專利名稱：一種硅片拋光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅片拋光裝置，特別是一種300mm以上大直徑娃片的拋光裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體硅片是現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路的主要襯底材料，一般通過(guò)拉晶、切片、倒 角、磨片、腐蝕、拋光、清洗等工藝過(guò)程制造而成的集成電路級(jí)半導(dǎo)體硅片。為增加IC芯片 產(chǎn)量，降低單元制造成本，硅片向大直徑發(fā)展，盡管目前的主流是300mm，國(guó)際上三大IC廠 家正在研究和推進(jìn)450mm硅片的應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化。由于大尺寸硅片的表面積較大，在拋光過(guò) 程中幾何參數(shù)難以控制，為了獲得平坦的表面，在目前大尺寸硅片的拋光過(guò)程中雙面拋光 代替單面拋光。雙面拋光過(guò)程中由于硅片處于自由的懸浮狀態(tài)，拋光后的表面幾何參數(shù)能控制得 很好，能達(dá)到65nm和32nm線寬的要求。但隨著硅片表面積的進(jìn)一步增大，由于面積太大和 自身重力的問(wèn)題，拋光過(guò)程中的均勻性很難控制，從而會(huì)影響大直徑硅片的幾何參數(shù)。因 此，為了得到符合幾何參數(shù)要求的300mm直徑以上硅片產(chǎn)品，就需要一種新型的硅片拋光
直o
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種硅片拋光裝置，該裝置結(jié)構(gòu)緊湊，硅片在拋光時(shí)處 于垂直狀態(tài)，硅片可以有效地避免因自重而引起的形變，同時(shí)更容易控制硅片兩面能解決 由于硅片尺寸的增大而帶來(lái)的拋光問(wèn)題，既提高了生產(chǎn)的效率，又提高了拋光片的成品率。為達(dá)到上述發(fā)明目的本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案一種硅片拋光裝置，其特征在于它包括垂直方向設(shè)置的、帶動(dòng)硅片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的 游輪圈、位于游輪圈左側(cè)的、由左傳動(dòng)部分帶動(dòng)的左拋光輪，位于游輪圈右側(cè)的、由右傳動(dòng) 部分帶動(dòng)的右拋光輪，左、右拋光輪上分別貼有用于硅片拋光的拋光墊，還有直接供應(yīng)拋光 液到拋光墊上的拋光液供給部分。所述的左、右拋光輪為拋光盤。拋光輪的材料為金屬或陶瓷。拋光輪直徑為150mm 250mm。游輪圈材料為樹(shù)脂。拋光液供液部分的管道材料為樹(shù)脂。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)由于拋光時(shí)硅片是垂直的，可以有效地避免因自重而引起的形變， 同時(shí)更容易控制硅片兩面表面的幾何參數(shù)，能解決由于硅片尺寸的增大而帶來(lái)的拋光問(wèn) 題。拋光墊是市場(chǎng)上常規(guī)拋光墊。

圖la 目前雙面拋光機(jī)的拋光示意圖[0014]圖lb 圖la的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖圖2 本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖圖3 使用本實(shí)用新型時(shí)加工示意圖
具體實(shí)施方式
圖la、圖lb中，21為上大盤，22為下大盤，23為邊緣齒輪，24為游輪片，25為硅片， 26為太陽(yáng)輪，27為拋光液供應(yīng)部份。圖2、圖3中，這種硅片拋光裝置包括垂直方向設(shè)置的、帶動(dòng)硅片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的游輪 圈(3)、位于游輪圈左側(cè)的、由左傳動(dòng)部分(2)帶動(dòng)的左拋光輪(1)，位于游輪圈右側(cè)的、由 右傳動(dòng)部分(5)帶動(dòng)的右拋光輪(4)，左、右拋光輪上分別貼有用于硅片拋光的拋光墊(7)， 還有直接供應(yīng)拋光液到拋光墊上的拋光液供給部分(27)。傳動(dòng)部分提供拋光過(guò)程中的壓力和轉(zhuǎn)速。在拋光時(shí)游輪圈帶動(dòng)硅片旋轉(zhuǎn)，拋光液 由上方的拋光液供給部分流下，左右拋光輪同時(shí)逆向旋轉(zhuǎn)對(duì)硅片表面進(jìn)行拋光，左右拋光 輪的轉(zhuǎn)速和壓力相同。由于拋光時(shí)硅片是垂直的，可以有效地避免因自重而引起的形變，同時(shí)更容易控 制硅片兩面表面的幾何參數(shù)，能解決由于硅片尺寸的增大而帶來(lái)的拋光問(wèn)題。拋光墊是市 場(chǎng)上常規(guī)拋光墊。
權(quán)利要求一種硅片拋光裝置，其特征在于它包括垂直方向設(shè)置的、帶動(dòng)硅片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的游輪圈(3)、位于游輪圈左側(cè)的、由左傳動(dòng)部分(2)帶動(dòng)的左拋光輪(1)，位于游輪圈右側(cè)的、由右傳動(dòng)部分(5)帶動(dòng)的右拋光輪(4)，左、右拋光輪上分別貼有用于硅片拋光的拋光墊(7)，還有直接供應(yīng)拋光液到拋光墊上的拋光液供給部分(27)。
2.按照權(quán)利要求1所述的硅片拋光裝置，其特征在于所述的左、右拋光輪為拋光盤。
3.按照權(quán)利要求1所述的硅片拋光裝置，其特征在于拋光輪的材料為金屬或陶瓷。
4.按照權(quán)利要求1所述的硅片拋光裝置，其特征在于拋光輪直徑為150mm 250mm。
5.按照權(quán)利要求1所述的硅片拋光裝置，其特征在于游輪圈材料為樹(shù)脂。
6.按照權(quán)利要求1所述的硅片拋光裝置，其特征在于拋光液供液部分的管道材料為 樹(shù)脂。
專利摘要一種硅片拋光裝置包括垂直方向設(shè)置的、帶動(dòng)硅片進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的游輪圈(3)、位于游輪圈左側(cè)的、由左傳動(dòng)部分(2)帶動(dòng)的左拋光輪(1)，位于游輪圈右側(cè)的、由右傳動(dòng)部分(5)帶動(dòng)的右拋光輪(4)，左、右拋光輪上分別貼有用于硅片拋光的拋光墊(7)，還有直接供應(yīng)拋光液到拋光墊上的拋光液供給部分(27)。游輪圈帶動(dòng)硅片旋轉(zhuǎn)，左右拋光輪同時(shí)向相對(duì)方向旋轉(zhuǎn)，對(duì)硅片表面進(jìn)行拋光。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是該裝置結(jié)構(gòu)緊湊，硅片在拋光時(shí)處于垂直狀態(tài)，硅片可以有效地避免因自重而引起的形變，同時(shí)更容易控制硅片表面的幾何參數(shù)，能解決由于硅片尺寸的增大而帶來(lái)的拋光問(wèn)題，既提高了生產(chǎn)的效率，又提高了拋光片的成品率。
文檔編號(hào)B24B29/00GK201711851SQ20102026176
公開(kāi)日2011年1月19日 申請(qǐng)日期2010年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月12日
發(fā)明者常青, 庫(kù)黎明, 索思卓, 閆志瑞, 魯進(jìn)軍 申請(qǐng)人:北京有色金屬研究總院;有研半導(dǎo)體材料股份有限公司