專(zhuān)利名稱(chēng)：多弧磁控離子鍍膜機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種能夠在真空條件下，采用陰極電弧離子放電蒸發(fā)靶材和磁控濺射靶材的雙靶方式，使其在工件表面沉積成膜層的斜臥式復(fù)合離子鍍膜機(jī)械裝置。
背景技術(shù)：
目前，不僅立式多弧磁控復(fù)合離子鍍膜機(jī)無(wú)法對(duì)顆粒狀零部件進(jìn)行大量滾動(dòng)鍍膜，臥式的多弧離子鍍膜機(jī)和磁控濺射離子鍍膜機(jī)又存在無(wú)法同時(shí)運(yùn)用多弧和磁控濺射雙靶復(fù)合離子鍍膜方式的局限，而且此類(lèi)型的鍍膜機(jī)體積龐大，造價(jià)昂貴。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決目前立式多弧磁控復(fù)合離子鍍膜機(jī)無(wú)法對(duì)顆粒狀零部件進(jìn)行大量滾動(dòng)鍍膜，臥式的多弧離子鍍膜機(jī)和磁控濺射離子鍍膜機(jī)又存在無(wú)法同時(shí)運(yùn)用多弧和磁控濺射雙靶復(fù)合離子鍍膜方式的局限，以及此類(lèi)型的鍍膜機(jī)體積龐大，成本昂貴的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種裝置簡(jiǎn)巧、低本高效、適合顆粒狀零部件產(chǎn)品大量鍍膜的斜臥式多弧磁控濺射雙靶復(fù)合離子鍍膜機(jī)械裝置。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是它是采用半斜式真空室，整體由滾筒外底中心安裝滾軸穿過(guò)并固定于真空室下端外連接傳動(dòng)馬達(dá)，真空室上端左側(cè)外掛裝一扇門(mén)蓋，門(mén)蓋上部裝置圓柱磁控靶，門(mén)蓋中部裝置觀察窗口，門(mén)蓋下部裝置多弧靶和引弧針，真空室體外上方安裝兩路進(jìn)氣系統(tǒng)，真空室體外上方尾部安裝傳動(dòng)馬達(dá)，真空室體外右側(cè)安裝連接真空機(jī)系統(tǒng)，真空室傾斜45度底部固定在真空室固定支架上構(gòu)成。本發(fā)明的有益效果是`機(jī)體尺寸精簡(jiǎn)，鍍膜沉積速率高、靶材利用率高、機(jī)動(dòng)性能好可同時(shí)沉積多層復(fù)合膜，具有膜層均勻致密、附著力良好的優(yōu)點(diǎn)，方便顆粒狀零部件大批量滾鍍功能膜和裝飾膜。


下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。多弧磁控離子鍍膜機(jī)電路原理與實(shí)施例的剖面圖中1.氬氣進(jìn)氣口 2.其它氣體進(jìn)氣口 3.真空機(jī)系統(tǒng)4.傳動(dòng)馬達(dá)5.滾筒傳動(dòng)軸6.真空室固定支架7.觀察窗口
8.多弧源9.磁控濺射源10.引弧針11.多弧靶12.磁控濺射靶13.顆粒狀工件
14.工件攪動(dòng)片15.裝載滾筒16.真空室17.門(mén)蓋Kl.偏壓電源K2.磁控靶電源K3.多弧靶電源
具體實(shí)施例方式在圖中，采用半斜式真空室(16)，滾筒(15)做鍍膜室裝載顆粒狀工件(13)，整體由滾筒外底中心安裝滾筒傳動(dòng)軸(5)穿過(guò)并固定于真空室下端外連接傳動(dòng)馬達(dá)(4)，滾筒底部安裝三片等腰三角形攪動(dòng)片(14)，真空室上端左側(cè)外掛裝一扇門(mén)蓋(17)，門(mén)蓋上部裝置磁控濺射源(9)和圓柱磁控靶(12)，門(mén)蓋中部裝置觀察窗口(7)，門(mén)蓋下部裝置多弧源
(8)、多弧靶(11)和引弧針(10)，真空室外上方安裝兩路進(jìn)氣系統(tǒng)氬氣進(jìn)氣口(I)和其它氣體進(jìn)氣口(2)，真空室外上方尾部安裝傳動(dòng)馬達(dá)(4)，真空室體外右側(cè)安裝連接真空機(jī)系統(tǒng)
(3)，真空室傾斜45度 底部固定在真空室固定支架(6)上。
權(quán)利要求
1.多弧磁控離子鍍膜機(jī) 一種多弧磁控離子鍍膜機(jī)，在立式圓柱狀真空室四周安裝多弧源，頂部安裝柱狀磁控濺射源，底部安裝工件轉(zhuǎn)動(dòng)架，其特征是:采用半斜式真空室，滾筒外底中心安裝滾軸穿過(guò)并固定于真空室下端外連接傳動(dòng)馬達(dá)，真空室上端左側(cè)外掛裝一扇門(mén)蓋，門(mén)蓋上部裝置圓柱磁控靶，門(mén)蓋下部裝置多弧靶， 真空室體外上方尾部安裝傳動(dòng)馬達(dá)，真空室傾斜45度底部固定在真空室固定支架上。
全文摘要
多弧磁控離子鍍膜機(jī)，一種能夠在真空條件下，采用陰極電弧離子放電蒸發(fā)靶材和磁控濺射靶材的雙靶方式，使其在工件表面沉積成膜層的斜臥式復(fù)合離子鍍膜機(jī)械裝置。它是采用半斜式真空室傾斜固定在支架上，滾筒外底中心安裝滾軸穿過(guò)并固定于真空室下端外連接傳動(dòng)馬達(dá)，真空室上端左側(cè)外掛裝一扇門(mén)蓋，門(mén)蓋上部裝置圓柱磁控靶，門(mén)蓋中部裝置觀察窗口，門(mén)蓋下部裝置多弧靶和引弧針，真空室體外上方安裝兩路進(jìn)氣系統(tǒng)，真空室體外上方尾部安裝傳動(dòng)馬達(dá)，真空室體外右側(cè)安裝連接真空機(jī)系統(tǒng)構(gòu)成。其特點(diǎn)是機(jī)體尺寸小，鍍膜沉積速率高、靶材利用率高、機(jī)動(dòng)性能好可同時(shí)沉積多層復(fù)合膜，具有膜層均勻致密附著力良好的優(yōu)點(diǎn)。主要用于顆粒狀的零部件滾鍍功能膜和裝飾膜，在國(guó)防、電子工業(yè)、科研、機(jī)械、工具和裝飾等領(lǐng)域具有廣泛的用途。
文檔編號(hào)C23C14/32GK103103481SQ20111037232
公開(kāi)日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2011年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月9日
發(fā)明者彭道移 申請(qǐng)人:東莞市長(zhǎng)凌電子材料有限公司