專利名稱：濺射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射裝置，尤其涉及形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的薄膜封裝層的濺射裝置。
背景技術(shù)：
濺射裝置為在被沉積對(duì)象形成沉積膜的裝置。最近，在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造工序中，通過在形成于基板的有機(jī)發(fā)光器件上交替地層疊無機(jī)膜和有機(jī)膜來形成將有機(jī)發(fā)光器件封裝的薄膜封裝層時(shí)，使用濺射裝置來形成無機(jī)膜。 然而，由于有機(jī)發(fā)光器件和有機(jī)膜所包含的有機(jī)物的耐熱性較差，因此現(xiàn)有的濺射裝置不能在高溫下加熱基板，從而存在因?yàn)R射裝置所形成的無機(jī)膜的質(zhì)量降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施例用于解決上述的問題，其目的在于提供用于形成將有機(jī)發(fā)光器件封裝的薄膜封裝層的、無機(jī)膜的質(zhì)量得以提高的濺射裝置。為了實(shí)現(xiàn)上述的技術(shù)目的，本發(fā)明一方面提供一種濺射裝置，所述濺射裝置包括具有磁性的多個(gè)靶；位于所述多個(gè)靶中相鄰的靶之間并且具有磁性的反射體；位于所述靶上、形成引導(dǎo)(guide)微波(microwave)的導(dǎo)引空間并且具有磁性的波導(dǎo)器；以及位于所述波導(dǎo)器上，與所述靶、所述反射體以及所述波導(dǎo)器一起形成電子回旋共振(electroncyclotron resonance)區(qū)域并且具有磁性的限幅器。所述靶可以是自旋的。所述靶可以包括在內(nèi)部形成有圓形空間并且與所述電子回旋共振區(qū)域相鄰的靶本體、以及與所述靶本體相接并且位于所述圓形空間的第一磁性體。所述反射體可以包括與所述電子回旋共振區(qū)域相鄰的反射板、以及與所述反射板相鄰的第二磁性體。所述波導(dǎo)器可以包括是沿著所述電子回旋共振區(qū)域的外圍延伸的閉環(huán)(closedloop)形態(tài)并且形成所述導(dǎo)引空間的導(dǎo)引本體，與所述導(dǎo)引本體連接以向所述導(dǎo)引空間供應(yīng)所述微波的波供應(yīng)部，與所述電子回旋共振區(qū)域相鄰的窗體，位于所述導(dǎo)引本體和所述窗體之間并且沿著所述導(dǎo)引本體延伸并且與所述導(dǎo)引本體相比更接近于所述電子回旋共振區(qū)域的第三磁性體，以及貫通所述第三磁性體并且使所述導(dǎo)引空間和所述窗體之間連通的槽。 所述限幅器可以包括互相間隔設(shè)置的多個(gè)第四磁性體。所述電子回旋共振區(qū)域可以具有I微托(μ Torr)至I毫托(mTorr)的壓力。等離子體(plasma)可以在所述電子回旋共振區(qū)域中放電。所述濺射裝置可以形成將形成在基板上的有機(jī)發(fā)光器件封裝的無機(jī)膜。根據(jù)解決上述本發(fā)明技術(shù)問題的技術(shù)方案中的一部分實(shí)施例之一，提供使形成將有機(jī)發(fā)光器件封裝的薄膜封裝層的無機(jī)膜質(zhì)量得以提高的濺射裝置。


圖I為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置的截面示意圖；圖2為圖I所示的波導(dǎo)器的立體示意圖；圖3為通過根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置形成沉積膜的示意圖。附圖標(biāo)記說明100 :靶；200 :反射體；300:波導(dǎo)器； 400:限幅器。
具體實(shí)施例方式下面，參考附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的說明，使得所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠輕易地實(shí)施。然而，本發(fā)明能夠以多種不同的方式實(shí)施，并不限于在本說明書中說明的實(shí)施例。在附圖中省略了無關(guān)的部分以清楚地說明本發(fā)明。在整體說明書中，對(duì)相同或者類似的組成要素使用了相同的附圖標(biāo)記。并且，為了便于說明任意地顯示了在幅圖中出現(xiàn)的各個(gè)組成的大小及厚度，因而本發(fā)明并不限于附圖所示的情況。在整體說明書中，若某一部分“包括”某一組成要素時(shí)，除了存在特別相駁的記載之外，并不排除其他的組成要素，而意味著還可以包括其他的組成要素。并且，在整體說明書中，..上”意味著對(duì)象部分的上部或者下部，并非僅意味著位于以重力方向?yàn)榛鶞?zhǔn)時(shí)的上側(cè)。下面，參考圖I至圖3，對(duì)根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置進(jìn)行說明。圖I為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置的截面示意圖。如圖I所示，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置可以設(shè)置于腔室(chamber)內(nèi)部，在作為被沉積對(duì)象的、形成有有機(jī)發(fā)光器件20的基板10上形成沉積膜。濺射裝置包括形成電子回旋共振(electron cyclotron resonance)區(qū)域 ECRA 的祀 100 (target)、反射體200 (reflector)、波導(dǎo)器 300 (wave guide)以及限幅器 400 (limiter)。靶100具有磁性并且設(shè)置有多個(gè)。靶100進(jìn)行自旋，并且其包括靶本體110以及第一磁性體120。靶本體110包括鋁(Al)或者錫(Sn)等欲向基板10沉積的物質(zhì)，并且在內(nèi)部形成有圓形空間。靶本體Iio與電子回旋共振區(qū)域ECRA相鄰。第一磁性體120位于在靶本體110內(nèi)部形成的圓形空間并且與靶本體110相接。第一磁性體120設(shè)置成多個(gè)，相鄰的第一磁性體120分別可以具有相互不同的磁化方向。第一磁性體120向電子回旋共振區(qū)域ECRA方向形成磁場(chǎng)。第一磁性體120可以是電磁鐵或者永久磁鐵。多個(gè)靶100中相鄰的靶100之間置有反射體200。反射體200位于相鄰的靶100之間，并且與限幅器400相對(duì)。反射體200具有磁性并且包括反射板210以及第二磁性體220。
反射板210與電子回旋共振區(qū)域ECRA相鄰，并且其可以包括選自鑰(Mo)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Pt)、鉭(Ta)以及不銹鋼等中的一種以上金屬。反射板210的板面與限幅器400相對(duì)。第二磁性體220與反射板210相鄰，并且向電子回旋共振區(qū)域ECRA方向形成磁場(chǎng)。第二磁性體220可以是電磁鐵或者永久磁鐵。反射體200和靶100上設(shè)置有波導(dǎo)器300。圖2為圖I所示的波導(dǎo)器的立體示意圖。如圖2所示,波導(dǎo)器300引導(dǎo)(guide)微波MW(microwave),并且具有磁性。波導(dǎo)器300包括導(dǎo)引本體310、波供應(yīng)部320、窗體330、第三磁性體340以及槽350。導(dǎo)引本體310是延伸的閉環(huán)(closed loop)形態(tài)，以使其沿著電子回旋共振區(qū)域ECRA的外圍圍繞電子回旋共振區(qū)域ECRA。導(dǎo)引本體310形成用于引導(dǎo)微波的導(dǎo)引空間GS。通過導(dǎo)引本體310的導(dǎo)引空間GS，由波供應(yīng)部320供應(yīng)的微波沿著電子回旋共振區(qū)域ECRA的外圍移動(dòng)。波供應(yīng)部320連接于導(dǎo)引本體310的一部分，向?qū)б臻gGS供應(yīng)微波。
窗體330與導(dǎo)引本體310相鄰，并且其與導(dǎo)引本體310相比更接近于電子回旋共振區(qū)域ECRA。即，窗體330與電子回旋共振區(qū)域ECRA相鄰，在導(dǎo)引本體310的導(dǎo)引空間GS移動(dòng)的微波經(jīng)由窗體330入射至電子回旋共振區(qū)域ECRA。第三磁性體340位于導(dǎo)引本體310和窗體330之間，并且沿著導(dǎo)引本體310以閉環(huán)形態(tài)延伸。第三磁性體340與導(dǎo)引本體310相比更接近于電子回旋共振區(qū)域ECRA。槽350貫通第三磁性體340，并且使導(dǎo)引空間GS和窗體330之間連通。在導(dǎo)引空間GS移動(dòng)的微波經(jīng)由槽350可以向窗體330移動(dòng)，并且移動(dòng)至窗體330的微波經(jīng)由窗體330向電子回旋共振區(qū)域ECRA入射。限幅器400位于波導(dǎo)器300上，與電子回旋共振區(qū)域ECRA相鄰，并且具有磁性。限幅器400包括相互間隔設(shè)置的多個(gè)第四磁性體410。限幅器400連同靶100、反射體200以及波導(dǎo)器300構(gòu)成電子回旋共振區(qū)域ECRA。電子回旋共振區(qū)域ECRA具有I微托(μ Torr)至I毫托(mTorr)的壓力。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置中，靶100、反射體200、波導(dǎo)器300以及限幅器400分別具有磁性，并且由靶100、反射體200、波導(dǎo)器300以及限幅器400形成電子回旋共振區(qū)域ECRA，從而沿著電子回旋共振區(qū)域ECRA的整體外圍形成有磁場(chǎng)，并通過該磁場(chǎng)和窗體330向電子回旋共振區(qū)域ECRA入射的微波在電子被鎖住并旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下產(chǎn)生共振，因此在電子回旋共振區(qū)域ECRA形成高密度等離子體(plasma)，并且在形成有有機(jī)發(fā)光器件20的基板10上根據(jù)該高密度等離子體形成高密度沉積膜。對(duì)此，將參考圖3進(jìn)行詳細(xì)的說明。下面，參考圖3，就通過本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置來形成沉積膜進(jìn)行詳細(xì)的說明。圖3為通過根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置形成沉積膜的示意圖。如圖3所示，根據(jù)圍繞電子回旋共振區(qū)域ECRA的磁力線ML，在電子回旋共振區(qū)域ECRA形成有高密度等離子體，在等離子體因限幅器400而未向基板10側(cè)移動(dòng)的狀態(tài)下，只有被反射體200反射的高能量中性粒子束才到達(dá)至基板10，以在形成有有機(jī)發(fā)光器件20的基板10形成高密度沉積膜。作為一實(shí)例，通過將包括氧化鋁(Al2O3)的、用作沉積膜的無機(jī)膜沉積于基板10上的情況為例，進(jìn)行更詳細(xì)的說明。為了形成包含氧化鋁的無機(jī)膜，在基板10側(cè)形成氧氣環(huán)境、靶100包括鋁(Al)、并且使氬粒子(Ar)位于電子回旋共振區(qū)域ECRA的狀態(tài)下，通過共振在電子回旋共振區(qū)域ECRA形成高密度等離子體時(shí)，氬粒子(Ar)轉(zhuǎn)化為氬離子(Ar ion)，并且該IS尚子(Ar ion)與革巴100發(fā)生撞擊。由此，從革巴100向電子回旋共振區(qū)域ECRA放射鋁粒子(Al)，所放射的鋁粒子(Al)轉(zhuǎn)化為鋁離子(Al ion)。位于電子回旋共振區(qū)域ECRA的鋁離子(Al ion)以及氬離子(Ar ion)分別被反射體200反射，從而分別轉(zhuǎn)化為高能量的鋁中性粒子束(HNB Al)以及氬中性粒子束(HNB Ar)，并經(jīng)由限幅器400向基板10側(cè)移動(dòng)。向基板10側(cè)移動(dòng)的高能量鋁中性粒子束(HNB Al)以及氬中性粒子束(HNB Ar)分別在基板10形成包含高密度氧化鋁的無機(jī)膜。另外，包含鋁離子(Alion)和氬離子(Ar ion)的等離子體因限幅器400而無法向基板10移動(dòng)。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置中，通過磁場(chǎng)和微波之間的共振在電子回旋共振區(qū)域ECRA形成高密度等離子體，并且只有該高密度等離子體被反射體200反 射而形成的高能量中性粒子束才能向基板10側(cè)移動(dòng)，從而在基板10上形成高密度沉積膜。即，在電子回旋共振區(qū)域ECRA形成高密度等離子體并且僅利用高能量中性粒子束在基板10上形成沉積膜，因此即使不用額外地加熱基板10，也可以在基板10上形成高密度沉積膜。即，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置，在因有機(jī)發(fā)光器件20以及有機(jī)膜中分別包含的有機(jī)物的耐熱性較差而無法高溫加熱基板10的狀態(tài)下，也可以只利用高能量中性粒子束在基板10上沉積用于封裝有機(jī)發(fā)光器件20的無機(jī)膜。另外，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置在靶100、反射體200、波導(dǎo)器300以及限幅器400分別具有磁性的狀態(tài)下形成電子回旋共振區(qū)域ECRA，從而在整體電子回旋共振區(qū)域ECRA形成磁力線ML以使其圍繞電子回旋共振區(qū)域ECRA。由于磁場(chǎng)圍繞電子回旋共振區(qū)域ECRA，因此根據(jù)磁場(chǎng)和微波之間的共振在電子回旋共振區(qū)域ECRA形成高密度等離子體。即，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置并不是單純地只在電子回旋共振區(qū)域ECRA的一部分形成磁場(chǎng)，而是將磁場(chǎng)形成為圍繞整體電子回旋共振區(qū)域ECRA，因此根據(jù)共振在電子回旋共振區(qū)域ECRA形成高密度等離子體，并且該高密度等離子體被反射體200反射而形成為高能量中性粒子束，所以提高了向基板10側(cè)移動(dòng)的中性粒子束流(flux)，從而即使不加熱基板10，也會(huì)通過中性粒子束使沉積于基板10的沉積膜的密度得以提高。另外，在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置中將電子回旋共振區(qū)域ECRA的壓力形成為I微托(μ Torr)至I毫托(mTorr),因此與壓力為I毫托(mTorr)以上的現(xiàn)有派射裝置相比，提高了在電子回旋共振區(qū)域ECRA移動(dòng)的中性粒子束的平均自由程(mean freepath)，所以將因中性粒子束之間的撞擊而使中性粒子束的能量降低的現(xiàn)象最小化。由此提高向基板10側(cè)移動(dòng)的中性粒子束流，從而使沉積于基板10的沉積膜的密度得以提高。另外，在根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的濺射裝置中，為了形成電子回旋共振區(qū)域ECRA，并不是額外地設(shè)置磁性體，而是使作為在利用中性粒子束形成沉積膜時(shí)的必須組成部件的靶100、反射體200、波導(dǎo)器300以及限幅器400分別具有磁性，因此不需要額外地設(shè)置磁性體。這就是降低整體濺射裝置的制造費(fèi)用以及維護(hù)費(fèi)用的主要原因。
根據(jù)如上所述的說明，通過優(yōu)選實(shí)施例說明了本發(fā)明，但是本發(fā)明并不限于此，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠 輕易地理解在不脫離上所述權(quán)利要求書的概念和范圍的情況下能夠有多種修改以及變形。
權(quán)利要求
1.一種濺射裝置，包括 多個(gè)靶，具有磁性； 反射體，位于所述多個(gè)靶中相鄰的靶之間，并且具有磁性； 波導(dǎo)器，位于所述靶上，形成引導(dǎo)微波的導(dǎo)引空間，并且具有磁性；以及限幅器，位于所述波導(dǎo)器上，與所述靶、所述反射體以及所述波導(dǎo)器一起形成電子回旋共振區(qū)域，并且具有磁性。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射裝置，其中， 所述靶是自旋的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的濺射裝置，其中，所述靶包括 靶本體，在內(nèi)部形成有圓形空間，并且與所述電子回旋共振區(qū)域相鄰；以及 第一磁性體，與所述靶本體相接，并且位于所述圓形空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射裝置，其中，所述反射體包括 反射板，與所述電子回旋共振區(qū)域相鄰；以及 第二磁性體，與所述反射板相鄰。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射裝置，其中，所述波導(dǎo)器包括 導(dǎo)引本體，是沿著所述電子回旋共振區(qū)域的外圍延伸的閉環(huán)形態(tài)，并且形成所述導(dǎo)引空間； 波供應(yīng)部，與所述導(dǎo)引本體連接以向所述導(dǎo)引空間供應(yīng)所述微波； 窗體，與所述電子回旋共振區(qū)域相鄰； 第三磁性體，位于所述導(dǎo)引本體和所述窗體之間，沿著所述導(dǎo)引本體延伸，并且與所述導(dǎo)引本體相比更接近于所述電子回旋共振區(qū)域；以及 槽，貫通所述第三磁性體，并且使所述導(dǎo)引空間和所述窗體之間連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射裝置，其中，所述限幅器包括 多個(gè)第四磁性體，互相間隔設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射裝置，其中， 所述電子回旋共振區(qū)域具有I微托至I毫托的壓力。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺射裝置，其中， 等離子體在所述電子回旋共振區(qū)域放電。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至8任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的濺射裝置，其中， 形成將形成在基板上的有機(jī)發(fā)光器件封裝的無機(jī)膜。
全文摘要
濺射裝置包括具有磁性的多個(gè)靶，位于所述多個(gè)靶中相鄰的靶之間并且具有磁性的反射體，位于所述靶上并形成引導(dǎo)微波的導(dǎo)引空間且具有磁性的波導(dǎo)器，以及位于所述波導(dǎo)器上從而與所述靶、所述反射體以及所述波導(dǎo)器一起形成電子回旋共振區(qū)域并具有磁性的限幅器。
文檔編號(hào)C23C14/34GK102899621SQ20111044338
公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2011年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者崔镕燮, 許明洙 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司