專利名稱：一種應(yīng)用形狀記憶合金賦予薄膜大彈性應(yīng)變的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用形狀記憶合金賦予薄膜大彈性應(yīng)變的方法，屬于形狀記憶合金材料應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
彈性應(yīng)變工程是指對材料施加外加拉應(yīng)力或者壓應(yīng)力，通過改變原子間距而調(diào)節(jié)材料的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)、催化等物理和化學(xué)特性，進(jìn)而優(yōu)化材料性能。如在半導(dǎo)體領(lǐng)域通過晶格錯配可以使硅中載流子遷移率提高50%，Pt-Cu 二元合金納米粒子由于晶格錯配產(chǎn)生的應(yīng)變可以提高其催化活性，TiO2材料通過其它元素?fù)诫s提供內(nèi)應(yīng)力等提高催化活性，彈性應(yīng)變工程在實際的生產(chǎn)生活中有著非常重要的實用價值。通常人們采用晶格錯配或者摻雜等方法施加彈性應(yīng)變，但這些方法大多制備困難，成本高昂，變形量比較小且難于控制。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于提供一種實現(xiàn)薄膜大彈性應(yīng)變的方法，其是利用形狀記憶合金來實現(xiàn)薄膜 的大彈性應(yīng)變的方法，為薄膜材料的功能特性改進(jìn)提供了一種新方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種應(yīng)用形狀記憶合金賦予薄膜大彈性應(yīng)變的方法，其包括以下步驟在形狀記憶合金襯底的表面使用脈沖激光沉積法(PLD)進(jìn)行沉積得到薄膜，然后對形狀記憶合金襯底進(jìn)行拉伸，通過襯底的拉伸變形帶動薄膜拉應(yīng)變的實現(xiàn)；或者，在經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到薄膜，然后加熱并保溫一定時間，使所述經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底發(fā)生相變收縮，通過襯底的收縮變形帶動薄膜壓應(yīng)變的實現(xiàn)。在上述方法中，優(yōu)選地，所采用的形狀記憶合金為TiNi形狀記憶合金。在上述方法中，優(yōu)選地，所采用的形狀記憶合金是通過以下步驟制備的按照50. 2 49. 8的原子比選取純度在99. 9wt. %以上的單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳；將單質(zhì)鈦和單質(zhì)鎳放入真空度高于KT1Pa或惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中，熔煉成TiNi形狀記憶合金,得到鑄錠；在真空度高于KT1Pa的真空中或惰性氣體保護(hù)中在800-1050°C對鑄錠進(jìn)行均勻化退火5-60h ；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到厚度為O. 5mm的板材；將板材進(jìn)一步線切割和機(jī)械拋光得到所述形狀記憶合金襯底；在形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到薄膜，然后進(jìn)行變形量為6-12%的拉伸處理，實現(xiàn)薄膜的拉應(yīng)變；形狀記憶合金襯底的預(yù)拉伸處理是指在300_500°C對所述形狀記憶合金襯底進(jìn)行10-30分鐘的退火處理，然后在室溫條件下進(jìn)行預(yù)拉伸，預(yù)拉伸變形量為6-15%，得到經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金；將沉積了薄膜的經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底加熱至80-150°C并保溫10-30分鐘，再恢復(fù)至室溫，使所述經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底發(fā)生相變收縮(收縮變形量即預(yù)拉伸變形量)，實現(xiàn)薄膜的壓應(yīng)變。在上述方法中，優(yōu)選地,所述薄膜為ZnO、Ti02、CuO、Cu2O或Co3O4薄膜等。在上述方法中，優(yōu)選地，上述沉積包括以下步驟將薄膜的陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm;將生長室真空度抽至10_3Pa以下，保持襯底在室溫或者將襯底加熱升溫到100-500°C，生長室內(nèi)通入O2氣體，控制生長室內(nèi)的壓強(qiáng)為O. OOl-1OOPa ;開啟激光器，使激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在形狀記憶合金襯底或者經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底的表面沉積得到薄膜，激光能量為340mJ，頻率為5Hz。在上述方法中，優(yōu)選地，薄膜的拉應(yīng)變是通過以下步驟實現(xiàn)的對沉積了薄膜的形狀記憶合金沉底進(jìn)行變形量為10%的拉伸處理，實現(xiàn)薄膜的拉應(yīng)變；薄膜的壓應(yīng)變是通過以下步驟實現(xiàn)的在經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到薄膜，然后加熱至10(TC并保溫20分鐘，再恢復(fù)至室溫，使所述經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底發(fā)生相變收縮，實現(xiàn)薄膜的壓應(yīng)變。在上述方法中，靶材的制備可以按照以下步驟進(jìn)行稱量純ZnO、TiO2, CuO、Cu2O或Co3O4粉末，將粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000-1300°C下燒結(jié)，制得Zn0、Ti02、CuO、Cu2O 或 Co3O4 陶瓷靶。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下技術(shù)效果

(I)與通常采用改變生長條件、摻雜等方法來提高材料催化活性的方法相比，本發(fā)明首次應(yīng)用形狀記憶合金來實現(xiàn)薄膜的大彈性應(yīng)變，進(jìn)而調(diào)控薄膜的光學(xué)禁帶寬度等來提高材料的催化活性，具有方法簡單、效果明顯的特點；(2)本發(fā)明提供的應(yīng)用形狀記憶合金相變賦予薄膜大彈性應(yīng)變的方法在利用TiNi襯底帶動陶瓷薄膜實現(xiàn)大變形的同時不會發(fā)生斷裂。


圖1a為實施例1中在TiNi襯底上沉積的Cu2O薄膜在拉伸前表面形貌的SEM照片;圖1b為實施例1中在TiNi襯底上沉積的Cu2O薄膜在拉伸后的SEM照片；圖2為實施例1中在TiNi襯底上沉積的Cu2O薄膜的應(yīng)力-應(yīng)變曲線；圖3為實施例1中沉積了 Cu2O薄膜的TiNi襯底的示意圖。
具體實施例方式為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和有益效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行以下詳細(xì)說明，但不能理解為對本發(fā)明的可實施范圍的限定。實施例1本實施例提供了一種采用TiNi襯底實現(xiàn)Cu2O薄膜的拉伸應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UTiNi襯底的制備包括以下步驟按照Ti Ni = 50. 2 49. 8的原子比，選取純度在99. 9wt. %的單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳；將單質(zhì)鈦和單質(zhì)鎳放入真空度高于10、的熔煉爐中，熔煉成TiNi形狀記憶合金
鑄錠；在真空度高于KT1Pa的真空中環(huán)境中，在950°C下對鑄錠進(jìn)行IOh的均勻化退火；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋，中間經(jīng)950°C多次退火，得到厚度為O. 5mm的板材；將板材進(jìn)一步線切割和機(jī)械拋光得到所需要的TiNi襯底。2、表面薄膜的制備包括以下步驟(I)將純Cu2O粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1000°C下燒結(jié)，制得Cu2O陶瓷靶；(2)將Cu2O陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置生長室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為
4.5cm ;將生長室的真空度抽至10_3Pa以下，將襯底加熱升溫到300°C，向生長室內(nèi)通入02，控制生長室內(nèi)的壓強(qiáng)為IOPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在TiNi襯底上沉積得到Cu2O薄膜； 3、對上述獲得的表面沉積有Cu2O薄膜I的TiNi襯底2 (如圖3所示)進(jìn)行拉伸，變形量為10%，應(yīng)力應(yīng)變曲線如圖2所示，薄膜在應(yīng)變前后表面形貌變化的SEM照片如圖1a和圖1b所示。

通過紫外-可見吸收光譜發(fā)現(xiàn)薄膜的光學(xué)禁帶寬度由2.1eV變化為1. SeV ;將在相同生長條件下制備的施加和未施加應(yīng)變的Cu2O薄膜分別放入甲基橙溶液中，用高壓汞燈燈光源照射3小時后發(fā)現(xiàn)未施加應(yīng)變的Cu2O薄膜分解濃度為10mg/L甲基橙的脫色率為8. 6%，而應(yīng)變后的Cu2O薄膜分解濃度為10mg/L甲基橙的脫色率為15%。實施例2本實施例提供了一種采用TiNi襯底實現(xiàn)TiO2薄膜的拉伸應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UTiNi襯底的制備包括以下步驟按照Ti Ni = 50. 2 49. 8的原子比，選取純度在99. 9wt. %的單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳；將單質(zhì)鈦和單質(zhì)鎳放入真空度高于KT1Pa的熔煉爐中，熔煉成TiNi形狀記憶合金
鑄錠；在真空度高于KT1Pa的真空中環(huán)境中，在950°C下對鑄錠進(jìn)行IOh的均勻化退火；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋，中間經(jīng)950°C多次退火，得到厚度為O. 5mm的板材；將板材進(jìn)一步線切割和機(jī)械拋光得到所需要的TiNi襯底。2、表面薄膜的制備包括以下步驟(I)將純TiO2粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1200°C下燒結(jié)，制得TiO2陶瓷靶；(2)將TiO2陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長室的真空度抽至KT3Pa以下，將TiNi襯底加熱升溫到400°C，向生長室內(nèi)通入O2，控制生長室內(nèi)的壓強(qiáng)為O. OOlPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在TiNi襯底上沉積得到TiO2薄膜；
3、對上述表面沉積了 TiO2薄膜的TiNi襯底進(jìn)行拉伸，變形量為10%，實現(xiàn)TiO2薄膜的拉應(yīng)變。通過紫外-可見吸收光譜發(fā)現(xiàn)薄膜的光學(xué)禁帶寬度由3. 3eV變化為2. SeV ;將在相同生長條件下制備的施加和未施加應(yīng)變的TiO2薄膜分別放入甲基橙溶液中，用高壓汞燈光源照射5小時后發(fā)現(xiàn)未施加應(yīng)變的TiO2薄膜分解濃度為10mg/L甲基橙的脫色率為33. 9%，而應(yīng)變后的TiO2薄膜分解濃度為10mg/L甲基橙的脫色率為45. 8%。實施例3本實施例提供了一種采用TiNi襯底實現(xiàn)Cu2O薄膜的壓縮應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UTiNi襯底的制備包括以下步驟按照Ti Ni = 50. 2 49. 8的原子比，選取純度在99. 9wt. %的單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳；將單質(zhì)鈦和單質(zhì)鎳放入O. 5MPa的惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中，熔煉成TiNi形狀記憶合金鑄錠；在真空度高于KT1Pa的真空中 環(huán)境中，在950°C下對鑄錠進(jìn)行IOh的均勻化退火；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋，中間經(jīng)950°C多次退火，得到厚度為O. 5mm的板材；將板材進(jìn)一步線切割和機(jī)械拋光得到所需要的TiNi襯底；對TiNi襯底在350°C條件下進(jìn)行加熱20分鐘，然后進(jìn)行預(yù)拉伸處理，得到經(jīng)過預(yù)處理的TiNi襯底，預(yù)拉伸變形量為6%。2、表面薄膜的制備包括以下步驟(I)將Cu2O粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1100°C溫度下燒結(jié)，制得Cu2O陶瓷靶；(2)將Cu2O陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長室的真空度抽至10_3Pa以下，保持襯底在室溫，向生長室內(nèi)通入O2，控制生長室內(nèi)的壓強(qiáng)為IOPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在經(jīng)過預(yù)拉伸處理的TiNi襯底上沉積得到Cu2O薄膜；3、將制備好的表面沉積有Cu2O薄膜的TiNi襯底加熱至100°C保溫10分鐘，然后冷卻至室溫，由于TiNi形狀記憶合金的形狀記憶效應(yīng)，TiNi襯底發(fā)生變形量為6%的收縮，帶動表面的Cu2O薄膜實現(xiàn)變形量為6%的壓應(yīng)變。實施例4本實施例提供了一種采用TiNi襯底實現(xiàn)ZnO薄膜的壓縮應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UTiNi襯底的制備包括以下步驟按照Ti Ni = 50. 2 49. 8的原子比，選取純度在99. 9wt. %的單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳；將單質(zhì)鈦和單質(zhì)鎳放入O. 5MPa的惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中，熔煉成TiNi形狀記憶合金鑄錠；在真空度高于KT1Pa的真空中環(huán)境中，在950°C下對鑄錠進(jìn)行IOh的均勻化退火；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋，中間經(jīng)950°C多次退火，得到厚度為O. 5mm的板材；將板材進(jìn)一步線切割和機(jī)械拋光得到所需要的TiNi襯底；對TiNi襯底在350°C條件下進(jìn)行加熱20分鐘進(jìn)行預(yù)拉伸處理，得到經(jīng)過預(yù)拉伸處理的TiNi襯底，預(yù)拉伸變形量為10% ；2、表面薄膜的制備包括以下步驟(I)將純ZnO粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1300°C下燒結(jié)，制得ZnO陶瓷靶；(2)將ZnO陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長室的真空度抽至10_3Pa以下，保持襯底在室溫，向生長室內(nèi)通入O2，控制生長室內(nèi)的壓強(qiáng)為IPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在經(jīng)過預(yù)拉伸處理的TiNi襯底上沉積得到ZnO薄膜；3、將制備好的表面沉積有ZnO薄膜的TiNi襯底加熱至100°C保溫10分鐘，然后冷卻至室溫，由于TiNi形狀記憶合金的形狀記憶效應(yīng)，TiNi襯底發(fā)生變形量為10%的收縮，帶動表面的ZnO薄膜實現(xiàn)變形量為10%的壓應(yīng)變。實施例5本實施例提供了一種采用TiNi襯底實現(xiàn)Co3O4薄膜的拉伸應(yīng)變的方法，其包括以下步驟1、TiNi襯底的制備包括以下步驟按照Ti Ni = 50. 2 49. 8的原子比，選取純度在99. 9wt. %的單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳；將單質(zhì)鈦和單質(zhì)鎳放入真空度高于KT1Pa的熔煉爐中，熔煉成TiNi形狀記憶合金
鑄錠；
在真空度高于KT1Pa的真空中環(huán)境中，在950°C下對鑄錠進(jìn)行IOh的均勻化退火；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋，中間經(jīng)950°C多次退火，得到厚度為O. 5mm的板材；將板材進(jìn)一步線切割和機(jī)械拋光得到所需要的TiNi襯底；2、表面薄膜的制備包括以下步驟(I)將純Co3O4粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1200°C下燒結(jié)，制得Cu2O陶瓷靶；(2)將Co3O4陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長室的真空度抽至10_3Pa以下，將襯底加熱升溫到500°C，向生長室內(nèi)通入O2，控制生長室內(nèi)的壓強(qiáng)為IOOPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在經(jīng)過預(yù)處理的TiNi襯底上沉積得到Co3O4薄膜；3、對上述表面沉積了 Co3O4薄膜的TiNi襯底進(jìn)行拉伸，變形量為8 %，實現(xiàn)Co3O4薄膜變形量為8%的拉應(yīng)變。實施例6本實施例提供了一種采用TiNi襯底實現(xiàn)CuO薄膜的壓縮應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UTiNi襯底的制備包括以下步驟按照Ti Ni = 50. 2 49. 8的原子比，選取純度在99. 9wt. %的單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳；將單質(zhì)鈦和單質(zhì)鎳放入O. 5MPa的惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中，熔煉成TiNi形狀記憶合金鑄錠；在真空度高于KT1Pa的真空中環(huán)境中，在950°C下對鑄錠進(jìn)行IOh的均勻化退火；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋，中間經(jīng)950°C多次退火，得到厚度為O. 5mm的板材；
將板材進(jìn)一步線切割和機(jī)械拋光得到所需要的TiNi襯底；對TiNi襯底在350°C條件下進(jìn)行加熱30分鐘預(yù)拉伸處理，得到經(jīng)過預(yù)處理的TiNi襯底，預(yù)拉伸變形量為8% ；2、表面薄膜的制備包括以下步驟(I)將純CuO粉末球磨混合均勻、壓制成型，然后在1300°C下燒結(jié)，制得CuO陶瓷靶；(2)將CuO陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長室的真空度抽至10_3Pa以下，保持襯底在室溫，向生長室內(nèi)通入O2，控制生長室內(nèi)的壓強(qiáng)為IPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在經(jīng)過預(yù)處理的TiNi襯底上沉積得到CuO薄膜；3、將制備好的表面沉積有CuO薄膜的TiNi襯底加熱至100°C保溫10分鐘，然后冷卻至室溫，由于TiNi形狀記憶合金的形狀記憶效應(yīng)，TiNi襯底發(fā)生變形量為8%的收縮，帶動表面的CuO薄膜實現(xiàn)變形量為8%`的壓應(yīng)變。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用形狀記憶合金賦予薄膜大彈性應(yīng)變的方法，其包括以下步驟 在形狀記憶合金襯底的表面使用脈沖激光沉積法進(jìn)行沉積得到薄膜，然后對形狀記憶合金襯底進(jìn)行拉伸，通過襯底的拉伸變形帶動薄膜拉應(yīng)變的實現(xiàn)；或者，在經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到薄膜，然后加熱并保溫一定時間，使所述經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底發(fā)生相變收縮，通過襯底的收縮變形帶動薄膜壓應(yīng)變的實現(xiàn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述形狀記憶合金為TiNi形狀記憶合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述形狀記憶合金是通過以下步驟制備的 按照50. 2 49. 8的原子比選取純度在99. 9wt. %以上的單質(zhì)鈦、單質(zhì)鎳； 將單質(zhì)鈦和單質(zhì)鎳放入真空度高于KT1Pa或惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中，熔煉成TiNi形狀記憶合金，得到鑄錠； 在真空度高于KT1Pa的真空中或惰性氣體保護(hù)中在800-1050°C對鑄錠進(jìn)行均勻化退火 5_60h ； 將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到厚度為0. 5mm的板材； 將板材進(jìn)一步線切割和機(jī)械拋光得到所述形狀記憶合金襯底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其中，所述預(yù)拉伸處理是指在300-500°C對所述形狀記憶合金襯底進(jìn)行10-30分鐘的退火處理，然后在室溫下進(jìn)行預(yù)拉伸，預(yù)拉伸變形量為6-15%。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述薄膜為ZnO、TiO2,CuO、Cu2O或Co3O4薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述沉積包括以下步驟 將制備相應(yīng)薄膜的陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ； 將生長室真空度抽至10_3Pa以下，保持襯底在室溫或者將襯底加熱升溫到100-500°C，生長室內(nèi)通入O2氣體，控制生長室內(nèi)的壓強(qiáng)為0. OOl-1OOPa ； 開啟激光器，使激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在形狀記憶合金襯底或者經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底的表面沉積得到薄膜，激光能量為340mJ，頻率為5Hz。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項所述的方法，其中，所述薄膜的拉應(yīng)變是通過以下步驟實現(xiàn)的對沉積了薄膜的形狀記憶合金襯底進(jìn)行變形量為6-12%的拉伸處理，實現(xiàn)薄膜的拉應(yīng)變； 所述薄膜的壓應(yīng)變是通過以下步驟實現(xiàn)的在經(jīng)過預(yù)拉伸6-15%處理的形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到薄膜，然后加熱至80-150°C并保溫10-30分鐘，再恢復(fù)至室溫，使所述經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底發(fā)生相變收縮，實現(xiàn)薄膜的壓應(yīng)變。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用形狀記憶合金賦予薄膜大彈性應(yīng)變的方法。該方法包括以下步驟在形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到薄膜，然后進(jìn)行拉伸，實現(xiàn)薄膜的拉應(yīng)變；或者，在經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底的表面在室溫條件下進(jìn)行沉積得到薄膜，然后加熱并保溫一定時間，使所述經(jīng)過預(yù)拉伸處理的形狀記憶合金襯底發(fā)生相變收縮，實現(xiàn)薄膜的壓應(yīng)變。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下技術(shù)效果本發(fā)明首次應(yīng)用形狀記憶合金來實現(xiàn)薄膜的大彈性應(yīng)變，進(jìn)而調(diào)控薄膜的光學(xué)禁帶寬度等來提高材料的催化活性，方法簡單、效果明顯；本發(fā)明提供的方法在利用TiNi襯底帶動陶瓷薄膜實現(xiàn)大變形的同時不會發(fā)生斷裂。
文檔編號C23C14/58GK103046018SQ20131000113
公開日2013年4月17日 申請日期2013年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月4日
發(fā)明者崔立山, 張利強(qiáng), 邵陽, 姜大強(qiáng), 楊峰, 杜敏疏, 郭云鵬, 郭方敏 申請人:中國石油大學(xué)(北京)