專利名稱：磁控鍍膜控制裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及ー種鍍膜機控制裝置，尤其涉及一種磁控鍍膜控制裝置。
背景技術：
真空鍍膜目前常用的是兩種方式蒸鍍和濺鍍。濺鍍由于鍍膜效率高，鍍層結合力好等優(yōu)點，應用范圍日益擴大，但是磁控濺鍍設備使用多年后，普遍會存在一個問題同樣的エ藝條件，鍍膜越來越困難，靶材使用率也越來越低。原因分析1)真空條件變差；2)mask等輔材表面粗糙度下降及局部打火；3)電器連接件接觸電阻上升；4)真空值、電壓、電流值的檢測需要校準。針對上述原因，現有的改進方法如下 I)改善真空條件a)更換密封件；b)維護、更換初級泵和分子泵；2)粗糙度改善
a)對mask表面進行噴砂；b)去除濺鍍機內部結垢；3)降低接觸電阻a)去除連接件表面的銹蝕山)重新緊固所有連接件；4)調教所有檢測裝置。經過以上處理后濺鍍狀態(tài)有所改善，但還是沒有徹底解決，因此，有必要提供新的磁控鍍膜控制裝置。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種磁控鍍膜控制裝置，能夠有效解決鍍膜困難的問題。本實用新型為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種磁控鍍膜控制裝置，包括MCU模塊和電源模塊，其中，所述MCU模塊通過放大及逆變電路和倍壓整流電路相連，所述倍壓整流電路的另ー輸入端和濺鍍機內的放電針相連提供直流高壓信號。上述的磁控鍍膜控制裝置，其中，所述MCU模塊輸出占空比為50%的30KHZ的方波信號。上述的磁控鍍膜控制裝置，其中，所述放大及逆變電路為DC/AC逆變單元，輸入24V直流電壓，輸出1000V，30KHZ的交流高壓信號。上述的磁控鍍膜控制裝置，其中，所述倍壓整流電路的放大倍數為3，輸出3000V
的直流高壓信號。上述的磁控鍍膜控制裝置，其特征在于，所述放電針正負極之間的放電間隙為IOmm0本實用新型對比現有技術有如下的有益效果本實用新型提供的磁控鍍膜控制裝置，通過增加逆變器和倍壓整流電路為濺鍍機提供直流高壓信號，在濺鍍時起到“點火”的作用從而有效解決鍍膜困難的問題。

圖I為本實用新型的磁控鍍膜控制裝置結構示意圖。圖中[0014]IMCU模塊 2放大及逆變電路 3倍壓整流電路4電源模塊 5濺鍍機
具體實施方式
以下結合附圖和實施例對本實用新型作進ー步的描述。圖I為本實用新型的磁控鍍膜控制裝置結構示意圖。本實用新型的磁控鍍膜控制裝置包括MCU模塊I和電源模塊4，其中，MCU模塊I通過放大及逆變電路2和倍壓整流電路3相連，倍壓整流電路3的另ー輸入端和濺鍍機5內的放電針相連提供直流高壓信號。MCU模塊I可以選用單片機，放大及逆變電路2為24V — 1000V的DC/AC逆變單元。其中，信號流向如下MCU模塊I主要完成與原設備的信 號聯接及產生30KHZ的方波信號；放大及逆變電路2主要是將30KHZ的方波信號進行放大，再經升壓變壓器輸出1000V的高壓交流電；所述倍壓整流電路主要是將1000V的高壓交流電進行三倍壓整流，然后輸出3000V的直流電，該直流電和濺鍍機5內的放電器相連，提供直流高壓信號具體工作原理如下電源模塊4分別提供5V和24V給MCU模塊I和放大及逆變電路2。當原設備控制信號為高電平吋，MCU模塊I啟動內部的16um定時器，當原設備控制信號為低電平時，MCU模塊I關閉內部的16um定時器，同時關閉輸出；該定時器的作用就是間隔16um改變MCU模塊I輸出，產生占空比為50%，周期為32um的方波(約為30KHZ);放大及逆變電路2將MCU模塊I給出的方波信號進行放大，然后經過升壓變壓器輸出1000V左右的交流電；三倍壓整理電路3將這1000V的交流信號處理成3000V左右的直流電；最后將這3000V的直流電通過高壓導線，引入濺鍍機內部的放電針，其中負極接地，正極接放電針，正負極間距為10mm。當濺鍍機5工作時，放電針兩端會加上3000V左右的直流高壓電，此時，放電針間隙之間會產生大量的正離子，從而引發(fā)雪崩效應，致使濺鍍機5達到正常的工作狀態(tài)。綜上所述，本實用新型提供的磁控鍍膜控制裝置，通過增加放大及逆變電路2和倍壓整流電路3為濺鍍機5提供3000V左右的直流高壓“點火”信號，從而有效解決鍍膜困難的問題。雖然本實用新型已以較佳實施例掲示如上，然其并非用以限定本實用新型，任何本領域技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，當可作些許的修改和完善，因此本實用新型的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。
權利要求1.一種磁控鍍膜控制裝置，包括MCU模塊(I)和電源模塊(4)，其特征在于，所述MCU模塊⑴通過放大及逆變電路⑵和倍壓整流電路⑶相連，所述倍壓整流電路⑶的另一輸入端和濺鍍機(5)內的放電針相連提供直流高壓信號。
2.如權利要求I所述的磁控鍍膜控制裝置，其特征在于，所述MCU模塊(I)輸出占空比為50%的30KHZ的方波信號。
3.如權利要求I所述的磁控鍍膜控制裝置，其特征在于，所述放大及逆變電路(2)為DC/AC逆變單元，輸入24V直流電壓，輸出1000V，30KHZ的交流高壓信號。
4.如權利要求I所述的磁控鍍膜控制裝置，其特征在于，所述倍壓整流電路(3)的放大倍數為3，輸出3000V的直流高壓信號。
5.如權利要求I所述的磁控鍍膜控制裝置，其特征在于，所述放電針正負極之間的放電間隙為10mm。
專利摘要本實用新型公開了一種磁控鍍膜控制裝置，包括MCU模塊和電源模塊，其中，所述MCU模塊通過放大及逆變電路和倍壓整流電路相連，所述倍壓整流電路的另一輸入端和濺鍍機內的放電針相連提供直流高壓信號；所述MCU模塊輸出占空比為50％的30kHz的方波信號；所述放大及逆變電路為DC/AC逆變單元，輸入24V直流電壓，輸出1000V，30kHz的交流高壓信號；所述倍壓整流電路的放大倍數為3，輸出3000V的直流高壓信號。本實用新型提供的磁控鍍膜控制裝置，通過增加逆變器和倍壓整流電路為濺鍍機提供直流高壓“點火”信號，從而有效解決鍍膜困難的問題。
文檔編號C23C14/35GK202450149SQ201120575098
公開日2012年9月26日 申請日期2011年12月27日 優(yōu)先權日2011年12月27日
發(fā)明者唐翔, 黃灝 申請人:浙江華虹光電集團有限公司