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鍍膜件的制備方法及由該方法制得的鍍膜件的制作方法

文檔序號(hào):3413962閱讀:220來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:鍍膜件的制備方法及由該方法制得的鍍膜件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種鍍膜件的制備方法及由該方法制得的鍍膜件。
背景技術(shù)
為在基材表面獲得合金涂層,常采用熱浸鍍或熱噴涂的方法。金屬銅(Cu)和鑰(Mo)價(jià)格低廉,性能優(yōu)良,在工業(yè)上有著廣泛的應(yīng)用。然而由于銅和鑰的混合熱為正值,合金熔煉的過(guò)程中銅鑰合金易發(fā)生Spinodal分解(亞穩(wěn)相分解),分解成富銅相和富鑰相;高溫急冷時(shí),銅和鑰也會(huì)發(fā)生相分離。由于熱浸鍍或熱噴涂均需要對(duì)合金原料進(jìn)行熔煉,因此采用熱浸鍍或熱噴涂的方法在基材表面較難形成穩(wěn)定的銅鑰合金層。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,有必要提供一種可形成穩(wěn)定的銅鑰合金層的鍍膜件的制備方法。另外,還有必要提供一種由上述方法所制得的披覆有銅鑰合金層的鍍膜件。一種鍍膜件的制備方法,其包括如下步驟
提供基材;
采用粉末冶金法,以金屬銅粉和鑰粉為原料制備銅鑰復(fù)合靶;
采用磁控濺射法,以上述步驟制備的銅鑰復(fù)合靶為靶材,在基材表面濺射形成銅鑰合金層。一種鍍膜件包括基材及形成于基材上的銅鑰合金層,該銅鑰合金層采用濺射法形成。本發(fā)明鍍膜件的制備方法在形成銅鑰合金層時(shí),采用PVD鍍膜技術(shù),通過(guò)制備銅鑰復(fù)合靶和對(duì)濺射溫度的控制,從而于基材表面形成超飽和的銅鑰合金層。所述鍍膜件的制備方法工藝穩(wěn)定、可靠且環(huán)保。


圖I是本發(fā)明一較佳實(shí)施例鍍膜件的剖視圖。圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例真空鍍膜機(jī)的俯視示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
權(quán)利要求
1.一種鍍膜件的制備方法,其包括如下步驟 提供基材; 采用粉末冶金法,以金屬銅粉和鑰粉為原料制備銅鑰復(fù)合靶; 采用磁控濺射法,以上述步驟制備的銅鑰復(fù)合靶為靶材,在基材表面濺射形成銅鑰合金層。
2.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件的制備方法,其特征在于所述基材的材質(zhì)為不銹鋼或銅合金。
3.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件的制備方法,其特征在于所述銅鑰復(fù)合靶中銅和鑰的質(zhì)量比介于1:4和4:1之間。
4.如權(quán)利要求3所述的鍍膜件的制備方法,其特征在于所述制備銅鑰復(fù)合靶的步驟的工藝參數(shù)為金屬銅粉的純度大于99. 9%,金屬銅粉的粒徑為10 60 y m ;金屬鑰粉的純度大于99. 9%,金屬鑰粉的粒徑為10 40 iim;該金屬銅粉與金屬鑰粉的質(zhì)量比在1:4和4:1之間,該金屬銅粉與金屬鑰粉的混合物被球磨120 200min,熱等靜壓制成一還體,經(jīng)1350 1500。。燒結(jié)3 5h,再自然冷卻。
5.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件的制備方法,其特征在于所述濺射形成銅鑰合金層的步驟的工藝參數(shù)為銅鑰復(fù)合靶的功率為8 15kw,以氬氣為工作氣體,氬氣流量為100 300sccm,對(duì)基材施加-100 -200V的偏壓,濺射溫度為120 180°C,鍍膜時(shí)間為30 50mino
6.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件的制備方法,其特征在于該銅鑰合金層的厚度為120 200nm。
7.如權(quán)利要求I所述的鍍膜件的制備方法,其特征在于該鍍膜件的制備方法還包括在濺鍍銅鑰合金層前對(duì)基材進(jìn)行預(yù)處理的步驟。
8.如權(quán)利要求7所述的鍍膜件的制備方法,其特征在于所述預(yù)處理的步驟包括除油、除蠟、酸洗、中和、去離子水清洗、烘干步驟。
9.一種由權(quán)利要求1-8中的任一項(xiàng)所述的方法制得的鍍膜件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種鍍膜件的制備方法,其包括如下步驟提供基材;采用粉末冶金法,以金屬銅粉和鉬粉為原料制備銅鉬復(fù)合靶;采用磁控濺射法,以銅鉬復(fù)合靶為靶材在基材表面濺射形成銅鉬合金層。本發(fā)明所述銅鉬合金層的制備利用銅和鉬原子同時(shí)濺射并沉積于基材表面以及較低的沉積溫度,制備出超飽和的銅鉬合金。所述鍍膜件的制備方法工藝穩(wěn)定、可靠且環(huán)保。本發(fā)明還提供一種由上述方法制得的鍍膜件。
文檔編號(hào)C23C14/35GK102747332SQ20111010066
公開(kāi)日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2011年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月21日
發(fā)明者張新倍, 林順茂, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳正士 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司
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