專利名稱：真空蒸鍍裝置及有機el顯示裝置的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種形成真空蒸鍍膜的方法及其裝置，特別是涉及用于在大型的基板上形成有機EL顯示裝置有效的真空蒸鍍方法及其裝置。
背景技術：
用于有機EL顯示裝置、照明裝置的有機EL元件為從上下用陰極和陰極一對電極夾入由有機材料構成的有機層的構造，成為以下的結構，即，通過對電極施加電壓，從而從陽極側向有機層注入空穴，從陰極側向有機層注入電子，使它們再結合而發(fā)光。該有機層成為層疊了包含空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層的多層膜的結構。作為形成該有機層的材料，使用高分子材料和低分子材料。在其中的使用低分子材料的情況下，使用真空蒸鍍裝置形成有機膜。 有機EL器件的特性很大地受到有機層的膜厚的影響。另一方面，形成有機薄膜的基板逐年大型化。因此，在使用真空蒸鍍裝置的情況下，需要高精度地控制形成在大型的基板上的有機薄膜、電極用金屬薄膜的膜厚，長時間連續(xù)運行。電極用金屬薄膜隨著大型化，需要低電阻化，特別是在用于顯示器中，作為有機層的上部的電極材料，鋁材料被視為最有優(yōu)勢。作為用于由真空蒸鍍在基板上連續(xù)地形成薄膜的構成的蒸發(fā)源，在“專利文獻I”中公開了以下裝置，該裝置具有蒸發(fā)源機構，該蒸發(fā)源機構設置2個以上的線性蒸發(fā)源，蒸發(fā)源內(nèi)至少一個蒸發(fā)源相對于地面或水平方向傾斜了規(guī)定角度，使該蒸發(fā)源機構上下移動而進行蒸鍍。在“專利文獻2”中公開了一種直線地配置多個坩堝、對蒸發(fā)源的AL合金進行掃描蒸鍍的技術及水平地設置基板、使蒸發(fā)源朝上進行蒸鍍的機構。另外，在“專利文獻3”中公開了一種制造裝置，該制造裝置配置多個坩堝，相對于基板進行傾斜掃描蒸鍍。在先技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2006-249572號專利文獻2 日本專利第4545504號專利文獻3 :日本專利第4515060號在“專利文獻I”中公開了一種蒸發(fā)源機構，該蒸發(fā)源機構設置2個以上的線性蒸發(fā)源，蒸發(fā)源內(nèi)至少一個蒸發(fā)源相對于地面傾斜規(guī)定角度，而多個線性蒸發(fā)源朝著相同基板位置，為了對縱向上大的面積進行蒸鍍，需要在上下方向上掃描。上述線性蒸發(fā)源在使用了鋁材料的情況下，潤濕、向上蠕動(這P上力5石)的影響使得不能進行連續(xù)的蒸鍍。另外，若線性蒸發(fā)源內(nèi)的材料被消耗，則蒸鍍停止，所以，不能應對長時間運行。在“專利文獻2”中公開了一種直線地配置多個坩堝、對蒸發(fā)源的AL合金進行掃描蒸鍍的技術及水平地設置基板、使蒸發(fā)源朝上進行蒸鍍的機構。然而，關于對縱向地設置的基板進行蒸鍍的方法及長時間運行并未公開。在“專利文獻3”中公開了一種制造裝置，該制造裝置配置多個坩堝，相對于基板進行傾斜掃描蒸鍍。然而，關于對縱向地設置的基板進行蒸鍍的方法及長時間運行并未公開。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術的課題，提供一種真空蒸鍍方法及其裝置，在該真空蒸鍍方法及其裝置中使用設置有在相同方向上排列的多個蒸發(fā)源的蒸發(fā)源列，對應于縱向地設置的大型基板，能夠高速、連續(xù)地形成以鋁材料為主的金屬薄膜。本發(fā)明的最主要的特征在于，使用陶瓷制的坩堝，為了防止鋁的向上蠕動，應對縱型的大型基板，具有這樣的機構，該機構在縱向上排列至少2個以上的在相同方向上按規(guī)定角度傾斜的蒸發(fā)源進行蒸鍍。根據(jù)本發(fā)明，為了防止因鋁蒸鍍而成為問題的潤濕、向上蠕動，采用一體型的坩堝結構，材質為不與鋁材料反應的熱分解性氮化硼(PBN)，使得PBN坩堝以規(guī)定角度，使得傾斜地配置了多個蒸發(fā)源的蒸發(fā)源列相對于基板相對地沿橫向移動，據(jù)此，對縱型配置的基板進行蒸鍍。為此，即使為大型基板，只要增加蒸發(fā)源列的蒸發(fā)源數(shù)量，不論大小如何，都能 夠進行蒸鍍。另外，在真空蒸鍍室內(nèi)準備多個蒸發(fā)源列，切換著進行蒸鍍，據(jù)此，能夠應對長時間運行。


圖I為表示本發(fā)明的第I實施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、膜厚監(jiān)視器的構成的模式圖和說明動作的圖。圖2為表示本發(fā)明的第I實施例的蒸發(fā)源列與基板、蒸鍍薄膜及薄膜的膜厚分布的關系的截面的模式圖。圖3為表示用于改善本發(fā)明的第I實施例的薄膜的膜厚分布的構成的截面的模式圖。圖4為表示本發(fā)明的第2實施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、膜厚監(jiān)視器的構成的模式圖和說明動作的圖。圖5為表示本發(fā)明的第3實施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、膜厚監(jiān)視器的構成的模式圖和說明動作的圖。圖6為表示本發(fā)明的第4實施例的蒸發(fā)源列截面構造的模式圖。圖7為表示本發(fā)明的第5實施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、閘閥、真空內(nèi)移動機構的構成的模式圖和說明動作的圖。圖8為表示本發(fā)明的第6實施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、閘閥、真空內(nèi)移動機構的構成的模式圖和說明動作的圖。圖9為表示本發(fā)明的第7實施例的蒸發(fā)源列和蒸鍍室、基板、閘閥、真空內(nèi)移動機構的構成的模式圖和說明動作的圖。圖10為表不本發(fā)明的第8實施例的有機EL顯不器生產(chǎn)工序的一例的工序圖。附圖標記的說明1-1...基板，1-2...基板，2...蒸氣，3-1...蒸發(fā)源，3-2...蒸發(fā)源列，3-3...蒸
發(fā)源列，3-4...蒸發(fā)源列，4...蒸鍍材料，5...蒸鍍室，6-1蒸鍍薄膜，6-2...蒸鍍薄膜，6-3...蒸鍍薄膜,6-4...膜厚分布,6-5...膜厚分布,6-6...膜厚分布,7...膜厚監(jiān)視器，8...膜厚控制儀，9...蒸發(fā)源電源，10...控制用計算機，11...材料供給機，12...閘閥，
13...真空內(nèi)移動機構。
具體實施例方式作為本發(fā)明的真空蒸鍍裝置的一例，說明適用于有機EL器件的制造的例子。有機EL器件的制造裝置為這樣的裝置，該裝置利用真空蒸鍍層疊多層各種材料的薄膜層，從而在金屬電極層(陽極)上形成空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層(有機膜層)，在金屬電極層(陰極、上部電極)下形成電子注入層、電子輸送層等。本發(fā)明的有機EL器件制造裝置的特征在于具有這樣的機構，該機構在蒸鍍室中使用陶瓷制的坩堝，為了防止鋁的向上蠕動，應對縱型的大型基板，在縱向上排列至少2個以上的在相同方向上按規(guī)定角度傾斜的蒸發(fā)源進行蒸鍍。下面，使用實施例及附圖詳細說明本發(fā)明的內(nèi)容。
[實施例I]圖I為本發(fā)明的真空蒸鍍裝置的基本構成的模式圖和說明動作的圖。本發(fā)明的蒸鍍裝置在蒸鍍室5內(nèi)由基板1-1、蒸發(fā)源3-1、蒸發(fā)源列3-2、膜厚監(jiān)視器7構成，在蒸鍍室外由用于控制膜厚的膜厚控制儀8、用于控制蒸發(fā)源的溫度的蒸發(fā)源電源9以及控制用計算機10構成，該控制用計算機10用于連動地控制膜厚控制儀8和蒸發(fā)源電源9，記錄蒸鍍數(shù)據(jù)。蒸發(fā)源3-1被稱為克努森池(^ 3 —卜''七 > ；Knudsen cell)，由PBN坩堝和對其進行加熱的加熱器、用于控制坩堝溫度的熱電偶、用于防止熱漏到外部的熱遮護板、水冷遮護板構成。圖2(a)為表示蒸發(fā)源3-1、基板1_1、蒸鍍薄膜6_1的構成的、從側方觀看的截面圖。在圖2(a)中，作為現(xiàn)有技術例，表示蒸發(fā)源3-1為I個的情況。相對于縱型地配置的基板1-1，從蒸發(fā)源3-1朝傾斜方向放出了的蒸鍍材料的蒸氣2堆積在基板上，形成蒸鍍薄膜6-1。如圖2(a)所示，蒸鍍薄膜6-1由于為傾斜地蒸鍍的膜，所以，成為在上下方向上非對稱的膜厚分布，基板1-1的周邊部的蒸鍍薄膜6-1的膜厚變薄，在基板中央附近，膜厚分布6-4變大，在用于有機薄膜、金屬薄膜時成為偏差大的膜，器件特性變差。在本實施例中，如圖I及圖2(b)所示那樣，在縱向上排列至少2個以上的在相同方向上按規(guī)定角度傾斜了的蒸發(fā)源3-1進行蒸鍍。換言之，蒸發(fā)源列3-2的各蒸發(fā)源3-1的長軸相對于水平方向按規(guī)定角度朝相同方向傾斜。在本實施例中，通過使用與基板1-1的上下方向的長度同等的蒸發(fā)源列3-2，蒸鍍薄膜6-1在為I個的情況下，成為在上下方向上非對稱的膜厚分布，膜厚分布6-4變大，而通過在縱向上排列，在上下方向上非對稱的膜厚分布與鄰接的蒸發(fā)源3-1的膜厚分布重疊，在基板上成膜的膜厚分布6-5能夠減小。在圖I的實施例中，膜厚監(jiān)視器7相對于蒸發(fā)源列3-2用I個進行膜厚控制，但各蒸發(fā)源3-1的坩堝溫度相對于電源功率而不同，因此存在各蒸發(fā)源3-1的蒸氣2的量變化，膜厚分布進一步變大的可能性。為此，膜厚監(jiān)視器7通過分別對于蒸發(fā)源列3-2的蒸發(fā)源3-1在每個蒸氣出口附近設置I個，從而可以進行高精度的膜厚控制。在圖2(b)中，使用與基板1-1的上下方向的長度同等的蒸發(fā)源列3-2，所以，膜厚分布6-5比膜厚分布6-4小，在基板1-1的上下的端部，膜厚變薄。在圖3中表示進一步改善膜厚分布的構成。圖3為表示蒸發(fā)源3-1、基板1-1、蒸鍍薄膜6-3的構成的、從側方觀看的截面圖。通過設置基板1-1的上下方向長度以上的蒸發(fā)源列3-3，從而在基板1-1的上下端部抑制膜厚的減少，能夠進一步改善膜厚分布6-6。但是，在該情況下，由于蒸氣2還朝向基板上下方向上的沒有基板的部分放出蒸氣2，所以，蒸鍍材料的消耗量變大，朝裝置內(nèi)放出無用的蒸鍍材料，所以，需要利用遮蔽板等防止對蒸鍍室5內(nèi)的污染。在本實施例中，基板1-1固定，蒸發(fā)源列3-2左右移動，據(jù)此，實施向著基板整體的成膜，即使固定蒸發(fā)源列3-2，使基板1-1朝橫向移動進行蒸鍍，也能夠獲得相同的效果。在圖I中未表示，采用具有能夠從蒸鍍室5的外部連續(xù)地將基板1-1供給到真空內(nèi)的輸送機構的設備，據(jù)此，能夠一邊按分批式地進行基板供給，一邊連續(xù)地成膜。另外，通過在基板1-1與蒸發(fā)源列3-2之間設置掩模，從而能夠形成圖案。[實施例2] 在實施例I中，說明了在蒸鍍室5內(nèi)設置I片基板1-1進行蒸鍍的構成，在圖4中表示了以下的裝置構成，該裝置構成在基板1-1更換時將另一基板1-2準備在鄰接的位置，減少蒸發(fā)源列3-2未蒸鍍的時間，有效地利用蒸發(fā)源3-1的坩堝內(nèi)的蒸鍍材料。在基板1-1和基板1-2與蒸發(fā)源列3-2相向的位置，使蒸發(fā)源列3-2的等候位置在基板1-1與基板1-2之間，使其朝右在橫向上進行I軸的往返移動，對基板1-1進行成膜，在其成膜中實施基板1-2的設置。在對基板1-1成膜后，接下來使其朝左在橫向上進行I軸的往返移動，對基板1-2進行成膜。在對基板1-2成膜的期間，將基板1-1側的玻璃基板更換成下一基板作好準備，據(jù)此，能夠不損失運行時間地對多個基板成膜。蒸發(fā)源3-1 —旦使坩堝溫度上升到蒸發(fā)溫度，則始終放出蒸鍍材料，所以，為了使其長時間運行而不損失地使用內(nèi)部的蒸鍍材料，本實施例那樣地減少未進行蒸鍍的時間為有效的方法。在本實施例中，為交替地蒸鍍2片基板的例子，即使為多片也有效。另外，不是本實施例的分批式，而是單片(枚葉)式，通過固定蒸發(fā)源3-1，一邊連續(xù)地使基板朝橫向移動，一邊進行蒸鍍，從而能夠提高蒸鍍裝置的利用效率。另外，在圖4中未進行表示，采用具有能夠從蒸鍍室5的外部連續(xù)地將基板1-1和基板1-2供給到真空內(nèi)的輸送機構的設備，據(jù)此，能夠一邊按分批式供給基板，一邊連續(xù)地成膜。[實施例3]在實施例1、2中，若蒸鍍材料4放出完了能夠投入到坩堝內(nèi)的量，則需要暫時使裝置停止并補充蒸鍍材料4，蒸鍍裝置的連續(xù)運行存在限制。在本實施例中，如圖5所示那樣，在蒸鍍室5內(nèi)具有材料供給機11，能夠不使真空裝置停止地補充蒸鍍材料。蒸鍍材料4在鋁材料的情況下主要使用數(shù)mm尺寸的丸粒狀的顆粒。使蒸發(fā)源列3-2移動到材料供給機11的位置，從斜上部方向將粒狀的材料從材料供給機11投入在真空內(nèi)，據(jù)此，能夠進行真空裝置的連續(xù)運行。其中，蒸發(fā)源列3-2在加熱中不能進行材料投入，所以，需要暫時使蒸發(fā)源溫度下降到不產(chǎn)生蒸氣的溫度。圖5中未表示，蒸發(fā)源列3-2不僅為I列，在蒸鍍室5內(nèi)配置2列以上的蒸發(fā)源列，據(jù)此，能夠一邊更換2列以上的蒸發(fā)源列，一邊控制蒸發(fā)源溫度，進行材料供給，據(jù)此，能夠進行蒸鍍的連續(xù)運行。材料供給量通過設置能夠測量各蒸發(fā)源列3-2的重量的機構，與材料的消耗量一致地進行決定。[實施例4]
在實施例I 3中，蒸發(fā)源3-1為圓筒狀，使用燒杯(匕一力O形狀的PBN坩堝，在該情況下，由于傾斜設置進行使用，所以，如圖6(a)所示那樣，蒸鍍材料4不可能裝入到坩堝容量的最大量。另外，由于蒸氣2朝傾斜方向放出，所以，如圖2(a)所示那樣，在基板1-1的上下方向上成為非對稱的膜厚分布，為了減小膜厚分布的范圍，存在極限。在本實施例中，通過將蒸發(fā)源3-1的坩堝構造形成為圖6(b) (d)所示的截面構造，從而能夠增加蒸鍍材料4的投入量，改善膜厚分布。圖6(b)為使坩堝朝橫向，將出口部分的頸周(首周D )設置成比下部縮徑，即使朝著橫向也不使蒸鍍材料4流失的構造，蒸氣方向也成為朝橫向，所以，在基板1-1的上下方向上膜厚分布也變得對稱，排列多個蒸發(fā)源3-1，據(jù)此，整體的膜厚分布也能夠改善。圖6(b)的蒸發(fā)源3-1的長軸為水平方向，噴出蒸氣的開口形成在蒸發(fā)源的豎直方向的中心的上方。圖6 (C)為將坩堝朝縱向，僅將出口部分朝橫向的構造，使蒸鍍材料4的投入量增
力口，蒸氣方向也成為朝橫向，所以，在基板1-1的上下方向上膜厚分布也變得對稱，排列多個蒸發(fā)源3-1，據(jù)此，整體的膜厚分布也能夠得到改善。圖6(c)的蒸發(fā)源3-1的長軸為豎直方向，噴出蒸氣的開口形成在蒸發(fā)源的豎直方向的中心的上方。其中，在為圖6(c)的情況下，為了在縱向上排列多個蒸發(fā)源3-1，坩堝在縱向上延伸，所以，不能減小蒸發(fā)源彼此的間隔，所以，有時膜厚分布變寬。圖6 (d)為使坩堝朝傾斜方向傾斜，僅出口部分朝橫向的構造，蒸鍍材料4的投入量與圖6(a)的情況沒有太大變化,而蒸氣方向成為橫向,所以,在基板1-1的上下方向上膜厚分布也變得對稱，排列多個蒸發(fā)源3-1，據(jù)此，整體的膜厚分布也得到了改善。另一方面，在用PBN制作圖6 (b) (d)的坩堝構造的情況下，由于用CVD成膜制作PBN坩堝，所以，在復雜的構造的情況下，很費時間，坩堝制造成本變高，所以，在即使為膜厚分布的范圍大的薄膜也沒有關系的情況下，也可采用能夠降低坩堝制造成本的圖6(a)的坩堝構造。[實施例5]在實施例3中使用材料供給機11，據(jù)此，能夠連續(xù)地運行，在本實施例中，圖7表示設置2個以上的蒸發(fā)源列，連續(xù)運行的情況。圖7為模式地從上觀看裝置構成的圖。設置蒸發(fā)源列3-3和蒸發(fā)源列3-4這樣2個，各蒸發(fā)源具有能夠用閘閥12分離的真空內(nèi)移動機構13，在蒸鍍室5內(nèi)能夠相對于基板1-1在橫向上移動。在圖7中，蒸發(fā)源列3-3為在加熱中蒸氣正在出來的狀況，正實施成膜。蒸發(fā)源列3-4為用閘閥12與蒸鍍室5進行真空分離，在真空內(nèi)移動機構13內(nèi)停止了的狀態(tài)。若關閉閘閥12，則蒸發(fā)源列3-4能夠在該狀態(tài)下取出到大氣中，進行材料更換、維護。若蒸發(fā)源列3-3的材料變少下去，則在圖7的狀態(tài)下使蒸發(fā)源列3-4準備成為能夠蒸鍍的狀態(tài)，通過閘閥12的開閉，可在能夠蒸鍍的狀態(tài)下切換蒸發(fā)源列3-3與蒸發(fā)源列3-4。因此，若按上述順序反復進行，則可進行長時間的連續(xù)運行。真空內(nèi)移動機構13在本實施例的圖7中表示了波紋管方式，即使為大氣箱方式等其它方法也沒關系。在圖7中，說明了設置I片基板1-1的方式，通過如在實施例2中表示的那樣設置2片以上的基板，能夠減少基板更換時的蒸鍍材料損失。[實施例6]在實施例5中，由于真空內(nèi)移動機構13需要基板1-1的橫寬度以上的伸縮，所以，裝置占用空間(7 卜U >卜)變大。在本實施例中，為了減小裝置占用空間，在圖8中表示將基板更換從分批式改變?yōu)閱纹降膶嵤├?。圖8由(a)俯視圖和(b)側視圖構成，表示裝置構成的模式圖。蒸發(fā)源列3-3和蒸發(fā)源列3-4使用能夠由閘閥12分離的真空內(nèi)移動機構13，與實施例5同樣地切換地進行使用，據(jù)此，能夠進行連續(xù)運行。真空內(nèi)移動機構13為能夠使蒸發(fā)源列3-3和蒸發(fā)源列3-4進出蒸鍍室5內(nèi)的移動距離，不存在大小的問題，所以，能夠比實施例5減小裝置占用空間。其中，由于基板1-1按單片式進行基板更換，所以，需要以縱型配置輸送基板的機構。在圖8中雖未圖示，但成為以下的構成，S卩，從圖8(a)的基板1-1的上部輸送蒸鍍前基板，蒸鍍后，從基板1-1的下部送出。[實施例7]在實施例6中，真空內(nèi)移動機構13在蒸發(fā)源坩堝的長度方向上移動，需要能夠由閘閥12分離的移動距離。在本實施例中，移動與蒸發(fā)源坩堝的蒸鍍方向豎直的方向上的短 的移動距離的機構，據(jù)此，能夠實現(xiàn)比實施例6更小的裝置占用空間。在圖9中表示從上觀看的模式圖。使蒸鍍室5的蒸發(fā)源導入部分朝內(nèi)側縮徑，據(jù)此，進一步實現(xiàn)裝置占用空間的縮小化。蒸發(fā)源列3-3和蒸發(fā)源列3-4能夠進出蒸鍍室5內(nèi)的移動距離為圖9的上下方向，所以，與實施例6相比，能夠進一步縮短。另外，由于為單片式，所以，蒸發(fā)源的移動距離能夠為蒸發(fā)源列3-3和蒸發(fā)源列3-4能夠進出蒸鍍室5內(nèi)的移動距離，所以，能夠比實施例5更減小裝置占用空間。其中，由于基板1-1按單片式更換基板，所以，需要按縱型配置進行基板輸送的機構。在圖9中雖未表示，但成為以下的構成，即，從圖9的基板1-1的上部輸送蒸鍍前基板，蒸鍍后從基板1-1的下部送出。[實施例8]圖10為表不有機EL顯不器生產(chǎn)工序的一例的工序圖。在實施例I 7中，主要說明了僅僅該生產(chǎn)工序的金屬蒸鍍的工序。在圖10中，分別形成TFT基板和封裝基板，在封裝工序中進行組合，該TFT基板形成了有機層和控制流到有機層的電流的薄膜晶體管(TFT)，該封裝基板保護有機層不受外部的濕氣的影響。在圖10的TFT基板的制造工序中，對受到了濕洗的基板進行干洗。干洗也有時包含由紫外線照射進行的清洗。在被干洗了的TFT基板上首先形成TFT。在TFT上形成鈍化膜及平坦化膜，在其上形成有機EL層的下部電極。下部電極與TFT的漏極(F' X > )電極連接。在設下部電極為陽極的情況下，例如使用IT0(Indium Tin Oxide)(銦錫氧化物)膜。在下部電極上形成有機EL層。有機EL層由多個層構成。在下部電極為陽極的情況下，從下開始例如為空孔(*一力)注入層、空孔輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層。這樣的有機EL層通過蒸鍍形成，在其上形成上部電極層。上部電極層通過在實施例I 實施例7中說明地那樣地蒸鍍裝置或蒸鍍方法形成。在有機EL層上，按各像素通用的方式按固體膜( 夕膜)形成上部電極。在有機EL顯示裝置為頂部發(fā)光的情況下，在上部電極使用IZO等透明電極，在有機EL顯示裝置為接合底部發(fā)光(術^ rM >夕'' 術卜A工S 3 > )的情況，使用A1等金屬膜。在圖10的封裝基板工序中，對進行了濕洗及干洗的封裝基板配置干燥劑。有機EL層若存在水分，則劣化，所以，為了將內(nèi)部的水分除去，使用干燥劑。干燥劑可使用各種材料，有機EL顯示裝置根據(jù)是頂部發(fā)光還是底部發(fā)光，干燥劑的配置方法不同。這樣，分別制造的TFT基板和封裝基板在封裝工序中被組合。用于封裝TFT基板和封裝基板的密封材料形成在封裝基板上。在組合封裝基板與TFT基板后，將紫外線照射在密封部，使密封部硬化，完成封裝。對這樣形成了的有機EL顯示裝置進行點亮檢查。在點亮檢查中，對于即使在產(chǎn)生了黑點、白點等缺陷的情況下也能夠修正缺陷的有機EL顯示裝置進行修正，完成有機EL顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制由雜質造成的污染而且按短的節(jié)拍時間形成由多個層形成的有機EL層，所以，能夠降低有機EL顯示裝置的制造成本，提高產(chǎn)品合格率。另外，由于能夠正確地控制有機EL層的各層的成分，所以，特性的再現(xiàn)性高，而且能夠制造可靠性高的 有機EL顯示裝置。
權利要求
1.一種真空蒸鍍裝置，其具有蒸發(fā)源列和能夠縱向地配置基板的基板設置機構，其特征在于， 上述蒸發(fā)源列由二個以上的在縱向上排列的蒸發(fā)源構成，上述蒸發(fā)源為了放出蒸氣而在一部分形成開口，各上述蒸發(fā)源的長軸相對于水平方向按規(guī)定角度朝相同方向傾斜。
2.根據(jù)權利要求I所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，上述蒸發(fā)源列能夠相對于縱向地配置的基板相對地進行I軸移動。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，上述蒸發(fā)源的開口朝著水平方向。
4.根據(jù)權利要求I或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述蒸發(fā)源列能夠在蒸鍍裝置內(nèi)配置二組以上，交替地使用。
5.根據(jù)權利要求I或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述蒸發(fā)源列具有能夠真空隔斷的閥，并具有能夠在真空外進行材料更換的設備。
6.根據(jù)權利要求I或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述蒸發(fā)源列具有能夠在真空內(nèi)進行材料補充的材料供給機。
7.根據(jù)權利要求I或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述蒸發(fā)源列具有比上述基板的縱向長度更長的蒸發(fā)源列。
8.根據(jù)權利要求I或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述蒸發(fā)源列能夠通過閘閥在真空內(nèi)移動，所述閘閥能夠與蒸鍍室分離。
9.根據(jù)權利要求I或2所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于， 上述基板設置機構在蒸鍍室內(nèi)配置了 2組以上。
10.一種真空蒸鍍裝置，具有蒸發(fā)源列和能夠縱向地配置基板的基板設置機構，其特征在于， 上述蒸發(fā)源列由二個以上的在縱向上排列的蒸發(fā)源構成，上述蒸發(fā)源為了放出蒸氣而在一部分形成開口，各上述蒸發(fā)源的長軸為水平方向，上述開口形成在上述蒸發(fā)源的豎直方向的中央部的上側，并且，上述開口朝著水平方向。
11.一種真空蒸鍍裝置，具有蒸發(fā)源列和能夠縱向地配置基板的基板設置機構，其特征在于， 上述蒸發(fā)源列由二個以上的在縱向上排列的蒸發(fā)源構成，上述蒸發(fā)源為了放出蒸氣而在一部分形成開口，各上述蒸發(fā)源的軸為豎直方向，上述開口形成在上述蒸發(fā)源的豎直方向的中央部的上側，并且，上述開口朝著水平方向。
12.根據(jù)權利要求10或11所述的真空蒸鍍裝置，其特征在于，上述蒸發(fā)源列能夠相對于縱向配置的基板相對地進行I軸移動。
13.一種有機EL顯示裝置的制造方法，該有機EL顯示裝置由封裝基板封裝了 TFT基板，該TFT基板形成有薄膜晶體管、有機EL層以及夾住上述有機EL層的電極層，其特征在于， 將形成有薄膜晶體管的TFT基板配置在真空蒸鍍裝置內(nèi)的基板設置機構中，與上述TFT基板相向地配置蒸發(fā)源列，該蒸發(fā)源列在縱向上排列蒸發(fā)源，該蒸發(fā)源收容了上述有機EL層或電極層的材料， 上述蒸發(fā)源的軸相對于水平方向傾斜規(guī)定角度，通過使上述TFT基板或上述蒸發(fā)源列在水平方向上相對地移動，從而形成上述有機EL層或上述 電極層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種真空蒸鍍裝置及成膜裝置，該真空蒸鍍裝置及成膜裝置在大型基板上高速地形成膜厚均勻的有機EL上部電極用的鋁金屬薄膜，能夠長時間連續(xù)運行。使用陶瓷制的坩堝，防止鋁的向上蠕動，使用在橫向上操作蒸發(fā)源列(3-2)進行蒸鍍的機構，該蒸發(fā)源列(3-2)在縱向上排列了至少2個以上在相同方向上按規(guī)定角度傾斜了的蒸發(fā)源(3-1)，據(jù)此，能夠相對于大型化的縱向設置的基板(1-1)高速地形成有機EL上部電極用金屬薄膜，能夠進行長時間的連續(xù)成膜。
文檔編號C23C14/24GK102732836SQ201110442780
公開日2012年10月17日 申請日期2011年12月27日 優(yōu)先權日2011年3月31日
發(fā)明者三宅龍也, 尾方智彥, 山本健一, 峰川英明, 松浦宏育, 楠敏明, 玉腰武司, 矢崎秋夫 申請人:株式會社日立高新技術