專利名稱：殼體及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種殼體及其制作方法，尤其涉及一種可發(fā)光的殼體及該殼體的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著消費(fèi)水平的提高，消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品的殼體要求不僅注重其質(zhì)量，對(duì)其表面的裝飾效果也愈來愈關(guān)注，具有時(shí)尚、絢麗外觀及發(fā)光功能的殼體產(chǎn)品在市場(chǎng)中非常具競(jìng)爭(zhēng)力。現(xiàn)有的制作發(fā)光殼體的方法有印刷或噴涂，即將熒光材料直接加入到一般油墨或涂料中混合均勻，制成絲網(wǎng)印刷用的油墨或噴涂用涂料，將該油墨或涂料印刷或噴涂于殼體上形成一可發(fā)光的油墨層或涂料層，而制得發(fā)光殼體。然而，由于熒光材料在所述油墨或涂料中難以均勻分散，致使發(fā)光不均勻，且該未均勻分散的熒光材料在發(fā)光時(shí)還存在光的散射、反射及吸收等造成的光強(qiáng)損失，使得發(fā)光強(qiáng)度減弱。另外由于熒光材料的添加量有限，也會(huì)導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度弱的問題。除此之外，該方法不環(huán)保。目前也有提出以濺鍍、蒸鍍或離子鍍的方式直接將熒光材料鍍覆于殼體表面形成發(fā)光層。然而，由于殼體本身所含有的某些金屬元素如鐵等，容易向發(fā)光層中擴(kuò)散而導(dǎo)致發(fā)光層發(fā)光失效。另外，目前通常在發(fā)光層表面噴涂一油漆層以防止發(fā)光層被磨損，但是該油漆層的耐磨性有限，難以對(duì)發(fā)光層進(jìn)行較好的保護(hù)，且該油漆層的外觀欠佳。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種環(huán)保的且發(fā)光不易失效的殼體。另外，還有必要提供一種上述殼體的制作方法?！N殼體，其包括一金屬基體及依次形成于該金屬基體表面的一阻擋層、一發(fā)光層及一保護(hù)層，所述阻擋層為一鈦膜層，所述發(fā)光層為一稀土鋁酸鹽膜層，所述保護(hù)層為
一二氧化硅膜層。一種殼體的制作方法，其包括如下步驟提供一金屬基體；采用真空濺鍍法在該金屬基體的一表面沉積一阻擋層，該阻擋層為一鈦膜層；采用真空蒸鍍法在該阻擋層的表面沉積一發(fā)光層，該發(fā)光層為一稀土鋁酸鹽膜層；采用真空蒸鍍法在該發(fā)光層的表面沉積一保護(hù)層，該保護(hù)層為一二氧化硅膜層。相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述殼體的阻擋層可阻擋金屬基體中的某些金屬或合金元素向發(fā)光層中的擴(kuò)散，從而可避免該金屬或合金元素與發(fā)光層中的稀土元素競(jìng)爭(zhēng)電子而導(dǎo)致發(fā)光層的發(fā)光失效。所述以真空蒸鍍法形成的二氧化硅保護(hù)層具有很強(qiáng)的耐磨性，可以對(duì)發(fā)光層起到較好的保護(hù)作用，同時(shí)該二氧化硅膜層具有更加高雅的外觀。


圖1是本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的殼體的剖視示意圖。主要元件符號(hào)說明殼體10金屬基體 11阻擋層 13發(fā)光層15保護(hù)層 1具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的殼體10包括金屬基體11及依次形成于金屬基體11表面的阻擋層13、發(fā)光層15及保護(hù)層17。金屬基體11的材質(zhì)可為不銹鋼或其他鐵基合金。阻擋層13可為一鈦膜層。該阻擋層13可以真空濺鍍的方法形成，其厚度可為 100-200nm。發(fā)光層15可為一稀土鋁酸鹽膜層，其可以真空蒸鍍的方式形成，厚度在5-10 μ m 之間。所述的稀土鋁酸鹽可為鋁酸鍶銪、鋁酸鍶鏑、鋁酸鈣銪及鋁酸鈣鏑中的一種或幾種的組合。所述發(fā)光層15在光照下吸收光能，使發(fā)光層15中的稀土元素銪或鏑的電子由低能態(tài)激發(fā)至不穩(wěn)定的高能態(tài)，當(dāng)光照消失時(shí)，處于該不穩(wěn)定的高能態(tài)的電子重新回到低能態(tài)，同時(shí)以光能的形式釋放能量，而使發(fā)光層15發(fā)光。而金屬基體11的金屬或合金元素如鐵等，易于向發(fā)光層15中擴(kuò)散，該鐵原子可與所述高能態(tài)的電子競(jìng)爭(zhēng)電子，導(dǎo)致發(fā)光失效。 因此本較佳實(shí)施例中于所述金屬基體11與發(fā)光層15之間設(shè)置一阻擋層13，以較好的阻擋金屬基體11中的某些金屬或合金元素向發(fā)光層15的擴(kuò)散，從而可避免發(fā)光層15的發(fā)光失效問題。保護(hù)層17可為一透明的二氧化硅膜層。該保護(hù)層17可以真空蒸鍍的方式形成， 其厚度可為100-500nm。該保護(hù)層17具有很強(qiáng)的耐磨性，可較好的保護(hù)所述發(fā)光層15免受磨損。同時(shí)，該保護(hù)層17相較于油漆層透明度更高、外觀更美觀。本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的制作上述殼體10的方法包括如下步驟提供一金屬基體11，并對(duì)該金屬基體11進(jìn)行前處理。該前處理可為將金屬基體 11放入盛裝有乙醇及/或丙酮溶液的超聲波清洗器中進(jìn)行超聲波清洗，以除去金屬基體11 表面的雜質(zhì)和油污等。將經(jīng)上述前處理后的金屬基體11放入一真空濺鍍機(jī)(圖未示)的鍍膜室中，抽真空該鍍膜室至真空度約4. 0 X 10 ,向鍍膜室內(nèi)通入純度為99. 999 %的氬氣(工作氣體)， 并于所述金屬基體11上施加-200 -800V的偏壓，對(duì)金屬基體11表面進(jìn)行氬氣等離子體清洗，以進(jìn)一步去除金屬基體11表面的油污，以及改善金屬基體11表面與后續(xù)涂層的結(jié)合力。所述氬氣等離子體清洗的時(shí)間約為3 lOmin。在所述氬氣等離子體清洗完成后，調(diào)節(jié)所述氬氣的流量為20 150sCCm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分鐘)，加熱所述鍍膜室至100 200°C (即濺鍍溫度為100 200°C )，開啟
4已置于所述鍍膜室中的一鈦靶的電源，并設(shè)定其功率為2 4kw，并于金屬基體11上施加-100 -300V的偏壓，于金屬基體11表面濺鍍所述阻擋層13。濺鍍?cè)撟钃鯇?3的時(shí)間為 20 40min。將形成有阻擋層13的金屬基體11放入一真空蒸鍍機(jī)(圖未示)的蒸鍍室中，抽真空該蒸鍍室至真空度約5. 3 X10_3Pa，以鋁酸鍶銪、鋁酸鍶鏑、鋁酸鈣銪及鋁酸鈣鏑中的一種或幾種的組合形成的塊體作為蒸料，采用電子束加熱，將所述蒸料蒸發(fā)沉積至阻擋層13 的表面，形成所述發(fā)光層15。蒸發(fā)沉積的速率可為3-10埃/秒。蒸鍍?cè)摪l(fā)光層15的同時(shí)， 可以900-1500瓦(W)的離子束(可由一離子束槍發(fā)射)對(duì)阻擋層13的表面進(jìn)行轟擊，以增強(qiáng)所述發(fā)光層15與阻擋層13間的結(jié)合力。在發(fā)光層15的表面繼續(xù)以蒸鍍的方式沉積所述保護(hù)層17。沉積該保護(hù)層17以二氧化硅塊體作為蒸料，采用電子束加熱。蒸發(fā)沉積該保護(hù)層17的速率可為3-10埃/秒。可以理解的，蒸鍍?cè)摫Ｗo(hù)層17的同時(shí)，也可以900-1500瓦(W)的離子束對(duì)發(fā)光層 15的表面進(jìn)行轟擊，以增強(qiáng)所述保護(hù)層17與發(fā)光層15間的結(jié)合力。相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述殼體10的阻擋層13可阻擋金屬基體11中的某些金屬或合金元素向發(fā)光層15中的擴(kuò)散，從而可避免該金屬或合金元素與發(fā)光層15中的稀土元素如銪、鏑等競(jìng)爭(zhēng)電子而導(dǎo)致發(fā)光層15的發(fā)光失效。所述以真空蒸鍍法形成的二氧化硅保護(hù)層 17具有很強(qiáng)的耐磨性，可以對(duì)發(fā)光層15起到較好的保護(hù)作用，同時(shí)該二氧化硅膜層具有更加高雅的外觀。
權(quán)利要求
1.一種殼體，其包括一金屬基體、一形成于金屬基體表面的發(fā)光層及一形成于發(fā)光層表面的保護(hù)層，其特征在于所述殼體還包括一設(shè)置于金屬基體與發(fā)光層之間的阻擋層，該阻擋層為一鈦膜層，所述發(fā)光層為一稀土鋁酸鹽膜層，所述保護(hù)層為一二氧化硅膜層。
2.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于所述阻擋層以真空濺鍍的方式形成，其厚度為 100-200nm。
3.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于所述稀土鋁酸鹽選自為鋁酸鍶銪、鋁酸鍶鏑、鋁酸鈣銪及鋁酸鈣鏑中的一種或幾種的組合。
4.如權(quán)利要求3所述的殼體，其特征在于所述發(fā)光層以真空蒸鍍的方式形成，其厚度在5-10 μ m之間。
5.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于所述二氧化硅膜層以真空蒸鍍的方式形成， 其厚度為100-500nm。
6.如權(quán)利要求1所述的殼體，其特征在于所述金屬基體的材質(zhì)為不銹鋼或鐵基合金。
7.一種殼體的制作方法，其包括如下步驟提供一金屬基體；采用真空濺鍍法在該金屬基體的一表面沉積一阻擋層，該阻擋層為一鈦膜層；采用真空蒸鍍法在該阻擋層的表面沉積一發(fā)光層，該發(fā)光層為一稀土鋁酸鹽膜層；采用真空蒸鍍法在該發(fā)光層表面沉積一保護(hù)層，該保護(hù)層為一二氧化硅膜層。
8.如權(quán)利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于濺鍍所述阻擋層以鈦靶為靶材， 以氬氣為工作氣體，氬氣的流量為20 150SCCm，對(duì)金屬基體施加的偏壓為-100 -300V， 濺鍍溫度為100 200°C，濺鍍時(shí)間為20 40min。
9.如權(quán)利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于蒸鍍所述發(fā)光層以鋁酸鍶銪、鋁酸鍶鏑、鋁酸鈣銪及鋁酸鈣鏑中的一種或幾種的組合形成的塊體作為蒸料，采用電子束加熱，蒸鍍?cè)摪l(fā)光層的速率為3-10埃/秒。
10.如權(quán)利要求9所述的殼體的制作方法，其特征在于蒸鍍所述發(fā)光層時(shí)，同時(shí)以 900-1500瓦的離子束對(duì)所述阻擋層的表面進(jìn)行轟擊。
11.如權(quán)利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于蒸鍍所述保護(hù)層以二氧化硅塊體作為蒸料，采用電子束加熱，蒸鍍?cè)摫Ｗo(hù)層的速率為3-10埃/秒。
12.如權(quán)利要求11所述的殼體的制作方法，其特征在于蒸鍍所述保護(hù)層時(shí)，同時(shí)以 900-1500瓦的離子束對(duì)所述發(fā)光層的表面進(jìn)行轟擊。
13.如權(quán)利要求7所述的殼體的制作方法，其特征在于所述制作方法還包括在濺鍍阻擋層前對(duì)所述金屬基體進(jìn)行超聲波清洗及氬氣等離子體清洗的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種殼體及該殼體的制作方法。該殼體包括一金屬基體及依次形成于該金屬基體表面的一阻擋層、一發(fā)光層及一保護(hù)層，所述阻擋層為一鈦膜層，所述發(fā)光層為一稀土鋁酸鹽膜層，所述保護(hù)層為一二氧化硅膜層。該殼體的制作方法包括如下步驟提供一金屬基體；采用真空濺鍍法在該金屬基體的一表面沉積一阻擋層，該阻擋層為一鈦膜層；采用真空蒸鍍法在該阻擋層的表面沉積一發(fā)光層，該發(fā)光層為一稀土鋁酸鹽膜層；采用真空蒸鍍法在該發(fā)光層的表面沉積一保護(hù)層，該保護(hù)層為一二氧化硅膜層。
文檔編號(hào)C23C14/06GK102383094SQ20101027322
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2010年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月6日
發(fā)明者張新倍, 李聰, 蔣煥梧, 陳文榮, 陳正士 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司