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階段式全蝕刻工藝的制作方法

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階段式全蝕刻工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種階段式全蝕刻工藝,其特征在于,包括以下處理階段:基板雙面涂墨及曝光階段-基板單面首次蝕刻階段-基板另一面的二次蝕刻階段。本發(fā)明的有益之處在于:工藝步驟設(shè)計(jì)合理,制程簡(jiǎn)單,容易操作;重心低,運(yùn)行穩(wěn)定,不容易損壞產(chǎn)品;采用本發(fā)明的方法生產(chǎn)出來(lái)的蝕刻產(chǎn)品無(wú)連接點(diǎn),既美觀又保證了良好的使用功能;通過有粘性膜為載體,在全部蝕刻完成后產(chǎn)品不散亂,仍整齊排列在粘性的膜上,方便后續(xù)產(chǎn)品加工或使用。
【專利說明】階段式全蝕刻工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種蝕刻工藝,具體涉及一種階段式的全蝕刻工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]使用現(xiàn)有的蝕刻工藝生產(chǎn)蝕刻產(chǎn)品,為防止產(chǎn)品周轉(zhuǎn)過程中脫落,或者方便后段產(chǎn)品表面加工,通常會(huì)在產(chǎn)品外形邊沿部分設(shè)計(jì)連接點(diǎn)。然而,該連接點(diǎn)的存在不僅影響了產(chǎn)品的美觀,而且會(huì)造成產(chǎn)品損壞與其接觸的產(chǎn)品,最終造成產(chǎn)品功能不良,所以,為了保證產(chǎn)品的美觀以及具有良好的使用功能,需要使用附加工藝來(lái)去除產(chǎn)品上的連接點(diǎn),這就使得產(chǎn)品的成本增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種使生產(chǎn)出來(lái)的蝕刻產(chǎn)品無(wú)連接點(diǎn)且整齊排列方便后續(xù)加工的階段式全蝕刻工藝。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo),本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
[0005]一種階段式全蝕刻工藝,其特征在于,包括以下步驟:
[0006](1)、將基板的A、B兩面均勻的印刷上阻焊油墨,并進(jìn)行干燥;
[0007](2)、對(duì)前述基板的A、B兩面進(jìn)行曝光;
[0008](3)、在前述基板的A面粘貼粘性膜,對(duì)B面進(jìn)行蝕刻,蝕刻深度不穿透基板;
[0009](4)、去除B面的阻焊油墨;
[0010](5)、將前述基板的B面粘貼粘性膜,對(duì)A面進(jìn)行蝕刻,蝕刻深度穿透基板;
[0011](6)、去除A面的阻焊油墨。
[0012]前述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,前述粘性膜為耐腐蝕粘性膜。
[0013]前述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,前述耐腐蝕粘性膜為PET膜。
[0014]前述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,在步驟(1)中,使用85-95目網(wǎng)版對(duì)基板進(jìn)行印刷。
[0015]前述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,在步驟(1)中,印刷后的基板在80°C下熱風(fēng)循環(huán)干燥。
[0016]前述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,在步驟(2)中,基板在曝光機(jī)中曝光。
[0017]前述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,前述曝光機(jī)為冷卻式曝光機(jī),曝光臺(tái)面溫度為28°C,曝光能量為400-600mj/cm2。
[0018]前述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,在步驟(2)中,還包括以下子步驟:
[0019]①、使用顯像液對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯像;
[0020]②、對(duì)顯像后的基板進(jìn)行熱風(fēng)循環(huán)固化,溫度為145°C,時(shí)間為50_60min。
[0021]前述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,去除基板上的阻焊油墨采用的是油墨清洗劑。
[0022]本發(fā)明的有益之處在于:工藝步驟設(shè)計(jì)合理,制程簡(jiǎn)單,容易操作;重心低,運(yùn)行穩(wěn)定,不容易損壞產(chǎn)品;采用本發(fā)明的方法生產(chǎn)出來(lái)的蝕刻產(chǎn)品無(wú)連接點(diǎn),既美觀又保證了良好的使用功能;通過有粘性膜為載體,在全部蝕刻完成后產(chǎn)品不散亂,仍整齊排列在粘性的膜上,方便后續(xù)產(chǎn)品加工或使用。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面詳細(xì)介紹本發(fā)明階段式全蝕刻工藝。
[0024]本發(fā)明階段式全蝕刻工藝主要包括三大階段,即:基板涂墨及曝光階段、基板單面首次蝕刻階段和基板另一面的二次蝕刻階段,下面詳細(xì)介紹各階段的操作步驟: [0025](一 )、基板涂墨及曝光階段
[0026]首先,基板做完清潔處理后,將其兩面分別記做A面、B面,然后使用85-95目網(wǎng)版對(duì)基板的A面、B面均勻的印刷上阻焊油墨。網(wǎng)版印刷可以有效控制涂膜厚度,防止涂膜太厚或太薄,涂膜太厚易造成殘膜或者干燥不足,太薄則易造成不耐噴涂等制程。
[0027]然后,將印刷后的基板在80°C下熱風(fēng)循環(huán)干燥,將阻焊油墨中的溶劑蒸發(fā)。
[0028]接下來(lái),利用曝光機(jī)對(duì)基板的A面、B面進(jìn)行曝光。
[0029]作為一種優(yōu)選的方案,曝光機(jī)可以選用冷卻式曝光機(jī),曝光臺(tái)面溫度為28°C,曝光能量為400-600mj/cm2,曝光能量太高易造成后續(xù)的顯像殘膜,而太低則可能會(huì)出現(xiàn)顯像側(cè)蝕。
[0030]為了方便蝕刻以及提高蝕刻的質(zhì)量,對(duì)曝光后的基板還繼續(xù)進(jìn)行顯像、固化處理,具體的:
[0031]①、使用顯像液對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯像,將未曝光的涂膜以顯像液溶解去除,保留曝光的部分。顯像液的選擇、顯像時(shí)間、溶液溫度、噴洗壓力等為本領(lǐng)域常規(guī)選擇和操作,在此不再贅述;
[0032]②、對(duì)顯像后的基板進(jìn)行熱風(fēng)循環(huán)固化,使阻焊油墨加熱后硬化成為分子交聯(lián)狀態(tài)。固化時(shí),優(yōu)選的溫度為145°C,對(duì)應(yīng)的時(shí)間為50-60min。
[0033]( 二 )、基板單面首次蝕刻階段
[0034]當(dāng)基板經(jīng)過上述的涂墨及曝光階段后,開始進(jìn)行單面的首次蝕刻,即:
[0035]首先,在基板的A面粘貼上粘性膜。
[0036]然后,利用蝕刻液對(duì)裸露的B面進(jìn)行蝕刻,蝕刻深度不穿透基板。也就是說,若此時(shí)去除A面上的粘性膜,從A面看基板,其仍是一塊完整無(wú)損、無(wú)漏洞的基板。
[0037]由于粘性膜是固定基板的載體,所以其他具有黏性的并且可以不被蝕刻液腐蝕材料均可用作本發(fā)明的粘性膜,其優(yōu)選PET膜。
[0038]基板的B面蝕刻完畢后,用油墨清洗劑去除B面的阻焊油墨,此時(shí)基板上的產(chǎn)品初具模型,但仍全部在基板上整齊的固定著,未散落,接下來(lái)等待對(duì)A面的二次蝕刻。
[0039](三)、基板另一面的二次蝕刻階段
[0040]首次蝕刻完成后,繼續(xù)對(duì)上述基板進(jìn)行二次蝕刻,此次蝕刻是將原來(lái)的A面、B面進(jìn)行相反處理,具體操作如下:
[0041]首先,在上述基板的B面粘貼粘性膜。
[0042]然后,對(duì)基板的A面進(jìn)行蝕刻,此次蝕刻深度穿透基板,若此時(shí)去除B面上的粘性膜,蝕刻出的產(chǎn)品將全部散落。[0043]蝕刻完畢,采用油墨清洗劑去除A面的阻焊油墨即可。
[0044]此時(shí),經(jīng)過兩次蝕刻后,蝕刻得到的產(chǎn)品仍整齊的排列、粘貼在粘性膜上,十分方便產(chǎn)品后續(xù)的加工。
[0045] 需要說明的是,蝕刻液以及顯像液為本領(lǐng)域中已有的;另外,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知道,上述實(shí)施例不以任何形式限制本發(fā)明,凡采用等同替換或等效變換的方式所獲得的技術(shù)方案,均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.階段式全蝕刻工藝,其特征在于,包括以下步驟: (1)、將基板的A、B兩面均勻的印刷上阻焊油墨,并進(jìn)行干燥; (2)、對(duì)上述基板的A、B兩面進(jìn)行曝光; (3)、在上述基板的A面粘貼粘性膜,對(duì)B面進(jìn)行蝕刻,蝕刻深度不穿透基板; (4)、去除B面的阻焊油墨; (5)、將上述基板的B面粘貼粘性膜,對(duì)A面進(jìn)行蝕刻,蝕刻深度穿透基板; (6)、去除A面的阻焊油墨。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,上述粘性膜為耐腐蝕粘性膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,上述耐腐蝕粘性膜為PET膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,在步驟(1)中,使用85-95目網(wǎng)版對(duì)基板進(jìn)行印刷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述 的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,在步驟(1)中,印刷后的基板在80°C下熱風(fēng)循環(huán)干燥。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,在步驟(2)中,基板在曝光機(jī)中曝光。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,上述曝光機(jī)為冷卻式曝光機(jī),曝光臺(tái)面溫度為28°C,曝光能量為400-600mj/cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,在步驟(2)中,還包括以下子步驟: ①、使用顯像液對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯像; ②、對(duì)顯像后的基板進(jìn)行熱風(fēng)循環(huán)固化,溫度為145°C,時(shí)間為50-60min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任意一項(xiàng)所述的階段式全蝕刻工藝,其特征在于,去除基板上的阻焊油墨采用的是油墨清洗劑。
【文檔編號(hào)】C23F1/02GK103966603SQ201310042224
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月4日
【發(fā)明者】周雪良 申請(qǐng)人:蘇州市吳中區(qū)偉良電子有限公司
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