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鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:3269765閱讀:187來源:國知局
專利名稱:鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種模腔內(nèi)的定位結(jié)構(gòu),尤其涉及一種活塞鑲?cè)Φ闹Ъ芙Y(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
活塞常用于燃?xì)馐絻?nèi)燃?xì)?、柴油發(fā)動(dòng)機(jī)等處?;钊跉飧變?nèi)的工作條件是非常惡劣的,且通常其平均運(yùn)動(dòng)速率也較高?;钊诠ぷ鲿r(shí)是往復(fù)運(yùn)動(dòng)的,以1500r/min的柴油機(jī)為例,活塞環(huán)在一分鐘內(nèi)要撞擊環(huán)槽上、下側(cè)面各1500次,同時(shí)摩擦環(huán)槽側(cè)面1500次,這是十分巨大的損耗。因此活塞環(huán)必須使用如鑄鐵等十分耐磨的材料。而為了減輕活塞的重量,降低運(yùn)動(dòng)慣性,活塞本身通常采用鋁、鋁合金等材料制成。這就要在活塞環(huán)槽部做一個(gè)鑄鐵耐磨鑲?cè)?,在澆鑄活塞時(shí)鑲鑄進(jìn)去,這樣既能保證活塞的耐磨性,又能保證活塞重量不會過 大,這就是鑲?cè)钊?。目前在鑲?cè)钊纳a(chǎn)中,通常使用帶有定位凸臺的鑲?cè)?,先用與鑲?cè)ν古_貼合的支架結(jié)構(gòu)將鑲?cè)ν耆ㄎ唬缓筮M(jìn)行澆鑄,澆鑄完成后通過機(jī)加工去掉凸臺。然而當(dāng)高溫鋁液注入模腔,鑲?cè)κ軣崤蛎?,此時(shí)由于凸臺與支架貼合,鑲?cè)χ荒芡渲Ъ芤酝獾姆较蚺蛎?,?dǎo)致膨脹不均勻,可能會引起鑲?cè)Φ倪^度變形而影響質(zhì)量;又因鑲?cè)εc模內(nèi)支架接觸面積過大,導(dǎo)致傳熱面積大,鑲?cè)鋮s過快,而此時(shí)活塞還未完全冷卻收縮成型,易引起成型后的活塞與鑲?cè)χg結(jié)合不緊密甚至脫離。而目前的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)還不能保證鑲?cè)κ軣釙r(shí)膨脹均勻及防止鑲?cè)鋮s過快。中國專利公開號CN1689782A,
公開日2005年11月2日,發(fā)明的名稱為裝飾材料在模腔內(nèi)定位的方法及用于該方法的模具,該申請案公開了一種裝飾材料在模腔內(nèi)定位的方法及用于該方法的模具,其包括凸模和凹模,該凹模上設(shè)有模槽,該凸模上設(shè)有模仁,該模仁包括主體部分和定位部分,閉模后,該主體部分和模槽相配合形成模腔,該裝飾材料位于模腔內(nèi)且和模槽的表面相吻合,該定位部分和模槽的邊緣部分緊密配合而形成定位分模線;將裝飾材料置入凹模的模槽內(nèi),沿閉模方向?qū)⒃撏鼓:桶寄i]合即可將裝飾材料在模腔內(nèi)定位。此類模內(nèi)定位結(jié)構(gòu)應(yīng)用在鑲?cè)钊T造中時(shí)的不足之處仍是不能防止鑲?cè)鋮s過快及不能保證鑲?cè)κ軣崤蛎涊^為均勻。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型克服了現(xiàn)有鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)不能防止鑲?cè)鋮s過快及不能保證鑲?cè)κ軣崤蛎涊^為均勻的不足,提供了一種能防止鑲?cè)鋮s過快及能保證鑲?cè)κ軣崤蛎涊^為均勻的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu),包括若干基架,所述的基架包括本體、位于本體上方的上限位體,所述的本體與上限位體通過側(cè)限位體相連,所述的上限位體下表面設(shè)有向下的凸起,所述的本體的上表面、凸起、側(cè)限位體分別與鑲?cè)ν古_下表面、上表面、側(cè)面接觸。本體、上限位體、側(cè)限位體對帶有凸臺的鑲?cè)ζ鸬搅松?、下、?cè)三個(gè)方向的定位作用,在澆鑄活塞時(shí),鑲?cè)κ軣崤蛎?,由于鑲?cè)ν古_上表面與上限位體通過凸起相接觸,其余部分留有空間,因此鑲?cè)τ幸欢ǖ呐蛎浛臻g,可避免以往鑲?cè)χ荒芊聪蜻^多膨脹而導(dǎo)致過度變形。再者在澆鑄完成后的冷卻過程中,鑲?cè)εc基架的接觸面積大大減小,即傳熱面積減小,可避免鑲?cè)鋮s過快。作為優(yōu)選,所述的側(cè)限位體上設(shè)有側(cè)向凸塊,所述的側(cè)限位體通過側(cè)向凸塊與鑲?cè)ν古_接觸,所述的凸塊與上限位體相連。鑲?cè)κ軣崤蛎洠戏娇臻g膨脹的部分中會有一部分進(jìn)入上限位體上的凸起與側(cè)限位體之間,當(dāng)澆鑄完成冷卻時(shí)再收縮,若上部空間較大,可能會造成收縮不足,鑲?cè)θ杂胁糠挚ㄔ谄渲?。而凸塊與上限位體相連,可形成一個(gè)限位,帶凸臺的鑲?cè)υ谑軣崤蛎洉r(shí)凸臺不會往上端膨脹過多,可避免上述問題的出現(xiàn)。又由于鑲?cè)ν古_的側(cè)面與側(cè)限位體通過凸塊接觸,因此傳熱面積很小,在冷卻時(shí)鑲?cè)Σ灰桌鋮s過快,可盡量保持與活塞一起冷卻收縮。作為優(yōu)選,所述的本體的側(cè)面、上限位體的側(cè)面與鑲?cè)Ψ蛛x。使鑲?cè)υ谑軣崤蛎洉r(shí)有足夠的膨脹空間,避免其過度變形。作為優(yōu)選,所述的凸起為球冠形。球冠形的凸起與鑲?cè)ν古_部分上端為點(diǎn)接觸,既能達(dá)到定位效果,又能保證接觸面積足夠小。作為優(yōu)選,所述的基架數(shù)目為四個(gè),所述的四個(gè)基架沿鑲?cè)χ行木鶆蚍植?。四個(gè)基架可充分定位鑲?cè)Φ乃轿恢眉巴凶¤側(cè)?;基架沿鑲?cè)χ行木鶆蚍植急阌诎惭b支架時(shí)位置的選擇。因此,本實(shí)用新型的有益效果是(I)在各處留有足夠的膨脹空間,能夠使鑲?cè)κ軣釙r(shí)膨脹較為均勻;(2)基架與鑲?cè)佑|面積較小,能防止鑲?cè)鋮s過快。

圖I是本實(shí)用新型定位鑲?cè)r(shí)的示意圖;圖2是本實(shí)用新型的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖中本體I、上限位體2、側(cè)限位體3、凸起4、凸塊5、鑲?cè)?、凸臺7。
具體實(shí)施方式
下面通過實(shí)施例,結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的說明如圖I、圖2所示的一種鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu),包括四個(gè)基架,所述的基架包括本體
I、位于本體I上方的上限位體2,所述的本體I與上限位體2通過側(cè)限位體3相連,所述的上限位體2下表面設(shè)有向下的凸起4,所述的本體I的上表面、凸起4、側(cè)限位體3分別與鑲?cè)ν古_7下表面、上表面、側(cè)面接觸。所述的側(cè)限位體3上設(shè)有側(cè)向凸塊5,所述的側(cè)限位體3通過側(cè)向凸塊5與鑲?cè)?的凸臺7接觸,所述的凸塊5與上限位體2相連。鑲?cè)?受熱膨脹,往上方空間膨脹的部分中會有一部分進(jìn)入上限位體2上的凸起4與側(cè)限位體3之間,當(dāng)澆鑄完成冷卻時(shí)再收縮,若上部空間較大,可能會造成收縮不足,鑲?cè)?仍有部分卡在其中。而凸塊5與上限位體2相連,可形成一個(gè)限位,帶凸臺7的鑲?cè)?在受熱膨脹時(shí)凸臺7不會往上端膨脹過多,可避免上述問題的出現(xiàn)。又由于鑲?cè)?的凸臺7的側(cè)面與側(cè)限位體3通過凸塊5接觸,因此傳熱面積很小,在冷卻時(shí)鑲?cè)?不易冷卻過快,可盡量保持與活塞一起冷卻收縮。所述的本體I的側(cè)面、上限位體2的側(cè)面與鑲?cè)?分離。使鑲?cè)?在受熱膨脹時(shí)有足夠的膨脹空間,避免其過度變形。所述的凸起4為球冠形。球冠形的凸起4與鑲?cè)?的凸臺7部分上端為點(diǎn)接觸,既能達(dá)到定位效果,又能保證接觸面積足夠小。所述的四個(gè)基架沿鑲?cè)?中心均勻分布。四個(gè)基架可充分定位鑲?cè)?的水平位置及托住鑲?cè)? ;基架沿鑲?cè)?中心均勻分布便于安裝支架時(shí)位置的選擇。當(dāng)進(jìn)行鑲?cè)钊麧茶T前,利用本實(shí)用新型固定好帶鑲?cè)?的活塞,本體I的上表面 用于托住鑲?cè)?,上限位體2上的凸起4用于頂住鑲?cè)ν古_7上表面,側(cè)限位體3上的凸塊5用于定位鑲?cè)λ椒较虻奈恢?。在澆鑄過程中,多個(gè)方向上的空間余量可使受熱膨脹的鑲?cè)?能較為自由的膨脹,避免其往一個(gè)方向膨脹過多而導(dǎo)致過度變形。當(dāng)澆鑄完成冷卻收縮時(shí),由于本實(shí)用新型通過凸起4、凸塊5等結(jié)構(gòu)與鑲?cè)?接觸,總接觸面積較小,因此傳熱面積也較小,鑲?cè)?不易冷卻過快。
權(quán)利要求1.一種鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu),包括若干基架,其特征是,所述的基架包括本體(I)、位于本體(I)上方的上限位體(2),所述的本體(I)與上限位體(2)通過側(cè)限位體(3)相連,所述的上限位體(2)下表面設(shè)有向下的凸起(4),所述的本體(I)的上表面、凸起(4)、側(cè)限位體(3)分別與鑲?cè)ν古_(7)下表面、上表面、側(cè)面接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu),其特征是,所述的側(cè)限位體(3)上設(shè)有側(cè)向凸塊(5),所述的側(cè)限位體(3)通過側(cè)向凸塊(5)與鑲?cè)ν古_(7)接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu),其特征是,所述的凸塊(5)與上限位體(2)相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu),其特征是,所述的本體(I)的側(cè)面、上限位體(2)的側(cè)面與鑲?cè)?6)分離。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu),其特征是,所述的凸起(4)為球冠形。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu),其特征是,所述的基架數(shù)目為四個(gè),所述的四個(gè)基架沿鑲?cè)?6)中心均勻分布。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種能防止鑲?cè)鋮s過快及能保證鑲?cè)κ軣崤蛎涊^為均勻的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu),克服了現(xiàn)有鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)不能防止鑲?cè)鋮s過快及不能保證鑲?cè)κ軣崤蛎涊^為均勻的不足。所述的鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu),包括若干基架,所述的基架包括本體、位于本體上方的上限位體,所述的本體與上限位體通過側(cè)限位體相連,所述的上限位體下表面設(shè)有向下的凸起,所述的本體的上表面、凸起、側(cè)限位體分別與鑲?cè)ν古_下表面、上表面、側(cè)面接觸。本實(shí)用新型適用于以往鑲?cè)χЪ芙Y(jié)構(gòu)所適用的場合,具有能夠使鑲?cè)κ軣釙r(shí)膨脹較為均勻、能防止鑲?cè)鋮s過快等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號B22C9/22GK202683967SQ20122027418
公開日2013年1月23日 申請日期2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月11日
發(fā)明者張應(yīng)飛, 金玉明, 李莉, 劉強(qiáng), 楊安志, 趙福全 申請人:浙江吉利汽車研究院有限公司杭州分公司, 浙江吉利汽車研究院有限公司, 浙江吉利控股集團(tuán)有限公司
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