專利名稱：聚合物鍍石墨結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種聚合物鍍石墨結構，屬于石墨材料技術領域。
背景技術：
隨著現(xiàn)代化科技的發(fā)展，尤其是電子工業(yè)和信息技術的飛速發(fā)展，對具有導電性能的高分子材料的需求與日俱增，而復合型導電聚合物是指以高分子聚合物作為集體，力口入相當數(shù)量的導電物質復合而成，兼具有高分子材料的加工性與聚合物材料的導電性，能在較大范圍內調節(jié)電學和力學性能，而石墨以其具有良好的潤滑性、耐磨性被作為理想的填充材料。然而石墨本身易碎，同時縱向傳熱性能較差。
發(fā)明內容本實用新型提出了一種聚合物鍍石墨結構，用以解決石墨易碎，縱向傳熱性差的問題。為實現(xiàn)這一目的，本實用新型所采用的結構是一種聚合物鍍石墨結構，包括石墨層和聚合物層，石墨層通過真空鍍設于聚合物層表面。所述聚合物層為聚酯薄膜的層體或聚酰亞胺的層體或聚碳酸酯的層體或聚乙烯的層體。所述聚合物層的厚度為O. 05 μ m_2 μ m。所述石墨層的厚度大于或等于0.01mm。其有益效果是 聚合物箔層可有效得改良石墨易碎、縱向傳熱性能差的問題，同時，石墨層通過真空鍍設于聚合物層表面，大大減少了化學電鍍造成的工業(yè)污染。

本實用新型將通過例子并參照附圖的方式說明，其中圖1是本實用新型剖視結構圖。
具體實施方式
本說明書中公開的所有特征，或公開的所有方法或過程中的步驟，除了互相排斥的特征和/或步驟以外，均可以以任何方式組合。本說明書(包括任何附加權利要求、摘要和附圖)中公開的任一特征，除非特別敘述，均可被其他等效或具有類似目的的替代特征加以替換。即，除非特別敘述，每個特征只是一系列等效或類似特征中的一個例子而已。如圖1所示，本實用新型提出了一種聚合物鍍石墨結構，包括石墨層2和聚合物層I，石墨層2的厚度大于或等于O. Olm,聚合物層I的厚度在O. 05 μ m_2 ym之間。石墨層2通過真空鍍設于聚合物層I表面，真空鍍包括有物理氣相沉積法和化學氣相沉積法，有效地減少了由化學電鍍法造成的工業(yè)污染。聚合物層I有效地解決了石墨層2易碎切縱向傳熱性差的問題，期間，聚合物層I為聚酯薄膜的層體或聚酰亞胺的層體或聚碳酸酯的層體或聚乙烯的層體。本實用新型并不局限于前述的具體實施方式
。本實用新型擴展到任何在本說明書中披露的新特征或任何新的組合，以及披露的任一新的方法或過程的步驟或任何新的組
口 ο
權利要求1.一種聚合物鍍石墨結構，其特征在于，包括石墨層(2)和聚合物層(1)，石墨層(2)通過真空鍍設于聚合物層(I)表面。
2.根據(jù)權利要求1所述的聚合物鍍石墨結構，其特征在于，所述聚合物層(I)為聚酯薄膜的層體或聚酰亞胺的層體或聚碳酸酯的層體或聚乙烯的層體。
3.根據(jù)權利要求1所述的聚合物鍍石墨結構，其特征在于，所述聚合物層(I)的厚度為O. 05 μ m_2 μ m。
4.根據(jù)權利要求1所述的聚合物鍍石墨結構，其特征在于，所述石墨層(2)的厚度大于或等于O. 01mm。
專利摘要本實用新型公開了一種聚合物鍍石墨結構，包括石墨層和聚合物層，石墨層通過真空鍍設于聚合物層表面，聚合物箔可有效得改良石墨易碎、縱向傳熱性能差的問題，同時真空鍍大大減少了化學電鍍造成的工業(yè)污染。
文檔編號C23C14/06GK202895835SQ20122054633
公開日2013年4月24日 申請日期2012年10月23日 優(yōu)先權日2012年10月23日
發(fā)明者鄧聯(lián)文, 徐麗梅 申請人:昆山漢品電子有限公司