專利名稱：在ald或cvd工藝中用于gst薄膜的碲前體的制作方法
在ALD或CVD工藝中用于GST薄膜的碲前體
相關(guān)文獻(xiàn)的^X參見
本專利申請要求2007年11月27日提交的美國臨時(shí)專利申請 S.N.60/990,386的權(quán)益。
背景技術(shù)：
作為一項(xiàng)新興技術(shù)，相交換材料弓l起了越來越大關(guān)于將其應(yīng)用于制 造一種新型的高整合7乂久性存儲(chǔ)器設(shè)備""相交換隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)的 興趣。PRAM禾U用其獨(dú)特的硫?qū)倩锊ＡУ男再|(zhì)，Sil加熱可以在結(jié)晶態(tài)和無 定開絲兩個(gè)狀態(tài)之間"轉(zhuǎn)換"。硫?qū)倩锊ＡУ慕Y(jié)晶態(tài)和無定形態(tài)具有完全不同 的電阻率，而這是決定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的基礎(chǔ)。無定形的高電阻狀態(tài)代表一個(gè)二進(jìn)制 的0，而結(jié)晶態(tài)的低電阻狀態(tài)代表一個(gè)l。雖然PRAM還沒有超'傭于消費(fèi)者電子設(shè)備的商業(yè)化階段，但是幾 乎所有的原型設(shè)備利用鍺、銻和碲(GeSbTe)的硫?qū)倩锖辖?稱為GST)。 化學(xué)計(jì)量或Ge:Sb:Te元素比值是2:2:5。當(dāng)GST被加熱到高溫(皿600°C)， 其硫族化物的結(jié)晶度就喪失了。 一旦7賴卩，其被凍結(jié)成無定形玻璃狀態(tài)且其電 阻很高。力B熱硫族化物至結(jié)晶點(diǎn)溫度以上、但熔點(diǎn)以下的纟鵬時(shí)，其將轉(zhuǎn)化成 具有非常低電阻的結(jié)晶狀態(tài)。在設(shè)計(jì)PRAM元件中的一個(gè)技術(shù)障礙是為了克服GST材料在一定溫
度下由結(jié)晶態(tài)向無定形態(tài)的轉(zhuǎn)變過程中的熱耗散，需要應(yīng)用高水平的復(fù)位電流。 ffiil將GST材料限制在接角瞎內(nèi)，該熱耗散可以被大大降低。這可以降低作用 所需的復(fù)位電流。但是，這樣的設(shè)計(jì)，對于形成薄層GST材料技術(shù)形成了挑戰(zhàn)。 由于塞子是一個(gè)大縱橫比的結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)的GST薄膜沉積方法，或M技術(shù)，由 于其線性效果，對于以GST^才料填充塞子或大縱橫比的洞時(shí)具有難度。另一方 面，基于化學(xué)反應(yīng)的沉積技術(shù)，如化學(xué)氣相沉積(CVD)依靠化學(xué)蒸汽的運(yùn)輸 和反應(yīng)，不具有視線效果。這些技術(shù)更適合于這樣的申請。尤其是，原子層沉 積(ALD)能夠生產(chǎn)具有高保形性和化學(xué)成分均勻性的薄膜。另一個(gè)介于ALD 和CVD之間的技術(shù)被稱為環(huán)狀CVD，其可能被用于這樣的申請。
為了利用CVD或ALD技術(shù)形成具有所需化學(xué)計(jì)量的Ge-Sb-Te薄膜，
需要交替地形成Ge、 Sb或Te層接著退火?？梢钥刂泼繉拥暮穸?Ge、 Sb或Te)使得在最終的產(chǎn)品中達(dá)至'j所需的化學(xué)計(jì)量(例如2、 2、 5的Ge、 Sb和Te)。在i^H層中，如在Ge、 Sb和Te中，Te可能是^)f形成的。目前可利用的形成Te薄膜的方法需要高沉積溫度或等離子體的協(xié)助。然而，無論從材料和設(shè)備性
能還是生產(chǎn)成本，通常im沉積會(huì),低溫和無等離子助勒下進(jìn)行。碲化氫已被用來制備金屬碲化物，例如碲化汞和碲化鎘，作為半導(dǎo)4材才料。二烷基碲也被用來制備這^tl質(zhì)。最近，相交換存儲(chǔ)器的發(fā)展需要適當(dāng)?shù)捻谇绑w，其在相對低的溫度下用于GST薄膜的ALD或CVD沉積。二烷基碲化物和二氨基碲化物已被使用。然而，這些前體對于沉積反應(yīng)的活性較低。有時(shí)，它導(dǎo)致薄膜的碲含量低于所需的化學(xué)計(jì)量組成。已經(jīng)報(bào)道了二 (三烷基甲硅烷基)碲的合成，例如合成了其他甲硅烷基碲化合物(Me3Si) 3SiTeH。本發(fā)明公開了在低溫下利用化學(xué)氣相沉積工藝形成薄的Te薄膜和GST薄膜的方法。
發(fā)明相，—方面，本發(fā)明公開了一種方法，該方法利用CVD工藝在8CTC至50(TC的溫度下形成GST薄膜和Te薄膜。Ge、 Sb和Te前體選自如下(Rr2r3SO 2Te; (RiR2R3Si) TeR4; (Rr2r3Si) TeN (R4R5)，(RR2N) 3Sb; (RR2N) 4Ge;其中R"各自為具有1-10個(gè)碳原子的直,連、支鏈或環(huán)狀烷基基團(tuán)或烯基基團(tuán)或芳香基團(tuán)。GST薄膜是由iM [，擇的甲硅烷基碲化合物和其中R是具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支f連或環(huán)狀烷基基團(tuán)，或芳香基團(tuán)的具有ROH通式的醇反應(yīng)，隨后與選擇的氨基鍺和氨基銻反應(yīng)而產(chǎn)生的碲沉積而成的。另一方面，本發(fā)明公開了一種利用ALD工藝在80。C至50(TC的溫度下形成GST薄膜的方法。Ge、 Sb和Te前體選自如下
(RR2R3Si) 2Te; (RWRgi) TeR4; (R^RSSi) TeN (R4R5);(rWN) 3Sb; (r^N) 4Ge;其中R1—5各自為具有1-10個(gè)碳原子的直f連、支f連或環(huán)狀烷基基團(tuán)或烯基基團(tuán)或芳香基團(tuán)。GST薄膜是由通過使選擇的甲硅烷基碲化合物和其中R是具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基基團(tuán)或芳香基團(tuán)的具有ROH通式的醇反應(yīng)，隨后與選取的氨基鍺和氨基銻反應(yīng)而產(chǎn)生的碲沉積而成的。另一方面，本發(fā)明公開了一種方法，其利用環(huán)化CVD工藝在8(TC至500。C的溫度下形成GST薄膜。Ge、 Sb和Te前體選自如下基團(tuán)
(RiR2R3Si) 2Te; (RWRSSi) TeR4; (R^I^Si) TeN (R4R5);(r^n) 3Sb; (rWn) 4Ge;其中R1—5各自為具有1-10個(gè)碳原子的直f連、支鏈或環(huán)，基基團(tuán)或烯基基團(tuán)，或芳香基團(tuán)。GST薄膜是由通過使選擇的甲硅烷基碲化合物和其中R是具有1-10個(gè)碳原子的直,連、支鏈或環(huán)狀烷基基團(tuán)或芳香基團(tuán)的具有ROH通式的醇反應(yīng)，隨后與選取的氨基鍺和氨基銻反應(yīng)而產(chǎn)生的碲沉積而成的。
附圖的簡要說明


圖1 .沉積設(shè)備的示意圖。
圖2.Te薄膜橫截面的FESEM視圖。
發(fā)明詳述本發(fā)明涉及形成薄Te薄膜禾口 GST薄膜的方法。該方法包括兩個(gè)方面，含Te前體的選取，和利用Te前體和其他前體形成GST薄膜的沉積技術(shù)。沉積反應(yīng)在80。C到50(TC進(jìn)行，tt^在100。C到40(TC，更,100。C到200。C，最雌10(TC到150。C進(jìn)行。
Te前體碲前體可以選自具有如下通式結(jié)構(gòu)的二甲硅烷基碲、甲硅烷基烷基碲、甲硅烷基氨基碲
(R!r2r3SO 2Te; (R工r2r3Si) TeR4; (R!R2R3Si) TeN (R4R5)
其中R1、 R2、 R3、 R4和R5各自為氫不含或含有雙鍵的具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基基團(tuán)或芳香基團(tuán)。甲硅烷基碲化合物對醇或水具有高活性。這些反應(yīng)可以在室溫或升高的溫度下進(jìn)行，生成元素碲<formula>formula see original document page 8</formula>在ALD工藝中，碲前體、醇、鍺和銻前體，如(Me2N)4Ge和(M&N)3Sb S31抽氣或直接液1^主射(DLI)的循環(huán)方式以任意的)l,加入沉積室內(nèi)。沉積^^tm 8CTC到50(TCoALD反應(yīng)可以ilil下列方案舉例說明
<formula>formula see original document page 8</formula>
步驟2. ^秋甲基二甲硅烷基碲與氨基鍺層反應(yīng)而形成Te-Ge鍵，同
時(shí)除去二甲基氨基三甲基硅烷。形成具有甲硅烷基取代基的Te層。步驟3.甲醇與在碲層上殘留的甲硅烷基反應(yīng)而形成Te-H鍵和揮發(fā)
性的的副產(chǎn)物甲氧基三甲基硅烷，通過置換而除去后者。步驟4.加入三(二甲基氨基)銻，在碲層頂部形成銻層。步驟5.再次加入六甲基二甲硅烷基碲，形成碲層。步驟6.再次加入甲醇以除去碲上的甲硅烷基基團(tuán)。隨后，完^重復(fù)ALD循環(huán)多次，直至達(dá)到預(yù)期的薄膜厚度。下一次
循環(huán)再次從步驟l開始，等等。在該工藝中使用的甲硅烷基碲化合物具有如下通式結(jié)構(gòu)(RR2R3Si) 2Te; (RR2R3Si) TeR4;禾卩(R!r2r3Si) TeN (R4R5)其中R1、 R2、 R3、 114和115各自為氫、具有1到10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈
或環(huán)狀烷基基團(tuán)或芳香基團(tuán)；在該工藝中使用的氨基鍺和氨基銻具有如下通式結(jié)構(gòu)
(rwn) 4Ge (rWn) 3Sb
其中W和W各自為具有1到10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)^^基基團(tuán)；
在該工藝中使用的醇具有如下通式結(jié)構(gòu)
ROH
其中r為具有i到io ^^碳原子的;Ef連、支鏈或環(huán)狀烷基基團(tuán)。薄膜沉積在沉積開始前，fflil入口 10將反應(yīng)器5充滿惰性氣體(例如Ar或N2)，然后利用真空泵8泵出至真空度低于20m托。隨后再次將反應(yīng)器充入隋性氣體，將反應(yīng)體和底物支架加熱至8(TC到50(TC，從而沉積反應(yīng)開始。Te前體由被加熱到30。C到IO(TC的前體容器1遞送。在沉積過程中保持皿恒定。MeOH前體由加熱到20。C到5(TC的前體容器2遞送。在沉積過
程中保持^^恒定。形成Te薄膜的CVD工藝如下
* ffil打開閥門3向反應(yīng)器中加入Te前體蒸汽；*關(guān)閉閥門3阻止Te蒸，入反應(yīng)器；
* iiai打開閥門4向反應(yīng)器加入MeOH蒸汽； 關(guān)閉閥門4阻止MeOH蒸^iSA反應(yīng)器；
* Te前#^汽與MeOH蒸汽在反應(yīng)器中反應(yīng)而在底物上形成Te薄膜。
形成Te薄膜的ALD工藝如下
* ffl3i關(guān)閉閥門7以關(guān)閉反應(yīng)器到真空泵8;
* fflil開和關(guān)閉閥門3以0.1秒到2秒的脈沖向反應(yīng)器加入Te前體蒸汽；
* fflil管線10向反應(yīng)器中加入Ar或N2，利用真空泵8泵出Ar或N2以置換反應(yīng)器0.1至U5秒；
* ffiil關(guān)閉閥門7以關(guān)閉反應(yīng)器到真空泵8;
* Mil開和關(guān)閉閥門4以0.01秒到0.1秒的脈沖向反應(yīng)器加入MeOH前體
蒸汽；
* fflil管線10向反應(yīng)器中加入Ar或N2，利用真空泵8泵出Ar或N2以置換反應(yīng)器O.l至U5秒；
* ffi31關(guān)閉閥門7以關(guān)閉反應(yīng)器到真空泵8;
*重復(fù)上述步驟多次。根據(jù)預(yù)定的薄膜厚度來預(yù)設(shè)循環(huán)次數(shù)。[(X)38]形成Te薄膜的環(huán)化CVD工藝如下
* ffiil關(guān)閉閥門7以關(guān)閉反應(yīng)器到真空泵8;
* ilil開和關(guān)閉閥門3以2秒到20秒的脈沖向反應(yīng)器加入Te前體蒸汽；
* M開和關(guān)閉閥門4以0.2秒到10秒的脈沖向反應(yīng)器加入MeOH前體
蒸汽；
*利用真空泵8通過打開閥門7來泵反應(yīng)器；
10 重復(fù)J^步驟多次。根據(jù)預(yù)定的薄膜厚度來預(yù)設(shè)循環(huán)次數(shù)。GST (Ge-Sb-Te)薄膜，是通過分別重復(fù)形成Ge和Sb的工藝而形成的。生長Ge和Sb的工藝與生長Te的工藝類似。
實(shí)施例l.六甲基二甲硅烷基碲的合成將L28g (O.Olmol) 200目碲粉末、0.48g (0.02mol)氫化鋰和40ml四氫呋喃(THF)置于100ml^f瓦中。伴隨攪拌，將混合物回流4小時(shí)。所有碲的黑色粉末消失，形成土色沉積物。然后，將該混合物冷卻至-2(TC;加入2,2g(0.02md)三甲基氯硅烷。讓混合物升溫至室溫。攪拌4小時(shí)后，在惰性氣氛下過濾混合物。蒸餾除去M(J。 ffl31在2.5mmHg下b.p.5(TC真空蒸餾純化六甲基二甲硅烷基碲。
實(shí)施例2.四甲基二甲硅烷基碲的合成
將3.84g(0.03mo1)200目iflt末、1.38g(0.06mol)鈉、0.77h(0.006mo1)萘和50mlTHF置于100ml燒瓶中。將混合物在室溫?cái)嚢?4小時(shí)。所有碲的黑色粉末和鈉消失，形成土色沉積物。然后，將混合物冷卻至-2(TC;加入5.77g(0.06md) 二甲基氯硅烷。讓混合物升溫至室溫。攪拌4小時(shí)后，在惰性氣氛下過f戯昆合物。蒸餾除去翻J。 iKl在4mmHg下B.P 5(TC真空蒸餾純化四甲基二甲硅烷基碲。
實(shí)施例3.三甲基甲硅烷基叔丁基碲的合成
將6.4g (0.05mol) 200目碲粉末、100ml 二乙醚和20ml2.5M叔丁基鋰的己烷液加入250ml燒瓶中。在(TC，將混合物攪拌8小時(shí)。所有碲的黑色粉末消失，形成土色沉積物。向該混合物中加入5.4g (a05mo1)三甲基氯硅烷。讓混合物升^M室溫。攪拌1小時(shí)后，在惰性氣氛下過濾混合物。蒸餾除去溶齊U。 M31真空蒸餾純化三甲基甲硅烷基叔丁基碲。
實(shí)施例4. 二異丙基氨基三甲基甲硅烷基碲的合成
將5.05g (0.05mol) 二異丙基胺的50ml THF溶液7賴卩至-2(TC。加入
20ml的2.5M正丁基鋰的己烷溶液。將反應(yīng)混合物升溫至室溫后，加入6.4g
(O.05mol) 200目碲粉末。將混合物在室溫?cái)嚢?4小時(shí)。所有碲的黑色教、末消
失，形成土色沉積物。然后，將混合物y賴fl至-2(TC;加入5.4g (O.05mol)三甲
基氯硅烷。讓混合物升溫至室溫。？覺拌4小時(shí)后，在惰性氣氛下過濾混合物。熟留除去竊U。艦真空蒸餾純化二異丙基氨基三甲基甲硅烷基碲。實(shí)施例5.碲元素的生成將0.05g六甲基二甲硅烷基碲置于100ml派勒克斯耐熱玻璃^)f瓦底 部，該燒瓶充滿了氮?dú)獠惭b了橡膠隔膜。將0.1g甲醇由注射器緩慢地加入。 在燒瓶玻璃壁內(nèi)部開始沉積有光澤的黑色薄膜。幾分鐘后，整^1^燒瓶內(nèi)部都被 黑色的碲膜覆蓋。
實(shí)施例6. Te薄膜的沉積和表征
S51采用本發(fā)明中描述的方法，沉積了Te的薄膜。尤其地，六甲基 二甲硅烷基碲禾口甲醇被用作前體用于形成Te膜。由于TiN在GST存儲(chǔ)元件中 通常被用作金屬觸點(diǎn)，由鵬寸技術(shù)鍍有100nmTiN膜的Si (100)薄片被用作Te 薄膜沉積的底物。將Te前體(六甲基二甲硅烷基碲)的容器加熱至5(TC，同時(shí) 將甲醇的容:tl保持在2(TC。在沉積31程中將底物的溫度保持在IO(TC。沉積反 應(yīng)器首先被抽吸至約2mT的基礎(chǔ)壓力，接著用氮?dú)饪?I置換至少5次除去所有 反應(yīng)器中剩余的氣體。在沉積過程中，保持沉積反應(yīng)器內(nèi)的工作壓力為20mT。 將六甲基二甲硅烷基碲的流速保持在0.06g/min，同時(shí)將甲醇的流速保持在 0.4g/min。在沉積完成后，利用場至夂發(fā)射電子掃描顯微鏡(FESEM)檢測薄膜 的厚度和形態(tài)。SEM使用Hitachi S4800場致發(fā)射SEM，控制在2kV加速電壓 下工作。禾U用上層次級電子檢測器采集圖象，該檢測器具有良好的分辨率。如 上所述的Te沉積薄膜的典型橫截面視圖如圖2所示。由圖2可見，在處于Si (100)底物和Te薄膜之間的TiN層上形成了大約80nm厚的Te薄膜。Te薄膜 還十分均勻。
權(quán)利要求
1、一種在半導(dǎo)體底物上形成鍺-銻-碲三元薄膜的方法，包括a. 將碲前體提供到所述的半導(dǎo)體底物上，所述碲前體選自(R1R2R3Si)2Te；(R1R2R3Si)TeR4；和(R1R2R3Si)TeN(R4R5)，其中R1、R2、R3、R4和R5各自為氫、具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基或芳香基團(tuán)；b. 將醇提供到所述的半導(dǎo)體底物上以與所述碲前體反應(yīng)而形成碲層；和c. 保持沉積溫度從80℃到500℃。
2、 權(quán)利要求l的方法，其中銻前體選自(Wr2n) 3Sb，其中r1、 112各自 為具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基，將該銻前體提供到半導(dǎo)體底物 上并且4吏其與碲反應(yīng)。
3、 權(quán)利要求l的方法，其中鍺前體選自(R^N) 4Ge，其中R1、 112各自 為具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基，將該鍺前體提供至拌導(dǎo)體底物 上并且使其與碲反應(yīng)。
4、 權(quán)利要求2的方法，其中鍺前體選自(R^2N)4Ge，其中R1、 112各自 為具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基，將該鍺前體提供至,導(dǎo)體底物 上并且4吏其與碲和銻反應(yīng)。
5、 *1利要求1的方法，其中所述醇具有ROH的通式，其中R為具有l(wèi)-lO 個(gè)碳原子的直鏈、支^連或環(huán)狀^^或芳 團(tuán)。
6、 一種在反應(yīng)器中禾,原子層沉積在半導(dǎo)體底物上形成鍺-銻-碲薄膜的方 法，包括a. 將碲前體提供到半導(dǎo)體底物上，所述碲前體選自(R111211380 2Te; (RR2R3Si) TeR4;禾H (R^I^I^Si) TeN (R4R5)，其中R1、 R2、 R3、 R4和R5各自為氫、具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)^R烷基或芳香基團(tuán)；b. 用惰性氣體置換反應(yīng)器；c.向反應(yīng)器中提供醇以與所述的碲前體反應(yīng)而在半導(dǎo)體底物上形成碲層；d. 用惰性氣體置換反應(yīng)器；e. 向反應(yīng)器中加入銻選自(R^N) 3Sb的前體，其中R1、 W各自為具有l(wèi)-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基，形成銻層；f. 用惰性氣體置換反應(yīng)器；g. 向反應(yīng)器中提供選自(R^2n) 4Ge的鍺前體，其中R1、 R2各自為具有l(wèi)-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基，形成鍺層；h. 用惰性氣體置換反應(yīng)著象和，i. 重復(fù)從步驟a至陟驟h的步驟，趕形成所需厚度的鍺-銀碲薄膜。
7、 權(quán)利要求6的方法，其中所述醇具有ROH的通式，其中R為具有l(wèi)-lO 個(gè)碳原子的直鏈、支f連或環(huán)纟犬烷^或芳香基團(tuán)。
8、 權(quán)利要求6的方法，其中在步驟e到h之前重復(fù)步驟a到d兩次或更多
9、 權(quán)利要求6的方法，其中首先實(shí)施步驟a到d。
10、 權(quán)利要求6的方法，其中首先實(shí)施步驟e到f。
11、 權(quán)利要求6的方法，其中首先實(shí)施步驟g到h。
12、 一種在反應(yīng)器中禾,化學(xué)氣相沉積在半導(dǎo)體底物上形成鍺-銻-碲薄膜 的方法，包括a. 將碲前體提供到半導(dǎo)體底物上，所述碲前體選自(R1112113^) 2Te; (R^R2r3Si) TeR4;禾b (RR2R3Si) TeN (R4R5)，其中R1、 R2、 R3、 R4和R5各自為氫、具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支,連或環(huán)纟犬烷^或芳 團(tuán)；b. 用情性氣體置換反應(yīng)器O.l到1秒；c. 向反應(yīng)器中jf供醇以與戶;f^&碲前體反應(yīng)而在半導(dǎo)體底物上形成碲層；d. 用惰性氣體置換反應(yīng)器O.l到1秒；e. 向反應(yīng)器中加入選自(R^^N) 3Sb的銻前體，其中R1、 W各自為具有l(wèi)-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基，形成銻層；f用惰性氣體置換反應(yīng)器O.l到1秒；g. 向反應(yīng)器中提供選自(R^N) 4Ge的鍺前體，其中R1、 R2各自為具有 l-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基，形成鍺層；h. 用惰性氣體置換反應(yīng)器0.1至[J1秒；禾口i. 重復(fù)步驟a和步驟g之間的步驟，趕形^^F需厚度的鍺-^碲薄膜。
13、 權(quán)利要求12的方法,其中所述醇具有ROH的通式，其中R為具有1-10個(gè)碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基或芳香基團(tuán)。
14、 權(quán)利要求12的方法，其中在步驟e到h之前重復(fù)步驟a到d兩次或更
15、 權(quán)利要求12加方法，其中首先實(shí)施步驟a到d。
16、 權(quán)利要求12的方法，其中首先實(shí)施步驟e到f。
17、 權(quán)利要求12的方法，其中首先實(shí)施步驟g到h。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用選自原子層沉積和化學(xué)氣相沉積的工藝制造鍺-銻-碲合金薄膜的方法，其中甲硅烷基碲前體被用作為合金薄膜中碲的來源，并使其在沉積過程中與醇反應(yīng)。
文檔編號C23C16/06GK101476112SQ20081018988
公開日2009年7月8日 申請日期2008年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月27日
發(fā)明者T·R·加夫尼, 柳 楊, 蕭滿超 申請人:氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司