研磨部分，在控制部分將液體饋送至基板的第一表面和第二表面之后，該研磨部分研磨保持在臺(tái)上的基板的外周部分。
[0020]此外，在通過(guò)第一噴嘴的液體的饋送開(kāi)始后經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間之后，該控制部分可以開(kāi)始通過(guò)第二噴嘴饋送液體，從而在饋送至基板的第二表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)基板的外周部分之前，饋送至基板的第一表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)基板的外周部分。
[0021]此外，該臺(tái)被構(gòu)造成保持基板的第二表面的中心，第一噴嘴被構(gòu)造成將液體饋送至基板的第一表面的中心部分，并且第二噴嘴被構(gòu)造成將液體饋送至邊界部分，該邊界部分位于基板的第二表面的保持在臺(tái)上的區(qū)域和基板的第二表面的未保持在臺(tái)上的區(qū)域之間。
[0022]此外，該液體可以是用于研磨基板的沖洗液。
[0023]此外，本實(shí)施例的一個(gè)方面提供了一種用于研磨基板的研磨設(shè)備，包括:保持該基板的臺(tái)；使臺(tái)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部分；第一噴嘴，該第一噴嘴將液體饋送至基板的第一表面，第一表面未保持在臺(tái)上；第二噴嘴，該第二噴嘴將液體饋送至基板的第二表面，第二表面保持在臺(tái)上；控制部分，該控制部分通過(guò)第一噴嘴饋送液體，并且以比饋送至基板的第一表面低的單位時(shí)間流速通過(guò)第二噴嘴饋送液體；和研磨部分，在控制部分將液體饋送至基板的第一表面和第二表面之后，該研磨部分研磨保持在臺(tái)上的基板的外周部分。
[0024]此外，控制部分可以通過(guò)第一噴嘴饋送液體，并且以比饋送至基板的第一表面低的單位時(shí)間流速通過(guò)第二噴嘴饋送液體，從而在饋送至基板的第二表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)基板的外周部分之前，饋送至基板的第一表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)基板的外周部分。
[0025]本發(fā)明可以抑制基板的后表面上的顆粒環(huán)繞流動(dòng)至基板的前表面。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1是根據(jù)實(shí)施例的研磨設(shè)備的平面圖；
[0027]圖2是根據(jù)本實(shí)施例的研磨設(shè)備的豎直截面圖；
[0028]圖3是研磨頭的放大圖；
[0029]圖4是顯示基板的外周部分的放大截面圖；
[0030]圖5是示意性地顯示比較例中的沖洗液的饋送的簡(jiǎn)圖；
[0031]圖6是根據(jù)本實(shí)施例的研磨方法的流程圖；
[0032]圖7是示意性地顯示根據(jù)本實(shí)施例的通過(guò)沖洗液控制部分的沖洗液的饋送的簡(jiǎn)圖；
[0033]圖8是根據(jù)本實(shí)施例的研磨方法的另一個(gè)實(shí)例的流程圖；以及
[0034]圖9是示意性地顯示根據(jù)本實(shí)施例的通過(guò)沖洗液控制部分的沖洗液的饋送的另一個(gè)實(shí)例的簡(jiǎn)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的研磨設(shè)備和研磨方法。本實(shí)施例描述如下，采取例如斜面研磨設(shè)備，該研磨設(shè)備研磨基板的外周部分。然而，本實(shí)施例并不局限于斜面研磨設(shè)備。
[0036]圖1是根據(jù)本實(shí)施例的研磨設(shè)備的平面圖。圖2是根據(jù)本實(shí)施例的研磨設(shè)備的豎直截面圖。如圖1和2所示，研磨設(shè)備100包括旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)(基板保持部分)3，旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3將作為研磨對(duì)象的基板(硅片)W水平地保持在機(jī)構(gòu)的中心部分，并且旋轉(zhuǎn)基板W。圖1顯示旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3保持基板W的狀態(tài)。
[0037]旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3包括:盤狀保持臺(tái)4，盤狀保持臺(tái)4通過(guò)真空抽吸保持基板W的后表面(第二表面);空心軸5，空心軸5連接到保持臺(tái)4的中心部分；和馬達(dá)(驅(qū)動(dòng)部分)M1，馬達(dá)Ml旋轉(zhuǎn)空心軸5?；錡通過(guò)運(yùn)送機(jī)構(gòu)的機(jī)械手(圖中未顯示)放置在保持臺(tái)4上，以便基板W的中心與空心軸5的軸線對(duì)齊。
[0038]空心軸5由滾珠花鍵軸承(ball spline bearing)(直線運(yùn)動(dòng)軸承)6支撐，以便能夠升高和降低。凹槽4a形成在保持臺(tái)4的上表面中，并且與連通路徑7連通，連通路徑7延伸穿過(guò)空心軸5。連通路徑7經(jīng)由轉(zhuǎn)動(dòng)接頭8連接到真空線路9，轉(zhuǎn)動(dòng)接頭8附接于空心軸5的下端。連通路徑7也連接到氮?dú)怵佀途€路10，處理后的基板W通過(guò)氮?dú)怵佀途€路10從保持臺(tái)4釋放。真空線路9和氮?dú)怵佀途€路10彼此切換，以便允許基板W被吸附在保持臺(tái)4的上表面上和從保持臺(tái)4的上表面釋放。
[0039]空心軸5通過(guò)滑輪p1、滑輪p2和帶bl旋轉(zhuǎn)，滑輪pi連接到空心軸5，滑輪p2附接于馬達(dá)Ml的旋轉(zhuǎn)軸，帶bl圍繞滑輪pi和p2運(yùn)動(dòng)。馬達(dá)Ml的旋轉(zhuǎn)軸平行于空心軸5延伸。在這個(gè)構(gòu)造中，保持在保持臺(tái)4的上表面的基板W通過(guò)馬達(dá)Ml被旋轉(zhuǎn)。當(dāng)沖洗液(液體)被饋送至基板W時(shí)，基板W以大約IOOrpm的速度旋轉(zhuǎn)。
[0040]滾珠花鍵軸承6是允許空心軸5在空心軸5的縱向方向上自由移動(dòng)的軸承。滾珠花鍵軸承6被固定至圓柱形殼體12。因此,在本實(shí)施例中，空心軸5被構(gòu)造成相對(duì)于殼體12向上和向下線性地操作。空心軸5和殼體12整體地旋轉(zhuǎn)?？招妮S5連接到氣缸(升降機(jī)構(gòu))15。氣缸15適于升高和降低空心軸5和保持臺(tái)4。
[0041]徑向軸承18同軸地安裝在殼體12和圓柱形殼體14之間，圓柱形殼體14設(shè)置在殼體12的外側(cè)。殼體12由徑向軸承18支撐以便可旋轉(zhuǎn)。在這個(gè)構(gòu)造中，旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3允許基板W圍繞其中心軸線Cr旋轉(zhuǎn)并且沿著中心軸線Cr升高和降低。
[0042]如圖1所示，四個(gè)研磨頭組合體(研磨部分)1A、1B、1C和ID設(shè)置成圍繞基板W，該基板W保持在旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3上。研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A、2B、2C和2D分別設(shè)置在研磨頭組合體1A、1B、1C和ID的徑向外側(cè)。研磨頭組合體1A、1B、1C和ID通過(guò)分隔壁20與研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A、2B、2C和2D分隔。
[0043]分隔壁20中的內(nèi)部空間形成研磨室21。四個(gè)研磨頭組合體1A、1B、1C和ID以及保持臺(tái)4設(shè)置在研磨室21中。另一方面，研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A、2B、2C和2D設(shè)置在分隔壁20的外側(cè)(亦即，研磨室21的外側(cè))。研磨頭組合體1A、1B、1C和ID具有相同的構(gòu)造，并且研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A、2B、2C和2D也具有相同的構(gòu)造。以下將描述研磨頭組合體IA和研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A。
[0044]研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A包括:饋送卷盤24,饋送卷盤24將研磨帶23饋送至研磨頭組合體IA ;和回收卷盤25，回收卷盤25回收用于研磨基板W的研磨帶23。饋送卷盤24設(shè)置在回收卷盤25的上方。馬達(dá)M2經(jīng)由聯(lián)接器27分別連接到饋送卷盤24和回收卷盤25 (圖1只顯示連接到饋送卷盤24的聯(lián)接器27和馬達(dá)M2)。每一個(gè)馬達(dá)M2都適于能夠在預(yù)定旋轉(zhuǎn)方向上施加恒定轉(zhuǎn)矩，以便將預(yù)緊力施加在研磨帶23上。
[0045]研磨帶23是細(xì)長(zhǎng)的帶狀研磨工具,其一個(gè)表面形成研磨表面。研磨帶23具有由例如PET片材等等形成的基材帶和形成在基材帶上的研磨層。研磨層包括:粘合劑(例如，樹(shù)脂)，粘合劑覆蓋基材帶的一個(gè)表面；和磨粒，磨粒保持在粘合劑上。研磨層的表面形成研磨表面。作為研磨工具，可以使用帶狀研磨布代替研磨帶。此外，代替用研磨帶研磨，可以使用磨石執(zhí)行研磨或者磨削。
[0046]纏繞饋送卷盤24的研磨帶23設(shè)置在研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A中。研磨帶的側(cè)表面由卷盤板支撐，以便防止纏繞失敗。研磨帶23的一端附接于回收卷盤25，以便被饋送至研磨頭組合體IA的研磨帶23纏繞回收卷盤25以回收研磨帶23。研磨頭組合體IA包括研磨頭30,研磨頭30使得從研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A饋送的研磨帶23抵接基板W的外周部分。研磨帶23被饋送至研磨頭30,以便研磨帶23的研磨表面面對(duì)基板W。
[0047]研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A具有多個(gè)引導(dǎo)輥31、32、33和34。被饋送至研磨頭組合體IA和從研磨頭組合體IA回收的研磨帶23由引導(dǎo)輥31、32、33和34引導(dǎo)。研磨帶23經(jīng)過(guò)開(kāi)口 20a被從饋送卷盤24饋送至研磨頭30，開(kāi)口 20a形成在分隔壁20中。使用后的研磨帶23由回收卷盤25經(jīng)過(guò)開(kāi)口 20a回收。
[0048]如圖2所不，前表面噴嘴(第一噴嘴)36設(shè)置在基板W的前表面(第一表面或者未保持在保持臺(tái)4上的表面)的中心部分的上方，以便朝向由旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3保持的基板W的上表面的中心饋送沖洗液。此外，后表面噴嘴(第二噴嘴)37設(shè)置在邊界部分(保持臺(tái)4的外周部分或者基板W的保持在保持臺(tái)4上的后表面的區(qū)域和基板W的未保持在保持臺(tái)4上的后表面的區(qū)域之間的邊界部分)的下方，以饋送沖洗液至該邊界部分，該邊界部分位于基板W的后表面(第二表面或者保持在保持臺(tái)4上的表面)和旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3的保持臺(tái)4之間。通常使用純水作為沖洗液。然而，如果使用例如二氧化硅作為研磨帶23的磨粒，則可以使用液氨(ammonia)作為沖洗液。此外，沖洗液在基板W的外周部分被研磨之前被饋送(預(yù)沖洗)。通過(guò)將沖洗液饋送至基板W的前表面，允許在研磨期間基板W的前表面涂敷有沖洗液。另外，通過(guò)將沖洗液饋送至基板W的后表面，允許在研磨期間基板W的后表面被涂敷并且允許基板W被更適當(dāng)?shù)匚街帘３峙_(tái)4。
[0049]此外，研磨設(shè)備100包括清洗噴嘴38，清洗噴嘴38在研磨處理之后清洗研磨頭30。在基板W在研磨處理后，被旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3升高之后，通過(guò)朝向研磨頭30噴射清洗水來(lái)清洗經(jīng)過(guò)研磨處理的研磨頭30。
[0050]根據(jù)本實(shí)施例的研磨設(shè)備100包括沖洗液控制部分110，沖洗液控制部分110控制饋送經(jīng)過(guò)前表面噴嘴36和后表面噴嘴37的沖洗液的量和饋送時(shí)間等等。以下將詳細(xì)描述沖洗液控制部分110。
[0051]如圖2所示，空心軸5和殼體12的上端通過(guò)波紋管19連接到一起，波紋管19在上下方向上可伸縮，以便當(dāng)空心軸5從殼體12升高或者朝向殼體12降低時(shí)，例如滾珠花鍵軸承6和徑向軸承18的機(jī)構(gòu)與研磨室21分隔。圖2顯示空心軸5已經(jīng)降低并且保持臺(tái)4位于研磨位置的狀態(tài)。在研磨處理之后，基板W通過(guò)氣缸15隨著保持臺(tái)4和空心軸5升高至運(yùn)送位置。在運(yùn)送位置，基板W從保持臺(tái)4釋放。
[0052]分隔壁20包括運(yùn)送端口 20b，基板W通過(guò)運(yùn)送端口 20b裝載進(jìn)入研磨室21和從研磨室21卸載。運(yùn)送端口 20b形成為在水平方向上延伸的切口。因此，由運(yùn)送機(jī)構(gòu)夾持的基板W通過(guò)運(yùn)送端口 20b橫貫研磨室21的內(nèi)部，同時(shí)基板W維持水平狀態(tài)。分隔壁20包括形成在其上表面的開(kāi)口 20c和百葉窗(louver) 40，和形成在其下表面的排氣端口(圖中未顯示)。在研磨處理期間，運(yùn)送端口 20b由開(kāi)閉器(圖中未顯示)關(guān)閉。因此，當(dāng)研磨室21通過(guò)風(fēng)扇機(jī)構(gòu)(圖中未顯示)經(jīng)由排氣端口排氣時(shí)，干凈的空氣的向下流動(dòng)形成在研磨室21內(nèi)部。研磨處理在此狀態(tài)下被執(zhí)行，因此防止研磨液向上飛濺。因此，研磨處理可以在其研磨室21中的上部空間保持清潔的情況下被執(zhí)行。
[0053]如圖1所示，研磨頭30被固定至臂部60的一端，臂部60被構(gòu)造成可圍繞旋轉(zhuǎn)軸線Ct旋轉(zhuǎn)，旋轉(zhuǎn)軸線Ct平行于基板W的切線方向。臂部60的另一端經(jīng)由滑輪p3、p4和帶b2被連接到馬達(dá)4。當(dāng)馬達(dá)M4順時(shí)針旋轉(zhuǎn)或者逆時(shí)針?lè)较蛐D(zhuǎn)預(yù)定角度時(shí)，臂部60圍繞軸線Ct旋轉(zhuǎn)預(yù)定角度。根據(jù)本實(shí)施例，馬達(dá)M4、臂部60、滑輪p3、p4和帶b2形成傾斜機(jī)構(gòu)，該傾斜機(jī)構(gòu)使得研磨頭30相對(duì)于基板W的前表面傾斜。
[0054]傾斜機(jī)構(gòu)安裝在可移動(dòng)支架61上?？梢苿?dòng)支架61經(jīng)由引導(dǎo)部62和軌道63被可移動(dòng)地連接到基板65。軌道63沿著保持在旋轉(zhuǎn)保持機(jī)構(gòu)3上的基板W的徑向線性地延伸?？梢苿?dòng)支架61適于可沿著基板W的徑向線性地移動(dòng)。貫穿基板65的連接板66附接于可移動(dòng)支架61。線性致動(dòng)器67經(jīng)由接頭68被連接到連接板66。線性致動(dòng)器67被直接地或者間接地固定至基板65。
[0055]可以使用氣缸或者定位馬達(dá)和滾珠螺桿的組合作為線性致動(dòng)器67。線性致動(dòng)器67、軌道63和引導(dǎo)部62形成移動(dòng)機(jī)構(gòu)，該移動(dòng)機(jī)構(gòu)在基板W的徑向方向上線性地移動(dòng)研磨頭30。亦即，移動(dòng)機(jī)構(gòu)操作以沿著軌道63移動(dòng)研磨頭30使其更靠近或者遠(yuǎn)離基板W。另一方面，研磨帶饋送機(jī)構(gòu)2A被固定至基板65。
[0056]圖3是研磨頭30的放大圖。如圖3所示，研磨頭30包括按壓機(jī)構(gòu)41，按壓機(jī)構(gòu)41以預(yù)定力將研磨帶23的研磨表面按壓抵靠基板W。此外，研磨頭30包括帶饋送機(jī)構(gòu)42，帶饋送機(jī)構(gòu)42將研磨帶23從饋送卷盤24饋送至回收卷盤25。研磨頭30具有多個(gè)引導(dǎo)棍43、44、45、46、47、48和49，該多個(gè)引導(dǎo)輥引導(dǎo)研磨帶23，以便研磨帶23在垂直于基板W的切線方向的方向上前進(jìn)。
[0057]帶饋送機(jī)構(gòu)42設(shè)置在研磨頭30中，帶饋送機(jī)構(gòu)42包括帶饋送輥42a、帶夾持輥42b和馬達(dá)M3，馬達(dá)M3旋轉(zhuǎn)帶饋送輥42a。馬達(dá)M3設(shè)置在研磨頭30的側(cè)表面上，帶饋送輥42a附接于馬達(dá)M3的旋轉(zhuǎn)軸。帶夾持輥42b設(shè)置在鄰近于帶饋送輥42a的位置。帶夾持輥42b由機(jī)構(gòu)(圖中未顯示)支撐，以便在圖3中箭頭NF所示的方向(朝著帶饋送輥42a的方向)上施加力，并且?guī)A持輥42b被構(gòu)造成按壓帶饋送輥42a。
[0058]當(dāng)馬達(dá)M3在圖3中的箭頭的方向上旋轉(zhuǎn)時(shí)，帶饋送輥42a旋轉(zhuǎn)以允許研磨帶23經(jīng)由研磨頭30從饋送卷盤24被饋送至回收卷盤25。帶夾持棍42b被構(gòu)造成可圍繞其軸旋轉(zhuǎn)并且在饋送研磨帶23的同時(shí)旋轉(zhuǎn)。
[0059]按壓機(jī)構(gòu)41包括:按壓構(gòu)件50，按壓構(gòu)件50設(shè)置在研磨帶23的后表面?zhèn)?；和氣?驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu))52，氣缸52朝向基板W的外周部分移動(dòng)按壓構(gòu)件50。氣缸52是所謂的單桿缸。通過(guò)控制供應(yīng)給氣缸52的氣壓，調(diào)整將研磨帶23按壓抵靠基板W的力。以下機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成能夠獨(dú)立操作:傾斜機(jī)構(gòu)、按壓機(jī)構(gòu)41、用于四個(gè)研磨頭組合體1A、1B、1C和ID的帶饋送機(jī)構(gòu)42和移動(dòng)每個(gè)研磨頭組合體的移動(dòng)機(jī)構(gòu)，四個(gè)研磨頭組合體1A、IB、IC和ID設(shè)置成圍繞基板W。此外，如圖3所示，按壓構(gòu)件50具有形成在其前表面的兩個(gè)突出部分51a和51b。突出部分51a和51b的形狀類似軌道，該軌道在水平方向上延伸并且平行地設(shè)置。
[0060]現(xiàn)在，詳細(xì)地描述通過(guò)根據(jù)本實(shí)施例的研磨設(shè)備研磨的基板的外周部分。圖4A和圖4B是顯示基板的外周部分的放大截面圖。更具體地說(shuō)，圖4A是所謂的直線基板的截面圖，圖4B是所謂的圓形基板的截面圖。在圖4A中的基板W中，斜面部分稱為部分B，部分B包括上傾斜部分(上斜面部分)P、下傾斜部分(下斜面部分)Q和側(cè)部分(頂端)R，這些部分形成基板W的最外圓周表面。在圖4B中的基板W中，斜面部分稱為部分B，部分B形成基板W的最外圓周表面并且具有彎曲橫截面。
[0061]此外，上邊緣部分稱為平坦部分E1，平坦部分El是位于斜面部分B的徑向向內(nèi)和區(qū)域D的徑向向外的區(qū)域，裝置形成在區(qū)域D中。下邊緣部分稱為平坦部分E2，平坦部分E2位于與上邊緣部分相對(duì)并且在斜面部分B的徑向向內(nèi)的位置。上邊緣部分El和下邊緣部分E2有時(shí)共同地稱為接近邊緣部分。
[0062]根據(jù)本實(shí)施例的研磨設(shè)備100適于能夠通過(guò)利用傾斜機(jī)構(gòu)傾斜研磨頭來(lái)研磨斜面部分。例如，當(dāng)研磨頭30向上傾斜時(shí)，上突出部分(第一突出部分)51a位于基板W的外周部分的上方并且與上邊緣部分相對(duì)。當(dāng)研磨頭30向下傾斜時(shí)，下突出部分(第二突出部分)51b位于基板W的外周部分的下方并且與下邊緣部分相對(duì)。當(dāng)上邊緣部分被研磨時(shí)，研磨頭30向上傾斜并且研磨帶23通過(guò)突出部分51a被從上方按壓抵靠基板W (亦即，頂部邊緣部分)的外周部分。另一方面，當(dāng)下邊緣部分被研磨時(shí)，研磨頭30向下傾斜并且研磨帶23通過(guò)突出部分51b從下方按壓抵靠基板W (亦即，下邊緣部分)的外周部分。突出部分51a和51b的按壓力可以通過(guò)氣缸52被調(diào)整。
[0063]現(xiàn)在，將描述沖洗液控制部分110的控制方面。首先，將描述比較例。圖5是示意性地顯示在該比較例中的沖洗液的饋送的簡(jiǎn)圖。圖5A顯示沖洗液的饋送已經(jīng)開(kāi)始的狀態(tài)。圖5B顯示沖洗液的饋送開(kāi)始之后過(guò)了預(yù)定時(shí)間的狀態(tài)。
[0064]如圖5A所示，在比較例中，沖洗液R和r在基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)開(kāi)始通過(guò)前表面噴嘴36和后表面噴嘴37被同時(shí)饋送。饋送至基板W的前表面和后表面的沖洗液R和r通過(guò)離心力朝向基板W的外周部分流動(dòng)，該離心力由基板W的旋轉(zhuǎn)引起。
[0065]然后，經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間后，饋送至基板W的后表面的沖洗液r比饋送至基板W的前表面的沖洗液R先到達(dá)基板W的外周部分，如圖5B所示。亦即，距離Y (例如，大約33mm)短于距離X (例如，大約150mm)，距離Y是從基板W的后表面的沖洗液被饋送的部分至基板W的外周部分的距離，距離X是從基板W的前表面的中心部分至基板W的外周部分的距離(基板W的后表面的沖洗液被饋送的部分對(duì)應(yīng)于基板W的保持在保持臺(tái)4上的區(qū)域和基板W的未保持在保持臺(tái)4上的區(qū)域之間的邊界部分)。因此，被饋送至基板W的后表面的沖洗液r先到達(dá)基板W的外周部分。
[0066]然后，如圖5B所示，從基板W的后表面已經(jīng)到達(dá)基板W的外周部分的沖洗液r可能環(huán)繞流動(dòng)至基板W的前表面?zhèn)?。在這種情況下，附著于基板W的后表面的顆粒(粉塵)可能隨著后表面的沖洗液被沖洗掉并且環(huán)繞流動(dòng)至基板W的前表面?zhèn)?。因此，基板W的前表面可能被污染。尤其是，如果BF (背膜(backing film))設(shè)置在基板W的后表面以防止當(dāng)基板W吸附至保持臺(tái)時(shí)，基板W被損壞，附著于背膜的顆?？赡茈S著后表面上的沖洗液環(huán)繞流動(dòng)至前表面?zhèn)龋瑥亩鸩涣加绊?，例如金屬污染或者粉塵污染。
[0067]與此相反，根據(jù)本實(shí)施例，沖洗液控制部分110首先通過(guò)前表面噴嘴36饋送沖洗液R。然后，當(dāng)沖洗液R通過(guò)前表面噴嘴36被饋送開(kāi)始后經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間時(shí)，沖洗液控制部分110通過(guò)后表面噴嘴37饋送沖洗液r。這點(diǎn)將如下描述。
[0068]圖6是根據(jù)本實(shí)施例的研磨方法的流程圖。圖7是示意性地顯示根據(jù)本實(shí)施例的通過(guò)沖洗液體控制部分的液體的饋送的簡(jiǎn)圖。圖7A顯示沖洗液已經(jīng)被開(kāi)始饋送的狀態(tài)。圖7B顯示沖洗液的饋送開(kāi)始之后過(guò)了預(yù)定時(shí)間的狀態(tài)。
[0069]在根據(jù)本實(shí)施例的研磨方法中，首先，如圖6所示，保持臺(tái)4被旋轉(zhuǎn)(步驟S101)。隨后，沖洗液控制部分110通過(guò)前表面噴嘴36饋送沖洗液R (步驟S102)。
[0070]該狀態(tài)如圖7A所示。如圖7A所示，在基板W旋轉(zhuǎn)的情況下，沖洗液控制部分110只通過(guò)前表面噴嘴36饋送沖洗液R。饋送至基板W的前表面的沖洗液通過(guò)離心力朝向基板W的外周部分流動(dòng)，該離心力由基板W的旋轉(zhuǎn)引起。
[0071]隨后，沖洗液控制部分110判定通過(guò)前表面噴嘴36的沖洗液R的饋送開(kāi)始后是否已經(jīng)經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間(例如，大約5秒)(步驟S103)。預(yù)設(shè)時(shí)間根據(jù)基板W的旋轉(zhuǎn)速度、基板W的直徑尺寸、沖洗液的流速等等被適當(dāng)?shù)卮_定。[0072]在判定未經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間(步驟S103:否)的情況下，沖洗液控制部分110重復(fù)步驟S103中的過(guò)程。另一方面，在判定已經(jīng)經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間(步驟S103:是)，沖洗液控制部分110通過(guò)后表面噴嘴37饋送沖洗液r (步驟S104)。
[0073]圖7B顯示已經(jīng)經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間的狀態(tài)。如圖7B所示，在基板W的前表面?zhèn)?，沖洗液R由于基板W的離心力而擴(kuò)散并且到達(dá)基板W的外周部分。然后，沖洗液控制部分110通過(guò)后表面噴嘴37饋送沖洗液r。沖洗液控制部分110通過(guò)前表面噴嘴36繼續(xù)饋送沖洗液R。
[0074]隨后，沖洗液控制部分110判定通過(guò)后表面噴嘴37的沖洗液的饋送開(kāi)始后是否經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間(步驟S105)。亦即，沖洗液控制部分110等待預(yù)定時(shí)間，該預(yù)定時(shí)間足夠允許沖洗液控制部分110確定已經(jīng)有足量的沖洗液被饋送至基板W的前、后表面。在判定未經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間(步驟S105:否)的情況下，沖洗液控制部分110重復(fù)步驟S105中的過(guò)程。另一方面，在根據(jù)本實(shí)施例的研磨方法中，當(dāng)沖洗液控制部分110判定已經(jīng)經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)(步驟S105:是)，基板W的外周部分被研磨(步驟S106)。研磨頭組合體IA研磨基板W的外周部分同時(shí)沖洗液R和沖洗液r正被饋送至基板W的前、后表面。
[0075]根據(jù)本實(shí)施例，首先，在前表面?zhèn)鹊臎_洗液R被饋送，并且經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間之后，在后表面?zhèn)鹊臎_洗液被饋送，如圖7B所示。因此，在基板W的前表面?zhèn)鹊臎_洗液R比在基板W的后表面?zhèn)鹊臎_洗液r先到達(dá)基板W的外周部分。因此，即使到達(dá)基板W的外周部分，在基板W的后表面的沖洗液r也可以被抑制環(huán)繞流動(dòng)至前表面?zhèn)取＿@樣抑制了附著于基板W的后表面的顆粒隨著在后表面上的沖洗液r被沖離并且環(huán)繞流動(dòng)至基板W的前表面?zhèn)榷廴净錡的前表面。即使當(dāng)基板吸附至保持臺(tái)時(shí)，BF (背膜)設(shè)置在基板W的后表面以防止基板W被損壞，附著于背膜的顆?？梢员灰种齐S著在后表面上的沖洗液r環(huán)繞流動(dòng)至前表面?zhèn)取?br> [0076]在本實(shí)施例中示意的實(shí)例中，在基板W的前表面?zhèn)鹊臎_洗液R到達(dá)基板W的外周部分后，在后表面?zhèn)鹊臎_洗液才被饋送。然而，本發(fā)明不局限于此。例如，沖洗液控制部分110可以在如下時(shí)刻饋送后表面?zhèn)鹊臎_洗液:在饋送至基板W的后表面的沖洗液r通過(guò)離心力到達(dá)基板W的外周部分之前，饋送至基板W的前表面的沖洗液R由離心力到達(dá)基板W的外周部分。
[0077]現(xiàn)在，將描述沖洗液控制部分110的控制實(shí)例。沖洗液控制部分110不僅能夠控制沖洗液的時(shí)刻，也可以通過(guò)后表面噴嘴37饋送流速低于通過(guò)前表面噴嘴36饋送的沖洗液的流速的沖洗液。這點(diǎn)將如下描述。
[0078]圖8是根據(jù)本實(shí)施例的研磨方法的另一個(gè)實(shí)例的流程圖。圖9是示意性地顯示根據(jù)本實(shí)施例的通過(guò)沖洗液控制部分的沖洗液的饋送的另一個(gè)實(shí)例的簡(jiǎn)圖。圖9A顯示沖洗液已經(jīng)被開(kāi)始饋送的狀態(tài)。圖9B顯示沖洗液的饋送開(kāi)始之后過(guò)了預(yù)定時(shí)間的狀態(tài)。
[0079]在根據(jù)本實(shí)施例的研磨方法的另一個(gè)實(shí)例中，首先，如圖8所示，保持基板的保持臺(tái)4被旋轉(zhuǎn)(步驟S201)。隨后，沖洗液控制部分110通過(guò)前表面噴嘴36饋送沖洗液R，同時(shí)通過(guò)后表面噴嘴37饋送沖洗液r (步驟S202)，沖洗液r的流速低于前表面?zhèn)鹊臎_洗液的流速。
[0080]該狀態(tài)如圖9A所示。如圖9A所示，沖洗液控制部分110在基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)通過(guò)前表面噴嘴36和后表面噴嘴37 —起饋送沖洗液R和r。這里，通過(guò)前表面噴嘴36饋送的沖洗液R的單位時(shí)間流速由α表示，通過(guò)后表面噴嘴37的沖洗液r的單位時(shí)間流速由β表示，沖洗液控制部分110饋送沖洗液R和r，使得α>β。流速α可以設(shè)置成等于流速β的幾倍至幾十倍。饋送至基板W的前表面和后表面的沖洗液R和r通過(guò)離心力朝向基板W的外周部分流動(dòng)，該離心力由基板W的旋轉(zhuǎn)引起。
[0081]隨后，沖洗液控制部分110判定通過(guò)前表面噴嘴36和后表面噴嘴37的沖洗液R和r的饋送開(kāi)始后是否已經(jīng)經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間(步驟S203)。亦即，沖洗液控制部分110等待預(yù)定時(shí)間，該預(yù)定時(shí)間足夠允許沖洗液控制部分110確定已經(jīng)有足量的沖洗液被饋送至基板W的前、后表面。在判定未經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)時(shí)間(步驟S203:否)的情況下，沖洗液控制部分110重復(fù)步驟S203中的過(guò)程。另一方面，在根據(jù)本實(shí)施例的研磨方法中，當(dāng)沖洗液控制部分110判定已經(jīng)經(jīng)過(guò)了預(yù)設(shè)時(shí)間時(shí)(步驟S203:是),基板W的外周部分被研磨(步驟S204)。研磨頭組合體IA研磨基板W的外周部分同時(shí)沖洗液R和沖洗液r正被饋送至基板W的前、后表面。
[0082]在本實(shí)施例的上述實(shí)例中，饋送至基板W的前表面?zhèn)鹊臎_洗液R比饋送至基板W的后表面?zhèn)鹊臎_洗液r的量更大，因此在前表面?zhèn)鹊臎_洗液R比在后表面?zhèn)鹊臎_洗液r更快速地朝向基板W的外周部分流動(dòng)。因此，如圖9B所示，在基板W的前表面?zhèn)鹊臎_洗液R比在基板W的后表面?zhèn)鹊臎_洗液r先到達(dá)基板W的外周部分。因此，即使到達(dá)基板W的外周部分，在基板W的后表面的沖洗液r也可以被抑制環(huán)繞流動(dòng)至前表面?zhèn)?。這樣抑制了附著于基板W的后表面的顆粒隨著在后表面上的沖洗液r被沖離并且環(huán)繞流動(dòng)至基板W的前表面?zhèn)榷廴净錡的前表面。即使當(dāng)基板吸附至保持臺(tái)時(shí)，BF (背膜)設(shè)置在基板W的后表面以防止基板W被損壞，附著于背膜的顆?？梢员灰种齐S著在后表面上的沖洗液r環(huán)繞流動(dòng)至前表面?zhèn)取?br> 【權(quán)利要求】
1.一種用于研磨基板的研磨方法，其特征在于，包括: 使臺(tái)旋轉(zhuǎn)，所述基板保持在所述臺(tái)上； 將液體饋送至所述基板的第一表面，所述基板的第一表面未保持在所述臺(tái)上； 在所述液體開(kāi)始饋送至所述基板的所述第一表面起經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間之后，將所述液體饋送至所述基板的第二表面，所述基板的第二表面保持在所述臺(tái)上；和 研磨所述基板的外周部分，并且所述液體被饋送至所述基板的所述第一表面和所述第二表面。
2.如權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，其中，饋送液體包括:在所述液體開(kāi)始饋送至所述基板的所述第一表面起經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間之后，將所述液體饋送至所述基板的所述第二表面，所述第二表面保持在所述臺(tái)上，從而在饋送至所述基板的所述第二表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)所述基板的外周部分之前，饋送至所述基板的所述第一表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)所述基板的外周部分。
3.如權(quán)利要求1或2所述的研磨方法，其特征在于，其中，使所述臺(tái)旋轉(zhuǎn)為:利用所述基板的所述第二表面的中心使所述臺(tái)旋轉(zhuǎn)，所述第二表面保持在所述臺(tái)上。
4.如權(quán)利要求1或2所述的研磨方法，其特征在于，其中 將液體饋送至所述基板的所述第一表面為:將所述液體饋送至所述基板的所述第一表面的中心部分；并且 將液體饋送至所述基板的所述第二表面為:將液體饋送至邊界部分，所述邊界部分位于所述基板的所述第二表面的保持在所述臺(tái)上的區(qū)域和所述基板的所述第二表面的未保持在所述臺(tái)上的區(qū)域之間。
5.如權(quán)利要求1或2所述的研磨方法，其特征在于，其中，所述液體是用于研磨所述基板的沖洗液。
6.一種用于研磨基板的研磨方法，其特征在于，包括: 使臺(tái)旋轉(zhuǎn)，所述基板保持在所述臺(tái)上； 將液體饋送至所述基板的第一表面上，所述基板的第一表面未保持在所述臺(tái)上； 將液體饋送至所述基板的所述第一表面，并且將液體以比饋送至所述基板的所述第一表面低的單位時(shí)間流速饋送至所述基板的第二表面；和 研磨所述基板的外周部分，并且所述液體被饋送至所述基板的所述第一表面和所述第二表面。
7.如權(quán)利要求6所述的研磨方法，其特征在于，其中，饋送液體包括:將液體饋送至所述基板的所述第一表面，并且將液體以比饋送至所述基板的所述第一表面低的單位時(shí)間流速饋送至所述基板的所述第二表面，從而在饋送至所述基板的所述第二表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)所述基板的外周部分之前，饋送至所述基板的所述第一表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)所述基板的外周部分。
8.如權(quán)利要求6或7所述的研磨方法，其特征在于，其中，使所述臺(tái)旋轉(zhuǎn)為:利用所述基板的所述第二表面的中心使所述臺(tái)旋轉(zhuǎn)，所述第二表面保持在所述臺(tái)上。
9.如權(quán)利要求6或7所述的研磨方法，其特征在于，其中 將液體饋送至所述基板的所述第一表面為:將所述液體饋送至所述基板的所述第一表面的中心部分；并且將液體饋送至所述基板的所述第二表面為:將液體饋送至邊界部分，所述邊界部分位于所述基板的所述第二表面的保持在所述臺(tái)上的區(qū)域和所述基板的所述第二表面的未保持在所述臺(tái)上的區(qū)域之間。
10.如權(quán)利要求6或7所述的研磨方法，其特征在于，其中，所述液體是用于研磨所述基板的沖洗液。
11.一種用于研磨基板的研磨設(shè)備，其特征在于，包括: 用于保持所述基板的臺(tái)； 用于使所述臺(tái)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部分； 第一噴嘴，所述第一噴嘴用于將液體饋送至所述基板的第一表面，所述第一表面未保持在所述臺(tái)上； 第二噴嘴，所述第二噴嘴用于將液體饋送至所述基板的第二表面，所述第二表面保持在所述臺(tái)上； 控制部分，所述控制部分用于在通過(guò)所述第一噴嘴的液體開(kāi)始饋送起經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間之后，通過(guò)所述第二噴嘴饋送液體；和 研磨部分，所述研磨部分用于研磨保持在所述臺(tái)上的所述基板的外周部分，并且所述控制部分將液體饋送至所述基板的所述第一表面和所述第二表面。
12.如權(quán)利要求11所述的研磨設(shè)備，其特征在于，其中，在通過(guò)所述第一噴嘴的液體開(kāi)始饋送起經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間之后，所述控制部分通過(guò)所述第二噴嘴饋送液體，從而在饋送至所述基板的所述第二表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)所述基板的外周部分之前，饋送至所述基板的所述第一表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)所述基板的外周部分。
13.如權(quán)利要求11或12所述的研磨設(shè)備，其特征在于，其中，所述臺(tái)被構(gòu)造成保持所述基板的所述第二表面的中心，所述第一噴嘴被構(gòu)造成將液體饋送至所述基板的所述第一表面的中心部分，并且所述第二噴嘴被構(gòu)造成將液體饋送至邊界部分，所述邊界部分位于所述基板的所述第二表面的保持在所述臺(tái)上的區(qū)域和所述基板的所述第二表面的未保持在所述臺(tái)上的區(qū)域之間。
14.如權(quán)利要求11或12所述的研磨設(shè)備，其特征在于，其中，所述液體是用于研磨所述基板的沖洗液。
15.一種用于研磨基板的研磨設(shè)備，其特征在于，包括:用于保持所述基板的臺(tái)； 用于使所述臺(tái)旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)部分； 第一噴嘴，所述第一噴嘴用于將液體饋送至所述基板的第一表面，所述第一表面未保持在所述臺(tái)上； 第二噴嘴，所述第二噴嘴用于將液體饋送至所述基板的第二表面，所述第二表面保持在所述臺(tái)上； 控制部分，所述控制部分用于通過(guò)所述第一噴嘴饋送液體，并且以比通過(guò)所述第一噴嘴饋送的液體低的單位時(shí)間流速通過(guò)所述第二噴嘴饋送液體；和 研磨部分，所述研磨部分用于研磨保持在所述臺(tái)上的所述基板的外周部分，并且所述控制部分將液體饋送至所述基板的所述第一表面和所述第二表面。
16.如權(quán)利要求15所述的研磨設(shè)備，其特征在于，其中，所述控制部分通過(guò)所述第一噴嘴饋送液體，并且以比通過(guò)所述第一噴嘴饋送的液體低的單位時(shí)間流速通過(guò)所述第二噴嘴饋送液體，從而在饋送至所述基板的所述第二表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)所述基板的外周部分之前，饋送至所述基板的所述第一表面的液體通過(guò)離心力到達(dá)所述基板的外周部分。
17.如權(quán)利要求15或16所述的研磨設(shè)備，其特征在于，其中，所述臺(tái)被構(gòu)造成保持所述基板的所述第二表面的中心，所述第一噴嘴被構(gòu)造成將液體饋送至所述基板的所述第一表面的中心部分，并且所述第二噴嘴被構(gòu)造成將液體饋送至邊界部分，所述邊界部分位于所述基板的所述第二表面的保持在所述臺(tái)上的區(qū)域和所述基板的所述第二表面的未保持在所述臺(tái)上的區(qū)域之間。
18.如權(quán)利要求15或16所述的研磨設(shè)備，其特征在于，其中，所述液體是用于研磨所述基板的沖洗液。
【文檔編號(hào)】B24B37/04GK103894919SQ201310732495
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】中西正行, 小寺健治, 谷中伸拓 申請(qǐng)人:株式會(huì)社荏原制作所