用于原子層沉積和化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的使用點閥歧管的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于原子層沉積和化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的使用點閥歧管（POU閥歧管），其允許多個前體通過共同的出口被輸送到半導(dǎo)體處理室。該歧管可具有多個前體入口和清除氣體入口。該歧管可配置成使得當清除氣體按照路線通過該歧管時歧管中存在零死角，并且可以提供POU閥兩側(cè)交替的安裝位置。一個或多個內(nèi)部流動路徑容積可包括彎頭特征。
【專利說明】用于原子層沉積和化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的使用點閥歧管
相關(guān)申請的交叉引用
[0001]本申請根據(jù)35U.S.C§ 119 (e)要求美國臨時專利申請N0.61/660，606，題為“POINT OF USE VALVE MANIFOLD FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT，，于2012年6月15日申請的，代理檔案N0.N0VLP493P/NVLS003774P1和于2012年9月25日申請的題為“POINT OF USE VALVE MANIFOLD FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT”的美國專利申請N0.13/626，717，代理檔案N0.N0VLP493/NVLS003774的優(yōu)先權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用并入本文，并用于所有目的。
【背景技術(shù)】
[0002]在原子層沉積(ALD)工具中，多個前體可用于促進半導(dǎo)體晶片的制造工藝。前體在結(jié)合時可以形成沉積層。為了防止過早沉積，即，在引導(dǎo)到處理室的氣體或流體管路內(nèi)，前體可以保持彼此分開。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]公開的系統(tǒng)、方法 及設(shè)備每個都有一些創(chuàng)新方面，沒有單獨的一個全部提供本公開的所需屬性。本發(fā)明中所描述的主題的一個創(chuàng)新方面可以以多種方式來實現(xiàn)。
[0004]在一些實施方式中，可提供用于半導(dǎo)體加工工具中的閥歧管。所述閥歧管可包括歧管主體。所述閥歧管體可包括清除氣體入口，歧管出口，所述歧管出口位于所述歧管主體的第一側(cè)，第一閥接口，所述第一閥接口位于所述歧管主體的不同于所述第一側(cè)的第二側(cè)上，以及第二閥接口，所述第二閥接口位于所述歧管主體的不同于所述第一側(cè)和所述第二側(cè)的第三側(cè)上。所述第一閥接口和所述第二閥接口每個可以包括第一端口、第二端口、和第三端口。所述第一閥接口的所述第二端口可被配置為連接到第一處理氣體供給源，所述第一閥接口的所述第三端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第一流動路徑與所述第二閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角。所述第二閥接口的所述第二端口可與配置為連接到第二處理氣體供給源的接口流體連接，且所述第二閥接口的所述第三端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第二流動路徑與所述歧管出口流體連接，并沒有死角。
[0005]在一些進一步的實施方式中，所述清除氣體入口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第三流動路徑與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角。
[0006]在一些進一步的實施方式中，所述閥歧管還可以包括清除閥接口。所述清除閥接口可包括第一端口和第二端口。所述清除氣體入口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第三流動路徑與所述清除閥接口的所述第一端口流體連接，所述清除閥接口的所述第二端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第四流動路徑與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角。
[0007]在一些進一步的實施方式中，所述閥歧管還可以包括轉(zhuǎn)儲分流出口和轉(zhuǎn)儲分流閥接口。所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口可包括第一端口和第二端口。所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口的所述第一端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第五流動路徑與所述第二閥接口的所述第二端口流體連接，所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口的所述第二端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第六流動路徑與所述轉(zhuǎn)儲分流出口流體連接。
[0008]在一些進一步的實施方式中，所述歧管出口位于所述歧管主體的所述側(cè)，所述側(cè)可被配置為連接到半導(dǎo)體處理腔室的配合特征。
[0009]在一些進一步的實施方式中，由在基本垂直于所述第二側(cè)的方向上的所述第一閥接口的外邊界的凸起所定義的第一參考容積和由在基本垂直于所述第三側(cè)的方向上的所述第二閥接口的外邊界的凸起所定義的第二參考容積之間有可以有重疊。
[0010]在一些進一步的實施方式中，所述歧管主體還可包括一個或多個加熱器接口，每個接口配置為接受加熱裝置。在一些進一步的實施方式中，所述一個或多個加熱器接口可以是所述歧管主體內(nèi)的容器。
[0011]在一些實施方式中，可提供了一種輸送清除氣體、第一處理氣體和第二處理氣體到半導(dǎo)體加工工具的裝置。所述裝置可以包括閥歧管、第一閥和第二閥。所述閥歧管可包括歧管主體。所述歧管主體可包括清除氣體入口，歧管出口，所述歧管出口位于所述歧管主體的第一側(cè)，第一閥接口，所述第一閥接口位于所述歧管主體的不同于所述第一側(cè)的第二側(cè)上，以及第二閥接口，所述第二閥接口位于所述歧管主體的不同于所述第一側(cè)和所述第二側(cè)的第三側(cè)上。所述第一閥接口和所述第二閥接口每個可以包括第一端口、第二端口、和第三端口。所述第一閥接口的所述第二端口可被配置為連接到第一處理氣體供給源，所述第一閥接口的所述第三端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第一流動路徑與所述第二閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角。所述第二閥接口的所述第二端口可與配置為連接到第二處理氣體供給源的接口流體連接，且所述第二閥接口的所述第三端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第二流動路徑與所述歧管出口流體連接，并沒有死角。所述第一閥和所述第二閥的每一個包括閥主體，包括第一閥端口、第二閥端口和第三閥端口的歧管接口區(qū)域，在打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)之間可移動的閥機構(gòu)。當所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)下時，所述第一閥端口都可與所述第三閥端口流體連接，且當所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)下時，所述第二閥端口可與所述第一閥端口和所述第三閥端口流體連接，且當所述閥機構(gòu)處于關(guān)閉狀態(tài)下時可能無法與所述第一閥端口和所述第三閥端口流體連接。所述第一閥的所述第一閥端口可與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接，所述第一閥的所述第二閥端口可與所述第一閥接口的所述第二端口流體連接，所述第一閥的所述第三閥端口可與所述第一閥接口的所述第三端口流體連接，所述第二閥的所述第一閥端口可與所述第二閥接口的所述第一端口流體連接，所述第二閥的所述第二閥端口可與所述第二閥接口的所述第二端口流體連接，并且所述第二閥的所述第三閥端口可與所述第二閥接口的所述第三端口流體連接。
[0012]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，所述裝置也可包括提供所述第一閥的所述第一閥端口和所述第一閥接口的所述第一端口之間的密封的第一墊圈，提供所述第一閥的所述第二閥端口和所述第一閥接口的所述第二端口之間的密封的第二墊圈，提供所述第一閥的所述第三閥端口和所述第一閥接口的所述第三端口之間的密封的第三墊圈，提供所述第二閥的所述第一閥端口和所述第二閥接口的所述第一端口之間的密封的第四墊圈，提供所述第二閥的所述第二閥端口和所述第二閥接口的所述第二端口之間的密封的第五墊圈，以及提供所述第二閥的所述第三閥端口和所述第二閥接口的所述第三端口之間的密封的第六墊圈。[0013]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，所述第一墊圈、所述第二墊圈、所述第三墊圈、所述第四墊圈、所述第五墊圈、和所述第六墊片每個可選自C密封件、W密封和彈性密封件。
[0014]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，所述清除氣體入口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第三流動路徑與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角。
[0015]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，所述閥歧管還可以包括清除閥接口。所述清除閥接口可包括第一端口和第二端口。所述清除氣體入口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第三流動路徑與所述清除閥接口的所述第一端口流體連接，所述清除閥接口的所述第二端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第四流動路徑與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角。
[0016]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，所述閥歧管還可以包括轉(zhuǎn)儲分流出口和轉(zhuǎn)儲分流閥接口。所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口可包括第一端口和第二端口。所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口的所述第一端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第五流動路徑與所述第二閥接口的所述第二端口流體連接，并且所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口的所述第二端口可通過所述歧管主體內(nèi)部的第六流動路徑與所述轉(zhuǎn)儲分流出口流體連接。
[0017]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，所述歧管出口位于所述歧管主體的所述偵牝所述側(cè)可被配置為與半導(dǎo)體處理腔室上的匹配特征匹配。
[0018]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，由在基本垂直于所述第二側(cè)的方向上的所述第一閥接口的外邊界的 凸起所定義的第一參考容積和由在基本垂直于所述第三側(cè)的方向上的所述第二閥接口的外邊界的凸起所定義的第二參考容積之間可以有重疊。
[0019]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，所述歧管主體還可包括一個或多個加熱器接口，每個接口配置為接受加熱裝置。在一些進一步的實施方式中，所述一個或多個加熱器接口可以是所述歧管主體內(nèi)的容器。
[0020]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，當所述第一閥的所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)，并且所述第二閥的所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)下時，相應(yīng)地，所述歧管主體內(nèi)的所述第一流動路徑可包括大于通過所述第一閥的最大第一限流或通過所述第二閥的最大第二限流的限流。
[0021]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，當所述第一閥的所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)，并且所述第二閥的所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)下時，相應(yīng)地，所述歧管主體內(nèi)的所述第二流動路徑可包括大于通過所述第一閥的最大第一限流或通過所述第二閥的最大第二限流的限流。
[0022]在一些進一步的所述裝置的實施方式中，所述裝置可包括配置為監(jiān)測所述歧管主體的溫度的溫度傳感器。
[0023]在下面的附圖和描述中闡述了本說明書中描述的主題的一個或多個實施方式的詳情。根據(jù)【具體實施方式】、附圖和權(quán)利要求，其它特征，方案和優(yōu)點將變得明顯。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1A示出了支持兩種前體的示例性使用點(POU:point-of-use)閥歧管,清除/載體氣體源，前體轉(zhuǎn)儲分流和出口的偏角圖。[0025]圖1B示出了具有連接商業(yè)成品組件(COT)閥的圖1A的POU閥歧管。
[0026]圖1C示出了圖1A的示例性POU閥歧管的內(nèi)部流動路徑容積。
[0027]圖1D示出了圖1A的示例性POU閥歧管的變化形式的內(nèi)部流動路徑容積。
[0028]圖1E示出了圖1A的示例性POU閥歧管的不同偏角的視圖。
[0029]圖1F示出了具有連接COTS閥的圖1A的示例性POU閥歧管。
[0030]圖1G示出了圖1A的示例性POU閥歧管的內(nèi)部流動路徑的容積。
[0031]圖1H示出了圖1A的示例性POU閥歧管的內(nèi)部流動路徑容積，以及與伴隨著前體轉(zhuǎn)儲分流的清除循環(huán)相關(guān)的流動路徑。
[0032]圖1I示出了圖1A的示例性POU閥歧管的內(nèi)部流動路徑容積，以及與伴隨著第二前體轉(zhuǎn)儲分流的第一前體輸送循環(huán)相關(guān)的流動路徑。
[0033]圖1J示出了圖1A的示例性POU閥歧管的內(nèi)部流動路徑容積，以及與第二前體的輸送循環(huán)相關(guān)聯(lián)的流動路徑。
[0034]圖1K示出了圖1A的示例性POU閥歧管的內(nèi)部流動路徑容積，以及與第一前體的輸送循環(huán)相關(guān)聯(lián)的流動路徑。
[0035]圖1L示出了圖1A的示例性POU閥歧管的第三視圖。
[0036]圖1M示出了圖1A的具有與描繪的兩個閥接口相關(guān)的凸起的容積的示例性POU閥歧管的視圖。
[0037]圖2A示出了支持6種前體和連接有POU閥的一個出口的示例性使用點閥(P0U閥)歧管的偏離角視圖。
[0038]圖2B示出了不連接有COT閥的圖2A的示例性POU閥歧管。
[0039]圖2C示出了不連接有COT閥的圖2A的示例性POU閥歧管的隱藏線的視圖。
[0040]圖2D示出了圖2A的示例性POU閥歧管200的內(nèi)部流動路徑容積。
[0041]圖2E示出圖2D的示例性POU閥歧管的內(nèi)部流動路徑容積，其具有連接到前體入口和出口以便更容易地觀看的擴大容積。
[0042]圖2F顯示了具有額外流動路徑容積的圖2E的內(nèi)部流動路徑容積，該額外流動路徑容積代表連接到歧管的閥內(nèi)部的流動并演示了清除循環(huán)。
[0043]圖2G顯示了圖2E的具有額外流動路徑容積的內(nèi)部流動路徑容積,該額外流動路徑容積代表連接到歧管的閥內(nèi)部的流動并演示了第一前體的輸送循環(huán)。
[0044]圖2H顯示了具有額外流動路徑容積的圖2E的內(nèi)部流動路徑容積，該額外流動路徑容積代表連接到歧管的閥內(nèi)部的流動并演示了第二前體的輸送循環(huán)。
[0045]圖21顯示了具有額外流動路徑容積的圖2E的內(nèi)部流動路徑容積，該額外流動路徑容積代表連接到歧管的閥內(nèi)部的流動并演示了第三前體的輸送循環(huán)。
[0046]圖2J顯示了具有額外流動路徑容積的圖2E的內(nèi)部流動路徑容積，該額外流動路徑容積代表連接到歧管的閥內(nèi)部的流動并演示了第四前體的輸送循環(huán)。
`[0047]圖2K顯示了具有額外流動路徑容積的圖2E的內(nèi)部流動路徑容積，該額外流動路徑容積代表連接到歧管的閥內(nèi)部的流動并演示了第五前體的輸送循環(huán)。
[0048]圖2L顯示了具有額外流動路徑容積的圖2E的內(nèi)部流動路徑容積，該額外流動路徑容積代表連接到歧管的閥內(nèi)部的流動并演示了第六前體的輸送循環(huán)。
[0049]圖1A到圖2L通過按比例繪制(雖然POU閥容積和擴展容積流量可能并不代表實際流量容積的大小或形狀)。
【具體實施方式】
[0050]本文所公開的技術(shù)和裝置，可以多種方式實施，包括，但不限于，以下描述的各種實施方式。應(yīng)當理解，在本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員可以使用本文所描述的技術(shù)和裝置，以產(chǎn)生符合本文所公開的信息的其他實施方式，并且這些替代實施方式也應(yīng)被認為在本公開的范圍內(nèi)。
[0051]圖1A示出了支持兩種前體的示例性使用點(POU)閥歧管100的偏角圖。閥歧管100包括歧管體102，例如，如不銹鋼等材料的塊，并包括用于輸送氣體或流體到不同的目的地的內(nèi)部通道，包括清除/載體氣體源，前體轉(zhuǎn)儲分流，和出口?？梢钥闯?，例如，可提供歧管出口 106通過噴頭或氣體分配歧管連接到半導(dǎo)體處理室。還示出了第一前體的第一處理氣體供給入口 118、第二前體的第二處理氣體供給入口 122、和清除氣體入口 104。與第二處理氣體供給入口 122相關(guān)聯(lián)的轉(zhuǎn)儲分流出口 136也是可見的。在閥歧管100的頂表面上兩個C-密封表面也是可見的。在這種特定的設(shè)計中，高流量C-密封件用于密封閥接口。然而，也可以使用與設(shè)計要求一致的其他密封技術(shù)，包括，但不限于，1.125’’標準C-密封件、W-密封件、彈性密封件等。這里顯示的結(jié)構(gòu)被配置為允許一個2通閥和一個3通閥能安裝在歧管的頂表面。3通閥可以被安裝到可包括第一端口 110、第二端口 112和第三端口 114的第二閥接口 116 (下面描述了第一閥接口，但在此視圖中是不可見的)。2通閥可安裝到可包括第一端口 130和第二端口 132的清除閥接口 128。
[0052]圖1B顯示具有連接的閥的圖1A的POU閥歧管100。也可使用COTS閥或定制的2通或3通膜或類似的閥?？梢?，例如，通過將第一閥148連接到第一閥接口(在此視圖中不可見)，將第二閥160連接到第二閥接口，將清除閥172連接到清除閥接口 128，將排料閥174連接到轉(zhuǎn)儲分流接口(在此視圖中不可見)形成閥歧管裝置146。
[0053]圖1C示出圖1A的示例 性POU閥歧管100的內(nèi)部流動路徑容積?？梢钥闯?，歧管的內(nèi)部流動路徑在其中都具有彎管。雖然在這些歧管中并不是每一個內(nèi)部流動路徑都需要彎管，歧管內(nèi)部的至少一些彎管的使用使得閥能被安裝在非常密集的包裝配置中。假如POU閥歧管可安裝在非常鄰近于半導(dǎo)體處理工具的噴頭，且在這樣的位置中的空間約束可能會嚴重限制這些歧管的大小，這可能具有特別的好處。雖然未示出閥的流動路徑容積，但橢圓形陰影區(qū)域表示閥V1-V4可被連接到歧管內(nèi)部的流動路徑容積的區(qū)域。在這個特定的實施方式中，流動路徑的標稱直徑為約0.3’ ’。彎頭的使用也允許有減小的內(nèi)部容積，并從而有減小的清除容積。由于在每次清除循環(huán)中清除較少的處理氣體，因而這降低了運行成本。
[0054]在圖1C中可見清除氣體入口 104、歧管出口 106、第一處理氣體供給入口 118、和第二處理氣體供給入口 122。在圖1C中還可以看到表示通過閥歧管100支撐的各種閥接口的陰影區(qū)域(該陰影區(qū)域是用來表示包含于每個閥接口中端口的群集一該閥接口例如，密封件、安裝特征等，其可實際上是較大的和具有與陰影區(qū)域示出的形狀不同的形狀)?？梢钥闯?，第一閥接口 108是可見的，同樣可見的是轉(zhuǎn)儲分流閥接口 138 (這些在之前的圖中被歧管主體102遮蔽)。第一閥接口 108可類似于第二閥接口 116，包括第一端口 110、第二端口112、第三端口 114、和轉(zhuǎn)儲分流閥接口 138，類似于清除閥接口 128，可包括第一端口 130和第二端口 132。將在下面討論在圖1C中的可見的各種端口之間的各種互連件。[0055]第一閥接口 108的第三端口 114可通過第一流動路徑120與第二閥接口 116的第一端口 Iio流體連接(第一流動路徑120可從不同的角度在以后的圖中更清楚可見)。第二流動路徑124可將第二閥接口 116的第三端口 114與歧管出口 106流體連接。第三流動路徑126可將清除閥接口 128的第一端口 130與清除氣體入口 104流體連接，并且第四流動路徑134可將清除閥接口 128的第二端口 132與第一閥接口 108的第一端口 110流體連接。最后，第五流動路徑140可將第二閥接口 116的第二端口 112與第二處理氣體供給入口 122流體連接，并通過排出口(spur)，轉(zhuǎn)儲分流閥接口 138的第一端口 130，和第六流動路徑142將轉(zhuǎn)儲分流閥接口 138的第二端口 132與轉(zhuǎn)儲分流出口 136流體連接。
[0056]圖1D描繪了 POU閥歧管沒有轉(zhuǎn)儲分流特征但有分支歧管清除閥的替代的內(nèi)部流動路徑配置。因此，在所描述的變化中，第三流動路徑126直接流體連接清除氣體入口 104與第一閥接口 108的第一端口 110。在這樣的實施方式中，可以通過分支歧管閥提供清除氣體的流量控制。此外，第五流動路徑140不包括轉(zhuǎn)儲分流閥接口的排出口。提供此替代的配置僅僅是為了說明可能存在與本公開所提供的相符合的閥接口和流動路徑的許多替代的排列，且這些應(yīng)該應(yīng)被視為在本公開的范圍內(nèi)。
[0057]現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖1E，其顯示了顯示閥歧管100的“背部”的角度(應(yīng)當理解的是，術(shù)語“背部”被簡單地用來指在以前的圖中是不可見的閥歧管100的表面)的圖1A至圖1C的閥歧管100，很明顯，閥/閥的接口可以交替交錯的方式被安排在歧管的兩個不同面上。例如，第二閥接口 116和清除閥接口 128在歧管的“頂部”面上，且第一閥接口 108和轉(zhuǎn)儲分流閥接口 138在閥歧管100的“背部”面上。從圖1E中也很明顯看到，閥接口沿閥歧管100的長軸彼此重疊，這允許閥歧管100能支持比正常封裝尺寸較小的封裝尺寸。由于這種交替閥的布置，在某些情況下彎頭的使用可能是需要的，以“轉(zhuǎn)動”兩個相鄰的POU閥之間的角落。彎管可以是直的，例如，從V2到第一前體入口的垂直彎管，或例如，連接Vl和V2的有些角度的垂直彎管或V2和V3之間的有角度的彎管。除了減少歧管和POU閥外部空間的包絡(luò)以外，圖繪的配置還提供了在歧管內(nèi)減少的流動路徑容積。這減少了在每次清除循環(huán)期間必須被清除的(被浪費的)前體氣體的量，從而增加了工藝的消耗效率。這種設(shè)計的另一個有利的方面是，由于較低的清除容積導(dǎo)致清除所需的時間較少，晶片產(chǎn)量增加。此外，由于內(nèi)部容積減少，在給定的清除循環(huán)時間期間前體氣體可以以更高的效率去除，從而導(dǎo)致歧管保持更干凈，即，在歧管內(nèi)的殘`余前體的混合和反應(yīng)的機會降低。
[0058]圖1F顯示了與圖1B所示的相同的閥歧管裝置146，但是從圖1E中使用的角度來看的。類似地，圖1G示出了圖1C的閥歧管100的內(nèi)部流動路徑的容積，但是是從圖1E和IF所用角度來看的。圖1H到IL示出了在閥操作的各種狀態(tài)過程中的圖1G中所示的流動路徑容積。
[0059]在圖1H到IL中，除了歧管的所示的流動路徑以外，還示出了一些閥的流動路徑容積。閥的流動路徑容積可能并不代表實際的流動路徑形狀或尺寸(例如，3通閥可以有環(huán)形流動路徑，其甚至當閥關(guān)閉時，流體連接3通閥的第一端口和第三端口，當三通閥被打開時繞過3通閥的第二端口，可打開膜片閥，并流體連接3通閥的第二端口與所述環(huán)形流動路徑)，但僅僅是用作比喻性輔助示圖。對于2通POU閥，當閥處于關(guān)閉狀態(tài)時通過閥的流動完全停止。在前面的圖中所示的清除閥和轉(zhuǎn)儲分流閥都是2通POU閥。在前面的圖中所示的第一閥和第二閥都是3通閥，在3通閥中氣體可以總是在兩個外部端口之間流動，并當3通閥打開時只能流入中間的端口。在圖1H到IL中，在其上具有“X”的閥接口中終止的流動路徑容積是“關(guān)閉”的。
[0060]圖1H描繪了在清除狀態(tài)的閥歧管100。在圖1H中的清除氣體的流量流經(jīng)清除閥、第一閥和第二閥，并通過歧管出口 106排放到，例如，如用白色箭頭所示的流動路徑所指示的半導(dǎo)體處理室進口?？梢钥闯?，對于清除氣體在流動路徑中存在零“死角”，所以被困在清除氣體的流動路徑中的來自所述第一前體入口或第二前體入口的任何氣體將通過清除氣體的引入被清除出閥歧管100。死角一般指的是氣體或流體流動系統(tǒng)的實質(zhì)容積，其可允許死角“上游”的氣體或流體從系統(tǒng)中抽空，而在死角中的氣體或流體仍然保留在系統(tǒng)中，例如，基本上是停滯的。
[0061]當發(fā)生清除循環(huán)時，引導(dǎo)第二前體通過轉(zhuǎn)儲分流閥172進入轉(zhuǎn)儲分流，從而可保持第二前體(黑色箭頭所示)在流動的狀態(tài)下。這允許即使當?shù)诙绑w還沒有被輸送到室時第二前體的流動能夠繼續(xù)，從而允許第二前體輸送能夠使用流量控制器或其它控制機制增加精度和控制，該控制器或其它控制機制在連續(xù)流動模式下工作良好，但在高頻循環(huán)模式下，或是由于在所需的時間范圍不能測量性、可靠性、或兩者，運行不良好(例如，對瞬時流量行為具有高靈敏度的控制器)。
[0062]圖1I示出示例性的閥歧管100的內(nèi)部流動路徑容積，以及與伴隨著第二前體轉(zhuǎn)儲分流的第一前體輸送循環(huán)相關(guān)的流動路徑?？梢钥闯?，清除閥172已經(jīng)被關(guān)閉(由清除閥接口 128的第一端口 130和第二端口 132上的X表示)且第三流動路徑容積126和第四流動路徑容積134已通過該關(guān)閉彼此密封。另外，第一閥被打開，允許所述第一處理氣體從第一處理氣體供給入口 118自由流動到第一閥接口 108的第三端口 114，通過第一流動路徑120，流出第二閥接口 116的第一端口 110，進入第二閥接口 116的第三端口 114，并通過歧管出口 106 (該圖中的白色箭頭表示)流出。如在圖1H中，排料閥174是打開的，使第二前體能流入轉(zhuǎn)儲分流(由黑色 箭頭表示)。但是應(yīng)當理解的是，在這種流動狀態(tài)下，第四流動路徑134作為第一處理氣體可以流入的死角，參照圖1H所討論的，在將第二處理氣體引入閥歧管100之前，用清除操作清除第四流動路徑134可能是可取的。
[0063]圖1J顯示了閥歧管100的內(nèi)部流動路徑容積和與第二前體的輸送循環(huán)有關(guān)的流動路徑(黑色箭頭所示)。在圖1J中，除了第二閥以外的所有的閥已經(jīng)被關(guān)閉，允許第二前體被輸送到該室，同時防止清除氣體或第一處理氣體的輸送。在這種流動狀態(tài)下，應(yīng)當理解的是，例如，通過導(dǎo)致轉(zhuǎn)儲分流閥接口 138的第一端口 130的第五流動路徑140，以及第一流動路徑120和第四流動路徑134 (以及清除閥、排料閥、第一閥和部分的第二閥的內(nèi)部)的排出口關(guān)閉(spur off)，可能形成死角。第二處理氣體可以流入這些死角，參照圖1H所討論的，在將其它處理氣體引入閥歧管100之前，用清除操作清除這些流動路徑可能是可取的。
[0064]圖1K顯示了閥歧管100的內(nèi)部流動路徑容積和與第一前體的輸送循環(huán)有關(guān)的流動路徑(白色箭頭所示)。在圖1K中，除了第一閥以外的所有的閥已經(jīng)被關(guān)閉。第一閥允許第一處理氣體氣體通過第一流動路徑120被輸送到該室。在這種流動狀態(tài)下，排料閥被關(guān)閉，防止第二處理氣體的流通。
[0065]如上面所討論的，應(yīng)當理解的是，在前體輸送過程中前體的一些流動可在歧管的“死角”發(fā)生；這些氣體的流動在上述圖中未用箭頭示出。由于所有這些死角在清除氣體流動路徑中，因此當清除循環(huán)開始且使清除氣體流動通過這些死角時，任何進入死角的這樣的前體氣體流動將被沖出。
[0066]圖1L描述了閥歧管100的“底面”的偏離角視圖。在圖1L中可見三個加熱器接口，其可包括，例如，被配置為接收筒式加熱器元件的孔和被配置為接收保留加熱器元件在容器內(nèi)的緊固件相鄰的固定螺絲孔。在圖1L中還可以看到熱電偶接口 170，其可用于安裝熱電偶以用于監(jiān)測閥歧管100的溫度。替代地，也可使用其它溫度傳感技術(shù)，例如，熱敏電阻。
[0067]圖1M描繪了根據(jù)圖1E (省略了許多特征)中所用的角度的閥歧管100的簡化視圖。然而，示出了第一閥接口 108和第二閥接口 116。還示出了在基本上垂直于相應(yīng)的閥接口區(qū)域的方向上由閥接口區(qū)域的凸起定義的參考容積。可以看出，由于沿著閥歧管的軸的閥接口的重疊，由第一閥接口 108的凸起所限定的第一參考容積162，和由第二閥接口 116的凸起所限定的第二參考容積164，相交于凸起參考容積的容積重疊116中。
[0068]圖2A示出了支持6個前體和一個出口的示例性POU閥歧管裝置246的偏離角視圖?？梢钥闯?，該實施方式具有比上面討論的版本更多數(shù)量的閥。該實施方式也不包括轉(zhuǎn)儲分流。顯示了清除氣體入口 204 (雖然沒有連接接頭)，也描繪了清除閥272、第一閥248、第二閥260、第三閥284、第四閥286、第五閥288，和第六閥290。
[0069]圖2B示出不附加任何閥的圖2A的示例性閥歧管200。圖2C示出了不附加任何閥的圖2A的示例性閥歧管200的隱藏線的視圖。可以看出，在該實施方式中的閥被布置成使其端口排列成線；如果包裝限制需要，可使用具有一些端口排列彼此垂直的配置，如具有圖1A中的清除閥接口 128和第二閥接口 116的配置。
[0070]在圖2B和2C中還可以看到具有第一端口 230和第二端口 232的清除閥接口 228、以及第一閥接口 208、第二閥接口 216、第三閥接口 276、第四閥接口 278、第五閥接口 280、和第六閥接口 282，每個閥具有第一端口 210、第二端口 212、第三端口 214。
[0071]在圖2C中還可以看到分類的流動路徑。例如，第一流動路徑220可流體連接第一閥接口 208的第三端口 214與第二閥接口 216的第一端口 210。第二流動路徑224可流體地連接第六閥接口 282的第二端口 212與歧管出口 206。第三流動路徑226可流體連接清除閥接口 228的第一端口 230與清除氣體入口 204。第四流動路徑可流體連接第一閥接口208的第一端口 210與清除閥接口 228的第二端口 232。如圖2C所示，額外的流動路徑可流體連接相鄰的閥的第一端口 210和第三端口 214。
[0072]圖2D示出了圖2A的示例性閥歧管200的內(nèi)部流動路徑容積。圖2E示出圖2A的具有連接到前體入口和出口以便更容易觀看的擴展容積的示例性POU閥歧管的內(nèi)部流動路徑容積。
[0073]圖2F示出圖2E的具有類似于圖1H中所示的代表連接到歧管的閥內(nèi)流動并展示清除循環(huán)的額外的流動路徑容積的內(nèi)部流動路徑容積。可以看出，在清除循環(huán)中，第一閥248、第二閥260、第三閥284、第四閥286，第五閥288、和第六閥290都處于“關(guān)閉”狀態(tài)，而清除閥272處于打開狀態(tài)，這使清除氣體(白色箭頭)能從清除氣體入口 204流入，通過第四流動路徑234、第一流動路徑220，等等，直到它到達歧管出口 206。但是應(yīng)當理解的是，如同圖1H中所示的閥的流動路徑容積，在圖2F至2L所示的閥的流動路徑容積是概念性的容積，且這種容積的實際的形狀和大小可以不同于所示的這樣的容積。
[0074]圖2G顯示了圖2E的內(nèi)部的流動路徑容積并演示了第一處理氣體的輸送循環(huán)?？梢钥闯?，在第一處理氣體輸送循環(huán)中，清除閥272，第二閥260、第三閥284、第四閥286、第五閥288、和第六閥290都處于“關(guān)閉”狀態(tài)，而第一閥248處于打開狀態(tài)，這使第一處理氣體(白色箭頭)能從所述第一處理氣體供給入口 218流入，通過所提供的流動路徑，直到它到達歧管出口 206。
[0075]圖2H顯示了圖2E的內(nèi)部的流動路徑容積并演示了第二處理氣體的輸送循環(huán)。可以看出，在第二處理氣體輸送循環(huán)中，清除閥272、第一閥248、第三閥284、第四閥286、第五閥288、和第六閥290都處于“關(guān)閉”狀態(tài)，而第二閥260處于打開狀態(tài)，這使所述第二處理氣體(白色箭頭)能從所述第二處理氣體供給入口 222流入，通過所提供的流動路徑，直到它到達歧管出口 206。
[0076]圖21顯示了圖2E的內(nèi)部的流動路徑容積，并演示了第三處理氣體的輸送循環(huán)。可以看出，在第三處理氣體輸送循環(huán)中，清除閥272、第一閥248、第二閥260、第四閥286、第五閥288、和第六閥290都處于“關(guān)閉”狀態(tài)，而第三閥284處于打開狀態(tài)，這使所述第三處理氣體(白色箭頭)能從第三處理氣體供給入口 292流入，通過所提供的流動路徑，直到它到達歧管出口 206。
[0077]圖2J顯示了圖2E的內(nèi)部的流動路徑容積，并演示了第四處理氣體的輸送循環(huán)。可以看出，在第四處理氣體輸送循環(huán)中，清除閥272、第一閥248、第二閥260、第三閥284、第五閥288、和第六閥290都處于“關(guān)閉”狀態(tài)，而第四閥286處于打開狀態(tài)，這使第四處理氣體(白色箭頭)能從第四處理氣體供給入口 294流入，通過所提供的流動路徑，直到它到達歧管出口 206。
[0078]圖2K顯示了圖2E的內(nèi)部的流動路徑容積，并演示了第五處理氣體的輸送循環(huán)?？梢钥闯觯诘谖逄幚須怏w輸送循環(huán)中，清除閥272、第一閥248、第二閥260、第三閥284、第四閥286、和第六閥290都處于“關(guān)閉”狀態(tài)，而第五閥288處于打開狀態(tài)，這使第五處理氣體(白色箭頭)能從第五處理氣體供給入口 296流入，通過所提供的流動路徑，直到它到達歧管出口 206。
[0079]圖2L顯示了圖2E的內(nèi)部的`流動路徑容積，并演示了第六處理氣體的輸送循環(huán)?？梢钥闯觯诘诹幚須怏w輸送循環(huán)中，清除閥272、第一閥248、第二閥260、第三閥284、第四閥286、和第五閥288都處于“關(guān)閉”狀態(tài)，而第六閥290處于打開狀態(tài)，這使第五處理氣體(白色箭頭)能從第六處理氣體供給入口 298流入，通過所提供的流動路徑，直到它到達歧管出口 206。雖然上述圖已經(jīng)描述了在單氣體輸送的背景中歧管操作的背景，應(yīng)理解，如果從處理化學(xué)的角度來看，允許增加處理時間和減少清除時間，也可同時輸送多種處理氣體。
[0080]本文所描述的POU閥歧管可以兩種模式中的任一種中使用。在第一種中，或隔離模式下，每個前體氣體可被引入到所述室，通過歧管然后有意清除，接著引入下一前體通過歧管(脈沖-清除-脈沖-清除行為)。這防止歧管內(nèi)前體的任何混合，并使在沒有任何添加的稀釋劑的室中所需的純的前體氣體的能按順序運行(由于缺乏飽和的ALD步驟或晶片厚度的非均勻性的原因]。在第二種或連續(xù)模式下，可連續(xù)地提供載氣(例如也可以是如用于清除歧管的氣體)通過清除入口，而該前體氣體依次引入到流動通過歧管的氣體。當可以耐受添加的稀釋劑時和/或當閥歧管有兩個出口，每個引導(dǎo)到在室中的雙增壓室氣體分配歧管/噴頭上獨立的部分時，這樣的模式進行工作。
[0081]例如，也可能反過來使用這里所描述的POU閥歧管，以允許單個的處理氣體入口用作多個出口，例如，使用歧管出口作為處理氣體入口，并使用處理氣體入口作為歧管出□。
[0082]POU閥歧管可由不銹鋼或其它金屬制備，其它金屬如VIM VAR，A0D/VAR，或Hastelloy材料。在一些實施方式中，POU閥可以用鋁制成，該鋁在暴露于氟基的前體或清潔劑時鈍化為氟化鋁。在某些其他實施方式中，歧管可以由陶瓷制成，例如，氧化鋁。在一些實施方式中，歧管，或至少是內(nèi)部的流動通路，可涂覆有如氟化釔(YF3)等涂層。
[0083]根據(jù)歧管單元上所用的材料，可采用各種密封的選用件以密封POU閥到歧管?？墒褂酶鞣N表面安裝密封技術(shù)(例如，金屬C或W密封)來密封POU閥和歧管之間的接口。但是，在鋁歧管中，可代替使用彈性密封件。
[0084]在一些實施方式中，歧管可包括加熱器插入件的插座。該加熱器插入件可以位于接近前體入口，以保持前體在升高的溫度，并防止歧管內(nèi)的冷凝。該歧管還可以包括用于監(jiān)測歧管的溫度的熱電偶的插座。圖1L描繪了加熱器插入孔的位置和圖1A所示的歧管上的熱電偶安裝的位置。
[0085]在一些實施方式中，歧管可包括可以內(nèi)嵌到歧管或可拆卸地插入到歧管的限流器。這樣的限流器可被配置為流量限制小于POU閥的流量限制。以這種方式，限流器可作為在歧管組件中的最大限制的扼流點。如果POU閥是最大限制的扼流點，那么避免可能出現(xiàn)的流量限制變化是可取的。這在用共同的前體源的多個POU閥歧管的實施方式中可能是特別有用的，且匹配每個POU閥歧管中流出的流量是必要的。
[0086]在一些實施方式中，前體氣體可通過閥控制以使得前體氣體可引到泵，而不是通過歧管。這樣的實施方式可涉及POU閥歧管外部的管道。
[0087]本發(fā)明的另一個方面是一種配置成利用本文所描述POU閥歧管的裝置。合適的裝置可以包括一個或多個如上所述的POU閥歧管，以及系統(tǒng)控制器，系統(tǒng)控制器具有用于控制這些歧管的POU閥的指令，以根據(jù)`特定的半導(dǎo)體工藝的氣體流量需求執(zhí)行操作。系統(tǒng)控制器通常包括一個或多個存儲器設(shè)備和一個或多個處理器，該處理器被配置為執(zhí)行指令使得該裝置會根據(jù)本發(fā)明控制POU閥歧管，例如，打開/關(guān)閉在歧管中的各種POU閥，監(jiān)控歧管中的溫度水平，并控制插入歧管的任何加熱器元件。包含用于控制根據(jù)本發(fā)明的工藝操作的指令的機器可讀介質(zhì)可以耦合到系統(tǒng)控制器。
[0088]本文在上面所描述的裝置/方法可以與光刻圖案化工具或方法結(jié)合，例如，用于半導(dǎo)體器件、顯示器、LED、光電板等等的制造和生產(chǎn)。通常，但不是必定，這樣的工具/方法將和普通的制造設(shè)施一起使用或操作。膜的光刻圖案化通常包括部分或所有的以下步驟，每一步驟用一些可能的工具實施:(I)使用旋涂或噴涂工具在工件(即，襯底)上施用光致抗蝕劑；(2)使用熱板或爐或UV固化工具固化光致抗蝕劑；(3)使用晶片步進式曝光機(wafer stepper)等工具將光致抗蝕劑在可見光或UV或X-射線下暴露；(4)使用諸如濕法工作臺(wet bench)等工具，對光致抗蝕劑進行顯影，以便選擇性地去除光致抗蝕劑，從而使其圖案化；(5)通過使用干法的或等離子體輔助蝕刻工具，將光致抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)移到下伏的膜或工件上；和(6)使用諸如RF或微波等離子體抗蝕劑剝離機(microwave plasmaresist stripper)等工具,去除抗蝕劑。
[0089]應(yīng)當理解，除非任何的特定描述的實施方式中的特征明確確定為與彼此不兼容，或相關(guān)的背景表示它們是互相排斥的，并不能容易地以互補和/或支持的方式組合，否則本公開的整體構(gòu)思和設(shè)想這些互補的實施方式的具體特征可以有選擇性地組合，以提供一個或多個全面的，但略有不同的技術(shù)解決方案。因此，可以進一步理解的是，上面的描述只是通過舉例的方式給出，在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以進行細節(jié)的修改 。
【權(quán)利要求】
1.一種在半導(dǎo)體加工工具中使用的閥歧管，其包括: 歧管主體； 清除氣體入口； 歧管出口，所述歧管出口位于所述歧管主體的第一側(cè)； 第一閥接口，所述第一閥接口位于所述歧管主體的不同于所述第一側(cè)的第二側(cè)；以及第二閥接口，所述第二閥接口位于所述歧管主體的不同于所述第一側(cè)和所述第二側(cè)的第二側(cè)，其中 所述第一閥接口和所述第二閥接口每個包括第一端口、第二端口、和第三端口， 所述第一閥接口的所述第二端口被配置為連接到第一處理氣體供給源， 所述第一閥接口的所述第三端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第一流動路徑與所述第二閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角， 所述第二閥接口的所述第二端口與配置為連接到第二處理氣體供給源的接口流體連接，以及 所述第二閥接口的所述第三端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第二流動路徑與所述歧管出口流體連接，并沒有死角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥歧管，其中所述清除氣體入口通過所述歧管主體內(nèi)部的第三流動路徑與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥歧管，其包括清除閥接口，其中: 所述清除閥接口包括第一端口和第二端口； 所述清除氣體入口通過所述歧管主體內(nèi)部的第三流動路徑與所述清除閥接口的所述第一端口流體連接；以及 所述清除閥接口的所述第二端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第四流動路徑與所述第一閥的所述第一端口流體連接，并沒有死角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥歧管，其包括: 轉(zhuǎn)儲分流出口 ；以及 轉(zhuǎn)儲分流閥接口，其中: 所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口包括第一端口和第二端口， 所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口的所述第一端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第五流動路徑與所述第二閥接口的所述第二端口流體連接，以及 所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口的所述第二端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第六流動路徑與所述轉(zhuǎn)儲分流出口流體連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任何一項所述的閥歧管，其中，由在基本垂直于所述第二側(cè)的方向上的所述第一閥接口的外邊界的凸起所定義的第一參考容積和由在基本垂直于所述第三側(cè)的方向上的所述第二閥接口的外邊界的凸起所定義的第二參考容積之間有重疊。
6.一種輸送清除氣體、第一處理氣體和第二處理氣體到半導(dǎo)體加工工具的裝置，所述裝置包括: 閥歧管，其中所述歧管包括: 歧管主體， 清除氣體入口，歧管出口，所述歧管出口位于所述歧管主體的第一側(cè)， 第一閥接口，所述第一閥接口位于所述歧管主體的不同于所述第一側(cè)的第二側(cè)上，以及 第二閥接口，所述第二閥接口位于所述歧管主體的不同于所述第一側(cè)和所述第二側(cè)的第三側(cè)上， 其中: 所述第一閥接口和所述第二閥接口每個包括第一端口、第二端口、和第三端口， 所述第一閥接口的所述第二端口被配置為連接到第一處理氣體供給源， 所述第一閥接口的所述第三端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第一流動路徑與所述第二閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角， 所述第二閥接口的所述第二端口被配置為連接到第二處理氣體供給源，以及所述第二閥接口的所述第三端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第二流動路徑與所述歧管出口流體連接，并沒有死角； 第一閥；以及 第二閥，其中所述第一閥和所述第二閥每一個包括閥主體，包括第一閥端口、第二閥端口和第三閥端口的歧管接口區(qū)域，以及能在打開狀態(tài)和關(guān)閉狀態(tài)之間移動的閥機構(gòu)，以及其中: 當所述閥機構(gòu)處于所述打開狀態(tài)和所述關(guān)閉狀態(tài)下時，所述第一閥端口都與所述第三閥端口流體連接，以及 當所述閥機構(gòu)處于所述打開狀態(tài)下時，所述第二閥端口與所述第一閥端口以及所述第三閥端口流體連接，且當所述閥機構(gòu)處于所述關(guān)閉狀態(tài)下時，所述第二閥端口不與所述第一閥端口和所述第三閥端口流體連接，其中: 所述第一閥的所述第一閥端口與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接， 所述第一閥的所述第二閥端口與所述第一閥接口的所述第二端口流體連接， 所述第一閥的所述第三閥端口與所述第一閥接口的所述第三端口流體連接， 所述第二閥的所述第一閥端口與所述第二閥接口的所述第一端口流體連接， 所述第二閥的所述第二閥端口與所述第二閥接口的所述第二端口流體連接，以及 所述第二閥的所述第三閥端口與所述第二閥接口的所述第三端口流體連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述清除氣體入口通過所述歧管主體內(nèi)部的第三流動路徑與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述閥歧管還包括清除閥接口，其中: 所述清除閥接口包括第一端口和第二端口； 所述清除氣體入口通過所述歧管主體內(nèi)部的第三流動路徑與所述清除閥接口的所述第一端口流體連接；以及 所述清除閥接口的所述第二端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第四流動路徑與所述第一閥接口的所述第一端口流體連接，并沒有死角
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述閥歧管還包括: 轉(zhuǎn)儲分流出口 ；以及 轉(zhuǎn)儲分流閥接口，其中:所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口包括第一端口和第二端口， 所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口的所述第一端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第五流動路徑與所述第二閥接口的所述第二端口流體連接，以及 所述轉(zhuǎn)儲分流閥接口的所述第二端口通過所述歧管主體內(nèi)部的第六流動路徑與所述轉(zhuǎn)儲分流出口流體連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中的任何一項所述的裝置，其中，由在基本垂直于所述第二側(cè)的方向上的所述第一閥接口的外邊界的凸起所定義的第一參考容積和由在基本垂直于所述第三側(cè)的方向上的所述第二閥接口的外邊界的凸起所定義的第二參考容積之間有重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求6至9中的任何一項所述的裝置，其中，當所述第一閥的所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)，并且所述第二閥的所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)下時，相應(yīng)地，所述歧管主體內(nèi)的所述第一流動路徑包括大于通過所述第一閥的最大第一限流或通過所述第二閥的最大第二限流的限流。
12.根據(jù)權(quán)利要求6至9中的任何一項所述的裝置，其中，當所述第一閥的所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)，并且所述第二閥的所述閥機構(gòu)處于打開狀態(tài)下時，相應(yīng)地，所述歧管主體內(nèi)的所述第二流動路徑包括大于通過所述第一閥的最大第一限流或通過所述第二閥的最大第二限流的限流。
【文檔編號】C23C16/455GK103510070SQ201310239144
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月15日
【發(fā)明者】拉梅什·錢德拉塞卡拉, 夏春光, 卡爾·F·利澤, 達明·斯萊文, 托馬斯·G·朱厄爾 申請人:諾發(fā)系統(tǒng)公司