專(zhuān)利名稱(chēng)：大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種真空鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，尤其涉及用于大面積光學(xué)介質(zhì)膜和透明導(dǎo)電膜組 成的抗反射導(dǎo)電膜，并能實(shí)現(xiàn)基片裝載連續(xù)循環(huán)和不間斷生產(chǎn)大面積抗反射導(dǎo)電膜產(chǎn)品的連 續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有傳統(tǒng)的導(dǎo)電膜玻璃生產(chǎn)線(xiàn)采用的工藝為在玻璃基板上鍍氧化硅(Si02)隔離層和透 明導(dǎo)電層(一般采用鍍氧化銦錫ITO透明導(dǎo)電膜)。例如中國(guó)專(zhuān)利號(hào)為01258489. 4授權(quán)公告 號(hào)為CN2516564Y的實(shí)用新型專(zhuān)利，公開(kāi)了一種具有中頻反應(yīng)濺射二氧化硅的氧化銦錫玻璃在 線(xiàn)聯(lián)鍍裝置，該裝置設(shè)計(jì)有中頻反應(yīng)磁控濺射Si02鍍膜室、氣體隔離裝置、ITO鍍膜室，前、 后端過(guò)渡真空室分別接有擴(kuò)散泵，氣體隔離裝置由兩個(gè)相通的隔離室、分子泵和擴(kuò)散泵組成， 連接中頻反應(yīng)磁控濺射Si02鍍膜室的隔離室接有分子泵，與ITO鍍膜室相連的隔離室接有擴(kuò) 散泵，ITO鍍膜室接有分子泵。該連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)為傳統(tǒng)透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)線(xiàn)，這種 生產(chǎn)線(xiàn)的局限在于其一，只具有簡(jiǎn)單的一個(gè)Si02鍍膜室和一個(gè)IT0透明導(dǎo)電膜鍍膜室，所 形成的透明導(dǎo)電膜在可見(jiàn)光范圍內(nèi)的透過(guò)率一般在89% —90%范圍內(nèi)，不能生產(chǎn)具有高透射 率的抗反射導(dǎo)電膜玻璃產(chǎn)品；其二，在反應(yīng)濺射鍍膜室(Si02濺射鍍膜室)和透明導(dǎo)電膜濺 射鍍膜室(IT0濺射鍍膜室)的兩端沒(méi)有傳送室，基片裝載架的傳送速度快慢轉(zhuǎn)換比小，生 產(chǎn)效率較低；其三，反應(yīng)濺射膜鍍膜室(Si02濺射鍍膜室)和透明導(dǎo)電膜鍍膜室(IT0濺射鍍 膜室)之間只有兩個(gè)真空隔離室，并且沒(méi)有閥門(mén)隔離，氣氛隔離效果不明顯，因此不適合進(jìn) 行其它新產(chǎn)品的工藝開(kāi)發(fā)；其四，進(jìn)片區(qū)和出片區(qū)的高真空抽氣室沒(méi)有獨(dú)立的抽氣系統(tǒng)，影 響生產(chǎn)在線(xiàn)上下工序的整體同步聯(lián)接；其五，生產(chǎn)線(xiàn)采用擴(kuò)散泵進(jìn)行高真空抽氣，不利于高 質(zhì)量透明導(dǎo)電膜的生產(chǎn)。
目前工業(yè)上制造大面積抗反射導(dǎo)電膜的方法有兩種，其一，直接購(gòu)買(mǎi)使用溶膠一凝膠法 (Sol—Gel法)制備的抗反射膜，再進(jìn)行透明導(dǎo)電膜鍍膜，形成抗反射導(dǎo)電膜；其二，采用 現(xiàn)有的大面積導(dǎo)電膜濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，通過(guò)反復(fù)多次濺射鍍膜，形成由高低折射率組成的抗 反射膜和導(dǎo)電膜。但是這兩種方法都存在著很多問(wèn)題，對(duì)于Sol-Gel法制備抗反射導(dǎo)電膜存 在以下問(wèn)題(1) Sol-Gel法制備的抗反射膜工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高；(2) Sol-Gel法鍍膜 的材料有限，抗反射膜堆的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不易改變；(3) Sol-Gel法制備透明導(dǎo)電膜的技術(shù)還不成熟，不能一次完成制備抗反射膜與鍍透明導(dǎo)電膜，如采用Sol-Gel法制備抗反射膜還需要再采用濺射的方法鍍透明導(dǎo)電膜；而現(xiàn)有的透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)線(xiàn)制備抗反射導(dǎo)電膜也存在以下問(wèn)題(A)采用現(xiàn)有的大面積導(dǎo)電膜鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)鍍抗反射膜，由于濺射鍍膜的沉積速率低，需要反復(fù)鍍膜，有的抗反射膜堆設(shè)計(jì)需要反復(fù)鍍膜幾十次；(B)現(xiàn)有的反應(yīng)濺射耙Si耙與ITO靶的結(jié)構(gòu)和尺寸不一致，不適合產(chǎn)品工藝的變化；(C)現(xiàn)有生產(chǎn)線(xiàn)使用的膜層結(jié)構(gòu)太復(fù)雜，不適合大批量連續(xù)生產(chǎn)。
隨著高清晰顯示技術(shù)在平板顯示領(lǐng)域日益廣泛的應(yīng)用，高質(zhì)量的大面積抗反射導(dǎo)電膜也隨著市場(chǎng)的需求正在穩(wěn)步增長(zhǎng)。然而這類(lèi)技術(shù)的基本原理就是采用鍍了多層抗反射導(dǎo)電膜的玻璃替代普通的透明導(dǎo)電膜玻璃。但目前能夠?qū)崿F(xiàn)大批量生產(chǎn)大面積抗反射導(dǎo)電膜生產(chǎn)的設(shè)備都存在工藝復(fù)雜、成本較高的特點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述情況，本實(shí)用新型的目的在于提供一種適合大批量生產(chǎn)，低生產(chǎn)成本，濺射沉積速率高，工藝通用性好，可以廣泛用于各類(lèi)顯示面板玻璃的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，用該生產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)出的產(chǎn)品，具有高透射率，而且膜層結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、反射色度均勻和較優(yōu)良的導(dǎo)電性能。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的， 一種大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，它包括在機(jī)座橫向方向上布設(shè)數(shù)個(gè)依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽室、前過(guò)渡室、前傳送室、介質(zhì)
膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室ni、介質(zhì)膜鍍膜室iv、介質(zhì)膜鍍膜室v、隔離傳送室i、隔離室、隔離傳送室n、導(dǎo)電膜鍍膜室、后傳送室和后過(guò)渡室組成的真空室組區(qū)以及緊鄰的進(jìn)片區(qū)、出片區(qū)，進(jìn)片區(qū)由進(jìn)片平移架、進(jìn)片架組成，出片區(qū)由出片室、出片架i、出片架n、出片平移架組成，于真空室組區(qū)、進(jìn)片區(qū)和出片區(qū)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置并與適配的工件回行架組成沿裝載架鍍膜運(yùn)行方向和裝載架回行運(yùn)行方向連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的生產(chǎn)環(huán)路，實(shí)現(xiàn)基片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜。為了實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，其進(jìn)一步的措施是
磁導(dǎo)向傳送裝置包括設(shè)置在運(yùn)行環(huán)路上的傳動(dòng)機(jī)組，該傳動(dòng)機(jī)組經(jīng)同步傳送帶與動(dòng)密封裝置上的同步軸傳動(dòng)聯(lián)接，連接于同步軸端的同步傳送輪，經(jīng)固定座、連接座和連接銷(xiāo)固聯(lián)于運(yùn)行環(huán)路上的磁導(dǎo)向座及設(shè)置在磁導(dǎo)向座上的導(dǎo)向座磁鐵和經(jīng)同步傳送輪帶動(dòng)且由導(dǎo)向座磁鐵導(dǎo)向運(yùn)行的裝載架。
裝載架包括一摩擦導(dǎo)桿和經(jīng)摩擦導(dǎo)桿上的下絕緣塊連接的立式裝載框，所述裝載架的上端設(shè)有上絕緣塊和適配于導(dǎo)向座磁鐵的工件架導(dǎo)向磁鐵，所述裝載架的下端經(jīng)同步傳送輪及摩擦導(dǎo)桿傳動(dòng)且上端通過(guò)工件架導(dǎo)向磁鐵無(wú)接觸運(yùn)行于兩塊導(dǎo)向座磁鐵之間。 立式裝載框通過(guò)上、下絕緣塊與裝載架和大地之間保持電絕緣連接。
介質(zhì)膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室m、介質(zhì)膜鍍膜室iv、介質(zhì)膜鍍膜室 v的腔體的鍍膜室門(mén)處設(shè)有至少十對(duì)孿生磁控濺射靶并且每對(duì)孿生磁控濺射耙均設(shè)有兩路以 上的進(jìn)氣管。
導(dǎo)電膜鍍膜室的腔體的鍍膜室門(mén)處設(shè)有至少四個(gè)直流磁控濺射耙并且每?jī)蓚€(gè)直流磁控濺 射靶均設(shè)有兩路以上的進(jìn)氣管。
前過(guò)渡室設(shè)有連接預(yù)抽室的前過(guò)渡室閥i、連接前傳送室的前過(guò)渡室閥n并與前過(guò)度室 抽氣系統(tǒng)相連接；所述后過(guò)渡室設(shè)有連接出片室的后過(guò)渡室閥n、連接后傳送室的后過(guò)渡室 閥i并與后過(guò)度室抽氣系統(tǒng)相連接。
前傳送室、介質(zhì)膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室m、介質(zhì)膜鍍膜室iv、介 質(zhì)膜鍍膜室v、隔離傳送室i、隔離室、隔離傳送室n、導(dǎo)電膜鍍膜室及后傳送室均與分子 泵組及高真空維持泵組依次相連。
預(yù)抽室連接有預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)、預(yù)抽室閥、前過(guò)渡室閥i和預(yù)抽室充氣閥；所述隔離室 連接有隔離室閥i、隔離室閥n;所述出片室連接有出片室抽氣系統(tǒng)、出片室閥、后過(guò)渡室 閥n和出片室充氣閥。
預(yù)抽室、前過(guò)渡室、前傳送室、介質(zhì)膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室m、 介質(zhì)膜鍍膜室iv、介質(zhì)膜鍍膜室v、隔離傳送室i、隔離室、隔離傳送室n、導(dǎo)電膜鍍膜室、 后傳送室、后過(guò)渡室內(nèi)均設(shè)有運(yùn)行速度檢測(cè)裝置。
本實(shí)用新型采用包括在機(jī)座橫向方向上布設(shè)數(shù)個(gè)依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽 室等組成的真空室組區(qū)以及緊鄰的進(jìn)片區(qū)、出片區(qū)，進(jìn)片區(qū)由進(jìn)片平移架等組成，出片區(qū)由 出片平移架等組成，于真空室組區(qū)、進(jìn)片區(qū)和出片區(qū)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置并與適配的工件 回行架組成沿裝載架鍍膜運(yùn)行方向和裝載架回行運(yùn)行方向連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的生產(chǎn)環(huán)路，實(shí)現(xiàn)基 片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜的技術(shù)方案，它克服了傳統(tǒng)透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)線(xiàn)， 透過(guò)率范圍不高，無(wú)傳送室，基片裝載架的傳送速度轉(zhuǎn)換比小，生產(chǎn)效率較低等缺陷。
本實(shí)用新型相比現(xiàn)有技術(shù)所產(chǎn)生的有益效果
(i)本實(shí)用新型的生產(chǎn)線(xiàn)，具有獨(dú)立的介質(zhì)膜鍍膜室，即介質(zhì)膜鍍膜室i、介質(zhì)膜鍍 膜室n、介質(zhì)膜鍍膜室m、介質(zhì)膜鍍膜室iv和介質(zhì)膜鍍膜室v，并可以安裝至少十對(duì)的孿生 磁控濺射耙，并且每對(duì)孿生磁控濺射靶均設(shè)有兩路以上的進(jìn)氣管，可以實(shí)現(xiàn)大部分介質(zhì)膜的
鍍膜，如氧化鈦(Ti02)、氧化硅(Si02)、五氧化二鉭(TaA)、或五氧化二鈮(NbA)、或鈮鉭(NbTa)混合鍍膜后形成的氧化物、或者鈦鈮(TiNb)混合后鍍膜形成的氧化物、硅鋁(SiAl)混合后鍍膜形成的氧化物和TiN等介質(zhì)膜；
(II) 本實(shí)用新型的生產(chǎn)線(xiàn)，由隔離傳送室I、隔離室、隔離傳送室II進(jìn)行有效的真空氣氛隔離，可以在不影響生產(chǎn)速度的情況下同時(shí)實(shí)現(xiàn)兩種不同濺射工藝氣氛的鍍膜生產(chǎn)工藝；
(III) 本實(shí)用新型的生產(chǎn)線(xiàn)，具有獨(dú)立的導(dǎo)電膜鍍膜室，可以生產(chǎn)大部分的導(dǎo)電膜，如氧化銦錫(IT0)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(Zn0)、氧化銦(ln203)、摻氟氧化錫(Sn02:F)、摻砷氧化錫(Sn02:Sb)、摻鋁氧化鋅(ZnO:Al)、氧化銦鋅(In203:ZnO)、氧化錫鋅(Sn02:ZnO)和氧化銦鎂(InA:MgO)等；
(IV) 本實(shí)用新型的生產(chǎn)線(xiàn)，于整個(gè)連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的生產(chǎn)環(huán)路上都設(shè)有基片架運(yùn)行速度檢測(cè)裝置，可以根據(jù)工藝在任意位置進(jìn)行速度調(diào)整和停車(chē)，適合進(jìn)行大批量生產(chǎn)，并且工藝調(diào)試方便；
(V) 本實(shí)用新型的生產(chǎn)線(xiàn)中的立式裝載框與真空室組區(qū)保持電絕緣，有利于濺射工藝的實(shí)現(xiàn)；
(VI) 本實(shí)用新型的生產(chǎn)線(xiàn)，采用了磁導(dǎo)向傳送裝置，基片架傳動(dòng)平穩(wěn)，可以實(shí)現(xiàn)快節(jié)奏大批量生產(chǎn)、生產(chǎn)效率高；
(VD本實(shí)用新型的生產(chǎn)線(xiàn)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、緊湊，產(chǎn)量大、生產(chǎn)成本低、膜層均勻性好、工藝可開(kāi)發(fā)性強(qiáng)，并且操作容易，使用、維護(hù)方便，無(wú)環(huán)境污染。
它適合用于各類(lèi)顯示面板、太陽(yáng)能面板和裝飾面板的透明導(dǎo)電膜、抗反射膜、高反射膜等大面積鍍膜的生產(chǎn)。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1是本實(shí)用新型大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)平面布局圖。
圖2是顯示本實(shí)用新型的機(jī)座及其上的裝載架的C~C剖視放大圖。
圖3是圖2中顯示磁導(dǎo)向傳送裝置的D_D剖視放大圖。
圖4是顯示立式裝載框的主視放大圖。
圖5是顯示回行架上的磁導(dǎo)向傳送裝置的側(cè)視放大圖。
圖6是圖5中顯示同步傳送輪與摩擦導(dǎo)桿配合的E—E放大圖。
圖7是玻璃基材透射率光譜曲線(xiàn)a和抗反射導(dǎo)電膜玻璃透射率光譜曲線(xiàn)b對(duì)照比較圖。圖8是圖1的C向視圖。
圖中1、機(jī)座，2、真空室組區(qū)，21、預(yù)抽室，211、預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)，212、預(yù)抽室充
7氣閥，216、預(yù)抽室閥，22、前過(guò)渡室，221、前過(guò)渡室抽氣系統(tǒng)，22a、前過(guò)渡室閥I ， 22b、前過(guò)渡室閥II， 23、前傳送室，241、鍍膜室室門(mén)，24a、介質(zhì)膜鍍膜室I ， 24b、介質(zhì) 膜鍍膜室II， 24c、介質(zhì)膜鍍膜室m， 24d、介質(zhì)膜鍍膜室IV, 24e、介質(zhì)膜鍍膜室V， 25a、 隔離傳送室I， 25b、隔離傳送室II， 26、隔離室，26a、隔離室閥I ， 26b、隔離室閥II， 27、導(dǎo)電膜鍍膜室，271、孿生磁控濺射靶，272、直流磁控濺射耙，28、后傳送室，29、后 過(guò)渡室，291、后過(guò)渡室抽氣系統(tǒng)，29a、后過(guò)渡室閥I, 2%、后過(guò)渡室閥II， 3、進(jìn)片區(qū)， 31、進(jìn)片平移架，311、進(jìn)片平移導(dǎo)軌，312、進(jìn)片推進(jìn)氣缸，32、進(jìn)片架，4、出片區(qū)，41、 出片室，411、出片室抽氣系統(tǒng)，4a、出片架I， 4b、出片架II, 42、出片平移架，421、出 片平移導(dǎo)軌，422、出片推進(jìn)氣缸，43、出片室閥，44、出片室充氣閥，5、磁導(dǎo)向傳送裝置， 51、傳動(dòng)機(jī)組，52、同步傳送帶，53、動(dòng)密封裝置，531、同步軸，532、同步傳送輪，54、 固定座，55、連接座，56、連接銷(xiāo)，57、磁導(dǎo)向座，571、導(dǎo)向座磁鐵，572、工件架導(dǎo)向磁 鐵，573、固定支座，6、工件回行架，7、裝載架，71、摩擦導(dǎo)桿，72、下絕緣塊，73、立式 裝載框，74、上端絕緣塊，8、分子泵組，81、高真空維持泵組，9、運(yùn)行速度檢測(cè)裝置，A、 裝載架鍍膜運(yùn)行方向，B、裝載架回行運(yùn)行方向。
具體實(shí)施方式

由附圖所示， 一種大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，它包括在機(jī)座l橫向 方向上布設(shè)數(shù)個(gè)依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽室21、前過(guò)渡室22、前傳送室23、 介質(zhì)膜鍍膜室I24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV24d、介質(zhì) 膜鍍膜室V24e、隔離傳送室I25a、隔離室26、隔離傳送室II25b、導(dǎo)電膜鍍膜室27、后傳 送室28和后過(guò)渡室29組成的真空室組區(qū)2以及緊鄰的進(jìn)片區(qū)3、出片區(qū)4，進(jìn)片區(qū)3由進(jìn)片 平移架31、進(jìn)片架32組成，出片區(qū)4由出片室41、出片架I4a、出片架Il4b、出片平移架 42組成，于真空室組區(qū)2、進(jìn)片區(qū)3和出片區(qū)4上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置5并與適配的工件回 行架6組成沿裝載架鍍膜運(yùn)行方向A和裝載架回行運(yùn)行方向B連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的生產(chǎn)環(huán)路，實(shí)
現(xiàn)基片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜。
參見(jiàn)圖2、圖3、圖5、圖6，磁導(dǎo)向傳送裝置5包括設(shè)置在運(yùn)行環(huán)路上的傳動(dòng)機(jī)組51， 該傳動(dòng)機(jī)組51經(jīng)同步傳送帶52與動(dòng)密封裝置53上的同步軸531傳動(dòng)聯(lián)接，連接于同步軸 531端的同步傳送輪532，經(jīng)固定座54、連接座55和連接銷(xiāo)56固聯(lián)于運(yùn)行環(huán)路上的磁導(dǎo)向 座57及設(shè)置在磁導(dǎo)向座57上的導(dǎo)向座磁鐵571和經(jīng)同步傳送輪532帶動(dòng)且由導(dǎo)向座磁鐵571 導(dǎo)向運(yùn)行的裝載架7。
參見(jiàn)圖4、圖3、圖2、圖6及圖5，裝載架7包括一摩擦導(dǎo)桿71和經(jīng)摩擦導(dǎo)桿71上的下絕緣塊72連接的立式裝載框73，裝載架7的上端設(shè)有上絕緣塊74和適配于導(dǎo)向座磁鐵571 的工件架導(dǎo)向磁鐵572，裝載架7的下端經(jīng)同步傳送輪532及摩擦導(dǎo)桿71傳動(dòng)且上端通過(guò)工 件架導(dǎo)向磁鐵572無(wú)接觸運(yùn)行于兩塊導(dǎo)向座磁鐵571之間。
參見(jiàn)圖4、圖3、圖2及圖5、圖6，立式裝載框73通過(guò)上、下絕緣塊74、 72與裝載架 7和大地之間保持電絕緣連接。
參見(jiàn)圖l、圖8，介質(zhì)膜鍍膜室I24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì) 膜鍍膜室IV24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e的腔體的鍍膜室門(mén)241處設(shè)置至少十對(duì)孿生磁控濺射耙 271并且每對(duì)孿生磁控濺射靶271均有兩路以上的進(jìn)氣管。
參見(jiàn)圖l、圖8，導(dǎo)電膜鍍膜室27的腔體的鍍膜室門(mén)241處設(shè)置至少四個(gè)直流磁控濺射 靶272并且每?jī)蓚€(gè)直流磁控濺射靶272均有兩路以上的進(jìn)氣管。
參見(jiàn)圖1、圖8，前過(guò)渡室22有連接預(yù)抽室21的前過(guò)渡室閥I 22a、連接前傳送室23的 前過(guò)渡室閥II22b并與前過(guò)度室抽氣系統(tǒng)221相連接；后過(guò)渡室29有連接出片室41的后過(guò) 渡室閥II29b、連接后傳送室28的后過(guò)渡室閥I 29a并與后過(guò)度室抽氣系統(tǒng)291相連接。
參見(jiàn)圖1，前傳送室23、介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、 介質(zhì)膜鍍膜室IV24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e、隔離傳送室I 25a、隔離室26、隔離傳送室II25b、 導(dǎo)電膜鍍膜室27及后傳送室28均與分子泵組8及高真空維持泵組81依次相連。
由附圖1、8所示，預(yù)抽室21連接有預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)211、預(yù)抽室閥216、前過(guò)渡室閥I22a 和預(yù)抽室充氣闊212;隔離室26連接有隔離室閥I 26a、隔離室閥II26b;出片室41連接有 出片室抽氣系統(tǒng)411、出片室閥43、后過(guò)渡室閥1129b和出片室充氣閥44。
由附圖l、 8所示，預(yù)抽室21、前過(guò)渡室22、前傳送室23、介質(zhì)膜鍍膜室I24a、介質(zhì) 膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e、隔離傳送 室125a、隔離室26、隔離傳送室II25b、導(dǎo)電膜鍍膜室27、后傳送室28、后過(guò)渡室29內(nèi)均 設(shè)有運(yùn)行速度檢測(cè)裝置9，該運(yùn)行速度檢測(cè)裝置9可以實(shí)時(shí)調(diào)整和控制裝載架的運(yùn)行速度。
本實(shí)用新型大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)的基本工況是
裝有待鍍膜玻璃的裝載架7沿裝載架鍍膜運(yùn)行方向A運(yùn)行于進(jìn)片區(qū)3上片、真空室組區(qū) 2鍍膜、出片區(qū)4下片；卸載已鍍膜玻璃的裝載架7繼續(xù)經(jīng)過(guò)工件回行架6沿裝載架回行運(yùn) 行方向B返回進(jìn)片區(qū)3重復(fù)進(jìn)行并組成連續(xù)循環(huán)運(yùn)行生產(chǎn)環(huán)路。
本實(shí)用新型的正常工作是
首先啟動(dòng)預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)211、前過(guò)渡室抽氣系統(tǒng)221、高真空維持泵組81、后過(guò)渡室 抽氣系統(tǒng)291、出片室抽氣系統(tǒng)411和分子泵組8，對(duì)整個(gè)真空室組區(qū)2的真空腔體進(jìn)行抽氣；將前過(guò)渡室22、前傳送室23、介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e、隔離傳送室I 25a、隔離室26、隔離傳送室II25b、導(dǎo)電膜鍍膜室27、后傳送室28、后過(guò)渡室29組成的真空室組區(qū)2抽到高真空狀態(tài)，并通過(guò)抗反射膜鍍膜工作氣體和反應(yīng)氣體充氣管向抗反射膜鍍膜室即介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II24b、介質(zhì)膜鍍膜室m 24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV 24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e內(nèi)注入工作氣體氬氣和反應(yīng)氣體氧氣，維持動(dòng)態(tài)真空l(shuí)(TPa:同時(shí)通過(guò)導(dǎo)電膜鍍膜工作氣體充氣管對(duì)導(dǎo)電膜鍍膜室27內(nèi)注入工作氣體氬氣，維持動(dòng)態(tài)真空10—'Pa;并開(kāi)啟連接于孿生磁控濺射耙271的中頻交流電源和連接于直流磁控濺射靶272的直流磁控濺射電源，讓孿生磁控濺射耙271和直流磁控濺射靶272起輝進(jìn)入鍍膜狀態(tài)。
開(kāi)啟預(yù)抽室閥216，裝有待鍍膜玻璃的工件裝載架7由磁導(dǎo)向傳輸裝置5帶動(dòng)運(yùn)行進(jìn)入預(yù)抽室21，關(guān)閉預(yù)抽室閥216和預(yù)抽室充氣閥212，啟動(dòng)預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)211，待預(yù)抽室21內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到0—10Pa真空度后，開(kāi)啟前過(guò)渡室閥I22a，裝有待鍍膜玻璃的裝載架7由磁導(dǎo)向傳輸裝置5帶動(dòng)運(yùn)行進(jìn)入前過(guò)渡室22，關(guān)閉前過(guò)渡室閾I 22a，前過(guò)渡室抽氣系統(tǒng)221的閥門(mén)開(kāi)啟對(duì)前過(guò)渡室22進(jìn)行高真空抽氣；同時(shí)開(kāi)啟預(yù)抽室充氣閥212對(duì)預(yù)抽室21充氣，待下一個(gè)裝載架7進(jìn)入后，重復(fù)進(jìn)片、抽氣動(dòng)作。
待前過(guò)渡室22達(dá)到真空度10—2pa后，再開(kāi)啟前過(guò)渡室閥II22b，使裝有待鍍膜玻璃的裝載架7由磁導(dǎo)向傳輸裝置5帶動(dòng)運(yùn)行，并進(jìn)入抗反射膜濺射鍍膜室運(yùn)行，即進(jìn)入介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II 24b、介質(zhì)膜鍍膜室m 24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV 24d、介質(zhì)膜鍍膜室V24e,此時(shí)，關(guān)閉前過(guò)渡室闊II22b，帶有待鍍膜玻璃的裝載架7以一定的運(yùn)行速度勻速行進(jìn)，依次經(jīng)過(guò)介質(zhì)膜鍍膜室I 24a、介質(zhì)膜鍍膜室II 24b、介質(zhì)膜鍍膜室III24c、介質(zhì)膜鍍膜室IV 24d、介質(zhì)膜鍍膜室V 24e，同時(shí)經(jīng)過(guò)各組介質(zhì)膜靶，完成抗反射膜的鍍膜；到隔離傳送室I 25a，隔離室閥I 26a開(kāi)啟，裝載架7運(yùn)行進(jìn)入隔離室26，關(guān)閉隔離室闊I 26a，并延時(shí)開(kāi)啟隔離室閥II26b，裝載架7運(yùn)行進(jìn)入隔離傳送室I1 25b，關(guān)閉隔離室閥II26b，裝載架7運(yùn)行進(jìn)入導(dǎo)電膜鍍膜室27，裝載架7以鍍膜速度勻速經(jīng)過(guò)直流磁控濺射靶272，導(dǎo)電膜膜層厚度和面電阻由濺射功率、靶數(shù)量和裝載架7的運(yùn)行速率來(lái)控制實(shí)現(xiàn)。
完成抗反射膜和導(dǎo)電膜鍍膜的玻璃后，開(kāi)啟后過(guò)渡室閥I 29a，裝載架7運(yùn)行進(jìn)入后過(guò)渡室29進(jìn)行氣氛隔離，關(guān)閉后過(guò)渡室閥I29a，對(duì)后過(guò)渡室29充氣，并延時(shí)開(kāi)啟后過(guò)渡室閥I工29b，裝載架7運(yùn)行進(jìn)入出片室41，關(guān)閉后過(guò)渡室閥II29b，開(kāi)啟出片室充氣閥44并對(duì)出片室41進(jìn)行充氣，至大氣壓開(kāi)啟出片室閥43，裝載架7運(yùn)行至出片架I4a,出片室閥43關(guān)閉，開(kāi)啟出片室抽氣系統(tǒng)411對(duì)出片室41進(jìn)行重復(fù)抽氣；在出片架I4a和出片架II4b位置
10進(jìn)行下片，整個(gè)鍍膜運(yùn)行方向如圖中A的方向。裝載架7繼續(xù)傳送到出片區(qū)4的出片平移架 42，由出片推進(jìn)氣缸422推動(dòng)沿出片平移導(dǎo)軌421傳送到工件回行架6端，經(jīng)過(guò)回行架6傳 送到進(jìn)片區(qū)3的進(jìn)片平移架31,由進(jìn)片平移氣缸312推動(dòng)沿進(jìn)片平移導(dǎo)軌311返回進(jìn)片架32， 裝載架7沿鍍膜運(yùn)行方向A運(yùn)行完成鍍膜過(guò)程，回行沿回行運(yùn)行方向B的運(yùn)行，在整個(gè)鍍膜 與回行線(xiàn)路上安裝多個(gè)運(yùn)行速度檢測(cè)裝置9對(duì)裝載架7的運(yùn)行速度進(jìn)行控制和調(diào)試，實(shí)現(xiàn)整 個(gè)連續(xù)鍍膜過(guò)程。由于整個(gè)鍍膜為連續(xù)過(guò)程，所以裝載架7及其上的待鍍膜玻璃可以連續(xù)不 斷的被送入真空室組區(qū)2進(jìn)行鍍膜，從而實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)。
為了有利于濺射工藝的實(shí)現(xiàn)，本實(shí)用新型采用了上端無(wú)摩擦的磁導(dǎo)向傳送裝置5，立式 裝載框73與真空室組區(qū)2保持電絕緣。磁導(dǎo)向傳送裝置5與裝載架7是這樣配合運(yùn)行的由 設(shè)置在運(yùn)行環(huán)路上的傳動(dòng)機(jī)組51提供動(dòng)力，該傳動(dòng)機(jī)組51經(jīng)同步傳送帶52與動(dòng)密封裝置 53上的同步軸531傳動(dòng)聯(lián)接，連接于同步軸531端的同步傳送輪532，帶動(dòng)同步傳送輪532 運(yùn)行；上端設(shè)置經(jīng)固定座54、連接座55和連接銷(xiāo)56固聯(lián)于運(yùn)行環(huán)路上的磁導(dǎo)向座57及設(shè) 置在磁導(dǎo)向座57上的導(dǎo)向座磁鐵571;裝載架7包括一摩擦導(dǎo)桿71和經(jīng)摩擦導(dǎo)桿71下端 的下絕緣塊72連接的立式裝載框73,裝載架7的上端設(shè)置上端絕緣塊74和適配于導(dǎo)向座磁 鐵571的工件架導(dǎo)向磁鐵572，裝載架7下端經(jīng)同步傳送輪532及摩擦導(dǎo)桿71傳動(dòng)且上端通 過(guò)工件架導(dǎo)向磁鐵572無(wú)接觸運(yùn)行于兩塊導(dǎo)向座磁鐵571之間。
使用本實(shí)用新型大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)的連續(xù)濺射鍍膜工藝具體 操作步驟為
(1) 先對(duì)需要待鍍膜玻璃進(jìn)行切片，磨邊，倒角，清洗，鍍膜和檢測(cè)等工序。
(2) 使用反應(yīng)磁控濺射鍍膜的方法濺射鍍膜，濺射時(shí)所使用的耙材料為鈦(Ti)靶，采 用在真空室內(nèi)同時(shí)通入氬(Ar)和氧(02)進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜，形成高折射率的氧化鈦(Ti02) 膜層；并采用加熱器保持該玻璃的基板溫度為15(TC—25(TC，抗反射膜濺射鍍膜室內(nèi)工作壓 力為0—10Pa。
(3) 使用中頻反應(yīng)磁控濺射的方法濺射鍍膜，濺射時(shí)使用的靶材料為硅(Si)靶，采用 真空室內(nèi)同時(shí)通入Ar和02進(jìn)行反應(yīng)濺射鍍膜，形成低折射率的氧化硅(Si02)膜層；采用加 熱器保持該玻璃的基板溫度為150°C—250°C，鍍膜室腔體內(nèi)的工作壓力為0—lOPa。
(4) 使用直流磁控濺射的方法濺射鍍膜，濺射時(shí)使用的材料為ITO靶，采用在真空室通 入Ar進(jìn)行濺射鍍膜，形成ITO膜層。采用加熱器保持該玻璃的基板溫度為25(TC—30(TC， 鍍膜室腔體內(nèi)的工作壓力為0—10Pa。
(5) 為實(shí)現(xiàn)大面積抗反射導(dǎo)電膜鍍膜工藝，需要同時(shí)在介質(zhì)膜鍍膜室I 、介質(zhì)膜鍍膜室II 、介質(zhì)膜鍍膜室III、介質(zhì)膜鍍膜室IV、介質(zhì)膜鍍膜室V和導(dǎo)電膜鍍膜室布置多塊濺射靶材 料。為了得到多層抗反射膜，在抗反射膜濺射鍍膜室內(nèi)需要按照順序依次排布多個(gè)高折射率
靶組I和低折射率靶組n形成多層抗反射膜層；在導(dǎo)電膜濺射鍍膜室內(nèi)需要安裝直流磁控濺
射靶，濺射形成透明導(dǎo)電膜層。
按照以上濺射鍍膜工藝形成的膜層性能如下-
高折射率靶組濺射形成高折射率光學(xué)鍍層，選用Ti靶濺射形成Ti02膜層，膜層材料在 530-570nm的光學(xué)折射率指數(shù)為2. 1-2. 4;
低折射率靶組濺射形成低折射率光學(xué)鍍層，選用Si靶濺射形成Si02膜層，膜層材料在 530-570nm的光學(xué)折射率指數(shù)為1. 4-1. 5;
透明導(dǎo)電膜靶組濺射形成透明導(dǎo)電光電膜鍍層，選用ITO靶濺射形成ITO透明導(dǎo)電膜層， 形成的ITO透明導(dǎo)電膜層在可見(jiàn)光范圍內(nèi)光學(xué)折射率指數(shù)介于1.85-1.95;
實(shí)施例中使用的基板材料為玻璃，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)折射率指數(shù)為1.51-1.56;
按照上述工藝形成的這種膜層反射顏色為藍(lán)色，530nm—570mn波長(zhǎng)處的反射率值降低為 1.5%以下，面電阻為500Q/口，樣品透射率光譜參見(jiàn)圖7。
上述的本實(shí)用新型大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，可以實(shí)現(xiàn)抗反射導(dǎo)電 膜的連續(xù)生產(chǎn)，生產(chǎn)能力為月產(chǎn)量1. 8萬(wàn)平方米到2. 2萬(wàn)平方米。
以上僅僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，根據(jù)本實(shí)用新型的上述構(gòu)思，本領(lǐng)域的熟練人員 還可對(duì)此做出各種修改和變換。例如，機(jī)座的橫向方向上布設(shè)數(shù)個(gè)依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng) 連通的由預(yù)抽室等組成的真空室組區(qū)以及緊鄰的進(jìn)片區(qū)、出片區(qū)，于真空室組區(qū)、進(jìn)片區(qū)和 出片區(qū)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置并與適配的工件回行架組成沿裝載架鍍膜運(yùn)行方向和裝載架回 行運(yùn)行方向連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的生產(chǎn)環(huán)路的修改和變換等。然而，類(lèi)似的這種變換和修改均屬于 本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)。
權(quán)利要求1、一種大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于它包括在機(jī)座(1)橫向方向上布設(shè)數(shù)個(gè)依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽室(21)、前過(guò)渡室(22)、前傳送室(23)、介質(zhì)膜鍍膜室I(24a)、介質(zhì)膜鍍膜室II(24b)、介質(zhì)膜鍍膜室III(24c)、介質(zhì)膜鍍膜室IV(24d)、介質(zhì)膜鍍膜室V(24e)、隔離傳送室I(25a)、隔離室(26)、隔離傳送室II(25b)、導(dǎo)電膜鍍膜室(27)、后傳送室(28)和后過(guò)渡室(29)組成的真空室組區(qū)(2)以及緊鄰的進(jìn)片區(qū)(3)、出片區(qū)(4)，所述進(jìn)片區(qū)(3)由進(jìn)片平移架(31)、進(jìn)片架(32)組成，所述出片區(qū)(4)由出片室(41)、出片架I(4a)、出片架II(4b)、出片平移架(42)組成，于所述真空室組區(qū)(2)、進(jìn)片區(qū)(3)和出片區(qū)(4)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置(5)并與適配的工件回行架(6)組成沿裝載架鍍膜運(yùn)行方向(A)和裝載架回行運(yùn)行方向(B)連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的生產(chǎn)環(huán)路，實(shí)現(xiàn)基片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于磁 導(dǎo)向傳送裝置(5)包括設(shè)置在運(yùn)行環(huán)路上的傳動(dòng)機(jī)組(51)，該傳動(dòng)機(jī)組(51)經(jīng)同步傳送 帶(52)與動(dòng)密封裝置(53)上的同步軸(531)傳動(dòng)聯(lián)接，連接于同步軸(531)端的同步 傳送輪(532)，經(jīng)固定座(54)、連接座(55)和連接銷(xiāo)(56)固聯(lián)于運(yùn)行環(huán)路上的磁導(dǎo)向座(57)及設(shè)置在磁導(dǎo)向座(57)上的導(dǎo)向座磁鐵(571)和經(jīng)同步傳送輪(532)帶動(dòng)且由導(dǎo) 向座磁鐵(571)導(dǎo)向運(yùn)行的裝載架(7)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于裝 載架(7)包括一摩擦導(dǎo)桿(71)和經(jīng)摩擦導(dǎo)桿(71)上的下絕緣塊(72)連接的立式裝載框(73)，所述裝載架(7)的上端設(shè)有上絕緣塊(74)和適配于導(dǎo)向座磁鐵(571)的工件架導(dǎo) 向磁鐵(572)，所述裝載架(7)的下端經(jīng)同步傳送輪(532)及摩擦導(dǎo)桿(71)傳動(dòng)且上端 通過(guò)工件架導(dǎo)向磁鐵(572)無(wú)接觸運(yùn)行于兩塊導(dǎo)向座磁鐵(571)之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于立 式裝載框(73)通過(guò)上、下絕緣塊(74、 72)與裝載架(7)和大地之間保持電絕緣連接。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于介 質(zhì)膜鍍膜室I (24a)、介質(zhì)膜鍍膜室II (24b)、介質(zhì)膜鍍膜室III(24c)、介質(zhì)膜鍍膜室IV (24d)、 介質(zhì)膜鍍膜室V (24e)的腔體的鍍膜室門(mén)(241)處設(shè)有至少十對(duì)孿生磁控濺射靶(271)并 且每對(duì)孿生磁控濺射靶(271)均設(shè)有兩路以上的進(jìn)氣管。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于導(dǎo) 電膜鍍膜室(27)的腔體的鍍膜室門(mén)(241)處設(shè)有至少四個(gè)直流磁控濺射靶(272)并且每?jī)蓚€(gè)直流磁控濺射靶(272)均設(shè)有兩路以上的進(jìn)氣管。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于所 述前過(guò)渡室(22)設(shè)有連接預(yù)抽室(21)的前過(guò)渡室閥I (22a)、連接前傳送室(23)的前 過(guò)渡室閥II (22b)并與前過(guò)度室抽氣系統(tǒng)(221)相連接；所述后過(guò)渡室(29)設(shè)有連接出 片室(41)的后過(guò)渡室閥II (29b)、連接后傳送室(28)的后過(guò)渡室閥I (29a)并與后過(guò)度 室抽氣系統(tǒng)(291)相連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于前 傳送室(23)、介質(zhì)膜鍍膜室I (24a)、介質(zhì)膜鍍膜室II (24b)、介質(zhì)膜鍍膜室IIl (24c)、介 質(zhì)膜鍍膜室IV (24d)、介質(zhì)膜鍍膜室V (24e)、隔離傳送室I (25a)、隔離室(26)、隔離傳 送室II (25b)、導(dǎo)電膜鍍膜室(27)及后傳送室(28)均與分子泵組(8)及高真空維持泵組(81)依次相連。
9、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于所 述預(yù)抽室(21)連接有預(yù)抽室抽氣系統(tǒng)(211)、預(yù)抽室閥(216)、前過(guò)渡室閥I (22a)和預(yù) 抽室充氣閥(212);所述隔離室(26)連接有隔離室閥I (26a)、隔離室閥II (26b);所述 出片室(41)連接有出片室抽氣系統(tǒng)(411)、出片室閥(43)、后過(guò)渡室閥II (29b)和出片 室充氣閥(44)。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，其特征在于 預(yù)抽室(21)、前過(guò)渡室(22)、前傳送室(23)、介質(zhì)膜鍍膜室I (24a)、介質(zhì)膜鍍膜室II (24b)、 介質(zhì)膜鍍膜室III(24c)、介質(zhì)膜鍍膜室IV(24d)、介質(zhì)膜鍍膜室V (24e)、隔離傳送室I (25a)、 隔離室(26)、隔離傳送室II (25b)、導(dǎo)電膜鍍膜室(27)、后傳送室(28)、后過(guò)渡室(29) 內(nèi)均設(shè)有運(yùn)行速度檢測(cè)裝置(9)。
專(zhuān)利摘要大面積抗反射導(dǎo)電膜連續(xù)磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)，它包括在機(jī)座橫向方向上布設(shè)數(shù)個(gè)依次相鄰、且與抽氣系統(tǒng)連通的由預(yù)抽室等組成的真空室組區(qū)以及緊鄰的進(jìn)片區(qū)、出片區(qū)，進(jìn)片區(qū)由進(jìn)片平移架等組成，出片區(qū)由出片平移架等組成，于真空室組區(qū)、進(jìn)片區(qū)和出片區(qū)上設(shè)置磁導(dǎo)向傳送裝置并與適配的工件回行架組成沿裝載架鍍膜運(yùn)行方向和裝載架回行運(yùn)行方向連續(xù)循環(huán)運(yùn)行的生產(chǎn)環(huán)路，實(shí)現(xiàn)基片的大面積抗反射導(dǎo)電膜的連續(xù)磁控濺射鍍膜的技術(shù)方案，它克服了傳統(tǒng)透明導(dǎo)電膜生產(chǎn)線(xiàn)，透過(guò)率范圍不高，無(wú)傳送室，基片裝載架的傳送速度轉(zhuǎn)換比小，生產(chǎn)效率較低等缺陷。它適合用于各類(lèi)顯示面板、太陽(yáng)能面板和裝飾面板的透明導(dǎo)電膜、抗反射膜、高反射膜等大面積鍍膜的生產(chǎn)。
文檔編號(hào)C23C14/35GK201261804SQ200820054388
公開(kāi)日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日
發(fā)明者孫桂紅, 朱選敏, 祝海生, 郭愛(ài)云 申請(qǐng)人:郭愛(ài)云