二氧化硅溶膠，應用該二氧化硅溶膠對金屬基體進行表面處理的方法及制品的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種二氧化硅溶膠，該二氧化硅溶膠含有正硅酸四乙酯、二甲基甲酰胺、硅酸鈉、無水乙醇及鹽酸。本發(fā)明還提供一種應用該二氧化硅溶膠進行表面處理的方法及制品。
【專利說明】二氧化硅溶膠，應用該二氧化硅溶膠對金屬基體進行表面處理的方法及制品
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種二氧化硅溶膠，應用該二氧化硅溶膠對金屬基體進行表面處理的方法及制品。
【背景技術】
[0002]鋁合金目前被廣泛應用于航空、航天、汽車及微電子等工業(yè)領域。但鋁合金的標準電極電位很低，耐腐蝕差，暴露于自然環(huán)境中會引起表面快速腐蝕。
[0003]真空鍍膜技術(PVD)是一種較環(huán)保的鍍膜技術。PVD膜層具有高硬度、高耐磨性、良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)點，因此在表面防護或裝飾處理領域的應用越來越廣。而對于鋁合金來說，其標準電極電位與許多PVD功能性膜層(如裝飾性的顏色層等)的差異較大，極易造成電偶腐蝕，使整個鋁合金產(chǎn)品失效。
[0004]據(jù)悉，目前有通過真空鍍膜技術設置一絕緣層于鋁合金鋁或鋁合金基體與功能性膜層之間來防止鋁合金鋁或鋁合金基體的電偶腐蝕及失效，但收效甚微。這是由于PVD膜層本身不可避免的會存在缺陷，如針孔、裂紋等，這些缺陷將成為電解質(zhì)溶液的通道，使鋁或鋁合金基體和表面的功能性膜層相連形成微電池。此時，功能性膜層成為微電池的陰極，而鋁合金鋁或鋁合金基體表面的微小孔洞接觸點成為陽極，由于陰極的面積遠遠大于陽極的面積，即陰陽極的面積比趨于無限大，致使腐蝕電流極大而急劇加速了腐蝕。這種腐蝕失效嚴重限制了鋁合金鋁或鋁合金基體于PVD鍍膜技術的應用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，提供一種二氧化硅溶膠。
[0006]同時，提供一種應用所述二氧化硅溶膠對金屬基體進行表面處理的方法，該方法可提高形成有真空鍍膜層的金屬基體的耐腐蝕性。
[0007]另，還提供一種經(jīng)上述表面處理方法制得的制品。
[0008]一種二氧化硅溶膠，該二氧化硅溶膠含有正硅酸四乙酯、二甲基甲酰胺、硅酸鈉、無水乙醇及鹽酸。
[0009]一種應用二氧化硅溶膠對金屬基體進行表面處理的方法，包括如下步驟:
提供金屬基體；
制備二氧化硅溶膠，該二氧化硅溶膠含有正硅酸四乙酯、二甲基甲酰胺、硅酸鈉、無水乙醇及鹽酸；
在該金屬基體上形成一二氧化硅溶膠層；
對該二氧化硅溶膠層進行干燥處理；
對金屬基體進行熱處理，使二氧化硅溶膠層形成二氧化硅凝膠層，該二氧化硅凝膠層為(O-S1-O)n相互連結形成的網(wǎng)絡結構；
采用真空鍍膜的方式，在該二氧化硅凝膠層上形成真空鍍膜層。[0010]一種由所述的表面處理的方法制得的制品，該制品包括金屬基體、依次形成于金屬基體上的二氧化硅凝膠層及真空鍍膜層，該二氧化硅凝膠層為(O-S1-O)η相互連結形成網(wǎng)絡結構。
[0011]本發(fā)明通過在金屬基體與真空鍍膜層之間形成一致密的二氧化硅凝膠層，可有效阻礙進入真空鍍膜層中的電解質(zhì)溶液向金屬基體的方向擴散，如此可提高金屬基體的耐腐蝕性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明一較佳實施例的制品的示意圖。
[0013]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種二氧化硅溶膠，該二氧化硅溶膠含有正硅酸四乙酯、二甲基甲酰胺、硅酸鈉、無水乙醇及鹽酸。
2.如權利要求1所述的二氧化硅溶膠，其特征在于:所述二氧化硅溶膠中，正硅酸四乙酯的體積百分含量為10%~20%、硅酸鈉的體積百分含量為59TlO%、二甲基甲酰胺的體積百分含量為2%~4%無水乙醇的體積百分含量為5%~?Ο%、鹽酸的體積百分含量為3%~5%。
3.如權利要求1所述的二氧化硅溶膠，其特征在于:該二氧化硅溶膠還含有導電金屬粉體。
4.如權利要求3所述的二氧化硅溶膠，其特征在于:該導電金屬粉體為鋁粉、錫粉或銦粉。
5.如權利要求4所述的二氧化硅溶膠，其特征在于:該導電金屬粉體的粒徑為30~50nm。
6.一種應用二氧化硅溶膠對金屬基體進行表面處理的方法，包括如下步驟: 提供金屬基體； 制備二氧化硅溶膠，該二氧化硅溶膠含有正硅酸四乙酯、二甲基甲酰胺、硅酸鈉、無水乙醇及鹽酸； 在該金屬基體上形成一二氧化硅溶膠層； 對該二氧化硅溶膠層進行干燥處理； 對金屬基體進行熱處理，使二氧化硅溶膠層形成二氧化硅凝膠層，該二氧化硅凝膠層為(O-S1-O)n相互連結形成的網(wǎng)絡結構； 采用真空鍍膜的方式，在該二氧化硅凝膠層上形成真空鍍膜層。
7.如權利要求6所述的表面處理的方法，其特征在于:所述二氧化硅溶膠中，正硅酸四乙酯的體積百分含量為10%~20%、硅酸鈉的體積百分含量為59TlO%、二甲基甲酰胺的體積百分含量為2%~4%無水乙醇的體積百分含量為59TlO%、鹽酸的體積百分含量為3%~5%。
8.如權利要求6所述的表面處理的方法，其特征在于:該二氧化硅溶膠還含有導電金屬粉體。
9.如權利要求7所述的表面處理的方法，其特征在于:所述二氧化硅溶膠通過如下方式制得:向無水乙醇中加入正硅酸四乙酯、硅酸鈉及二甲基甲酰胺，并攪拌至均勻得一混合液；用鹽酸調(diào)節(jié)該混合液的PH值為3飛；將導電金屬粉體加入該pH值為3飛的混合液中并攪拌至均勻，之后進行過濾。
10.如權利要求6所述的表面處理的方法，其特征在于:所述干燥處理的方法如下:將該金屬基體置于4(T50°C溫度下進行真空干燥l(Tl5min。
11.如權利要求6所述的表面處理的方法，其特征在于:所述熱處理的方法如下:先將金屬基體置于100-120?的溫度下烘烤l(Tl5min ;再將金屬基體于25(T30(TC的溫度下烘烤 3(T50min。
12.—種由經(jīng)權利要求6-11中任一項所述的表面處理的方法制得的制品，該制品包括金屬基體及形成于金屬基體上的真空鍍膜層，其特征在于:該制品還包括形成于金屬基體與真空鍍膜層之間的二氧化硅凝膠層，該二氧化硅凝膠層為(O-S1-O) η相互連結形成網(wǎng)絡結構。
13.如權 利要求12所述的制品，其特征在于:該所述二氧化硅凝膠層的厚度為
14.如權利要求12所述的制品，其特征在于:該二氧化硅凝膠層中還含有導電金屬粉體。
15.如權利要求14所述的制品，其特征在于:該導電金屬粉體為鋁粉、錫粉或銦粉。
16.如權利要求14所述的制品，其特征在于:該導電金屬粉體的粒徑為3(T50nm。
17.如權利要求12所述的制品，其特征在于:該金屬基體的材質(zhì)為鋁、鋁合金、鎂或鎂I=1-Wl O
【文檔編號】C23C28/00GK103570028SQ201210254582
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年7月23日 優(yōu)先權日:2012年7月23日
【發(fā)明者】丁亭, 曹達華 申請人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司