專利名稱：等離子成膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種成膜裝置，特別是涉及一種等離子成膜裝置。
背景技術(shù)：
目前，由于等離子成膜裝置采用的等離子噴涂技術(shù)具有超高溫特性，便于進(jìn)行高熔點(diǎn)材料的噴涂；而且等離子成膜裝置具有噴涂粒子的速度高，涂層致密，粘結(jié)強(qiáng)度高等特點(diǎn)，因此電子裝置等產(chǎn)品的成膜工藝大量采用等離子噴涂技術(shù)。成膜過程中，需根據(jù)所要形成的薄膜的要求(如薄膜的致密度、厚度等)，控制等離子成膜裝置所發(fā)射的等離子射流區(qū)域的形狀?，F(xiàn)有的等離子成膜裝置是通過調(diào)節(jié)等離子成膜裝置內(nèi)的線圈電流來控制等離子射流區(qū)域形狀。例如，當(dāng)所要形成的薄膜的致密度要求不高時(shí)，調(diào)高線圈電流使等離子射流區(qū)域形狀呈發(fā)散狀；當(dāng)所要形成的薄膜的致密度要求較高時(shí)，調(diào)低線圈電流使等離子射流區(qū)域形狀成呈收斂狀。但這種通過調(diào)節(jié)線圈電流來控制等離子射流區(qū)域形狀的易受真空度、氣體流量等因素的影響，因此較難穩(wěn)定地控制等離子射流區(qū)域的形狀，進(jìn)而降低產(chǎn)品的品質(zhì)，提升不良率及降低生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述狀況，有必要提供一種按要求可穩(wěn)定地控制等離子射流區(qū)域形狀的等離子成膜裝置。一種等離子成膜裝置，其包括成膜室、設(shè)置于該成膜室內(nèi)的等離子發(fā)生器，向該成膜室提供氣體的供氣系統(tǒng)。等離子發(fā)生器噴出等離子射流并形成等離子射流區(qū)域。等離子成膜裝置還包括轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于等離子發(fā)生器周圍，供氣系統(tǒng)給氣體載流板提供氣體，氣體經(jīng)由氣體載流板射向等離 子射流區(qū)域。通過轉(zhuǎn)動(dòng)氣體載流板能夠改變等離子射流區(qū)域的形狀。本發(fā)明的等離子成膜裝置包括氣體載流板，并且改變氣體載流板的轉(zhuǎn)動(dòng)角度來任意且穩(wěn)定地控制等離子射流區(qū)域的形狀，利用該等離子成膜裝置形成的鍍膜的致密度及均勻性良好，且沉積效率高，而且因提供于該等離子成膜裝置的氣體流量較穩(wěn)定，所要打火現(xiàn)象較少。


圖1是本發(fā)明實(shí)施方式的等離子射流區(qū)域呈發(fā)散狀的等離子成膜裝置的示意圖。圖2是本發(fā)明實(shí)施方式的等離子射流區(qū)域呈收斂狀的等離子成膜裝置的示意圖。圖3是圖1所示等離子成膜裝置的氣體載流板的立體示意圖。圖4是圖2所示等離子成膜裝置的氣體載流板的立體示意圖。圖5是本發(fā)明實(shí)施方式的等離子成膜裝置的體載流板的立體剖視圖。主要元件符號(hào)說明
專離子成膜裝置 Μ
權(quán)利要求
1.一種等離子成膜裝置，其包括成膜室、設(shè)置于該成膜室內(nèi)的等離子發(fā)生器及向該成膜室提供氣體的供氣系統(tǒng)，該等離子發(fā)生器噴出等離子射流并形成等離子射流區(qū)域，其特征在于:該等離子成膜裝置還包括轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于該等離子發(fā)生器周圍的多個(gè)氣體載流板，該供氣系統(tǒng)給該氣體載流板提供氣體，該氣體經(jīng)由該氣體載流板射向該等離子射流區(qū)域，通過轉(zhuǎn)動(dòng)該氣體載流板能夠改變?cè)摰入x子射流區(qū)域的形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子成膜裝置，其特征在于:每個(gè)氣體載流板包括本體，該本體的底端開設(shè)有腔室，且于該腔室的底壁上開設(shè)有與該腔室連通的至少一個(gè)進(jìn)氣口以及于該腔室的頂壁上開設(shè)有與該腔室連通的多個(gè)出氣孔。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子成膜裝置，其特征在于:該氣體載流板的至少一個(gè)進(jìn)氣口與該供氣系統(tǒng)相連，提供至該氣體載流板的氣體通過該多個(gè)出氣孔射出。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子成膜裝置，其特征在于:該等離子成膜裝置還包括控制系統(tǒng)，其控制該氣體載流板的轉(zhuǎn)動(dòng)。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子成膜裝置，其特征在于:該多個(gè)出氣孔在該本體的頂壁上均勻排布。
6.如權(quán)利要求2所述的等離子成膜裝置，其特征在于:該多個(gè)出氣孔為圓柱形孔，且與該腔室垂直相通。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子成膜裝置，其特征在于:當(dāng)?shù)入x子發(fā)生器的軸線與每個(gè)氣體載流板垂直時(shí)，等離子射流區(qū)域的形狀為發(fā)散狀；當(dāng)多個(gè)氣體載流板轉(zhuǎn)動(dòng)而與等離子發(fā)生器的軸線成一定角度時(shí)，等離子射流區(qū)域的形狀為收斂狀，并且隨該角度的不同該等離子射流區(qū)域的形狀的收斂程度不 同。
8.如權(quán)利要求1所述的等離子成膜裝置，其特征在于:該多個(gè)氣體載流板等間距地設(shè)于該等離子發(fā)生器的外周。
9.如權(quán)利要求7所述的等離子成膜裝置，其特征在于:該多個(gè)氣體載流板等間距地設(shè)置于該等離子發(fā)生器周圍的該成膜室的周壁上。
10.如權(quán)利要求1所述的等離子成膜裝置，其特征在于:該等離子成膜裝置還包括膜料提供模組，該等離子成膜裝置設(shè)置于成膜室內(nèi)，并將膜料粒子提供至該等離子射流區(qū)域，或膜料提供模組設(shè)置于成膜室外，并通過該氣體載流板將膜料粒子與該氣體一并提供至該等離子射流區(qū)域。
全文摘要
一種等離子成膜裝置，其包括成膜室、設(shè)置于該成膜室內(nèi)的等離子發(fā)生器及向該成膜室提供氣體的供氣系統(tǒng)。等離子發(fā)生器噴出等離子射流并形成等離子射流區(qū)域。等離子成膜裝置還包括轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置于等離子發(fā)生器周圍，供氣系統(tǒng)給氣體載流板提供氣體，氣體經(jīng)由氣體載流板射向等離子射流區(qū)域。通過轉(zhuǎn)動(dòng)氣體載流板能夠改變等離子射流區(qū)域的形狀。該等離子成膜裝置所鍍的鍍膜的致密度高，均勻度良好的同時(shí)，沉積效率高，而且打火現(xiàn)象較少。
文檔編號(hào)C23C4/12GK103184403SQ20111044363
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月27日
發(fā)明者裴紹凱 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司