專利名稱：一種化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域，特別涉及一種化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳 送裝置。
背景技術(shù)：
在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的工藝腔內(nèi)，多個晶片通常放置于轉(zhuǎn)盤的四周上，該轉(zhuǎn)盤通 過法蘭頭支撐，法蘭頭通過轉(zhuǎn)軸支撐，轉(zhuǎn)軸帶動法蘭頭旋轉(zhuǎn)進而帶動轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)。當傳送晶片 的機械手臂將晶片傳送至工藝腔內(nèi)并將晶片放置于轉(zhuǎn)盤上位于機械手臂下方的某一晶片 放置位置上后，轉(zhuǎn)軸帶動轉(zhuǎn)盤轉(zhuǎn)動，使得轉(zhuǎn)盤上的下一晶片放置位置對準于傳送晶片的機 械手臂的下方，這樣確保通過機械手臂多次拾取、放置晶片，最終使轉(zhuǎn)盤上的晶片放置位置 均被放置上晶片。在維護晶片傳送裝置時需要經(jīng)常拆卸傳送裝置上的轉(zhuǎn)盤，因此不可避免的需要將 承載轉(zhuǎn)盤的法蘭頭(flange)與轉(zhuǎn)軸(shaft)分離。在此過程中，通常法蘭頭與轉(zhuǎn)軸非常難 以分離。主要原因是使用時間過長且長時間處于等離子體的環(huán)境中，轉(zhuǎn)軸與法蘭頭接觸的 上表面容易被侵蝕，并與法蘭頭粘附后難以分離。現(xiàn)有技術(shù)中在拆卸時通常采用異丙醇浸 泡法蘭頭和轉(zhuǎn)軸的結(jié)合部分，甚至采用敲擊等各種破壞性方法將法蘭頭與轉(zhuǎn)軸強行分離。 采用現(xiàn)有技術(shù)的方法拆分法蘭頭和轉(zhuǎn)軸后必須更換新的法蘭頭，并且很可能對轉(zhuǎn)軸也造成 損傷，引起整個晶片傳送裝置出現(xiàn)多種機械問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置，以 解決在拆卸晶片傳送裝置上的轉(zhuǎn)盤時無法將承載轉(zhuǎn)盤的法蘭頭與傳送轉(zhuǎn)軸分離的問題。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置， 所述晶片傳送裝置包括轉(zhuǎn)軸和法蘭頭，所述法蘭頭通過固定組件固定于所述轉(zhuǎn)軸上，還包 括轉(zhuǎn)軸保護墊，所述轉(zhuǎn)軸保護墊放置于所述轉(zhuǎn)軸和所述法蘭頭之間，并通過所述固定組件 固定于所述轉(zhuǎn)軸和所述法蘭頭間?？蛇x的，所述轉(zhuǎn)軸保護墊的形狀、直徑大小同所述轉(zhuǎn)軸的形狀、直徑大小相適應(yīng)?？蛇x的，所述轉(zhuǎn)軸保護墊上設(shè)置有中空孔?？蛇x的，所述中空孔的大小、數(shù)量和分布位置與所述固定組件的大小、數(shù)量和分布 位置相適應(yīng)。可選的，所述固定組件是螺絲或螺釘和螺母組合。可選的，所述轉(zhuǎn)軸保護墊采用聚四氟乙烯制成。本實用新型的化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置可避免化學(xué)氣相沉積腔內(nèi)的晶 片傳送裝置上法蘭頭和轉(zhuǎn)軸的表面直接接觸，使得轉(zhuǎn)軸與法蘭頭不會因為等離子體的侵 蝕而粘附在一起，拆卸時容易分離，拆卸時無需破壞法蘭頭，極大的降低了法蘭頭的更換頻 率，節(jié)省了大量的維護時間，提高了機臺的利用率，同時避免轉(zhuǎn)軸表面受到侵蝕損傷，延長了轉(zhuǎn)軸的使用壽命。本實用新型的轉(zhuǎn)軸保護墊采用不受等離子體侵蝕的聚四氟乙烯材質(zhì)制 成，成本低廉、更換頻率低，且可以起到較突出的有益效果。

圖1為本實用新型中轉(zhuǎn)軸保護墊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型中轉(zhuǎn)軸保護墊安裝于晶片傳送裝置中的法蘭頭和轉(zhuǎn)軸之間時 的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對本 實用新型的具體實施方式
做詳細的說明。本實用新型的化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置可廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域，并且可 以利用多種替換方式實現(xiàn)，下面是通過較佳的實施例來加以說明，當然本實用新型并不局 限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑地涵蓋在本實用新 型的保護范圍內(nèi)。其次，本實用新型利用示意圖進行了詳細描述，在詳述本實用新型實施例時，為了 便于說明，示意圖不依一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本實用新型的限定。請參看圖1，圖1為本實用新型中轉(zhuǎn)軸保護墊的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，本實用新 型的轉(zhuǎn)軸保護墊100上設(shè)置有中空孔101。所述轉(zhuǎn)軸保護墊100的形狀、直徑大小同所述化 學(xué)氣相沉積腔內(nèi)的晶片傳送裝置上的轉(zhuǎn)軸的形狀、直徑大小相適應(yīng)；所述中空孔101的大 小、數(shù)量和分布位置與所述化學(xué)氣相沉積腔內(nèi)的晶片傳送裝置上的將所述法蘭頭固定于所 述轉(zhuǎn)軸上的固定螺絲的大小、數(shù)量和分布位置相適應(yīng)，所述中空孔101通常為三個，間距均 勻地分布于所述轉(zhuǎn)軸保護墊100上。所述轉(zhuǎn)軸保護墊100優(yōu)選采用聚四氟乙烯材質(zhì)制成。請參看圖2，圖2為本實用新型中轉(zhuǎn)軸保護墊安裝于晶片傳送裝置中的法蘭頭和 轉(zhuǎn)軸之間時的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，在將晶片傳送裝置的法蘭頭201固定于轉(zhuǎn)軸202 上時，將轉(zhuǎn)軸保護墊100放置于所述轉(zhuǎn)軸202的頂端，并將所述轉(zhuǎn)軸202連同其上所放置的 所述轉(zhuǎn)軸保護墊100插入至所述法蘭頭201上的轉(zhuǎn)軸安裝槽204內(nèi)，將所述法蘭頭201固 定于所述轉(zhuǎn)軸202上的固定螺絲穿過所述轉(zhuǎn)軸保護墊100上的中空孔101內(nèi)，通過所述固 定螺絲將所述法蘭頭201和轉(zhuǎn)軸保護墊100固定于所述轉(zhuǎn)軸202上。本實用新型的化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置可避免化學(xué)氣相沉積腔內(nèi)的晶 片傳送裝置上法蘭頭和轉(zhuǎn)軸的表面直接接觸，使得轉(zhuǎn)軸與法蘭頭不會因為等離子體的侵 蝕而粘附在一起，拆卸時容易分離，拆卸時無需破壞法蘭頭，極大的降低了法蘭頭的更換頻 率，節(jié)省了大量的維護時間，提高了機臺的利用率，同時避免轉(zhuǎn)軸表面受到侵蝕損傷，延長 了轉(zhuǎn)軸的使用壽命。本實用新型的轉(zhuǎn)軸保護墊采用不受等離子體侵蝕的聚四氟乙烯材質(zhì)制 成，成本低廉、更換頻率低，且可以起到較突出的有益效果。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用 新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求一種化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置，所述晶片傳送裝置包括轉(zhuǎn)軸和法蘭頭，所述法蘭頭通過固定組件固定于所述轉(zhuǎn)軸上，其特征在于，還包括轉(zhuǎn)軸保護墊，所述轉(zhuǎn)軸保護墊放置于所述轉(zhuǎn)軸和所述法蘭頭之間，并通過所述固定組件固定于所述轉(zhuǎn)軸和所述法蘭頭間。
2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)軸保 護墊的形狀、直徑大小同所述轉(zhuǎn)軸的形狀、直徑大小相適應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置，其特征在于，所述轉(zhuǎn)軸保 護墊上設(shè)置有中空孔。
4.如權(quán)利要求3所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置，其特征在于，所述中空孔 的大小、數(shù)量和分布位置與所述固定組件的大小、數(shù)量和分布位置相適應(yīng)。
5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置，其特征在于，所述固定組 件是螺絲或螺釘和螺母組合。
6.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置轉(zhuǎn)軸保護墊，其特征在于， 所述轉(zhuǎn)軸保護墊采用聚四氟乙烯制成。
專利摘要本實用新型提供一種化學(xué)氣相沉積工藝腔晶片傳送裝置，所述晶片傳送裝置包括轉(zhuǎn)軸和法蘭頭，所述法蘭頭通過固定組件固定于所述轉(zhuǎn)軸上，還包括轉(zhuǎn)軸保護墊，所述轉(zhuǎn)軸保護墊放置于所述轉(zhuǎn)軸和所述法蘭頭之間，并通過所述固定組件固定于所述轉(zhuǎn)軸和所述法蘭頭間。本實用新型的轉(zhuǎn)軸保護墊可避免化學(xué)氣相沉積腔內(nèi)的晶片傳送裝置上法蘭頭和轉(zhuǎn)軸的表面直接接觸，使得轉(zhuǎn)軸與法蘭頭拆卸時容易分離，極大的降低了法蘭頭的更換頻率，節(jié)省了大量的維護時間，提高了機臺的利用率。
文檔編號C23C16/00GK201732776SQ201020246378
公開日2011年2月2日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者龐明磊, 桂鵬 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司