一種用于制備α_SiH膜的設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于制備α_SiH膜的設(shè)備，其特征在于：包括有真空室，在所述真空室內(nèi)設(shè)有基片安裝座，基片設(shè)置在所述基片安裝座上，在所述真空室上連接有Si2H6進(jìn)氣管，在所述的真空室上設(shè)有石英管，在所述的石英管上設(shè)有微波源，在所述石英管一端上設(shè)有H2進(jìn)氣管，在所述的真空室上設(shè)有真空泵連接管。本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本低，用于制備α_SiH膜的設(shè)備。
【專利說明】—種用于制備ct_SiH膜的設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于制備a_SiH膜的設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的用于制備a _SiH膜的設(shè)備其結(jié)構(gòu)相對比較復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。故有必要提供一種結(jié)構(gòu)簡單，投入成本低的用于制備a_SiH膜的設(shè)備，以滿足需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本低，用于制備a_SiH膜的設(shè)備。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案:
[0005]一種用于制備a_SiH膜的設(shè)備，其特征在于:包括有真空室，在所述真空室內(nèi)設(shè)有基片安裝座，基片設(shè)置在所述基片安裝座上，在所述真空室上連接有Si2H6進(jìn)氣管，在所述的真空室上設(shè)有石英管，在所述的石英管上設(shè)有微波源，在所述石英管一端上設(shè)有H2進(jìn)氣管，在所述的真空室上設(shè)有真空泵連接管。
[0006]如上所述的一種用于制備a _SiH膜的設(shè)備，其特征在于在所述的真空室上連接
有真空計(jì)。
[0007]如上所述的一種用`于制備a _SiH膜的設(shè)備，其特征在于所述基片安裝座設(shè)置在與所述石英管正對的位置上。
[0008]如上所述的一種用于制備a _SiH膜的設(shè)備，其特征在于所述的Si2H6進(jìn)氣管伸入所述真空室。
[0009]如上所述的一種用于制備a _SiH膜的設(shè)備，其特征在于在所述基片安裝座內(nèi)設(shè)有加熱器。
[0010]綜上所述，本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)其有益效果是:
[0011]本發(fā)明產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡單，生產(chǎn)成本相對較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步描述:
[0014]如圖1所示的一種用于制備a _SiH膜的設(shè)備，包括有真空室1，在所述真空室I內(nèi)設(shè)有基片安裝座2，基片3設(shè)置在所述基片安裝座2上，在所述真空室I上連接有Si2H6進(jìn)氣管4，在所述的真空室I上設(shè)有石英管5，在所述的石英管5上設(shè)有微波源6，在所述石英管5 —端上設(shè)有H2進(jìn)氣管7，在所述的真空室I上設(shè)有真空泵連接管8。
[0015]本發(fā)明中在所述的真空室I上連接有真空計(jì)9。所述基片安裝座2設(shè)置在與所述石英管5正對的位置上。所述的Si2H6進(jìn)氣管4伸入所述真空室I。在所述基片安裝座2內(nèi)設(shè)有加熱器10。
[0016]本發(fā)明裝置利用紫外線引起的Si2H6光致分解制備高質(zhì)量a_SiH膜。在這個(gè)裝置中由微波源激發(fā)引起的H2放電用著真空紫外線源，用稀釋的Si2H6作為反應(yīng)氣體源引入到靠近基片的真空室處，Si2H6/He和He流量分別保持在45SCCm和138sCCm。沉積過程中反應(yīng)室的總氣壓為270Pa，將Si片在30~300度之間沉積持續(xù)了 6小時(shí)。
[0017]本發(fā)明裝置真空紫外線可以在沒有任何吸收損失的條件下被直接引向窗口 ；在窗口處可避免薄膜沉積；沒有光線直接到達(dá)基片。
[0018]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征以及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效 物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制備a_SiH膜的設(shè)備，其特征在于:包括有真空室(1)，在所述真空室(I)內(nèi)設(shè)有基片安裝座(2)，基片(3)設(shè)置在所述基片安裝座(2)上，在所述真空室(I)上連接有Si2H6進(jìn)氣管(4)，在所述的真空室(I)上設(shè)有石英管(5)，在所述的石英管(5)上設(shè)有微波源(6)，在所述石英管(5)—端上設(shè)有H2進(jìn)氣管(7)，在所述的真空室(I)上設(shè)有真空泵連接管(8)，所述基片安裝座(2)設(shè)置在與所述石英管(5)正對的位置上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備a_SiH膜的設(shè)備，其特征在于在所述的真空室(I)上連接有真空計(jì)(9)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備a_SiH膜的設(shè)備，其特征在于所述的Si2H6進(jìn)氣管(4)伸入所述真空室(I)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備a_SiH膜的設(shè)備，其特征在于在所述基片安裝座(2)內(nèi)設(shè)有加熱器(10) 。
【文檔編號】C23C16/48GK103602957SQ201310552746
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月7日
【發(fā)明者】陳路玉 申請人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司