專利名稱：一種兩層型撓性覆銅板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種兩層型撓性覆銅板。
背景技術(shù)：
撓性覆銅板FCCL(Flexible Copper Clad Laminate)是指在聚酯薄膜(PET)或聚酰亞胺薄膜(PI )等撓性絕緣材料的單面或 雙面，通過(guò)一定的工藝處理，與一定厚度的銅箔粘接在一起所形成的具有很好的撓曲特性的覆銅板。撓性覆銅板FCCL分為有膠粘劑的三層板(3L-FCCL)和無(wú)膠粘劑的兩層板(2L-FCCL)。相比于三層型撓性覆銅板(3L-FCCL)，兩層型撓性覆銅板(2L-FCCL )由于不含環(huán)氧膠粘劑或丙烯酸酯膠粘劑，其耐熱性、尺寸穩(wěn)定性、抗老化性、可靠性等各方面性能均優(yōu)于三層型撓性覆銅板(3L-FCCL)，因而得到迅速發(fā)展。目前，制備兩層型撓性覆銅板(2L-FCCL)的方法主要有(I)涂布法(也稱澆注法，Casting)、(2)壓合法(也叫層壓法，Lamination)。I.涂布法(燒注法，Casting )早期的涂布法，是將聚酰亞胺(PI)的預(yù)聚體(聚酰胺酸、PAA)單面涂布在銅箔表面，經(jīng)過(guò)干燥去除溶劑和高溫亞胺化而制備。這種方法制程相對(duì)簡(jiǎn)單，容易實(shí)施。但制品中銅層與聚酰亞胺之間的粘合性和制品尺寸的穩(wěn)定性差。近年來(lái)業(yè)界開(kāi)發(fā)了多層涂布法，其制程為在銅箔表面先涂布(澆注)一層熱塑性PI (TPI)樹(shù)脂，然后再涂一層低熱膨脹系數(shù)的PI (低CTE-PI )樹(shù)脂，最后再涂一層熱塑性PI ( TPI )樹(shù)脂，經(jīng)高溫亞胺化后再與銅箔壓合，制成產(chǎn)品。采用多層涂布法(澆注法)可以取得兩方面的效果( I)制品的粘合性和尺寸穩(wěn)定性處于較好的統(tǒng)一；(2)保持整體結(jié)構(gòu)的對(duì)稱，減少制品卷曲。但是多層涂布法(澆注法)也有美中不足的地方，如制程復(fù)雜化、設(shè)備投入成本較大等問(wèn)題，而且因?yàn)橹苽浔°~箔所存在的技術(shù)問(wèn)題，此法很難生產(chǎn)銅箔厚度為18微米以下厚度的2L-FCCL。此法主要用來(lái)生產(chǎn)單面板。2.壓合法(層壓法，Lamination )壓合法是近年來(lái)發(fā)展比較快的一種工藝方法，它是在低膨脹系數(shù)PI ( CTE-PI )膜的基礎(chǔ)上，雙面或單面涂布一種具有優(yōu)秀粘合性的熱塑性PI樹(shù)脂的預(yù)聚體(聚酰胺酸、PAA)，經(jīng)干燥和亞胺化后，制成復(fù)合膜。再在高溫高壓下，將熱塑性樹(shù)脂重新熔融后與銅箔壓合制成單面或雙面的產(chǎn)品。目前已有基膜制造商提供這種復(fù)合膜，復(fù)合膜是在高尺寸穩(wěn)定性的PI薄膜上涂覆一層熱塑性PI樹(shù)脂(TPI )組成的，F(xiàn)CCL廠家可以直接將復(fù)合膜與銅箔熱壓成板。壓合法(層壓法)的特點(diǎn)(I)制程相對(duì)簡(jiǎn)單，但成本相對(duì)比涂布法要高；(2)適合小批量多品種的生產(chǎn)模式；(3)單面和雙面產(chǎn)品均可生產(chǎn)；
(4)產(chǎn)品具有粘合性和尺寸穩(wěn)定性兼優(yōu)的綜合性能。因?yàn)橹苽浔°~箔所存在的技術(shù)問(wèn)題，此法同樣也很難生產(chǎn)銅箔厚度為18微米以下厚度的2L-FCCL。涂布法和壓合法生產(chǎn)的2L-FCCL，銅箔與聚酰亞胺(PI)基體的結(jié)合力好，即剝離強(qiáng)度高，但是其制作工藝復(fù)雜，對(duì)設(shè)備要求高，導(dǎo)致成本高昂。更由于要使用已經(jīng)做好的銅箔(壓延銅箔和電解銅箔)，而受限于工藝的原因，壓延銅箔和電解銅箔都很難做成18微米以下厚度，如12微米、9微米、7微米等厚度。使得其在以HDI (高密度互聯(lián)基板)技術(shù)和COF (Chip on Flex，柔性芯片)技術(shù)為基礎(chǔ)的液晶(等離子)顯示器、液晶(等離子)電視等中高檔精密電子產(chǎn)品中的應(yīng)用受到了一定的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服現(xiàn)有技術(shù)中所存在的技術(shù)缺陷，提供了一種銅箔與有機(jī)高分子薄膜之間的結(jié)合力(剝離強(qiáng)度)較高且為超薄的兩層型撓性覆銅板。本發(fā)明提供了一種兩層型撓性覆銅板，其包括有機(jī)高分子薄膜以及覆蓋在該機(jī)高分子薄膜上的銅層，其特征在于，所述銅層與所述有機(jī)高分子薄膜之間的剝離強(qiáng)度高于
0.6N/mm,并且所述兩層型撓性覆銅板的制備方法包括通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟；其中，所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板平面法線之間的夾角為20-70°，所述濺射離子源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為20-40厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接收被轟擊出的金屬原子處之間的距離為10-30厘米。本發(fā)明提供的兩層型撓性覆銅板的銅層與有機(jī)高分子薄膜之間的剝離強(qiáng)度高，而且厚度比較薄，比18微米薄。此外，尤為重要的是，制備本發(fā)明所提供的兩層型撓性覆銅板的制備方法是連續(xù)生產(chǎn)兩層型撓性覆銅板的方法，該方法不僅能夠?qū)Ρ∧せ牡囊粋€(gè)面，而且能夠同時(shí)對(duì)薄膜基材的兩面同時(shí)進(jìn)行操作，也就是說(shuō)，既能連續(xù)生產(chǎn)兩層型單面撓性覆銅板，也能連續(xù)生產(chǎn)兩層型雙面撓性覆銅板，因此生產(chǎn)效率很高。


圖I為本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式示意圖。圖2為本發(fā)明離子束濺射示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明提供一種兩層型撓性覆銅板，其包括有機(jī)高分子薄膜以及覆蓋在該機(jī)高分子薄膜上的銅層，其特征在于，所述銅層與所述有機(jī)高分子薄膜之間的剝離強(qiáng)度高于0. 6N/_，并且所述兩層型撓性覆銅板的制備方法包括通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟；其中，所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板平面法線之間的夾角為20-70°，優(yōu)選為30-60°，所述濺射離子源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為20-40厘米，優(yōu)選為25-35厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接收被轟擊出的金屬原子處之間的距離為10-30厘米，優(yōu)選為15-25厘米。
本發(fā)明離子束濺射示意圖如圖2所示，在比較低的氣壓(通常低于1.0X10_2Pa)下，把濺射氣體源a內(nèi)經(jīng)過(guò)聚焦的氬離子束b以與金屬靶板平面c的法線d之間形成一定的夾角進(jìn)行轟擊，使靶材表面原子發(fā)生級(jí)聯(lián)碰撞。在碰撞過(guò)程中，大量的原子脫離靶材表面，成為濺射顆粒。這些濺射顆粒大多以直線軌跡到達(dá)有機(jī)高分子薄膜的表面e并沉積在上面。本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，只有在上述條件下采用離子束濺射，才能夠獲得比較高的剝離強(qiáng)度的兩層型撓性覆銅板。離子束濺射是在真空環(huán)境下(通常情況下，真空度低于2 X 10_3帕)，然后通入氬氣，使真空度下降至0. 5-5X IO-2帕，優(yōu)選為1X10_2帕左右，再接通電源，濺射氣體離子源開(kāi)始工作，使氬氣電離成等離子體，形成離子束引出。在加速電壓的作用下，離子束高速轟擊靶材(例如銅、鎳、鉻、鑰，或其合金)，使靶材原子(例如銅原子、鎳原子、鉻原子、鑰原子，或其合金原子)被濺射出來(lái)，沉積在有機(jī)薄膜上，形成一層納米級(jí)的金屬膜。被濺射的金屬原子與有機(jī)薄膜接觸時(shí)的方向均一性好，從而有利于改善結(jié)合力的均勻性。本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式如圖I所示，有機(jī)高分子聚合物薄膜從放卷機(jī)3出發(fā)，依次經(jīng)過(guò)張緊輪5和調(diào)節(jié)輪4、冷水鼓6、張緊輪5和調(diào)節(jié)輪4到收卷機(jī)7。所述有機(jī)高分子聚合物薄膜在運(yùn)行過(guò)程中，其一個(gè)表面首先經(jīng)歷離子注入I進(jìn)行離子注入，然后經(jīng)歷離子束濺射2進(jìn)行2次離子束濺射。然后，所述有機(jī)高分子聚合物薄膜的另一個(gè)表面依次經(jīng)歷離子注入I進(jìn)行離子注入，然后經(jīng)歷離子束濺射2進(jìn)行2次離子束濺射。在本發(fā)明中，離子束濺射時(shí)的操作參數(shù)可以采用常規(guī)的數(shù)值。但為了在所述有機(jī)高分子聚合物薄膜與被轟擊出的金屬原子之間獲得更好的結(jié)合力，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，氣體離子源燈絲電流為6-15安培,優(yōu)選為8-12安培。在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，電弧電壓為50-80伏特，優(yōu)選為60-70伏特。在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，抑制電壓為100-200伏特，優(yōu)選為120-150伏特。在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，加速電壓為1-2千伏，優(yōu)選為
I.2-1. 5千伏，加速電流為50-200毫安，優(yōu)選為100-150毫安。為了進(jìn)一步改善金屬原子與有機(jī)高分子聚合物薄膜之間結(jié)合力的均一性，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，被轟擊出的金屬原子以基本垂直于所述有機(jī)高分子聚合物薄膜表面的方向沉積于所述有機(jī)高分子聚合物薄膜表面。為了有利于連續(xù)生產(chǎn)，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述有機(jī)高分子聚合物薄膜置于放卷機(jī)上。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，為了進(jìn)一步便于連續(xù)生產(chǎn)，所述有機(jī)高分子聚合物薄膜置于放卷機(jī)上后，通過(guò)一個(gè)或者多個(gè)張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，該張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可以為本領(lǐng)域各種張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，但在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)由兩個(gè)過(guò)渡輪、一個(gè)張力調(diào)節(jié)輪以及一個(gè)牽引輪組成，詳見(jiàn)申請(qǐng)?zhí)枮镃N2010105103595。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，如果對(duì)基體材料進(jìn)行表面改性處理能夠獲得更好高的剝離強(qiáng)度的兩層型撓性覆銅板。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，采用離子注入的方法對(duì)基體進(jìn)行改性將金屬離子注入PI薄膜基體表面，形成一種“PI—金屬+PI—金屬”的過(guò)渡層，通過(guò)控制離子注入的劑量和能量，從而形成一種新型的、致密的“PI+金屬”過(guò)渡層。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟之前對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行金屬離子注入的步驟，能進(jìn)一步提高銅層與有機(jī)高分子聚合物薄膜之間結(jié)合力。、
所述金屬離子注入的步驟所采用的設(shè)備可以為本申請(qǐng)人在另一篇申請(qǐng)中所述的離子注入和/或等離子體沉積的設(shè)備中進(jìn)行，詳細(xì)情況請(qǐng)參見(jiàn)申請(qǐng)?zhí)枮镃N2010105103595，發(fā)明名稱為離子注入和等離子體沉積設(shè)備以及采用等離子體處理薄膜的方法。所述離子注入的步驟中所采用的參數(shù)同樣可以參照申請(qǐng)?zhí)枮镃N2010105103595和本申請(qǐng)人的另一篇申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)枮镃N2010105103580，發(fā)明名稱為一種連續(xù)生產(chǎn)撓性覆銅板的方法)中所公開(kāi)的參數(shù)進(jìn)行。所述條件可以為所述真空室中的真空度可以是本領(lǐng)域所采用的真空度，優(yōu)選為2X 10_3-5X 10_5帕；所述有機(jī)高分子聚合物薄膜的厚度為3-150微米，優(yōu)選為10-50微米；所述離子注入的條件包括所述有機(jī)高分子聚合物薄膜運(yùn)行速度為0. 3-2米/分鐘，離子注入電壓為1-10千伏，優(yōu)選為5-10千伏特，離子注入劑量為0. 5 X IO13-I X IO17個(gè)原子/厘米2，優(yōu)選為0. 5 X 1014-5. OXlO16個(gè)原子/厘米2。這樣使得離子注入深度大約為1-10納米，注入劑量根據(jù)需要可以最多達(dá)到IO17個(gè)原子/厘米2量級(jí)，(I克銅大約有9. 48 X IO21個(gè)原子)。這就相當(dāng)于在基材薄膜中打下了數(shù)量眾多的“基樁”。緊接著再應(yīng)用“離子束濺射”方法，在其表面沉積一薄層銅層，使基材薄膜表面沉積的銅層與這些嵌入基材薄膜內(nèi)部的“基樁”結(jié)合，從而使得沉積的金屬薄膜層與基材薄膜表面的結(jié)合力(剝離強(qiáng)度)得到極大地提高。 為了進(jìn)一步提高沉積的金屬薄膜層與基材薄膜之間的結(jié)合力，在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述真空室中的真空度為2X10_3-5X10_5帕；所述有機(jī)高分子聚合物薄膜的厚度為10-50微米；所述離子注入的條件包括所述有機(jī)高分子聚合物薄膜運(yùn)行速度為0. 3-2
米/分鐘，離子注入電壓為5-10千伏，離子注入劑量為0. 5 X 1014-5. 0 X IO16個(gè)原子/厘米
2
O在另一種優(yōu)選的實(shí)施方案中，所述離子注入的物質(zhì)為金屬，該金屬為鉻、鎳、銅和鑰中的一種或幾種。當(dāng)采用離子注入法注入的金屬不是銅時(shí)，優(yōu)選離子束濺射兩種金屬層，其中一種金屬與離子注入的金屬相同，另一種為銅。盡管，通過(guò)離子束濺射在有機(jī)高分子聚合物薄膜上沉積的金屬原子的厚度沒(méi)有特別限制，但在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟在有機(jī)高分子聚合物薄膜上沉積10-100納米厚的金屬層，優(yōu)選為20-50納米厚的金屬層；這樣可以在離子束濺射后通過(guò)后續(xù)電鍍使金屬層達(dá)到所需要的厚度，并且能夠節(jié)約成本。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述金屬層由5-100納米，優(yōu)選為10-80納米的鎳層和10-100納米，優(yōu)選為10-80納米的銅層組成，能夠有效地將高分子有機(jī)聚合物薄膜完全覆蓋，表面沒(méi)有針孔存在。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述鎳層直接與所述有機(jī)高分子薄膜接觸，而銅層覆蓋在所述鎳層上。在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，先采用離子注入方法在有機(jī)高分子薄膜上注入劑量為0. 5X 1014-5. OX IO16個(gè)原子/厘米2的鎳，然后采用離子束濺射沉積一層5-100納米的鎳層最后采用離子束濺射沉積一層10-100納米的銅層。為了降低生產(chǎn)成本，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中所述制備方法包括在通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟之后進(jìn)行電鍍的步驟。所述電鍍可以采用本領(lǐng)域所采用的常規(guī)方法進(jìn)行，例如在CN101350315A中所提到的連續(xù)電鍍裝置中進(jìn)行；但優(yōu)選按照本申請(qǐng)人的兩篇在先申請(qǐng)(申請(qǐng)?zhí)枮镃N2010105103580，發(fā)明名稱為一種連續(xù)生產(chǎn)撓性覆銅板的方法；和申請(qǐng)?zhí)枮镃N2010105103576，發(fā)明名稱為用于薄膜的連續(xù)電鍍裝置及對(duì)薄膜進(jìn)行連續(xù)電鍍的方法)所公開(kāi)的電鍍裝置中進(jìn)行，并可以采用這兩篇發(fā)明中所公開(kāi)的參數(shù)進(jìn)行。所述電鍍時(shí)的工藝參數(shù)可以按照現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行，但在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述電鍍的步驟包括預(yù)鍍和主電鍍；所述預(yù)鍍條件可以為本領(lǐng)域任何可采用的預(yù)鍍條件，優(yōu)選包括電鍍溫度為20-28°C，平均陰極電流密度為10-40安培/分米2，優(yōu)選為15-25安培/分米2 ;所述薄膜運(yùn)行的速度為10-50米/小時(shí)，優(yōu)選為15-30米/小時(shí)；所述主電鍍條件可以為本領(lǐng)域任何可采用的主鍍條件，優(yōu)選包括電鍍溫度為20-28°C，平均陰極電流密度為
2-15安培/分米2，優(yōu)選為5-10安培/分米2 ;所述薄膜運(yùn)行的速度為10-50米/小時(shí)，優(yōu)選為15-30米/小時(shí)。采用這種實(shí)施方式進(jìn)行電鍍，在所述薄膜上沉積的覆銅層非常均勻和致密。 在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述預(yù)鍍條件包括電鍍溫度為20_25°C，平均陰極電流密度為15-25安培/分米2，所述薄膜運(yùn)行的速度為15-30米/小時(shí)；所述主電鍍條件包括電鍍溫度為20-25°C，平均陰極電流密度為5-10安培/分米2，所述薄膜運(yùn)行的速度為15-30米/小時(shí)。在該條件下進(jìn)行電鍍，在所述薄膜上沉積的覆銅層更加均勻和致密。在另一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述預(yù)鍍條件包括電鍍溫度為20_28°C，平均陰極電流密度為10-40安培/分米2，所述薄膜運(yùn)行的速度為10-50米/小時(shí)；所述主電鍍條件包括電鍍溫度為20-28°C，平均陰極電流密度為2-15安培/分米2，所述薄膜運(yùn)行的速度為10-50米/小時(shí)。這樣非常有利于在所述薄膜上沉積的覆銅層更加均勻和致密。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，所述電鍍采用的電鍍液可以為本領(lǐng)域所采用的任何電鍍銅液，但優(yōu)選為包括硫酸銅60-150克/升、硫酸60-150克/升，鹽酸0. 1-0. 3毫升/升，以及5-15毫升/升的添加劑。所述添加劑可以為本領(lǐng)域所使用的添加劑，優(yōu)選為例如由廣州安美特公司出售的商品名為210的酸性光亮鍍銅添加劑，以使沉積的覆銅層具有良好的平整性和柔韌性。在本發(fā)明的另一種實(shí)施方式中，該方法還包括在電鍍后進(jìn)行鈍化的步驟，所述鈍化條件可以為本領(lǐng)域任何可采用的鈍化條件，優(yōu)選包括鈍化溫度為20-30°C，所述薄膜運(yùn)行速度為10-50米/小時(shí),所述鈍化采用的鈍化液可以為本領(lǐng)域所采用的任何鈍化液,但優(yōu)選為包括含有苯并三氮唑0. 2-5克/升的水溶液，例如廣州亮的化工有限公司生產(chǎn)的LT-02防銹鈍化劑。所述薄膜電鍍后進(jìn)行清洗，清洗用的溶液可以為本領(lǐng)域任何用于清洗的溶液，但優(yōu)選為水。在對(duì)薄膜進(jìn)行水洗后，可以自然晾干，也可以采用本領(lǐng)域干燥薄膜的溫度干燥，但優(yōu)選在100-12(TC下干燥。所述有機(jī)高分子聚合物薄膜可以為本領(lǐng)域任何有機(jī)高分子聚合物薄膜，比如 聚酰亞胺(PI)薄膜、聚苯醚(PTO)薄膜、聚碳酸酯(PC)薄膜、聚砜(PSU)薄膜、聚醚砜(PES)薄膜、聚苯硫醚(PPS)薄膜、聚苯乙烯(PS)薄膜、聚乙烯(PE)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚醚酰亞胺(PEI)薄膜、聚四氟乙烯(PTFE )薄膜、聚醚醚酮(PEEK)薄膜、聚酰胺(PA)薄膜、聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜、液晶聚合物(LCP)薄膜或聚乙二酰脲(PPA)薄膜等有機(jī)高分子聚合物薄膜。優(yōu)選為聚酰亞胺(PI)薄膜、聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜、液晶聚合物(LCP)薄膜或聚乙二酰脲(PPA)薄膜等適宜作為撓性覆銅板介電材料的薄膜。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述有機(jī)高分子聚合物薄膜為聚酰亞胺薄膜、聚對(duì)苯二甲酸已二酯薄膜、液晶聚合物薄膜或聚乙二酰脲薄膜。本發(fā)明離子注入是在一種離子注入和等離子體沉積薄膜的設(shè)備中進(jìn)行，該設(shè)備公開(kāi)在本申請(qǐng)人的另一篇專利中，申請(qǐng)?zhí)枮镃N2010105103595。其中，該設(shè)備的真空室如圖2所示。真空室部分8，在該真空室中設(shè)置有放卷輥81、過(guò)渡輪82、張力調(diào)節(jié)輥83、牽引輪84、收卷輥85、冷卻輥86、用于離子注入的開(kāi)口 87、用于等離子體沉積的開(kāi)口 88、抽真空口 9。在開(kāi)口 87和88與B之間還具有施加加速由所述離子源發(fā)出的離子束流的電壓(未繪出)。所述開(kāi)口為矩形，其中與所述冷卻輥軸向垂直的邊的尺寸50毫米，另一方向的邊的尺寸為265毫米。所述冷卻輥軸的直徑為70毫米，所述開(kāi)口與其相對(duì)應(yīng)的所述冷卻輥軸線間的距離為85毫米；位于同一壁上的相鄰兩個(gè)所述開(kāi)口之間的距離105毫米。本發(fā)明所述電鍍的步驟是在以下電鍍裝置中進(jìn)行，該電鍍裝置公開(kāi)在本申請(qǐng)人的另一篇專利申請(qǐng)中，申請(qǐng)?zhí)枮镃N2010105103576。如圖3所示，其包括預(yù)電鍍槽安培、主電鍍槽B、主電鍍槽C、水洗槽D、鈍化槽E和水洗槽F ;放卷機(jī)I、收卷機(jī)2、第四導(dǎo)向滾3、第三導(dǎo) 向滾4、第六導(dǎo)向滾5、第七導(dǎo)向滾6、第七導(dǎo)向滾7、第八導(dǎo)向滾8、第一導(dǎo)向滾組9、第一導(dǎo)向滾組10、收卷機(jī)2與第八導(dǎo)向滾8之間有烘干箱26 ;第二導(dǎo)向輥11、第四導(dǎo)向輥12、第四導(dǎo)向棍14、第五導(dǎo)向棍13、第三導(dǎo)向棍15 ;第二陽(yáng)極組16、第一陽(yáng)極組17、第一陽(yáng)極組18、第一陽(yáng)極組19、第一陽(yáng)極組20 ;第二導(dǎo)電輥組21、第一導(dǎo)電輥組22、第一導(dǎo)電輥組23、第一導(dǎo)電棍組24和第一導(dǎo)電棍組25。電鍍時(shí)，將待處理的薄膜置于放卷機(jī)I上，然后使薄膜的一端順次通過(guò)第三導(dǎo)向棍15、第二導(dǎo)向棍11、第二導(dǎo)電棍組21、第四導(dǎo)向滾3、第一導(dǎo)電棍組22、第一導(dǎo)向滾組9、第一導(dǎo)電棍組23、第三導(dǎo)向滾4、第一導(dǎo)電棍組24、第一導(dǎo)向滾組10、第一導(dǎo)電棍組25、第六導(dǎo)向滾5、第四導(dǎo)向棍12、第七導(dǎo)向滾6、第五導(dǎo)向棍13、第七導(dǎo)向滾7、第四導(dǎo)向棍14、第八導(dǎo)向滾8、烘干箱26以及最后纏繞到收卷機(jī)2上。在與電鍍槽和各個(gè)主電鍍槽中注入電鍍液和電鍍液，開(kāi)動(dòng)個(gè)各個(gè)電機(jī)，調(diào)節(jié)電機(jī)的轉(zhuǎn)速，使薄膜以所需要的速度運(yùn)行。以下通過(guò)實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。實(shí)施例I :通過(guò)離子束濺射在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)沉積10納米厚的銅膜，然后電鍍沉積12微米厚銅層實(shí)驗(yàn)過(guò)程(I)將一卷聚酰亞胺(PI)薄膜(厚度0. 025毫米，寬度270毫米)置于放卷輥上，將PI薄膜的一端依次通過(guò)張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，最后固定在收卷裝置上。采用離子束濺射設(shè)備(核工業(yè)西南物理研究院)進(jìn)行離子束濺射，當(dāng)真空度低于8. OX 10_4帕后，然后通入氬氣，使真空度下降至1X10_2帕左右，再接通電源，氣體離子源開(kāi)始工作。所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板(銅板)所處的平面法線之間的夾角為50°，所述離子束源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為20厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接受被轟擊出的金屬原子處之間的距離為10厘米。氣體離子源燈絲電流為6安培，氬氣流量為4毫升/分鐘。電弧電壓為50伏特，電弧電流為0.8安培。抑制電壓為120伏特，抑制電流為2毫安。加速電壓為I千伏，加速電流為80毫安。在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)沉積10納米的銅膜。(2)電鍍將上述沉積了銅膜的聚酰亞胺(PI)薄膜進(jìn)行電鍍。預(yù)電鍍槽中，預(yù)鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為15安培/分米2，預(yù)鍍液為硫酸銅60克/升，硫酸100克/升,鹽酸0. 2暈升/升,安美特210開(kāi)缸劑10暈升/升,安美特210A :0. 8暈升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。主電鍍槽中，電鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為3. 9安培/分米2，鍍液為包括硫酸銅60克/升、硫酸100克/升，鹽酸0. 15毫升/升，以及安美特210開(kāi)缸劑10毫升/升，安美特210A :0. 8毫升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。薄膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)。電鍍結(jié)束后，使薄膜通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，之后在鈍化槽中鈍化，之后再在通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，通過(guò)干燥器，在溫度為100°c下對(duì)薄膜進(jìn)行干燥。所述鈍化條件包括鈍化溫度為25°c，膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)，鈍化液為含有0. 2克/升苯并三氮唑的水溶液(廣州亮的化工的LT-02 )。電鍍沉積12微米厚銅層，銅層比較致密光滑平整。實(shí)施例2 :通過(guò)離子束濺射在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)沉積100納米的銅膜，然后電鍍沉積7微米厚銅層 實(shí)驗(yàn)過(guò)程(I)將一卷聚酰亞胺(PI)薄膜(厚度0. 025毫米，寬度270毫米)置于放卷輥上，將PI薄膜的一端依次通過(guò)張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，最后固定在收卷裝置上。采用離子束濺射儀(核工業(yè)西南物理研究院)進(jìn)行離子束濺射，當(dāng)真空度低于8. OX 10_4帕后，然后通入氬氣，使真空度下降至0. 5X IO-2帕左右，再接通電源，氣體離子源開(kāi)始工作。所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板(銅板)所處的平面法線之間的夾角為20°，所述離子束源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為40厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接受被轟擊出的金屬原子處之間的距離為30厘米。氣體離子源燈絲電流為15安培，氬氣流量為8毫升/分鐘。電弧電壓為80伏特，電弧電流為I. 5安培。抑制電壓為180伏特，抑制電流為8毫安。加速電壓為2千伏，加速電流為150毫安。在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)沉積100納米的銅膜。(2)電鍍將上述沉積了銅膜的聚酰亞胺(PI)薄膜進(jìn)行電鍍。預(yù)電鍍槽中，預(yù)鍍液的溫度為20°C，平均陰極電流密度為25安培/分米2，預(yù)鍍液為硫酸銅150克/升，硫酸60克/升,鹽酸0. I暈升/升,開(kāi)缸劑5暈升/升,安美特210A :0. 5暈升/升,安美特210B :0. 3毫升/升。主電鍍槽中，電鍍液的溫度為20°C，平均陰極電流密度為15安培/分米2，鍍液為包括硫酸銅120克/升、硫酸80克/升，鹽酸0. 15毫升/升，以及安美特210開(kāi)缸劑7暈升/升，安美特210A :0. 6暈升/升,安美特210 B :0. 5暈升/升。薄膜運(yùn)行的速度為50米/小時(shí)。電鍍結(jié)束后，使薄膜通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，之后在鈍化槽中鈍化，之后再在通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，通過(guò)干燥器，在溫度為110°c下對(duì)薄膜進(jìn)行干燥。所述鈍化條件包括鈍化溫度為20°c，膜運(yùn)行的速度為50米/小時(shí)，鈍化液為含有I克/升苯并三氮唑的水溶液(廣州亮的化工的LT-02 )。電鍍沉積7微米厚銅層，銅層非常致密光滑平整。實(shí)施例3 :通過(guò)離子束濺射在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)沉積50納米的銅膜，然后電鍍沉積9微米厚銅層實(shí)驗(yàn)過(guò)程(I)將一卷聚酰亞胺(PI)薄膜(厚度0. 025毫米，寬度270毫米)置于放卷輥上，將PI薄膜的一端依次通過(guò)張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，最后固定在收卷裝置上。采用離子束濺射儀(核工業(yè)西南物理研究院)進(jìn)行離子束濺射，當(dāng)真空度低于8. OX 10_4帕后，然后通入氬氣，使真空度下降至5X 10_2帕左右，再接通電源，氣體離子源開(kāi)始工作。所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板所處的平面法線之間的夾角為40°，所述離子束源與所述金屬靶板(銅板)的被轟擊的位置之間的距離為30厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接受被轟擊出的金屬原子處之間的距離為20厘米。氣體離子源燈絲電流為10安培，氬氣流量為6毫升/分鐘。電弧電壓為65伏特，電弧電流為I. 2安培。抑制電壓為140伏特，抑制電流為6毫安。加速電壓為I. 5千伏，加速電流為120毫安。在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)沉積50納米的銅膜。(2)電鍍將上述沉積了銅膜的聚酰亞胺(PI)薄膜進(jìn)行電鍍。電鍍預(yù)電鍍槽中，預(yù)鍍液的溫度為22°C，平均陰極電流密度為30安培/分米2，預(yù)鍍液為硫酸銅150克/升，硫酸80克/升,鹽酸0. 2暈升/升,開(kāi)缸劑7暈升/升,安美特210A :0. 7暈升/升,安美特210 B :0. 5毫升/升。主電鍍槽中，電鍍液的溫度為22°C，平均陰極電流密度為17安培/分米2，鍍液為包括硫酸銅100克/升、硫酸100克/升，鹽酸0. 2毫升/升，以及開(kāi)缸劑11暈升/升，安美特210A :0. 9暈升/升,安美特210 B :0. 7暈升/升。薄膜運(yùn)行的速度為40米/小時(shí)。
電鍍結(jié)束后，使薄膜通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，之后在鈍化槽中鈍化，之后再在通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，通過(guò)干燥器，在溫度為120°C下對(duì)薄膜進(jìn)行干燥。所述鈍化條件包括鈍化溫度為22°C，膜運(yùn)行的速度為40米/小時(shí)，鈍化液為含有3克/升苯并三氮唑的水溶液(廣州亮的化工的LT-02 )。電鍍沉積9微米厚銅層，銅層比較致密光滑平整。實(shí)施例4 :采用離子注入在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)注入劑量為3 X IO14個(gè)原子/厘米2的銅離子，然后通過(guò)離子束濺射在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)沉積30納米的銅膜，最后電鍍沉積12微米厚銅層實(shí)驗(yàn)過(guò)程(I)將一卷聚酰亞胺(PI)薄膜(厚度0. 025毫米，寬度270毫米)置于放卷輥上，將PI薄膜的一端依次通過(guò)張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所有的冷卻輥，張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，最后固定在收卷裝置上。在冷卻輥中通入0-10°C的冷卻水，抽真空，使真空度為5X10_4帕。打開(kāi)離子源并開(kāi)啟加速電壓。使PI薄膜運(yùn)行速度為2米/分鐘。(2)離子注入全部采用銅離子源。離子注入電壓為5千伏，注入劑量為3X IO14個(gè)原子/厘米2。(3)將上述注射了的3X IO14個(gè)原子/厘米2銅的薄膜采用離子束濺射儀(核工業(yè)西南物理研究院)進(jìn)行離子束濺射，當(dāng)真空度低于8. OX 10_4P安培后，然后通入氬氣，使真空度下降至3X10_2帕左右，再接通電源，氣體離子源開(kāi)始工作。所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板(銅板)所處的平面法線之間的夾角為60°，所述離子束源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為25厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接受被轟擊出的金屬原子處之間的距離為15厘米。氣體離子源燈絲電流為8安培，氬氣流量為5毫升/分鐘。電弧電壓為70伏特，電弧電流為I安培。抑制電壓為140伏特，抑制電流為5毫安。加速電壓為I. 2千伏，加速電流為80毫安。在聚酰亞胺(PD薄膜的每一側(cè)沉積30納米的銅膜。(4)電鍍將上述沉積了銅膜的聚酰亞胺(PI)薄膜進(jìn)行電鍍。預(yù)電鍍槽中，預(yù)鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為15安培/分米2，預(yù)鍍液為硫酸銅60克/升，硫酸100克/升,鹽酸0. 2暈升/升,安美特210開(kāi)缸劑10暈升/升,安美特210A :0. 8暈升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。主電鍍槽中，電鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為3. 9安培/分米2，鍍液為包括硫酸銅60克/升、硫酸100克/升，鹽酸0. 15毫升/升，以及安美特210開(kāi)缸劑10毫升/升，安美特210A :0. 8毫升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。薄膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)。電鍍結(jié)束后，使薄膜通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，之后在鈍化槽中鈍化，之后再在通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，通過(guò)干燥器，在溫度為100°c下對(duì)薄膜進(jìn)行干燥。所述鈍化條件包括鈍化溫度為25°c，膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)，鈍化液為含有0. 2克/升苯并三氮唑的水溶液(廣州亮的化工的LT-02 )。電鍍沉積12微米厚銅層，銅層比較致密光滑平整。實(shí)施例5 :采用離子注入在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)注入劑量為I X IO16個(gè)原子/厘米2的鎳，然后先后通過(guò)離子束濺射在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)沉積5納米的鎳 膜和30納米的銅膜，最后電鍍沉積12微米厚銅層實(shí)驗(yàn)過(guò)程(I)將一卷聚酰亞胺(PI)薄膜(厚度0. 025毫米，寬度270毫米)置于放卷輥上，將PI薄膜的一端依次通過(guò)張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所有的冷卻輥，張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，最后固定在收卷裝置上。在冷卻輥中通入0-10°C的冷卻水，抽真空，使真空度為5X10_4帕。打開(kāi)離子源并開(kāi)啟加速電壓。使PI薄膜運(yùn)行速度為2米/分鐘。(2)離子注入全部采用鎳離子源。離子注入電壓為6千伏，注入劑量為IXlO16個(gè)原子/厘米2的鎳。(3)將上述注射了的IX IO16個(gè)原子/厘米2鎳的薄膜采用離子束濺射儀(核工業(yè)西南物理研究院)進(jìn)行離子束濺射，當(dāng)真空度低于8. OX 10_4帕后，然后通入氬氣，使真空度下降至1X10_2帕左右，再接通電源，氣體離子源開(kāi)始工作。所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板(先為鎳板，然后為銅板)所處的平面法線之間的夾角為70°，所述離子束源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為25厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接受被轟擊出的金屬原子處之間的距離為15厘米。氣體離子源燈絲電流為6安培，氬氣流量為4毫升/分鐘。電弧電壓為60伏特，電弧電流為0.9安培。抑制電壓為140伏特，抑制電流為5毫安。加速電壓為I千伏，加速電流為80毫安。在聚酰亞胺(PI)薄膜的每一側(cè)先沉積5納米的鎳膜，然后沉積30納米的銅膜。(4)電鍍將上述沉積了銅膜的聚酰亞胺(PI)薄膜進(jìn)行電鍍。預(yù)電鍍槽中，預(yù)鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為15安培/分米2，預(yù)鍍液為硫酸銅60克/升，硫酸100克/升,鹽酸0. 2暈升/升,安美特210開(kāi)缸劑10暈升/升,安美特210A :0. 8暈升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。主電鍍槽中，電鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為
3.9安培/分米2，鍍液為包括硫酸銅60克/升、硫酸100克/升，鹽酸0. 15毫升/升，以及安美特210開(kāi)缸劑10毫升/升，安美特210A :0. 8毫升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。薄膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)。電鍍結(jié)束后，使薄膜通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，之后在鈍化槽中鈍化，之后再在通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，通過(guò)干燥器，在溫度為100°c下對(duì)薄膜進(jìn)行干燥。所述鈍化條件包括鈍化溫度為25°c，膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)，鈍化液為含有0. 2克/升苯并三氮唑的水溶液(廣州亮的化工的LT-02 )。電鍍沉積12微米厚銅層，銅層比較致密光滑平整。實(shí)施例6 :采用離子注入在聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜的每一側(cè)注入劑量為IXlO15個(gè)原子/厘米2，然后先后通過(guò)離子束濺射在聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜的每一側(cè)沉積20納米的鎳膜和10納米的銅膜，最后電鍍沉積12微米厚銅層實(shí)驗(yàn)過(guò)程(I)將一卷聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜(厚度0.025毫米，寬度270毫米)置于放卷輥上，將聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜的一端依次通過(guò)張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所有的冷卻輥，張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，最后固定在收卷裝置上。在冷卻輥中通入0-10°C的冷卻水，抽真空，使真空度為5X10_4帕。打開(kāi)離子源并開(kāi)啟加速電壓。使聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜運(yùn)行速度為2米/分鐘。
(2)離子注入全部采用鎳離子源。離子注入電壓為6千伏，注入劑量為IXlO15個(gè)原子/厘米2的鎳。(3)將上述注射了的IXlO15個(gè)原子/厘米2的鎳的薄膜采用離子束濺射儀(核工業(yè)西南物理研究院)進(jìn)行離子束濺射，當(dāng)真空度低于8. OX 10_4帕后，然后通入氬氣，使真空度下降至1X10_2帕左右，再接通電源，氣體離子源開(kāi)始工作。所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板(先為鎳板，然后為銅板)所處的平面法線之間的夾角為50°，所述離子束源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為25厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接受被轟擊出的金屬原子處之間的距離為15厘米。氣體離子源燈絲電流為8安培，氬氣流量為5毫升/分鐘。電弧電壓為50伏特，電弧電流為I安培。抑制電壓為200伏特，抑制電流為10毫安。加速電壓為I. 2千伏，加速電流為200毫安。在聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜的每一側(cè)先沉積一層20納米的鎳膜，然后沉積一層10納米的銅膜。(4)電鍍將上述沉積了銅膜的聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)膜進(jìn)行電鍍。預(yù)電鍍槽中，預(yù)鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為15安培/分米2，預(yù)鍍液為硫酸銅60克/升，硫酸100克/升，鹽酸0.2毫升/升，安美特210開(kāi)缸劑10毫升/升，安美特210A :0. 8毫升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。主電鍍槽中，電鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為3. 9安培/分米2，鍍液為包括硫酸銅60克/升、硫酸100克/升，鹽酸0. 15毫升/升，以及安美特210開(kāi)缸劑10毫升/升，安美特210A :0. 8毫升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。薄膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)。電鍍結(jié)束后，使薄膜通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，之后在鈍化槽中鈍化，之后再在通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，通過(guò)干燥器，在溫度為100°c下對(duì)薄膜進(jìn)行干燥。所述鈍化條件包括鈍化溫度為25°c，膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)，鈍化液為含有0. 2克/升苯并三氮唑的水溶液(廣州亮的化工的LT-02 )。電鍍沉積12微米厚銅層，銅層比較致密光滑平整。實(shí)施例7 :采用離子注入在聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜的每一側(cè)注入劑量為IXlO15個(gè)原子/厘米2，然后先后通過(guò)離子束濺射在聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜的每一側(cè)沉積10納米的鎳膜和20納米的銅膜，最后電鍍沉積12微米厚銅層實(shí)驗(yàn)過(guò)程(I)將一卷聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜(厚度0.025毫米，寬度270毫米)置于放卷輥上，將聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜的一端依次通過(guò)張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，所有的冷卻輥，張力調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，最后固定在收卷裝置上。在冷卻輥中通入o-io°c的冷卻水，抽真空，使真空度為5X10_4帕。打開(kāi)離子源并開(kāi)啟加速電壓。使聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜運(yùn)行速度為2米/分鐘。(2)離子注入全部采用鎳離子源。離子注入電壓為6千伏，注入劑量為IXlO15個(gè)原子/厘米2的鎳。(3)將上述注射了的IXlO15個(gè)原子/厘米2的鎳的薄膜采用離子束濺射儀(核工業(yè)西南物理研究院)進(jìn)行離子束濺射，所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板(先為鎳板，然后為銅板)所處的平面法線之間的夾角為30°，所述離子束源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為25厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接受被轟擊出的金屬原子處之間的距離為15厘米。氣體離子源燈絲電流為15安培，氬氣流量為10毫升/分鐘。電弧電壓為80伏特，電弧電流為I. 7安培。抑制電壓為190伏特，抑制電流為9毫安。加速電壓為2千伏，加速電流為160毫安。在聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)薄膜的每一側(cè)先沉積一層10納米的鎳膜，然后沉積一層20 納米的銅膜。(4)電鍍將上述沉積了銅膜的聚對(duì)苯二甲酸已二酯(PET)膜進(jìn)行電鍍。預(yù)電鍍槽中，預(yù)鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為15安培/分米2，預(yù)鍍液為硫酸銅60克/升，硫酸100克/升，鹽酸0.2毫升/升，安美特210開(kāi)缸劑10毫升/升，安美特210A :0. 8毫升/升，安美特210 B :0. 6毫升/升。主電鍍槽中，電鍍液的溫度為25°C，平均陰極電流密度為3. 9安培/分米2，鍍液為包括硫酸銅60克/升、硫酸100克/升，鹽酸0. 15毫升/升，以及安美特210開(kāi)缸劑10毫升/升，安美特210A :0. 8毫升/升，安美特210 B :0. 6毫 升/升。薄膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)。電鍍結(jié)束后，使薄膜通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，之后在鈍化槽中鈍化，之后再在通過(guò)裝有水的水洗槽進(jìn)行水洗，通過(guò)干燥器，在溫度為100°c下對(duì)薄膜進(jìn)行干燥。所述鈍化條件包括鈍化溫度為25°c，膜運(yùn)行的速度為10米/小時(shí)，鈍化液為含有0. 2克/升苯并三氮唑的水溶液(廣州亮的化工的LT-02 )。電鍍沉積12微米厚銅層，銅層比較致密光滑平整。性能測(cè)試檢測(cè)實(shí)施例1-7制備的撓性覆銅板中金屬層與基層薄膜之間的結(jié)合力和耐焊性實(shí)驗(yàn)方法按照中國(guó)印制電路行業(yè)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)CPCA/JPCA-BM03-2005印制電路用撓性覆銅板”進(jìn)行檢測(cè)，檢測(cè)的結(jié)果如表I所示表I
權(quán)利要求
1.一種兩層型撓性覆銅板，其包括有機(jī)高分子薄膜以及覆蓋在該機(jī)高分子薄膜上的銅層，其特征在于，所述銅層與所述有機(jī)高分子薄膜之間的剝離強(qiáng)度高于0. 6N/mm，并且所述兩層型撓性覆銅板的制備方法包括通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟；其中，所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板平面法線之間的夾角為20-70°，所述濺射離子源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為20-40厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接收被轟擊出的金屬原子處之間的距離為10-30厘米。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的兩層型撓性覆銅板，其中，在所述的制備方法中，濺射氣壓為氬氣氛圍，氣壓為0. 5-5X10_2帕，氣體離子源燈絲電流為6-15安培。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的兩層型撓性覆銅板，其中，在所述的制備方法中，電弧電壓為50-80伏特，電弧電流為0. 8-2安培。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的兩層型撓性覆銅板，其中，在所述的制備方法中，抑制電壓為100-200伏特，抑制電流為2-10毫安。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的兩層型撓性覆銅板，其中，在所述的制備方法中，加速電壓為1-2千伏，加速電流為50-200毫安。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的兩層型撓性覆銅板，其中，在所述的制備方法中，被轟擊出的金屬原子以基本垂直于所述有機(jī)高分子聚合物薄膜表面的方向沉積于所述有機(jī)高分子聚合物薄膜表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的兩層型撓性覆銅板，其中，所述離子束濺射的金屬離子包括銅離子、鎳離子、鉻離子和鑰離子中的一種或幾種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的兩層型撓性覆銅板，其中，所述制備方法包括在通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟之前對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行金屬離子注入的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的兩層型撓性覆銅板，其中，在所述金屬離子注入的步驟中，離子注入劑量為0. 5X1014-5. OXlO16個(gè)原子/厘米2。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的兩層型撓性覆銅板，其中，在所述金屬離子注入的步驟中注入的金屬離子為鉻、鎳、銅和鑰中的一種或幾種。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的兩層型撓性覆銅板，其中，所述通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟在有機(jī)高分子聚合物薄膜上沉積10-200納米厚的金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的兩層型撓性覆銅板，其中，所述金屬層由5-100納米的鎳層和5-100納米的銅層組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的兩層型撓性覆銅板，其中，所述制備方法包括在通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟之后進(jìn)行電鍍的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的兩層型撓性覆銅板，其中，所述電鍍的步驟包括預(yù)鍍和主電鍍；所述預(yù)鍍條件包括電鍍溫度為20-28°C，平均陰極電流密度為10-40安培/分米2，所述薄膜運(yùn)行的速度為10-50米/小時(shí)；所述主電鍍條件包括電鍍溫度為20-28°C，平均陰極電流密度為2-15安培/分米2，所述薄膜運(yùn)行的速度為10-50米/小時(shí)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的兩層型撓性覆銅板，其中，所述有機(jī)高分子聚合物薄膜為聚酰亞胺薄膜、聚對(duì)苯二甲酸已二酯薄膜、液晶聚合物薄膜或聚乙二酰脲薄膜。全文摘要
本發(fā)明涉及一種兩層型撓性覆銅板，其包括有機(jī)高分子薄膜以及覆蓋在該機(jī)高分子薄膜上的銅層，其特征在于，所述銅層與所述有機(jī)高分子薄膜之間的剝離強(qiáng)度高于0.6N/mm，并且所述兩層型撓性覆銅板的制備方法包括通過(guò)離子束濺射對(duì)有機(jī)高分子聚合物薄膜進(jìn)行鍍覆金屬的步驟；其中，所述離子束濺射的參數(shù)包括離子束與被轟擊的金屬靶板平面法線之間的夾角為20-70°，所述濺射離子源與所述金屬靶板的被轟擊的位置之間的距離為20-40厘米；所述金屬靶板上被離子束轟擊的位置與所述有機(jī)高分子聚合物薄膜接收被轟擊出的金屬原子處之間的距離為10-30厘米。本發(fā)明提供的兩層型撓性覆銅板的銅層與有機(jī)高分子薄膜之間的剝離強(qiáng)度高，而且厚度比較薄，比18微米薄。
文檔編號(hào)C23C14/12GK102717554SQ201210228020
公開(kāi)日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2012年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月2日
發(fā)明者楊念群, 謝新林 申請(qǐng)人:富景資本有限公司