技術特征：
1.一種提高SiO2薄膜磁控濺射沉積速率方法，其特征在于：采用等離子體發(fā)射探測系統(tǒng)實時監(jiān)測中頻反應磁控濺射等離子體發(fā)射光譜，并根據檢測系統(tǒng)設定值將反應磁控濺射穩(wěn)定在過渡態(tài)任意工作點；氣體氛圍為：工藝氣體氬氣及反應氣體氧氣；工藝氣體置于孿生靶下方，反應氣體置于孿生靶上方；該方法需要使用一種在線監(jiān)測SiO2薄膜磁控濺射沉積速率裝置：陰極靶位采用孿生靶，電源采用中頻電源；孿生靶正上方為基材，距離100mm；等離子體發(fā)射探測裝置放置于真空腔室側壁，真空腔室內放置光纖探頭，等離子體發(fā)射光譜經由光纖傳送至腔室外等離子體發(fā)射探測裝置并由數據處理系統(tǒng)處理；其中，等離子體中的特征光譜強度表征濺射靶面的工作模式，以金屬模式濺射輝光強度為準，監(jiān)測特征光譜的強度變化反饋濺射靶表面中毒情況，響應速度靈敏的反應氣體流量控制器直接控制反應氣體流量大小，通過調節(jié)等離子體發(fā)射監(jiān)測系統(tǒng)設定值調節(jié)氧流量，將反應磁控濺射穩(wěn)定在過渡態(tài)任意工作點；Si靶材呈V形夾角布置。2.根據權利要求1所述的提高SiO2薄膜磁控濺射沉積速率方法，其特征在于：等離子體發(fā)射探測裝置可設置固定值，間接控制反應氣體流量并保持反應濺射穩(wěn)定在過渡態(tài)任意工作點。