專利名稱：導(dǎo)通貫孔的濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型關(guān)于一種利于導(dǎo)通貫孔的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，特別是關(guān)于一種導(dǎo)通貫孔的濺鍍 薄膜結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今各種電子相關(guān)產(chǎn)業(yè)中，電磁干擾(EMI, Electromagnetic Interference)/ 靜電放電(ESD，Electrostatic Discharge)的防護(hù)，對(duì)電子相關(guān)產(chǎn)業(yè)而言是重要的課題之 一。目前來(lái)說(shuō)，為了解決EMI防護(hù)效果不佳的問(wèn)題，目前防電磁干擾的工法包括以金屬鐵 片、噴涂導(dǎo)電漆、電鍍、鎂鋁合金及真空濺鍍等方式。然而，其中的真空濺鍍工法可鍍出較薄 且平均的金屬薄膜，相對(duì)防制EMI效果也較其它工法更佳。在環(huán)保上來(lái)說(shuō)，相較金屬鐵片、 電鍍及導(dǎo)電漆需使用大量化學(xué)藥劑，真空濺鍍工法利用物理原理，將金屬原子鍍?cè)谒芰蠙C(jī) 殼表面，制程較為環(huán)保，在成本方面也較其它工法低2 3成，是未來(lái)較具潛力的技術(shù)。通 過(guò)在電子設(shè)備的內(nèi)部組件(例如印刷電路板)及/或電子設(shè)備的塑料外殼的內(nèi)面上，形成 一具低阻抗的遮蔽膜(例如一金屬膜)，或摻混低阻抗材料至塑料外殼中，來(lái)解決電磁干擾 /靜電放電的問(wèn)題。例如，在手機(jī)或筆記型計(jì)算機(jī)的外殼上，運(yùn)用一層遮蔽的復(fù)合材料即是 一種常見(jiàn)的處理方式?？衫谜婵针婂兓蚱渌绞?，在塑料殼內(nèi)部布滿一層如鎳或其它金 屬材質(zhì)之類的屏蔽材質(zhì)，藉此隔絕電磁波的發(fā)散。

實(shí)用新型內(nèi)容為了提高各種電子組件、或筆記型計(jì)算機(jī)、手機(jī)等電子裝置，其塑料外殼電磁干擾 的遮蔽防護(hù)效果。緣此，本實(shí)用新型的一目的即是提供一種導(dǎo)通貫孔的濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題所采用的技術(shù)手段系為一種導(dǎo)通貫孔的濺鍍 薄膜結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的第一實(shí)施例中，濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)包括一基材，具有一第一表面及一第 二表面，以及具有一預(yù)定厚度；至少一貫孔，開(kāi)設(shè)于該基材的預(yù)定位置以貫通該基材的第一 表面及第二表面，且該貫孔具有一預(yù)定孔徑；一第一濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第 一表面；一第二濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第二表面；其特征在于該基材的預(yù)定 厚度與該貫孔的預(yù)定孔徑成一預(yù)定比例，使該第一濺鍍薄膜在濺鍍形成時(shí)可延伸包覆至該 貫孔的孔壁達(dá)到一預(yù)定深度，且該第二濺鍍薄膜在濺鍍形成時(shí)可延伸包覆至該貫孔的孔壁 達(dá)到一預(yù)定深度，使該第一濺鍍薄膜與該第二濺鍍薄膜彼此接觸。較佳地，其中該基材的預(yù) 定厚度與該貫孔的預(yù)定孔徑的預(yù)定比例為2 1。本實(shí)用新型的第二實(shí)施例中，濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)包括一基材，具有一第一表面及一第 二表面，以及具有一預(yù)定厚度；至少一貫孔，開(kāi)設(shè)于該基材的預(yù)定位置以貫通該基材的第一 表面及第二表面，且該貫孔具有一預(yù)定孔徑；一第一濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第 一表面；一第二濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第二表面；其特征在于該基材的預(yù)定 厚度與該貫孔的預(yù)定孔徑成一預(yù)定比例，使該第一濺鍍薄膜在濺鍍形成時(shí)可延伸包覆至該貫孔的孔壁，并接觸位于在該基材的第二表面的第二濺鍍薄膜。較佳地，其中該基材的預(yù)定 厚度與該貫孔的預(yù)定孔徑的預(yù)定比例為1 1。經(jīng)由本實(shí)用新型所采用的技術(shù)手段，可利用濺渡技術(shù)使在基材上、下表面的濺鍍 薄膜延伸包覆至貫孔中，無(wú)須再以銀膠或其它導(dǎo)電材質(zhì)填充于貫孔中，即可達(dá)到電性連接 的效果。可簡(jiǎn)化制程的步驟，并節(jié)省銀膠或其它導(dǎo)電材質(zhì)所耗費(fèi)的成本，且在未來(lái)可應(yīng)用于 各種相關(guān)電子產(chǎn)品及電子組件的塑料外殼上。

圖1為現(xiàn)有濺鍍裝置的示意圖；圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的局部剖面立體圖；圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的剖視圖；圖4為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的局部剖面立體圖；圖5為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的剖視圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明1濺鍍裝置10真空腔體11抽真空出口12氣體入口2金屬靶材3 載具4標(biāo)的工件5、5a濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)50 基材51第一表面52第二表面53 貫孔61第一濺鍍薄膜62第二濺鍍薄膜Dl預(yù)定厚度D2預(yù)定孔徑 P 原子V高壓電源
具體實(shí)施方式
參閱圖1，其為現(xiàn)有濺鍍裝置的示意圖。濺鍍裝置1包括一真空腔體10，真空腔體 10具有一抽真空出口 11及一氣體入口 12，抽真空出口 11用以將真空腔體1內(nèi)部的氣體抽 出以保持真空狀態(tài)，而氣體入口 12用以輸入一工作氣體，例如氬氣。真空腔體1中配置有 一金屬靶材2及一載具3。載具3與金屬靶材2保持一預(yù)定間距，且金屬靶材2連接于一高 壓電源V的陰極端，而載具3連接于高壓電源V的陽(yáng)極端，高壓電源V可以是一直流電源或交流電源，端視所欲使用的濺鍍方式而定。在進(jìn)行濺鍍時(shí)，利用電極間的高電位差將使通入 的氬氣游離，氬氣離子即向陰極撞擊，而將金屬靶材2的原子P撞擊出來(lái)，使金屬靶材2的 原子P沉積于置放于載具3的標(biāo)的工件4上形成金屬薄膜。參閱圖2至圖3，圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的局部剖面立體圖，而圖3為本實(shí) 用新型第一實(shí)施例的剖視圖。濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)5包括一基材50，基材50具有一第一表面51 及一第二表面52，且具有一預(yù)定厚度Dl。在基材50的預(yù)定位置開(kāi)設(shè)有一貫孔53，且貫孔 53具有一預(yù)定孔徑D2。本實(shí)施例中，僅以一個(gè)貫孔53作說(shuō)明，但貫孔53的數(shù)目及孔徑并 非僅限于此。而基材50可以是各種電子組件、或筆記型計(jì)算機(jī)、手機(jī)等電子裝置的塑料外在基材50的第一表面51及第二表面52上，分別濺鍍形成一第一濺鍍薄膜61以 及一第二濺鍍薄膜62。就材質(zhì)及鍍膜技術(shù)而言，第一濺鍍薄膜61及第二濺鍍薄膜62可以 是利用薄膜制程(例如濺鍍)所形成的金屬薄膜(銅或不銹鋼+銅等具有防制電磁干擾功 能的材質(zhì))，但并非僅限于此材質(zhì)或此種薄膜制程。一般而言，經(jīng)由濺鍍技術(shù)在基材兩面所形成的膜層，仍須在貫孔中填塞銀膠等導(dǎo) 電物質(zhì)以達(dá)成導(dǎo)通的目的。然而，本實(shí)用新型中利用基材厚度與貫孔的孔徑間的比例關(guān)系， 可在進(jìn)行一次濺鍍制程同時(shí)濺鍍雙面時(shí)，使第一濺鍍薄膜61延伸包覆至貫孔53的孔壁中 達(dá)到一預(yù)定深度，且第二濺鍍薄膜62在濺鍍形成時(shí)也可延伸包覆至貫孔53的孔壁中達(dá)到 一預(yù)定深度，使第一濺鍍薄膜61與第二濺鍍薄膜62彼此接觸。本實(shí)施例中，基材50的預(yù) 定厚度Dl與貫孔53的預(yù)定孔徑D2的比例為2 1，適用于在濺鍍制程中同時(shí)濺鍍雙面的 情形，但并非僅限于此，亦可視實(shí)際需求作適當(dāng)調(diào)整。參閱圖4至圖5，圖4為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的局部剖面立體圖，而圖5為本實(shí) 用新型第二實(shí)施例的剖視圖。本實(shí)施例中，濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)5a包括一基材50，基材50具有 一第一表面51及一第二表面52，且具有一預(yù)定厚度Dl。在基材50的預(yù)定位置開(kāi)設(shè)有一貫 孔53，且貫孔53具有一預(yù)定孔徑D2。與第一實(shí)施例不同之處在于，本實(shí)施例的第二濺鍍薄 膜62僅分布于基材50的第二表面52，而并未延伸包覆至貫孔53的孔璧。因此，在僅進(jìn)行 單面濺鍍的情形下，利用基材50的預(yù)定厚度Dl與貫孔53的預(yù)定孔徑D2的比例關(guān)系(本 實(shí)施例中Dl D2為1 1)，使其進(jìn)行單面濺鍍時(shí)，第一濺鍍薄膜61可延伸包覆至貫孔53 的孔壁達(dá)到一預(yù)定深度，并接觸于位于第二表面52的第二濺鍍薄膜62。此種比例關(guān)系的設(shè) 計(jì)，主要適用于僅進(jìn)行單面濺鍍的情形下。由以上的實(shí)施例可知，本實(shí)用新型所提供的導(dǎo)通貫孔的濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)確具產(chǎn)業(yè)上 的利用價(jià)值，惟以上的敘述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例說(shuō)明，凡精于此項(xiàng)技藝者當(dāng)可依 據(jù)上述的說(shuō)明而作其它種種的改良，惟這些改變?nèi)詫儆诒緦?shí)用新型的精神及以下所界定的 專利范圍中。
權(quán)利要求一種導(dǎo)通貫孔的濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)，包括一基材，具有一第一表面及一第二表面，以及具有一預(yù)定厚度；至少一貫孔，開(kāi)設(shè)于該基材的預(yù)定位置以貫通該基材的第一表面及第二表面，且該貫孔具有一預(yù)定孔徑；一第一濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第一表面；一第二濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第二表面；其特征在于，該基材的預(yù)定厚度與該貫孔的預(yù)定孔徑成一預(yù)定比例，使該第一濺鍍薄膜在濺鍍形成時(shí)可延伸包覆至該貫孔的孔壁達(dá)到一預(yù)定深度，且該第二濺鍍薄膜在濺鍍形成時(shí)可延伸包覆至該貫孔的孔壁達(dá)到一預(yù)定深度，使該第一濺鍍薄膜與該第二濺鍍薄膜彼此接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基材的預(yù)定厚度與該貫孔的預(yù) 定孔徑的預(yù)定比例為2 1。
3.—種導(dǎo)通貫孔的濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)，包括一基材，具有一第一表面及一第二表面，以及具有一預(yù)定厚度；至少一貫孔，開(kāi)設(shè)于該基材的預(yù)定位置以貫通該基材的第一表面及第二表面，且該貫 孔具有一預(yù)定孔徑；一第一濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第一表面；一第二濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第二表面；其特征在于，該基材的預(yù)定厚度與該貫孔的預(yù)定孔徑成一預(yù)定比例，使該第一濺鍍薄 膜在濺鍍形成時(shí)可延伸包覆至該貫孔之孔壁，并接觸位于在該基材之第二表面的第二濺鍍 薄膜。
4.如權(quán)利要求3所述的濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基材的預(yù)定厚度與該貫孔的預(yù) 定孔徑的預(yù)定比例為1 1。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種導(dǎo)通貫孔的濺鍍薄膜結(jié)構(gòu)，包括一基材，具有一第一表面及一第二表面，以及具有一預(yù)定厚度；至少一貫孔，開(kāi)設(shè)于該基材的預(yù)定位置以貫通該基材的第一表面及第二表面，且該貫孔具有一預(yù)定孔徑；一第一濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第一表面；一第二濺鍍薄膜，經(jīng)由濺鍍形成于該基材的第二表面；該基材的預(yù)定厚度與該貫孔的預(yù)定孔徑成一預(yù)定比例，使其進(jìn)行濺鍍制程時(shí)，可使第一濺鍍薄膜與/或第二濺鍍薄膜可延伸包覆至該貫孔的孔壁達(dá)到一預(yù)定深度，使第一濺鍍薄膜與第二濺鍍薄膜彼此接觸。
文檔編號(hào)C23C14/34GK201733566SQ20102019419
公開(kāi)日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
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