一種用于在Si片上沉積碳膜的設備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于：包括有放電管，在所述的放電管內設有基片安裝座，在所述基片安裝座內設有能加熱基片的加熱器，在所述的放電管上設有進氣管，在所述放電管上設有用于與抽真空裝置連接的連接管，在所述放電管外壁上套設有線圈。本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術中的不足之處，提供一種結構簡單，生產(chǎn)成本低，用于在Si片上沉積碳膜的設備。
【專利說明】一種用于在Si片上沉積碳膜的設備
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于在Si片上沉積碳膜的設備。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的用于在Si片上沉積碳膜的設備其結構相對比較用于在Si片上沉積碳膜的設備復雜，生產(chǎn)成本高。故有必要提供一種結構簡單，投入成本低的用于在Si片上沉積碳膜的設備，以滿足需求。

【發(fā)明內容】

[0003]發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術中的不足之處，提供一種結構簡單，生產(chǎn)成本低，用于在Si片上沉積碳膜的設備。
[0004]為了達到上述目的，發(fā)明采用以下方案:
[0005]一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于:包括有放電管，在所述的放電管內設有基片安裝座，在所述基片安裝座內設有能加熱基片的加熱器，在所述的放電管上設有進氣管，在所述放電管上設有用于與抽真空裝置連接的連接管，在所述放電管外壁上套設有線圈。
[0006]如上所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于在所述的進氣管上設有氣閥。
[0007]如上所述的一種`用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于所述基片垂直于放電管的管軸方向。
[0008]如上所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于所述的基片安裝座包括有沿放電管的管軸方向設置的底座，在所述底座端部上設有垂直于放電管的管軸方向設置的垂直安裝座，所述基片設置在所述垂直安裝座上。
[0009]綜上所述，發(fā)明相對于現(xiàn)有技術其有益效果是:
[0010]本發(fā)明產(chǎn)品結構簡單，生產(chǎn)成本相對較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明的示意圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結合【專利附圖】

【附圖說明】和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步描述:
[0013]如圖1所示的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，包括有放電管1，在所述的放電管I內設有基片安裝座2，在所述基片安裝座2內設有能加熱基片3的加熱器4，在所述的放電管I上設有進氣管5，在所述放電管I上設有用于與抽真空裝置連接的連接管6，在所述放電管I外壁上套設有線圈7。
[0014]本發(fā)明中在所述的進氣管5上設有氣閥8。所述基片3垂直于放電管I的管軸方向。所述的基片安裝座2包括有沿放電管I的管軸方向設置的底座21，在所述底座21端部上設有垂直于放電管I的管軸方向設置的垂直安裝座22，所述基片3設置在所述垂直安裝座22上。
[0015]本裝置利用SiH4的脈沖感應放電生長a _Si。脈沖等離子體由通入73KA的電流的螺線管線圈激發(fā)所產(chǎn)生，放電管充滿SiH4Ar氣體21%SiH4:79%Ar,薄膜沉積在與放電管相垂直的基片上，純SiH4以IOcm3Aiin速度引入，薄膜沉積在Si片上，基片垂直于管軸方向放置。
[0016]利用本發(fā)明裝置制備所得到的非晶碳膜的光學帶隙隨基片溫度和放電電壓的增加而減小。膜在紅外區(qū)透明，且與處于室溫的基片結合良好?？纱罅繎迷谔柲茈姵厣?。
[0017]以上顯示和描述了發(fā)明的基本原理和主要特征以及發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該了解，發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明發(fā)明的原理，在不脫離發(fā)明精神和范圍的前提下，發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保 護的發(fā)明范圍內。發(fā)明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【權利要求】
1.一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于:包括有放電管(1)，在所述的放電管(I)內設有基片安裝座(2 )，在所述基片安裝座(2 )內設有能加熱基片(3 )的加熱器(4 )，在所述的放電管(I)上設有進氣管(5 )，在所述放電管(I)上設有用于與抽真空裝置連接的連接管(6)，在所述放電管(I)外壁上套設有線圈(7)，在所述的進氣管(5)上設有氣閥(8)。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于所述基片(3)垂直于放電管(I)的管軸方向。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種用于在Si片上沉積碳膜的設備，其特征在于所述的基片安裝座(2)包括有沿放電管(I)的管軸方向設置的底座(21)，在所述底座(21)端部上設有垂直于放電管(I)的管軸方向設置的垂直安裝座(22)，所述基片(3)設置在所述垂直安裝座(22)上。
【文檔編號】C23C16/26GK103643216SQ201310549553
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月7日 優(yōu)先權日:2013年11月7日
【發(fā)明者】陳路玉 申請人:中山市創(chuàng)科科研技術服務有限公司