專利名稱：沉積源組件和有機層沉積設備的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明的一個或多個方面涉及一種沉積源組件、一種有機層沉積設備和一種通過利用該有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，更具體地講，涉及一種可以簡單地應用于大規(guī)模制造大尺寸顯示裝置并且提高了制造良率的有機層沉積設備以及一種通過利用該有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
與其它顯示裝置相比，有機發(fā)光顯示裝置具有更大的視角、更好的對比度特性和更快的響應速度，因此作為下一代顯示裝置而備受關注。有機發(fā)光顯示設備通常具有包括陽極、陰極及設置在陽極和陰極之間的發(fā)射層的堆疊結(jié)構(gòu)。當分別從陽極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)射層中復合并由此發(fā)射光時，所述設備顯示彩色圖像。然而，僅采用這種結(jié)構(gòu)難以實現(xiàn)高發(fā)光效率，因此可以在發(fā)射層和每個電極之間另外設置包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等的中間層。然而，很難以精細圖案形成諸如發(fā)射層和中間層的有機薄膜。另外，紅色、綠色和藍色的發(fā)光效率會根據(jù)發(fā)射層和中間層而改變。因此，很難通過利用相當?shù)挠袡C層沉積設備來執(zhí)行大面積的有機薄膜的圖案化。因此，制造具有滿意的驅(qū)動電壓、電流密度、亮度、色純度、發(fā)光效率和壽命特性的大尺寸的有機發(fā)光顯示設備受到限制。因此，急需解決這個圖案化問題。上面描述的背景技術(shù)是本申請的發(fā)明人為了獲得本發(fā)明已經(jīng)實現(xiàn)或者是在獲得本發(fā)明的過程中已經(jīng)實現(xiàn)的技術(shù)信息。因此，該背景技術(shù)不能被認為是在申請本發(fā)明之前已經(jīng)對公眾公開的背景技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例的方面涉及一種沉積源組件、一種可以簡單地應用于大規(guī)模生產(chǎn)大尺寸的顯示裝置并且提高制造良率和沉積效率的有機層沉積設備、以及一種通過利用該有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示設備的方法。根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了一種沉積源組件，所述沉積源組件包括第一沉積源，用于排放沉積材料；第二沉積源，堆疊在第一沉積源上，第二沉積源用于排放與第一沉積源排放的沉積材料不同的沉積材料；第二沉積源噴嘴單元，設置在第二沉積源的面對沉積目標的側(cè)面，并且包括多個第二沉積源噴嘴；第一沉積源噴嘴單元，設置在第二沉積源的面對沉積目標的側(cè)面，并且包括形成為穿過第二沉積源的多個第一沉積源噴嘴?？梢詮牡谝怀练e源排放主體材料，可以從第二沉積源排放摻雜劑材料?？梢詮牡谝怀练e源排放摻雜劑材料，可以從第二沉積源排放主體材料。
包含在第一或第二沉積源中的主體材料的量可以大于包含另一個沉積源中的摻雜劑材料的量。第二沉積源的溫度可以保持為比第一沉積源的溫度高。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以在第二沉積源的面對沉積目標的側(cè)面按行布置并且可以交替布置。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以在第二沉積源的面對沉積目標的側(cè)面按行布置，多個第一沉積源噴嘴中的每個第一沉積源噴嘴可以同心地包括在多個第二沉積源噴嘴中的對應的第二沉積源噴嘴中。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供了一種用于在基底上形成有機層的有機層沉積設備，所述有機層沉積設備包括沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設置在沉積源的側(cè)面并且包括多個沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設置為面對沉積源噴嘴單元并且包括多個圖案化縫隙。所述沉積源包括第一沉積源和堆疊在第一沉積源上的第二沉積源。沉積源噴嘴單元包括第二沉積源噴嘴單元，設置在第二沉積源的面對基底的側(cè)面，第二沉積源噴嘴單元包括多個第二沉積源噴嘴；第一沉積源噴嘴單元，設置在第二沉積源的面對基底的側(cè)面，第一沉積源噴嘴單元包括形成為穿過第二沉積源的多個第一沉積源噴嘴?；自O置為與有機層沉積設備分開設定距離，以相對于有機層沉積設備運動?？梢詮牡谝怀练e源排放主體材料，可以從第二沉積源排放摻雜劑材料?？梢詮牡谝怀练e源排放摻雜劑材料，可以從第二沉積源排放主體材料。包含在第一或第二沉積源中的主體材料的量可以大于包含另一個沉積源中的摻雜劑材料的量。第二沉積源的溫度可以保持為比第一沉積源的溫度高。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以在第二沉積源的面對基底的側(cè)面按行布置并且可以交替布置。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以在第二沉積源的面對基底的側(cè)面按行布置，多個第一沉積源噴嘴中的每個第一沉積源噴嘴可以同心地包括在多個第二沉積源噴嘴中的對應的第二沉積源噴嘴中。圖案化縫隙片可以比基底小。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以沿著第一方向布置。多個圖案化縫隙可以沿著與第一方向垂直的第二方向布置。沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片可以經(jīng)由連接構(gòu)件整體地形成為一體。連接構(gòu)件可以弓I導沉積材料的運動。連接構(gòu)件可以形成為密封沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以沿著第一方向布置。多個圖案化縫隙也可以沿著第一方向布置。所述有機層沉積設備還可以包括障礙板組件，所述障礙板組件包括在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間沿著第一方向設置的多個障礙板。多個障礙板將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的排放空間劃分為多個子沉積空間。多個障礙板可以沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸。障礙板組件可以包括第一障礙板組件，包括多個第一障礙板；第二障礙板組件，包括多個第二障礙板。
為了將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的沉積空間劃分為多個子沉積空間，多個第一障礙板和多個第二障礙板可以沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸。有機層沉積設備還可以包括室。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以沿著第一方向布置。圖案化縫隙片可以與室的內(nèi)側(cè)固定地結(jié)合，多個圖案化縫隙片可以沿著與第一方向垂直的第二方向布置。所述有機層沉積設備還可以包括第一傳送單元，所述第一傳送單元用于沿著第一方向移動固定有基底的靜電吸盤。
第一傳送單元可以包括框架，沉積源設置在框架中；片支撐單元，形成為從框架的內(nèi)側(cè)表面突出并且支撐圖案化縫隙片。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供了一種制造有機發(fā)光顯示設備的方法，所述方法包括將有機層沉積設備設置為與作為沉積目標的基底分開設定距離。有機發(fā)光顯示設備包括沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設置在沉積源的側(cè)面并且包括多個沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設置為面對沉積源噴嘴單元并且包括多個圖案化縫隙。所述沉積源包括第一沉積源和堆疊在第一沉積源上的第二沉積源。沉積源噴嘴單元包括第二沉積源噴嘴單元和第一沉積源噴嘴單元，第二沉積源噴嘴單元設置在第二沉積源的面對基底的側(cè)面，第二沉積源噴嘴單元包括多個第二沉積源噴嘴，第一沉積源噴嘴單元設置在第二沉積源的面對基底的側(cè)面，第一沉積源噴嘴單元包括形成為穿過第二沉積源的多個第一沉積源噴嘴。在有機層沉積設備或基底相對于另一個運動的同時在基底上沉積沉積材料。可以從第一沉積源排放主體材料，可以從第二沉積源排放摻雜劑材料?？梢詮牡谝怀练e源排放摻雜劑材料，可以從第二沉積源排放主體材料。包含在第一或第二沉積源中的主體材料的量大于包含在另一個沉積源中的摻雜劑材料的量。第二沉積源的溫度可以被保持為比第一沉積源的溫度高。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以在第二沉積源的面對基底的側(cè)面按行布置并且可以交替布置。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以在第二沉積源的面對基底的側(cè)面按行布置，多個第一沉積源噴嘴中的每個可以同心地包括在多個第二沉積源噴嘴中的對應的第二沉積源噴嘴中。圖案化縫隙片可以比基底小。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以沿著第一方向布置，多個圖案化縫隙片沿著與第一方向垂直的第二方向布置。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以沿著第一方向布置。多個圖案化縫隙可以沿著第一方向布置。所述有機層沉積設備還可以包括障礙板組件，所述障礙板組件包括設置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間沿著第一方向設置的多個障礙板。多個障礙板將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的排放空間劃分為多個子沉積空間。有機層沉積設備還可以包括室。多個第一沉積源噴嘴和多個第二沉積源噴嘴可以沿著第一方向布置。圖案化縫隙片可以與室的內(nèi)側(cè)固定地結(jié)合，多個圖案化縫隙片可以沿著與第一方向垂直的第二方向布置。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供了一種利用有機層沉積設備制造的有機發(fā)光顯示設備。


通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明的上述和其它特征將變得更加清楚，在附圖中圖I是根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積源組件的示意性切開透視圖；圖2A和圖2B是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖I中的沉積源組件的示意性側(cè)面剖視圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖I中的沉積源組件的操作的示意性剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的沉積源組件的示意性切開透視圖； 圖5是圖4中的沉積源組件的示意性側(cè)面剖視圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖4中的沉積源組件的操作的示意性剖視圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括在有機層沉積設備中的有機層沉積組件的示意性切開透視圖；圖8是圖7中的有機層沉積組件的示意性側(cè)面剖視圖；圖9是圖7中的有機層沉積組件的示意性平面剖視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件的示意性切開透視圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件的示意性切開透視圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的包括在有機層沉積設備中的有機層沉積組件和第一傳送單元的示意性切開透視圖；圖13是圖12中的有機層沉積組件的示意性平面剖視圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明實施例的通過利用有機層沉積設備制造的有源矩陣有機發(fā)光顯示設備的剖視圖。
具體實施例方式在下文中，將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例，從而本領域普通技術(shù)人員可以容易地實現(xiàn)本發(fā)明的示例性實施例。可以以各種形式實施本發(fā)明，因此本發(fā)明不限于這里提出的實施例。圖I是根據(jù)本發(fā)明實施例的沉積源組件201的示意性切開透視圖。圖2A是沿圖I中的線I-I截取的側(cè)面剖視圖。圖2B是沿圖I中的線II-II截取的側(cè)面剖視圖。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖I中的沉積源組件201的操作的示意性剖視圖。參照圖I至圖2B，沉積源組件201包括沉積源110和沉積源噴嘴單元120。沉積源110可以包括第一沉積源I IOa和第二沉積源110b。第一沉積源I IOa和第二沉積源IlOb蒸發(fā)沉積材料115a和115b，從而分別在沉積目標(圖3中示出的基底500)上形成薄膜。具體地講，第一沉積源IlOa可以包含主體材料作為沉積材料115a，第二沉積源IlOb可以包含摻雜劑材料作為沉積材料115b。由于主體材料115a和摻雜劑材料115b在不同的溫度下蒸發(fā)，所以可以使用多個沉積源和多個噴嘴單元來共同地或同時沉積主體材料115a和摻雜劑材料115b。主體材料115a的示例可以包括三(8_羥基喹啉)鋁(Alq3)、9，10-二(萘_2_基)蒽(ADN)、3_ 叔丁 基-9，10- 二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4 '-雙(2，2- 二苯基-乙稀_1_基)_聯(lián)苯(DPVBi)、4，4 ' _雙[2, 2_ _. (4-甲基苯基)-乙稀-I-基]聯(lián)苯(ρ-DMDPVBi)、三(9，9-二芳基芴)(TDAF)、2-(9，9'-螺二芴-2-基)-9，9 '-螺二芴(BSDF)、2，7-二(9，9'-螺二芴-2-基)-9，9 '-螺二芴(TSDF)、二(9，9_ 二芳基芴)(BDAF)、4，4, -二 [2-(4-叔丁基-苯基)-乙烯-I-基]聯(lián)苯(p-TDPVBi)、1，3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、l，3，5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4，f，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4'-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、4，4'-雙(咔唑-9-基)-2，2^ -二甲基聯(lián)苯(CBDP)、2，7-雙(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、2，7-雙(咔唑-9-基)-9，9-雙[4-(咔唑-9-基)-苯基]芴(FL-4CBP)、2，7-雙(咔唑-9-基)-9，9-二甲苯基-芴 (DPFL-CBP)、9，9_ 雙[4-(咔唑-9-基)-苯基]芴(FL-2CBP)等。摻雜劑材料115b的示例可以包括4，4'-雙[4_(二對甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、9，10- 二(萘-2-基)蒽(ADN)、3_ 叔丁基 _9，10- 二(萘-2-基)蒽(TBADN)
坐寸ο在當前實施例中，主體材料115a的量大于摻雜劑材料115b的量。盡管摻雜劑材料115b的含量可以根據(jù)用于形成薄膜的材料而改變，但是在按重量計100份的薄膜形成材料(主體材料115a和摻雜劑材料115b的總重量)中，可以包含按重量計大約3份至大約20份的摻雜劑材料115b。在一個實施例中，如果摻雜劑材料115b的含量超出上述范圍，則有機發(fā)光顯示設備的發(fā)光特性劣化。因此,包含主體材料115a的第一沉積源IlOa的尺寸大于包含摻雜劑材料115b的第二沉積源IlOb的尺寸。第一沉積源IlOa和第二沉積源IlOb沿著豎直方向設置。換而言之，第二沉積源IIOb堆疊在第一沉積源IIOa上。圖I至圖2B示出了主體材料115a包含在第一沉積源IlOa中，但是本發(fā)明的方面不限于此，主體材料115a可以包含在第二沉積源IlOb中。然而，在這種情況下，與圖I至圖2B中不同，第二沉積源IlOb的尺寸應該大于第一沉積源IlOa的尺寸。同樣地，在另一實施例中，第一沉積源IlOa和第二沉積源IlOb按行水平設置，因此主體材料115a和摻雜劑材料115b沒有均勻地沉積。換而言之，在其上將主體材料115a和摻雜劑材料115b排放為彼此疊置的區(qū)域小，具體地，這個區(qū)域的邊緣可能僅被主體材料115a或摻雜劑材料115b涂覆，從而降低摻雜均勻性。然而，在圖I至圖2B示出的實施例中，由于第一沉積源IIOa和第二沉積源IlOb豎直設置在圖I的沉積源110中，所以主體材料115a和摻雜劑材料115b可以均勻地排放到期望區(qū)域上，從而保證或保障摻雜均勻性。具體地講，第一沉積源I IOa包括填充有主體材料115a的坩堝112a以及加熱坩堝112a以朝向坩堝112a的側(cè)面(例如，上側(cè))(具體地，朝向沉積目標)蒸發(fā)主體材料115a的加熱器113a。加熱器113a包括在包裹或覆蓋坩堝112a的冷卻塊Illa中，冷卻塊Illa保護或防止來自坩堝112a的熱輻射到外部(例如，室(未示出))。類似地，第二沉積源IlOb包括填充有摻雜劑材料115b的坩堝112b以及加熱坩堝112b以朝向坩堝112b的側(cè)面(具體地，朝向沉積目標)蒸發(fā)摻雜劑材料115b的加熱器113b。加熱器113b包括在包裹或覆蓋坩堝112b的冷卻塊Illb中。
設置在第一沉積源IlOa上的第二沉積源IlOb保持在比第一沉積源IlOa的溫度高的溫度。換而言之，在相對高的溫度下蒸發(fā)的材料包含在第二沉積源IlOb中，在相對低的溫度下蒸發(fā)的材料包含在第二沉積源IlOb下方的第一沉積源IlOa中。這是因為第一沉積源IlOa的沉積源噴嘴形成為穿過第一沉積源IlOa上的第二沉積源110b。因此，當?shù)诙练e源IlOb的溫度低時，第一沉積源IlOa的沉積源噴嘴中的沉積材料會變成固體狀態(tài)并且會阻擋沉積源噴嘴。因此，包括在第二沉積源IlOb中的加熱器113b產(chǎn)生的熱的強度應該比包括在第一沉積源IlOa中的加熱器113a產(chǎn)生的熱的強度高。沉積源噴嘴單元120設置在第二沉積源IlOb的側(cè)面，具體地講，設置在第二沉積源IlOb的面對沉積目標(圖3中的基底500)的側(cè)面。具體地，由于第一沉積源IlOa設置在第二沉積源IlOb下方，所以包括多個第一沉積源噴嘴121a的第一沉積源噴嘴單元穿過第二沉積源110b，并且位于第二沉積源IlOb的側(cè)面，具體地，位于第二沉積源IlOb的面對沉積目標的側(cè)面。包括多個第二沉積源噴嘴121b的第二沉積源噴嘴單元也位于第二沉積源IlOb的所述側(cè)面。沉積源噴嘴單元120包括多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b。多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b是包含在坩堝112a·和112b中的主體材料115a和摻雜劑材料115b朝向沉積目標排放所經(jīng)過的通道。因此，多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b形成為分別從第一沉積源IlOa和第二沉積源I IOb朝向沉積目標延伸。在當前實施例中，多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b在第二沉積源IlOb的面對沉積目標的側(cè)面按行布置。參照圖2A和圖2B，多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b交替地布置，從而主體材料115a和摻雜劑材料115b可以均勻地沉積在設定或預定的排放區(qū)域中。通過上面描述的結(jié)構(gòu)，主體材料115a和摻雜劑材料115b的混合比例在整個基底500中可以是恒定的，如圖3中所示。如果通過利用以恒定混合比例混合的主體材料115a和摻雜劑材料115b的混合物來形成薄膜，則薄膜在色坐標、發(fā)光效率、驅(qū)動電壓和壽命方面可以展現(xiàn)出改進的特性。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的沉積源組件202的示意性切開透視圖。圖5是沿著圖4中的線III-III截取的側(cè)面剖視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖4中的沉積源組件202的示意性剖視圖。參照圖4至圖6，除了包括在沉積源噴嘴單元12(V中的多個噴嘴的形狀和布置之夕卜，沉積源110'具有與包括在圖I的沉積源組件201中的沉積源110的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。換而言之，在圖4的沉積源組件202中，多個第一沉積源噴嘴121a'和多個第二沉積源噴嘴121b'在第二沉積源IlOb'的面對沉積目標的側(cè)面沿行布置，其中，第二沉積源IlOb'包括坩堝112b'和冷卻塊lllb'。另外，參照圖5，多個第一沉積源噴嘴121a'中的每個以同心的方式設置在多個第二沉積源噴嘴121b'之一中。參照圖6，第一區(qū)域(在其上排放主體材料115a)和第二區(qū)域(在其上排放摻雜劑材料115b)大。因此，與利用圖I的沉積源組件201時相比，利用沉積源組件202時可以將主體材料115a和摻雜劑材料115b更均勻地沉積。沉積源組件202的其它元件與圖I的沉積源組件201的其它元件在它們的操作和結(jié)構(gòu)方面相同或相似，因此不在這里描述。下面描述根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備的有機層沉積組件。圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備的有機層沉積組件100的示意性切開透視圖。圖8是圖7中的有機層沉積組件的示意性側(cè)面剖視圖。圖9是圖7中的有機層沉積組件100的示意性平面剖視圖。有機層沉積組件100包括在有機層沉積設備的沉積單元(未示出)中。盡管未示出，但是沉積單元可以包括多個沉積室，多個有機層沉積組件100可以分別設置在多個沉積室中。有機層沉積組件100的總數(shù)可以根據(jù)沉積材料和沉積條件改變。每個沉積室在沉積工藝期間保持在真空狀態(tài)。作為沉積目標的基底500可以固定在靜電吸盤600上，然后與靜電吸盤600 —起被傳送到沉積室。參照圖7至圖9，有機層沉積組件100包括沉積源組件201、障礙板組件130和圖案化縫隙片150。盡管為了方便解釋，在圖7至圖9中沒有示出室，但是有機層沉積組件100的所有組件可以設置在保持在適當真空度的室中。為了使主體材料115a和摻雜劑材料115b穿過 有機層沉積組件100沿著基本上直線運動，所述室保持在適當?shù)恼婵?。在所述室中，作為沉積目標的基底500通過靜電吸盤600傳送。基底500可以為平板顯示器的基底。用于制造多個平板顯示器的諸如母玻璃的大基底可以用作基底500。也可以米用其它基底。在當前實施例中，基底500可以相對于有機層沉積組件100運動。例如，如圖7中所示，基底500可以相對于有機層沉積組件100沿著箭頭A的方向運動。在利用精細金屬掩模(FMM)的相當?shù)某练e方法中，F(xiàn)MM的尺寸必須大于或等于基底的尺寸。因此，F(xiàn)MM的尺寸必須隨著基底變大而增加。然而,不能容易地制造大的FMM，也不能將FMM擴展為與精細圖案精確地對準。為了克服這個問題，在有機層沉積組件100中，可以在有機層沉積組件100或基底500相對于另一個運動的同時執(zhí)行沉積。換而言之，可以在設置為例如面對有機層沉積組件100的基底500沿著Y軸方向運動的同時連續(xù)地執(zhí)行沉積。換而言之，可以在基底500沿著圖7中的箭頭A的方向運動的同時以掃描方式執(zhí)行沉積。盡管基底500被示出為在執(zhí)行沉積時沿著圖7中的Y軸方向運動，但是本發(fā)明的方面不限于此。例如，可以在有機層沉積組件100沿著Y軸方向運動而基底500固定時執(zhí)行沉積。因此，在根據(jù)當前實施例的有機層沉積組件100中，圖案化縫隙片150可以明顯地比在相當?shù)某练e方法中使用的FMM小。即，在有機層沉積組件100中，在基底500沿著Y軸方向運動的同時，連續(xù)地執(zhí)行沉積，即，以掃描的方式執(zhí)行沉積。因此，只要圖案化縫隙片150沿著X軸方向的寬度和基底500沿著X軸方向的寬度基本上彼此相等，圖案化縫隙片150沿著Y軸方向的長度可以明顯小于基底500的長度。然而，即使當圖案化縫隙片150沿著X軸方向的寬度小于基底500沿著X軸方向的寬度，也可以在基底500或有機層沉積組件100相對于另一個運動的同時以掃描方式對整個基底500執(zhí)行沉積。如上所述，由于圖案化縫隙片150可以形成為明顯地比在相當?shù)某练e方法中采用的FMM小，所以制造在本發(fā)明中使用的圖案化縫隙片150相對容易。換而言之，與采用較大FMM的相當?shù)某练e方法相比，采用比在傳統(tǒng)沉積方法中采用的FMM小的圖案化縫隙片150，在包括蝕刻和其它后續(xù)工藝(例如，精確擴展、焊接、移動和清潔工藝)的所有工藝中更方便。這對于相對大的顯示設備來說更有利。
為了在如上所述有機層沉積組件100或基底500相對于另一個運動的同時執(zhí)行沉積，有機層沉積組件100和基底500可以彼此分開設定或預定的距離。后面將對此進行詳細描述。包含并加熱主體材料115a和摻雜劑材料115b的沉積源組件201設置在所述室的與設置有基底500的側(cè)面相對的側(cè)面。盡管圖7中的有機層沉積組件100采用圖I中示出的沉積源組件201，但是本發(fā)明的方面不限于此，可以采用圖4中示出的沉積源組件202。如上所述并且參照圖12，沉積源110包括第一沉積源IlOa和設置在第一沉積源IlOa上的第二沉積源110b。第一沉積源IlOa包括填充有主體材料115a的坩堝112a和加熱坩堝112a的加熱器113a。第二沉積源IlOb包括填充有摻雜劑材料115b的坩堝112b和加熱坩堝112b的加熱器113b。為了順利地排放主體材料115a和摻雜劑材料115b，位于第一沉積源IlOa上的第二沉積源IlOb的溫度保持為高于第一沉積源IlOa的溫度。盡管主體材料115a和摻雜劑材料115b中的每個可以包含在第一沉積源IlOa和第二沉積源IlOb中的任何一個中，但是主體材料115a的量應該大于摻雜劑材料115b的量，因此包含主體材料115a的沉積源的尺寸應該大于包含摻雜劑材料115b的沉積源的尺寸。如上所述，沉積源噴嘴單元120設置在沉積源110的一側(cè)，具體地講，設置在第二·沉積源IlOb的面向基底500的一側(cè)。沉積源噴嘴單元120包括沿著X軸方向布置的多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b。沉積源噴嘴單元120包括含有多個第一沉積源噴嘴121a的第一沉積源噴嘴單元和含有多個第二沉積源噴嘴121b的第二沉積源噴嘴單元。多個第一沉積源噴嘴121a穿過第二沉積源IlOb并且位于第二沉積源IlOb的一側(cè)。多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b交替地設置。因此，主體材料115a和摻雜劑材料115b可以均勻地沉積在預定的排放區(qū)域上。障礙板組件130設置在沉積源噴嘴單元120的側(cè)面。障礙板組件130包括多個障礙板131以及覆蓋障礙板131的側(cè)面的障礙板框架132。多個障礙板131可以沿著X軸方向以相等的間隔彼此平行地布置。每個障礙板131可以布置為平行于圖7中的YZ平面，并且可以具有矩形形狀。如上所述布置的多個障礙板131將沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間的沉積空間劃分為多個子沉積空間S。參照圖9，在有機層沉積組件100中，沉積空間被障礙板131劃分為分別對應于多對第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b的子沉積空間S，其中，主體材料115a和摻雜劑材料115b通過多對第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b排放。障礙板131可以分別設置在相鄰的成對的第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b之間。換而言之，用于排放主體材料115a的多個第一沉積源噴嘴121a中的一個和用于排放摻雜劑材料115b的多個第二沉積源噴嘴121b中的一個在兩個相鄰的障礙板131之間設置為一組。成對的第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b可以分別位于兩個相鄰的障礙板131之間的中點處。然而，本發(fā)明的方面不限于這種結(jié)構(gòu)，多個成對的第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b可以設置在兩個相鄰的障礙板131之間。在這種情況下，多個成對的第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b也可以位于兩個相鄰的障礙板131之間的中點處。如上所述，由于障礙板131將沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間的沉積空間劃分為多個子沉積空間S，所以通過一對第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b排放的主體材料115a和摻雜劑材料151b沒有與通過其它對第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b排放的主體材料115a和摻雜劑材料115b混合，并且穿過圖案化縫隙151沉積在基底500上。換而言之，障礙板131將通過成對的第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b排放的主體材料115a和摻雜劑材料115b引導為沿著Z軸方向直線運動，而不是沿著X軸方向流動。如上所述，通過安裝障礙板131，主體材料115a和摻雜劑材料115b被迫直線運動，從而與沒有安裝障礙板的情況相比，在基底500上可以形成較小的陰影區(qū)。因此，有機層沉積組件100和基底500可以彼此分開設定或預定的距離。稍后將對此進行詳細描述。圖案化縫隙片150和框架155設置在沉積源110和基底500之間。框架155的形狀可以類似于窗口框架。圖案化縫隙片150約束在框架155內(nèi)部。圖案化縫隙片150包括沿著X軸方向布置的多個圖案化縫隙151。圖案化縫隙151沿著Y軸方向延伸。在沉積源110中蒸發(fā)并且穿過成對的第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b的主體材料115a和摻雜劑材料115b朝向基底500穿過圖案化縫隙151。
圖案化縫隙片150可以由金屬薄膜形成。圖案化縫隙片150固定到框架155，從而對圖案化縫隙片155施加張力。可以通過將圖案化縫隙片150蝕刻為條形圖案來形成圖案化縫隙151。圖案化縫隙151的數(shù)量可以等于將要在基底500上形成的沉積圖案的數(shù)量。障礙板組件130和圖案化縫隙片150可以設置為彼此分隔開設定或預定的距離?？蛇x地，障礙板組件130和圖案化縫隙片150可以通過連接構(gòu)件135連接。如上所述，根據(jù)當前實施例的有機層沉積組件100在相對于基底500運動的同時執(zhí)行沉積。為了使有機層沉積組件100相對于基底500運動，圖案化縫隙片150設置為與基底500分隔開設定或預定距離。另外，為了防止(或保護以免)當圖案化縫隙片150和基底500彼此分開設置時在基底500上形成相對大的陰影區(qū)域，在沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間布置障礙板131，以強迫主體材料115a和摻雜劑材料115b沿著直線方向運動。因此，可以急劇減小可能在基底500上形成的陰影區(qū)域的尺寸。在利用FMM的相當?shù)某练e方法中，為了防止(或保護以免)在基底上形成陰影區(qū)域，采用與基底緊密接觸的FMM執(zhí)行沉積。然而，當采用與基底緊密接觸的FMM時，這種接觸會引起缺陷，例如，在形成在基底上的圖案上的劃傷。另外，在相當?shù)某练e方法中，因為掩模不能相對于基底運動，所以掩模的尺寸必須與基底的尺寸相同。因此，掩模的尺寸必須隨著顯示設備變大而增加。然而，不容易制造這種大掩模。為了克服這個問題，在根據(jù)當前實施例的有機層沉積組件100中，圖案化縫隙片150設置為與基底500分開設定或預定距離。這可以通過安裝障礙板131來實現(xiàn)，以減小將要形成在基底500上的陰影區(qū)域的尺寸。通過利用如上所述的有機層沉積設備可以形成諸如有機層的薄膜，以制造有機發(fā)光顯示設備。下面參照圖14對此進行詳細描述。圖10是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件800的示意性切開透視圖。參照圖10，有機層沉積組件800包括沉積源組件201、第一障礙板組件830、第二障礙板組件840和圖案化縫隙片850。沉積源組件201、第一障礙板組件830和圖案化縫隙片850具有與如上參照圖7描述的前述實施例中的元件相同的結(jié)構(gòu)，因此這里將不提供對這些元件的詳細描述。根據(jù)當前實施例的有機層沉積組件800與根據(jù)前面實施例的圖7中的有機層沉積組件100的區(qū)別在于第二障礙板組件840設置在第一障礙板組件830的一側(cè)。具體地講，第二障礙板組件840包括多個第二障礙板841以及覆蓋多個第二障礙板841的側(cè)面的第二障礙板框架842。多個第二障礙板841可以沿著X軸方向以相等的間隔彼此平行地布置。另外，多個第二障礙板841中的每個可以形成為沿著圖10中的YZ平面(S卩，垂直于X軸方向)延伸。如上所述布置的多個第一障礙板831和多個第二障礙板841劃分沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片850之間的沉積空間。換而言之，通過多個第一障礙板831和多個第二障礙板841將沉積空間劃分為分別對應于成對的第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b的子沉積空間，其中，主體材料115a和摻雜劑材料115b通過成對的第一沉積源噴嘴121a和第二沉積源噴嘴121b排放。多個第二障礙板841可以設置為分別對應于多個第一障礙板831。換而言之，多個·第二障礙板841可以分別相對于多個第一障礙板831對齊。S卩，每對對應的第一障礙板831和第二障礙板841可以位于相同的平面上。多個第一障礙板831和多個第二障礙板841分別示出為沿著X軸方向具有相同的厚度，但是本發(fā)明的方面不限于此。換而言之，需要與圖案化縫隙851精確對準的第二障礙板841可以形成為相對薄，而不需要與圖案化縫隙151精確對準的第一障礙板831可以形成為相對厚。這樣使得有機層沉積組件800的制造更容易。圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件900的示意性分開透視圖。參照圖11，有機層沉積組件900包括沉積源組件201和圖案化縫隙片950。如上所述，參照圖11，沉積源110包括第一沉積源I IOa和設置在第一沉積源IlOa上的第二沉積源110b。第一沉積源IlOa包括填充有主體材料115a的坩堝112a以及加熱坩堝112a的加熱器113a。第二沉積源IlOb包括填充有摻雜劑材料115b的坩堝112b以及加熱坩堝112b的加熱器113b。為了順利地排放主體材料115a和摻雜劑材料115b，位于第一沉積源IlOa上的第二沉積源IlOb的溫度保持為高于第一沉積源IlOa的溫度。盡管主體材料115a和摻雜劑材料115b中的每個可以包含在第一沉積源IlOa和第二沉積源IlOb中的任何一個中，但是主體材料115a的量應該大于摻雜劑材料115b的量，因此包含主體材料115a的沉積源的尺寸應該大于包含摻雜劑材料115b的沉積源的尺寸。如上所述，沉積源噴嘴單元120設置在沉積源110的一側(cè)，具體地講，設置在第二沉積源IlOb的面向基底500的一側(cè)。沉積源噴嘴單元120包括沿著X軸方向布置的多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b。沉積源噴嘴單元120包括含有多個第一沉積源噴嘴121a的第一沉積源噴嘴單元和含有多個第二沉積源噴嘴121b的第二沉積源噴嘴單元。多個第一沉積源噴嘴121a穿過第二沉積源IlOb并且位于第二沉積源IlOb的一側(cè)。多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b交替地設置。因此，主體材料115a和摻雜劑材料115b可以均勻地沉積在設定或預定的排放區(qū)域上。圖案化縫隙片950和框架955進一步設置在沉積源110和基底500之間。圖案化縫隙片950包括沿著X軸方向布置的多個圖案化縫隙951。沉積源110和沉積源噴嘴單元120經(jīng)過連接構(gòu)件935與圖案化縫隙片950結(jié)合。也就是說，沉積源110、沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片950可以經(jīng)由連接構(gòu)件935整體地形成為一體。連接構(gòu)件935被構(gòu)造為引導沉積材料的運動。另外，連接構(gòu)件935可以形成為密封沉積源110、沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片950之間的空間。當前實施例與前述實施例在包括在沉積源噴嘴單元120中的多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b的布置方面有所不同。下面對此進行詳細描述。沉積源噴嘴單元120設置在沉積源110的側(cè)面，具體地講，設置在沉積源110的面對基底500的側(cè)面。沉積源噴嘴單元120包括沿著Y軸方向(即，基底500的掃描方向)的多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b。如上所述，當沿著Y軸方向(即，基底500的掃描方向)在沉積源噴嘴單元120上形成多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b時，由通過圖案化縫隙片950的多個圖案化縫隙951中的每個排放的主體材料115a和摻雜劑材料115b形成的圖案的尺寸受多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b中的一個的尺寸影響(因為沿著X軸方向只有一行多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b)。因此，在基底500上不會形成陰影區(qū)域。另外，由于多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴 121b沿著基底500的掃描方向布置，所以即使多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b之間的流量存在差別，也可以補償這種差別，并且可以一直保持沉積均勻性。另夕卜，有機層沉積組件900不包括在諸如圖7中示出的障礙板組件，沉積材料不沉積在障礙板組件上，從而提高了主體材料115a和摻雜劑材料115b的利用效率。圖12是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括在有機層沉積設備中的有機層沉積組件1100和第一傳送單元610的示意性分開透視圖。圖13是圖12中的有機層沉積設備的示意性分開平面圖。在圖13中，為了便于解釋，沒有示出第一室。參照圖12和圖13，有機層沉積設備包括第一傳送單元610和沉積單元730的有機層沉積組件1100。第一傳送單元610被構(gòu)造為將固定有基底500的靜電吸盤600朝向沉積單元730移動。具體地講，有機層沉積組件1100包括沉積源組件201和圖案化縫隙片150。如上所述，參照圖12，沉積源110包括第一沉積源I IOa和設置在第一沉積源IlOa上的第二沉積源110b。第一沉積源IlOa包括填充有主體材料115a的坩堝112a以及加熱坩堝112a的加熱器113a。第二沉積源IlOb包括填充有摻雜劑材料115b的坩堝112b以及加熱坩堝112b的加熱器113b。為了順利地排放主體材料115a和摻雜劑材料115b，位于第一沉積源IlOa上的第二沉積源IlOb的溫度保持為高于第一沉積源IlOa的溫度。盡管主體材料115a和摻雜劑材料115b中的每個可以包含在第一沉積源IlOa和第二沉積源IlOb中的任何一個中，但是主體材料115a的量應該大于摻雜劑材料115b的量，因此包含主體材料115a的沉積源的尺寸應該大于包含摻雜劑材料115b的沉積源的尺寸。如上所述，沉積源噴嘴單元120設置在沉積源110的一側(cè)，具體地講，設置在第二沉積源IlOb的面向基底500的一側(cè)。沉積源噴嘴單元120包括沿著X軸方向布置的多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b。沉積源噴嘴單元120包括含有多個第一沉積源噴嘴121a的第一沉積源噴嘴單元和含有多個第二沉積源噴嘴121b的第二沉積源噴嘴單元。多個第一沉積源噴嘴121a穿過第二沉積源IlOb并且位于第二沉積源IlOb的一側(cè)。多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b交替地設置。因此，主體材料115a和摻雜劑材料115b可以均勻地沉積在設定或預定的排放區(qū)域上。
圖案化縫隙片150和框架155進一步設置在沉積源110和基底500之間。圖案化縫隙片150包括沿著X軸方向布置的多個圖案化縫隙151。當前實施例與前述實施例的不同之處在于沉積源110、沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150不是集成在一個單元中，但是分開地包括在沉積單元730中。下面將對此進行詳細描述?，F(xiàn)在將詳細描述第一傳送單兀610。第一傳送單兀610使得固定有基底500的靜電吸盤600移動。第一傳送單兀610包括框架611,包括下板613和上板617 ;片支撐單兀615，設置在框架611中；引導支撐單元621，設置在框架611上；一對引導軌623，設置在引導支撐單兀621上；多個引導塊625,設置在一對引導軌623上。具體地講，框架611形成第一傳送單元610的基礎，并且形成為中空的盒子形狀。下板613形成框架611的下表面，沉積源110可以設置在下板613上。上板617形成框架611的上表面，并且可以具有開口 617a，從而在沉積源110中蒸發(fā)的主體材料115a和摻雜劑材料115b可以穿過圖案化縫隙片150，然后沉積在基底500上?？蚣?11的元件可以單獨地制造然后彼此結(jié)合，或者可以制造為集成在Iv單兀中。 盡管未示出，但是其上設置有沉積源110的下板613形成為卡式(cassette)形狀，從而可以從框架611中取出下板613。因此，可以用另一沉積源容易地更換沉積源110。片支撐單元615可以從框架611的內(nèi)側(cè)表面突出，并且可以支撐圖案化縫隙片150。片支撐單元615可以將通過多個第一沉積源噴嘴121a和多個第二沉積源噴嘴121b排放的主體材料115a和摻雜劑材料115b引導為直線運動，而不是沿著X軸方向流動。如上所述，在當前的實施例中，在靜電吸盤600(固定有基底500)在室內(nèi)直線運動的同時執(zhí)行沉積。在一種情況下，可以使用通常用來傳送目標的棍子或傳送器。另外，可以使用包括引導軌和引導塊的如圖12和圖13中示出的線性運動(LM)系統(tǒng)來精確地傳送基底 500。具體地講，位于上板617上的引導支撐單元621以及位于引導支撐單元621上的一對引導軌623安裝為穿過沉積單元730的第一室。引導支撐單元621的上部具有基本平面的形狀，一對引導軌623設置在引導支撐單元621上。一對引導塊625分別與一對引導軌623接合，從而一對引導塊625可以沿著一對引導軌623進行往復運動。一對引導塊625中的每個可以包括驅(qū)動器(未示出)。驅(qū)動器沿著引導軌623移動引導塊625，并且可以產(chǎn)生并向引導塊625施加驅(qū)動力，或者可以從單獨的驅(qū)動源接收驅(qū)動力然后將驅(qū)動力施加到引導塊625。一對LM軌可以用作一對引導軌623，并且一對LM塊可以用作一對引導塊625，從而形成LM系統(tǒng)。與相當?shù)幕瑒右龑到y(tǒng)相比，由于LM系統(tǒng)具有低摩擦系數(shù)并且?guī)缀醪粚е露ㄎ徽`差發(fā)生，所以LM系統(tǒng)是提供非常高的定位精確度的傳送系統(tǒng)。在本說明書中，不提供對LM系統(tǒng)的詳細描述。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，掩模形成為比基底小，并且在掩模相對于基底運動的同時執(zhí)行沉積。因此，可以容易地制造掩模。另外，可以減少或防止在相當?shù)某练e方法中發(fā)生的由于基底和掩模之間的接觸導致的缺陷。另外，由于在沉積工藝期間不必將掩模設置為與基底緊密接觸，所以可以縮短制造時間。另外，構(gòu)成有機層沉積組件1100的沉積源組件201和圖案化縫隙片150不是一體的一個單元，而是分開地包括在沉積單元730中。因此，沉積源110可以容易地附于有機層沉積組件1100并且可以容易地從有機層沉積組件1100拆下，從而用主體材料115a和摻雜劑材料115b填充沉積源110。另外，圖案化縫隙片150可以容易地附于有機層沉積組件1100并且容易地從有機層沉積組件1100拆下，以清潔圖案化縫隙片150或用另外的圖案化縫隙片更換圖案化縫隙片150。圖14是根據(jù)本發(fā)明實施例的利用有機層沉積設備制造的有源矩陣有機發(fā)光顯示設備10的剖視圖。參照圖14，有源矩陣有機發(fā)光顯示設備10形成在圖7、圖10、圖11或圖12的基底500上。基底500可以由透明材料(例如，玻璃、塑料)或金屬形成。絕緣層31 (例如，緩沖層)形成在基底500的整個表面上。參照圖14，薄膜晶體管(TFT) 40、電容器50和有機發(fā)光二極管(OLED) 60設置在絕緣層31上。
半導體有源層41以預定的圖案形成在絕緣層31上。柵極絕緣層32形成為覆蓋半導體有源層41。半導體有源層41可以包括P型或η型半導體材料。電容器50的第一電容器電極51形成在柵極絕緣層32的區(qū)域上，TFT 40的柵極42形成在柵極絕緣層32的與半導體有源層41對應的另一區(qū)域上。層間絕緣層33形成為覆蓋第一電容器電極51和柵極42。然后，柵極絕緣層32和層間絕緣層33通過例如干蝕刻而被蝕刻，以形成用于暴露半導體有源層41的部分的接觸孔。然后，電容器50的第二電容器電極52和源極/漏極43形成在層間絕緣層33上。源極/漏極43形成在層間絕緣層33上，以接觸通過接觸孔暴露的半導體有源層41。鈍化層34形成為覆蓋源極/漏極43，并且被蝕刻為暴露漏極43的一部分。還可以在鈍化層34上形成另外的絕緣層(未示出)，從而使鈍化層34平坦化。當電流流過OLED 60時，OLED 60通過發(fā)射紅光、綠光或藍光來顯示設定或預定的圖像信息。OLED 60包括設置在鈍化層34上的第一電極61。第一電極61電連接到TFT 40的漏極43。像素限定層35形成為覆蓋第一電極61。在像素限定層35中形成開口，然后在由開口限定的區(qū)域中形成包括發(fā)射層在內(nèi)的有機層63。第二電極62形成在有機層63上。限定各個像素的像素限定層35由有機材料形成。像素限定層35使基底500的形成有第一電極61的區(qū)域的表面平坦化，具體地講，使鈍化層34的表面平坦化。第一電極61和第二電極62彼此絕緣，并且分別對有機層63施加相反極性的電壓，以誘導發(fā)光。有機層63可以由低分子量有機材料或高分子量有機材料形成。如果采用低分子量有機材料，則有機層63可以具有包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)組成的組中選擇的至少一個的單層或多層結(jié)構(gòu)?？捎玫挠袡C材料的示例可以包括銅酞菁(CuPc)、N，N' -二(萘-I-基)-N，N' -二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)等。在形成有機層63之后，可以根據(jù)與用來形成有機層63的沉積方法相同的方法來形成第二電極62。第一電極61可以用作陽極,第二電極62可以用作陰極,反之亦然。第一電極61可以被圖案化，以與單個像素區(qū)域?qū)?，第二電極62可以形成為覆蓋所有的像素。
第一電極61可以形成為透明電極或反射電極。透明電極可以由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)和/或氧化銦(In2O3)形成。反射電極可以通過由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)和 / 或它們的混合物形成反射層然后在反射層上由11'0、120、2110和/或111203形成透明電極層來形成。可以通過例如濺射形成層然后例如通過光刻將該層圖案化來形成第一電極61。第二電極62也可以形成為透明電極或反射電極。當?shù)诙姌O62形成為透明電極時，第二電極62用作陰極?？梢酝ㄟ^在有機層63的表面上沉積具有低功函數(shù)的金屬(例如，鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰 / 鈣(LiF/Ca)、氟化鋰 / 鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或它們的混合物)并且在其上由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0、Ιη203等形成輔助電極層或匯流電極線來形成透明電極。當?shù)诙姌O62形成為反射電極時，可以通過在有機層63上沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物來形成反射層。第二電極62可以根據(jù)用來形成有機層63的沉積方法相同的方法來形成。根據(jù)本發(fā)明上述實施例的有機層沉積設備可以用于形成有機TFT的有機層或無 機層，并且用來由各種材料形成層。在圖7至圖13的實施例中，采用了圖I中的沉積源組件201，但是可以采用圖4中的沉積源組件202來代替沉積源組件201。在這種情況下，在圖7至圖10的有機層沉積組件100和800的每個中，每個障礙板131 (或831)可以設置在兩個相鄰的沉積源噴嘴單元之間，每個沉積源噴嘴單元包括多個第一沉積源噴嘴121a'中的一個和多個第二沉積源噴嘴121Y中的一個。換而言之，以同中心的方式包括在對應的第二沉積源噴嘴121Y中的多個第一沉積源噴嘴121a'中的每個可以設置在兩個相鄰的障礙板131之間。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以容易地制造有機層沉積設備，并且可以將有機層沉積設備簡單地應用于大規(guī)模制造大尺寸的顯示裝置，并且可以通過使用有機層沉積設備來制造有機發(fā)光顯示設備。有機層沉積設備可以提高制造良率和沉積效率。盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出和描述了本發(fā)明，但是本領域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離如權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對此進行形式和細節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種沉積源組件，所述沉積源組件包括 第一沉積源，用于排放沉積材料； 第二沉積源，堆疊在第一沉積源上，第二沉積源用于排放與第一沉積源排放的沉積材料不同的沉積材料； 第二沉積源噴嘴單元，設置在第二沉積源的面對沉積目標的側(cè)面，并且包括多個第二沉積源噴嘴； 第一沉積源噴嘴單元，設置在第二沉積源的面對沉積目標的所述側(cè)面，并且包括形成為穿過第二沉積源的多個第一沉積源噴嘴。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源組件，其中，第一沉積源被構(gòu)造為排放主體材料，第二沉積源被構(gòu)造為排放摻雜劑材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積源組件，其中，包含在第一沉積源中的主體材料的量大于包含在第二沉積源中的摻雜劑材料的量。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源組件，其中，第一沉積源被構(gòu)造為排放摻雜劑材料，第二沉積源被構(gòu)造為排放主體材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的沉積源組件，其中，包含在第二沉積源中的主體材料的量大于包含在第一沉積源中的摻雜劑材料的量。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源組件，其中，第二沉積源被構(gòu)造為保持在比第一沉積源的溫度聞的溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源組件，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴在第二沉積源的面對沉積目標的所述側(cè)面按行布置并且交替布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的沉積源組件，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴在第二沉積源的面對沉積目標的所述側(cè)面按行布置，所述多個第一沉積源噴嘴中的每個第一沉積源噴嘴以同心的方式包括在所述多個第二沉積源噴嘴中的對應的第二沉積源噴嘴中。
9.一種用于在基底上形成有機層的有機層沉積設備，所述有機層沉積設備包括 沉積源，用于排放沉積材料； 沉積源噴嘴單元，設置在沉積源的側(cè)面； 圖案化縫隙片，設置為面對沉積源噴嘴單元、比基底小并且具有多個圖案化縫隙， 其中，沉積源包括第一沉積源和堆疊在第一沉積源上的第二沉積源， 其中，沉積源噴嘴單元包括第一沉積源噴嘴單元和第二沉積源噴嘴單元，第二沉積源噴嘴單元設置在第二沉積源的面對基底的側(cè)面并且包括多個第二沉積源噴嘴，第一沉積源噴嘴單元設置在第二沉積源的面對基底的所述側(cè)面，并且包括形成為穿過第二沉積源的多個第一沉積源噴嘴， 其中，有機層沉積設備設置為與基底分開設定距離， 其中，基底或有機層沉積設備被構(gòu)造為相對于另一個運動。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備，其中，第一沉積源被構(gòu)造為排放主體材料，第二沉積源被構(gòu)造為排放摻雜劑材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機層沉積設備，其中，包含在第一沉積源中的主體材料的量大于包含在第二沉積源中的摻雜劑材料的量。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備，其中，第一沉積源被構(gòu)造為排放摻雜劑材料，第二沉積源被構(gòu)造為排放主體材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機層沉積設備，其中，包含在第二沉積源中的主體材料的量大于包含在第一沉積源中的摻雜劑材料的量。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備，其中，第二沉積源被構(gòu)造為保持在比第一沉積源的溫度高的溫度。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴在第二沉積源的面對基底的所述側(cè)面按行布置并且交替布置。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴在第二沉積源的面對基底的所述側(cè)面按行布置，所述多個第一沉積源噴嘴中的每個第一沉積源噴嘴以同心的方式包括在所述多個第二沉積源噴嘴中的對應的第二沉積源噴嘴中。
17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴沿著第一方向布置，所述多個圖案化縫隙沿著與第一方向垂直的第二方向布置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機層沉積設備，其中，沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片經(jīng)由連接構(gòu)件整體地形成一體。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機層沉積設備，其中，連接構(gòu)件被構(gòu)造為引導沉積材料的運動。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機層沉積設備，其中，連接構(gòu)件形成為密封沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間。
21.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴沿著第一方向布置， 所述多個圖案化縫隙沿著第一方向布置， 所述有機層沉積設備還包括障礙板組件，所述障礙板組件包括在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間沿著第一方向設置的多個障礙板，所述多個障礙板將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的排放空間劃分為多個子沉積空間。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機層沉積設備，其中，所述多個障礙板沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機層沉積設備，其中，障礙板組件包括 第一障礙板組件，包括多個第一障礙板； 第二障礙板組件，包括多個第二障礙板。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的有機層沉積設備，其中，所述多個第一障礙板和所述多個第二障礙板沿著與第一方向基本垂直的第二方向延伸，以將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的沉積空間劃分為多個子沉積空間。
25.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備，其中，有機層沉積設備還包括室， 所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴沿著第一方向布置， 圖案化縫隙片與室的內(nèi)側(cè)固定地結(jié)合， 所述多個圖案化縫隙片沿著與第一方向垂直的第二方向布置。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機層沉積設備，所述有機層沉積設備還包括第一傳送單兀，所述第一傳送單兀用于沿著第一方向移動固定有基底的靜電吸盤。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機層沉積設備，其中，第一傳送單元包括 框架，沉積源設置在框架中； 片支撐單元，形成為從框架的內(nèi)側(cè)表面突出并且支撐圖案化縫隙片。
28.—種制造有機發(fā)光顯示設備的方法，所述方法包括 將有機層沉積設備設置為與作為沉積目標的基底分開設定距離，其中，有機發(fā)光顯示設備包括沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設置在沉積源的側(cè)面；圖案化縫隙片，設置為面對沉積源噴嘴單元、比基底小并且具有多個圖案化縫隙，其中，所述沉積源包括第一沉積源和堆疊在第一沉積源上的第二沉積源，其中，沉積源噴嘴單元包括第一沉積源噴嘴單元和第二沉積源噴嘴單元，第二沉積源噴嘴單元設置在第二沉積源的面對基底的側(cè)面并且包括多個第二沉積源噴嘴，第一沉積源噴嘴單元設置在第二沉積源的面對基底的所述側(cè)面，并且包括形成為穿過第二沉積源的多個第一沉積源噴嘴； 在有機層沉積設備或基底相對于另一個運動的同時在基底上沉積沉積材料。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，從第一沉積源排放主體材料，從第二沉積源排放摻雜劑材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，包含在第一沉積源中的主體材料的量大于包含在第二沉積源中的摻雜劑材料的量。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，從第一沉積源排放摻雜劑材料，從第二沉積源排放主體材料。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中，包含在第二沉積源中的主體材料的量大于包含在第一沉積源中的摻雜劑材料的量。
33.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，第二沉積源的溫度被保持為比第一沉積源的溫度高。
34.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴在第二沉積源的面對基底的所述側(cè)面按行布置并且交替布置。
35.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴在第二沉積源的面對基底的所述側(cè)面按行布置，所述多個第一沉積源噴嘴中的每個以同心的方式包括在所述多個第二沉積源噴嘴中的對應的第二沉積源噴嘴中。
36.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴沿著第一方向布置，所述多個圖案化縫隙片沿著與第一方向垂直的第二方向布置。
37.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，所述多個第一沉積源噴嘴和所述多個第二沉積源噴嘴沿著第一方向布置， 所述多個圖案化縫隙沿著第一方向布置， 所述有機層沉積設備還包括障礙板組件，所述障礙板組件包括在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間沿著第一方向設置的多個障礙板，所述多個障礙板將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的排放空間劃分為多個子沉積空間。
38.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，有機層沉積設備還包括室，所述多個沉積源噴嘴沿著第一方向布置， 圖案化縫隙片與室的內(nèi)側(cè)固定地結(jié)合， 所述多個圖案化縫隙片沿著與第一方向垂直的第二方向布置。
39.一種有機發(fā)光顯示設備，所述有機發(fā)光顯示設備利用根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機層沉積設備制造。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種沉積源組件、一種有機層沉積設備、一種通過利用所述有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示裝置的方法和一種利用所述制造有機發(fā)光顯示裝置的方法制造的有機發(fā)光顯示裝置。這里，所述有機層沉積設備包括沉積源組件。沉積源組件包括第一沉積源，用于排放沉積材料；第二沉積源，堆疊在第一沉積源上，并且排放與第一沉積源排放的沉積材料不同的沉積材料；第二沉積源噴嘴單元，設置在第二沉積源的面對沉積目標的側(cè)面，并且包括多個第二沉積源噴嘴；第一沉積源噴嘴單元，設置在第二沉積源的面對沉積目標的側(cè)面，并且包括形成為穿過第二沉積源的多個第一沉積源噴嘴。
文檔編號C23C16/455GK102912316SQ20121027204
公開日2013年2月6日 申請日期2012年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月2日
發(fā)明者成沄澈, 金茂顯 申請人:三星顯示有限公司