專利名稱：利用形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，屬于形狀記憶合成材料應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
納米薄膜指的是在襯底表面上由原子、分子或離子沉積形成的厚度小于IOOnm的二維材料，它兼具一般薄膜和納米材料的優(yōu)越性能。納米薄膜在電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)、催化等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，然而，由于材料本身的物理和化學(xué)性能所限，納米薄膜的性能還不能滿足人們的要求，因此人們嘗試使用摻雜、晶格錯(cuò)配等多種手段來(lái)實(shí)現(xiàn)材料功能特性的調(diào)節(jié)，這些方法的根本就是利用摻雜、晶格畸變來(lái)改變?cè)娱g距來(lái)調(diào)節(jié)材料的物理和化學(xué)等特性，進(jìn)而優(yōu)化材料各項(xiàng)性能，人們將這項(xiàng)工作稱之為彈性應(yīng)變工程。通常人們大多采用晶格錯(cuò)配或者摻雜等方法來(lái)實(shí)現(xiàn)納米薄膜材料的彈性應(yīng)變工程，然而這些方法大多工藝復(fù)雜，成本高昂，變形量小且難于控制。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種實(shí)現(xiàn)薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，其是采用形狀記憶合金的表面浮凸來(lái)帶動(dòng)納米薄膜實(shí)現(xiàn)拉伸彈性應(yīng)變，該方法具有簡(jiǎn)單易行等特點(diǎn)。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種利用形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)納米薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，其包括 以下步驟在形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到納米薄膜，然后對(duì)帶有納米薄膜的形狀記憶合金襯底進(jìn)行低溫深冷處理使所述形狀記憶合金襯底發(fā)生馬氏體相變，形成浮凸褶皺，從而使納米薄膜產(chǎn)生拉伸彈性應(yīng)變。在上述方法中，優(yōu)選地，所采用的形狀記憶合金為FeNiCoTi形狀記憶合金。在上述方法中，優(yōu)選地，所采用的形狀記憶合金襯底是通過(guò)以下步驟制備的根據(jù)Fe Ni Co Ti = 55 31 10 4的重量比選取純度在99. 9wt. %以上的單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦；將單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦放入真空度高于IO-1Pa或惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中，熔煉成FeNiCoTi形狀記憶合金材料，得到鑄錠；在真空度高于ICT1Pa的真空中或惰性氣體保護(hù)中在800-1050°C對(duì)鑄錠進(jìn)行均勻化退火5-60h ；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到直徑為10_15mm(優(yōu)選為12mm)的棒材；將棒材經(jīng)過(guò)1100-1300°C熱處理10_30min(優(yōu)選為1200°C熱處理IOmin)后，進(jìn)行水淬火；
將經(jīng)過(guò)水淬火的棒材切成1-3_厚(優(yōu)選為2_)的薄片，經(jīng)過(guò)打磨拋光得到所述形狀記憶合金襯底。在上述方法中，優(yōu)選地,所述納米薄膜為Zn0、Ti02、Cu0、Cu20或Co3O4納米薄膜等。在上述方法中，優(yōu)選地，沉積是通過(guò)脈沖激光沉積進(jìn)行的。更優(yōu)選地，上述沉積包括以下步驟將制備納米薄膜的陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長(zhǎng)室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ；將生長(zhǎng)室真空度抽至10_3Pa以下，保持形狀記憶合金襯底在室溫或者將形狀記憶合金襯底加熱升溫到300-600°C，生長(zhǎng)室內(nèi)通入O2，控制生長(zhǎng)室內(nèi)的壓強(qiáng)為O. OOl-1OOPa ；開啟激光器，使激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在形狀記憶合金襯底表面沉積得到納米薄膜，激光能量為340mJ，頻率為5Hz。在上述方法中，優(yōu)選地，低溫深冷處理是指將帶有納米薄膜的形狀記憶合金樣品置于冷卻液中保持2分鐘，使所述形狀記憶合金襯底發(fā)生馬氏體相變，形成浮凸褶皺，從而使納米薄膜產(chǎn)生拉伸彈性應(yīng)變。在上述方法中，優(yōu)選地，所述冷卻液為液氮或液氮與乙醇的混合物，冷卻溫度為-30°C至-120°C。更優(yōu)選地，在 上述液氮與乙醇的混合物中，液氮與乙醇的體積比為1:1-1: 2。本發(fā)明還提供了一種具有大彈性應(yīng)變的納米薄膜，其是通過(guò)上述的方法制備的。該納米薄膜可以為ZnO、Ti02、CuO> Cu2O或Co3O4納米薄膜。通過(guò)本發(fā)明所提供的方法制備的納米薄膜在室溫的條件下拉伸彈性應(yīng)變狀態(tài)可以穩(wěn)定存在。本發(fā)明所提供的方法對(duì)納米薄膜的種類和面積大小沒(méi)有限制，在實(shí)際的生產(chǎn)生活中有著非常重要的實(shí)用價(jià)值。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下技術(shù)效果一般納米薄膜材料性能的調(diào)節(jié)都是采用摻雜和晶格錯(cuò)配來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而本發(fā)明所提供的方法首次采用形狀記憶合金的表面浮凸效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)納米薄膜的拉伸大彈性應(yīng)變，進(jìn)而調(diào)節(jié)納米薄膜材料的光學(xué)、催化等性能，并且這種拉伸應(yīng)變狀態(tài)可以在室溫的條件下穩(wěn)定的存在，方法簡(jiǎn)單，效果明顯。


圖1為形狀浮凸褶皺之前的FeNiCoTi襯底與Cu2O納米薄膜的截面示意圖；圖2為形狀浮凸褶皺之后的FeNiCoTi襯底與Cu2O納米薄膜的截面示意圖；圖3為實(shí)施例1中在FeNiCoTi襯底上沉積的Cu2O納米薄膜在產(chǎn)生表面浮凸之前的表面形貌變化的掃描電鏡照片；圖4為實(shí)施例1中在FeNiCoTi襯底上沉積的Cu2O納米薄膜在產(chǎn)生表面浮凸之后的表面形貌變化的掃描電鏡照片。
具體實(shí)施例方式為了對(duì)本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和有益效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行以下詳細(xì)說(shuō)明，但不能理解為對(duì)本發(fā)明的可實(shí)施范圍的限定。
實(shí)施例1本實(shí)施例提供了一種FeNiCoTi形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)Cu2O納米薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UFeNiCoTi襯底的制備，主要包括以下步驟(I)根據(jù) Fe Ni Co Ti = 55 31 10 4 的重量比選取純度在 99. 9wt. %的單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦；(2)將單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦放入真空度高于ICT1Pa的熔煉爐中，熔煉成FeNiCoTi形狀記憶合金材料，得到鑄錠；(3)在惰性氣體保護(hù)中在1000°C對(duì)鑄錠進(jìn)行均勻化退火60h ；(4)將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到直徑為12mm的棒材；(5)將棒材經(jīng)過(guò)1200°C熱處理IOmin后，進(jìn)行水淬火；(6)將熱處理過(guò)的棒材利用電火花線切割機(jī)切成2mm厚的薄片；(7)經(jīng)過(guò)打磨拋光得到所需要的FeNiCoTi襯底。2、表面納米薄膜的制備，主要包括以下步驟(I)將純Cu2O粉末與適量乙醇混合均勻并球磨24小時(shí)，然后壓制成直徑4. 5cm的圓片，然后在1300°C的條件下燒結(jié)，制得Cu2O陶瓷靶；(2)將陶瓷靶放入脈沖激`光沉積裝置生長(zhǎng)室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長(zhǎng)室的真空度抽至10_3Pa以下，將襯底加熱升溫到500°C，向生長(zhǎng)室內(nèi)通入02，控制生長(zhǎng)室內(nèi)的壓強(qiáng)為IOPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在FeNiCoTi襯底上沉積20nm厚的Cu2O納米薄膜；3、將沉積有Cu2O納米薄膜的FeNiCoTi樣品放入液氮與乙醇體積比為1:1的混合冷卻液中冷卻形成表面浮凸褶皺，表面浮凸褶皺的形成帶動(dòng)納米膜拉伸應(yīng)變的形成，圖1和圖2分別為形狀浮凸褶皺前后的截面示意圖，圖3和圖4分別為FeNiCoTi襯底上沉積的Cu2O納米薄膜在產(chǎn)生表面浮凸前后的表面形貌圖。施加拉應(yīng)變之后，Cu2O納米薄膜的光學(xué)禁帶寬度由2. OeV變?yōu)?. 8eV。將同樣條件下制備的沒(méi)有表面浮凸的和有表面浮凸的Cu2O納米薄膜分別放入甲基橙溶液中，用高壓汞燈光源照射3小時(shí)后發(fā)現(xiàn)沒(méi)有表面浮凸的Cu2O納米薄膜分解濃度為10mg/L甲基橙的脫色率為30%，而具有拉伸應(yīng)變的Cu2O納米薄膜分解濃度為10mg/L甲基橙的脫色率為40%，催化活性得到明顯的提高。實(shí)施例2本實(shí)施例提供了一種FeNiCoTi形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)TiO2納米薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UFeNiCoTi襯底的制備，主要包括以下步驟(I)根據(jù) Fe Ni Co Ti = 55 31 10 4 的重量比選取純度在 99. 9wt. %的單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦；(2)將單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦放入真空度高于ICT1Pa的熔煉爐中，熔煉成FeNiCoTi形狀記憶合金材料，得到鑄錠；(3)在真空度高于ICT1Pa的真空中對(duì)鑄錠進(jìn)行均勻化退火30h ；(4)將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到直徑為12mm的棒材；
(5)將棒材經(jīng)過(guò)1200°C熱處理IOmin后,進(jìn)行水淬火；(6)將熱處理過(guò)的棒材利用電火花線切割機(jī)切成Imm厚的薄片；(7)經(jīng)過(guò)打磨拋光得到所需要的FeNiCoTi襯底。2、表面納米薄膜的制備，主要包括以下步驟(I)將純TiO2粉末與適量乙醇混合均勻并球磨24小時(shí)，然后壓制成直徑4. 5cm的圓片，然后在1000°c的條件下燒結(jié)，制得TiO2陶瓷靶；(2)將陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置生長(zhǎng)室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長(zhǎng)室的真空度抽至10_3Pa以下，將襯底加熱升溫到500°C，向生長(zhǎng)室內(nèi)通入02，控制生長(zhǎng)室內(nèi)的壓強(qiáng)為IPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在FeNiCoTi襯底上沉積20nm厚的TiO2納米薄膜；3、將沉積有TiO2納米薄膜的FeNiCoTi樣品放入液氮與乙醇體積比為1:1的混合冷卻液中冷卻形成表面浮凸褶皺，表面浮凸褶皺的形成帶動(dòng)納米膜拉伸應(yīng)變的形成。實(shí)施例3本實(shí)施例提供了一種FeNiCoTi形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)ZnO納米薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UFeNiCoTi襯底的制備 ，主要包括以下步驟(I)根據(jù) Fe Ni Co Ti = 55 31 10 4 的重量比選取純度在 99. 9wt. %的單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦；(2)將單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦放入真空度高于ICT1Pa的熔煉爐中，熔煉成FeNiCoTi形狀記憶合金材料，得到鑄錠；(3)在惰性氣體保護(hù)中在1050°C對(duì)鑄錠進(jìn)行均勻化退火60h ；(4)將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到直徑為12mm的棒材；(5)將棒材經(jīng)過(guò)1200°C熱處理IOmin后,進(jìn)行水淬火；(6)將熱處理過(guò)的棒材利用電火花線切割機(jī)切成3mm厚的薄片；(7)經(jīng)過(guò)打磨拋光得到所需要的FeNiCoTi襯底。2、表面納米薄膜的制備，主要包括以下步驟(I)將純ZnO粉末與適量乙醇混合均勻并球磨24小時(shí)，然后壓制成直徑4. 5cm的圓片，然后在1000°c的條件下燒結(jié)，制得ZnO陶瓷靶；(2)將陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置生長(zhǎng)室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長(zhǎng)室的真空度抽至10_3Pa以下，將襯底加熱升溫到100°C，向生長(zhǎng)室內(nèi)通入02，控制生長(zhǎng)室內(nèi)的壓強(qiáng)為IPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在FeNiCoTi襯底上沉積20nm厚的ZnO納米薄膜；3、將沉積有ZnO納米薄膜的FeNiCoTi樣品放入液氮與乙醇體積比為1: 2的混合冷卻液中冷卻形成表面浮凸褶皺，表面浮凸褶皺的形成帶動(dòng)納米膜拉伸應(yīng)變的形成。實(shí)施例4本實(shí)施例提供了一種FeNiCoTi形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)CuO納米薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UFeNiCoTi襯底的制備，主要包括以下步驟(I)根據(jù) Fe Ni Co Ti = 55 31 10 4 的重量比選取純度在 99. 9wt. %的單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦；(2)將單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦放入真空度高于ICT1Pa的熔煉爐中，熔煉成FeNiCoTi形狀記憶合金材料，得到鑄錠；(3)在真空度高于ICT1Pa的真空中對(duì)鑄錠進(jìn)行均勻化退火20h ；(4)將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到直徑為12mm的棒材；(5)將棒材經(jīng)過(guò)1200°C熱處理20min后，進(jìn)行水淬火；(6)將熱處理過(guò)的棒材利用電火花線切割機(jī)切成2mm厚的薄片；(7)經(jīng)過(guò)打磨拋 光得到所需要的FeNiCoTi襯底。2、表面納米薄膜的制備，主要包括以下步驟(I)將純CuO粉末與適量乙醇混合均勻并球磨24小時(shí)，然后壓制成直徑4. 5cm的圓片，然后在1300°C的條件下燒結(jié)，制得CuO陶瓷靶；(2)將陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置生長(zhǎng)室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長(zhǎng)室的真空度抽至10_3Pa以下，將襯底加熱升溫到500°C，向生長(zhǎng)室內(nèi)通入02，控制生長(zhǎng)室內(nèi)的壓強(qiáng)為IPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在FeNiCoTi襯底上沉積20nm厚的CuO納米薄膜；3、將沉積有CuO納米薄膜的FeNiCoTi樣品放入液氮與乙醇體積比為1: 2的混合冷卻液中冷卻形成表面浮凸褶皺，表面浮凸褶皺的形成帶動(dòng)納米膜拉伸應(yīng)變的形成。實(shí)施例5本實(shí)施例提供了一種FeNiCoTi形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)Co3O4納米薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，其包括以下步驟UFeNiCoTi襯底的制備，主要包括以下步驟(I)根據(jù) Fe Ni Co Ti = 55 31 10 4 的重量比選取純度在 99. 9wt. %的單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦；(2)將單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦放入真空度高于ICT1Pa的熔煉爐中，熔煉成FeNiCoTi形狀記憶合金材料，得到鑄錠；(3)在惰性氣體保護(hù)中在1000°C對(duì)鑄錠進(jìn)行均勻化退火60h ；(4)將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到直徑為12mm的棒材；(5)將棒材經(jīng)過(guò)1200°C熱處理30min后，進(jìn)行水淬火；(6)將熱處理過(guò)的棒材利用電火花線切割機(jī)切成Imm厚的薄片；(7)經(jīng)過(guò)打磨拋光得到所需要的FeNiCoTi襯底。2、表面納米薄膜的制備，主要包括以下步驟(I)將純Co3O4粉末與適量乙醇混合均勻并球磨24小時(shí)，然后壓制成直徑4. 5cm的圓片，然后在1000°c的條件下燒結(jié)，制得Co3O4陶瓷靶；(2)將陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置生長(zhǎng)室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4. 5cm ;將生長(zhǎng)室的真空度抽至10_3Pa以下，將襯底加熱升溫到100°C，向生長(zhǎng)室內(nèi)通入02，控制生長(zhǎng)室內(nèi)的壓強(qiáng)為IPa ;開啟激光器，激光能量為340mJ，頻率為5Hz，讓激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在FeNiCoTi襯底上沉積20nm厚的Co3O4納米薄膜；3、將沉積有Co3O4納米薄膜的FeNiCoTi樣品放入液氮與乙醇體積比為1:1的混合冷卻液中冷卻形成表面浮凸褶皺，表面浮凸褶皺的形成帶動(dòng)納米膜拉伸應(yīng)變的形成。
權(quán)利要求
1.一種利用形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)納米薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法，其包括以下步驟在形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到納米薄膜，然后對(duì)帶有納米薄膜的形狀記憶合金襯底進(jìn)行低溫深冷處理使所述形狀記憶合金襯底發(fā)生馬氏體相變，表面形成浮凸褶皺，從而使納米薄膜產(chǎn)生拉伸彈性應(yīng)變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述形狀記憶合金為FeNiCoTi形狀記憶合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述形狀記憶合金襯底是通過(guò)以下步驟制備的根據(jù)Fe Ni Co Ti = 55 31 10 4的重量比選取純度在99. 9wt. %以上的單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦；將單質(zhì)鐵、單質(zhì)鎳、單質(zhì)鈷和單質(zhì)鈦放入真空度高于KT1Pa或惰性氣體保護(hù)的熔煉爐中，熔煉成FeNiCoTi形狀記憶合金材料，得到鑄錠；在真空度高于KT1Pa的真空中或惰性氣體保護(hù)中在800-1050°C對(duì)鑄錠進(jìn)行均勻化退火 5_60h ；將退火后的鑄錠進(jìn)行冷軋和950°C再結(jié)晶退火，得到直徑為10-15mm的棒材；將棒材經(jīng)過(guò)1100-1300°C熱處理10-30min后，進(jìn)行水淬火；將經(jīng)過(guò)水淬火的棒材切成l_3mm厚的薄片，經(jīng)過(guò)打磨拋光得到所述形狀記憶合金襯。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述納米薄膜為Zn0、Ti02、CuOXu2O或Co3O4 納米薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的方法，其中，所述沉積是通過(guò)脈沖激光沉積進(jìn)行的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述沉積包括以下步驟將納米薄膜的陶瓷靶放入脈沖激光沉積裝置的生長(zhǎng)室中，保持陶瓷靶與襯底的距離為4.5cm ；將生長(zhǎng)室真空度抽至10_3Pa以下，保持形狀記憶合金襯底在室溫或者將形狀記憶合金襯底加熱升溫到300-600°C，生長(zhǎng)室內(nèi)通入O2，控制生長(zhǎng)室內(nèi)的壓強(qiáng)為O. OOl-1OOPa ；開啟激光器，使激光束聚焦到陶瓷靶的靶面燒蝕靶材，在形狀記憶合金襯底表面沉積得到納米薄膜，激光能量為340mJ，頻率為5Hz。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的方法，其中，所述低溫深冷處理是指將帶有納米薄膜的形狀記憶合金樣品置于冷卻液中保持1-3分鐘，使所述形狀記憶合金襯底發(fā)生馬氏體相變，形成浮凸褶皺，從而使納米薄膜產(chǎn)生拉伸彈性應(yīng)變。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述冷卻液為液氮或液氮與乙醇的混合物，冷卻溫度為-30°C至_120°C。
9.一種具有拉伸彈性應(yīng)變的納米薄膜，其是通過(guò)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的方法制備的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用形狀記憶合金表面浮凸實(shí)現(xiàn)薄膜拉伸彈性應(yīng)變的方法。該方法包括以下步驟在形狀記憶合金襯底的表面進(jìn)行沉積得到納米薄膜，然后對(duì)帶有納米薄膜的形狀記憶合金襯底進(jìn)行低溫深冷處理使所述形狀記憶合金襯底發(fā)生馬氏體相變，表面形成浮凸褶皺，從而使納米薄膜產(chǎn)生拉伸彈性應(yīng)變。本發(fā)明所提供的方法首次采用形狀記憶合金的表面浮凸效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)納米薄膜的拉伸大彈性應(yīng)變，進(jìn)而調(diào)節(jié)納米薄膜材料的光學(xué)、催化等性能，并且這種拉伸應(yīng)變狀態(tài)可以在室溫的條件下穩(wěn)定的存在，方法簡(jiǎn)單，效果明顯。
文檔編號(hào)C23C14/08GK103045828SQ20131000076
公開日2013年4月17日 申請(qǐng)日期2013年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月4日
發(fā)明者張利強(qiáng), 崔立山, 邵陽(yáng), 姜大強(qiáng), 楊峰, 杜敏疏, 郭云鵬, 郭方敏 申請(qǐng)人:中國(guó)石油大學(xué)(北京)