專利名稱：線式膜形成裝置的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及一種設置有共淀積室的線式(in-line)膜形成裝置，多個 膜形成材料在所述共共淀積室中蒸發(fā)或者升華，并且然后混合地淀積在基 板上以形成膜。
背景技術(shù)：
在已知的共淀積膜形成裝置中，多個膜形成材料蒸發(fā)或者升華，并且 然后混合地淀積在基板上以形成膜。例如，在形成有機電致發(fā)光(EL)裝置 等等的發(fā)光層的情況下，使用這種共淀積膜形成裝置，膜的形成必須經(jīng)過 如下過程。當玻璃基板被傳送時，多個被蒸發(fā)或升華的膜形成材料從安裝 在玻璃基板下方的多個噴嘴噴射出，并且然后以預定比例混合在一起。這 樣被混合的膜形成材料被淀積在玻璃基板上以在其上形成膜。在日本專利 申請公開號No. 2002-348659中公開的裝置是上述共淀積膜形成裝置的具 體例子，并且所述公開裝置混合膜形成材料并以如下方式形成膜。能夠被 傾斜的容器設置到所述裝置以分別地容納膜形成材料。這些容器的角度被 調(diào)整以獲得允許它們各自的膜形成材料在單個淀積區(qū)域共淀積的位置。所 述共淀積膜形成裝置的另一個例子是在日本專利申請公開號 No.2006-057173中公開的。容納不同膜形成材料的多個容器設置在所公開 的裝置中，并且在玻璃基板的寬度方向(g卩，在垂直于玻璃基板傳送方向 的方向)交替地設置多個容器的噴嘴。然后，通過把己經(jīng)從噴嘴噴射出的 膜形成材料混合在一起而執(zhí)行共淀積以形成膜。
在已知的線式膜形成裝置中，包括含有多個膜形成材料混合膜的多層 膜連續(xù)地形成在以等速傳送的玻璃基板上。日本專利申請公開號No.特開 平10-140351， No. 2002-176090和No.特開平02-125866 (參見圖5) 公開了這種線式膜形成裝置。在這些線式膜形成裝置中的每一個中， 一連 串淀積室連續(xù)地設置在玻璃基板傳送方向上(此后，簡稱為玻璃基板傳送方向或者傳送方向)。為了形成多層膜，所述裝置設置有隔開多個淀積室 的防淀積板。防淀積板防止從相互鄰近的淀積室的淀積源泄露的不同種膜 形成材料的蒸汽的混合。
圖5顯示設置在傳統(tǒng)線式膜形成裝置的共淀積室的示例性結(jié)構(gòu)。在共 淀積室41中，容器42和43被設置以分別地存儲膜形成材料A和B。玻 璃基板44在傳送方向T上傳送。膜形成材料A和B被分別地從容器42 和43中釋放以執(zhí)行膜形成材料A和B在玻璃基板44上的共淀積。在這 種情況下，防淀積板45A和45B被用于隔開共淀積室41。假設通過使用 具有這種結(jié)構(gòu)的裝置而形成混合膜的情況。在這種情況下，在玻璃基板44 上的淀積區(qū)域R內(nèi)獲得膜形成材料A和B的混合膜，同時，防淀積板45A 和45b対膜形成材料A和B的共淀積沒有任何影響。相反，膜形成材料A 和B的任何一種的單成分模形成在淀積區(qū)域RA和RB的每個中，所述淀 枳區(qū)域Ra和RB分別地位于玻璃基板上淀積區(qū)域R的在傳送方向上的 下游和上游側(cè)。換句話說，由于容器42和43的噴嘴相對于防淀積板45A 和45b的幾何位置，在這些區(qū)域不能獲得混合膜。在有機EL裝置的制造 中，這種單成分模的形成產(chǎn)生這樣的問題，即較高電壓被需要以用于在電 子注入層發(fā)射光，這有可能最終導致較低的發(fā)光效率。
下面參照圖5說明形成單成分模的機理。在上游側(cè)上，防淀積板45A限 制從容器42釋放的膜形成材料A淀積在由線Ua限定的區(qū)域內(nèi)。另一方 面，在上游側(cè)上，防淀積板45A也限制從容器43釋放的膜形成材料B 淀積在由線Ub限定的區(qū)域內(nèi)。因而形成的淀積區(qū)域RB包括在容器43 的膜形成材料B的淀積區(qū)域中，但是不包括在容器42的膜形成材料A的 淀積區(qū)域中。因而，如此形成在淀積區(qū)域RB中的膜為膜形成材料B的 單成分模。同樣地，在下游側(cè)，防淀枳板45b限制從容器42釋放的膜形 成材料A淀積在由線Da限定的區(qū)域內(nèi)。另一方面，在下游側(cè)，防淀積板 45B也限制從容器43釋放的膜形成材料B淀積在由線Db限定的區(qū)域內(nèi)。 這樣形成的淀積區(qū)域Ra包括在容器42的膜形成材料A的淀積區(qū)域內(nèi)， 但是不包括在容器43的膜形成材料B的淀積區(qū)域內(nèi)。因而，這樣形成在 淀積區(qū)域RA的膜為膜形成材料A的單成分模d因而，問題出現(xiàn)了，在 玻璃基板44的傳送方向T中的上游側(cè)和在下游側(cè)都形成單成分模而不是混合膜。因此，每兩個淀積室之間的距離必須被延長，這最終導致裝置整 體變大。
圖6顯示在日本專利申請公開號No. 2006-057173中公開的裝置的結(jié) 構(gòu)。在共淀積室51中，多個容器52和53被設置以存儲膜形成材料A和 B。多個容器52和53的噴嘴交替地設置在玻璃基板54的基板寬度方向W 上(即，垂直于玻璃基板傳送方向T的方向)。從這樣設置的噴嘴釋放的膜 形成材料A和B被混合以執(zhí)行共淀積。因此，這種結(jié)構(gòu)不太可能產(chǎn)生上 述的形成單成分模的問題。但是，上述的容器52和53的噴嘴交替地設置 在基板寬度方向W的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生另一個問題，如圖6所示，膜形成材料在 密度方面在基板寬度方向W上不均衡地分布。不同膜形成材料必須被加 熱到不同溫度以被蒸發(fā)或者升華。另外，不同膜形成率需要不同溫度。因 此，蒸發(fā)容器52和53的噴嘴必須被加熱到不同溫度。另外，每兩個相 鄰的噴嘴之間需要空間以絕緣熱。這種熱絕緣的需要要求噴嘴之間較大的 距離。因而，增加了在基板寬度方向上的不均衡濃度分布。
至此的說明，通過傳統(tǒng)線式膜形成裝置的共淀積不可避免地產(chǎn)生單成 分模形成和濃度分布不均衡發(fā)生這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題而產(chǎn)生本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種線式膜形成裝 置，其能夠執(zhí)行共淀積而沒有引起形成單成分?；虍a(chǎn)生濃度分布不均衡。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面是提供線式膜形成裝置，所述線 式膜形成裝置包括多個淀積室，至少一個淀積室是共淀積室，所述共淀積 室通過兩種不同的膜形成材料的共淀積過程而形成混合膜，在共淀積過程 中，兩種不同的膜形成材料被蒸發(fā)或者升華，然后被蒸發(fā)或者升華的兩種 膜形成材料的蒸汽被混合地淀積,所述多個淀積室設置在基板被傳送的傳 送方向上，如此設置的淀積室在被傳送的基板連續(xù)地形成膜，從而在基板 上形成多層膜。在所述線式膜形成裝置中，所述共淀積室包括分別地存 儲膜形成材料的兩個淀積源，淀積源各自包括開口，每個開口在垂直于傳 送方向的基板的寬度方向上延伸，所述開口被相互平行地分別設置在傳送 方向的上游側(cè)和下游側(cè)上；分別地隔開與共淀積室相鄰的淀積室的兩個隔
7開部件，隔開部件被設置遠離傳送基板并且被相互平行地分別設置在傳送 方向的上游側(cè)和下游側(cè)上，兩個淀積源被設置在所述隔開部件之間；和限 制部件，所述限制部件限制從上游側(cè)開口釋放并且在基板的下游側(cè)淀積的 蒸汽，以使下游側(cè)界線被設置在蒸汽將被淀積的淀積區(qū)域上，具有下游側(cè) 界線的所述淀積區(qū)域與從下游側(cè)開口釋放并且在基板的下游側(cè)淀積的蒸 汽的淀積區(qū)域重合，在下游側(cè)的隔開部件在從下游側(cè)開口釋放的蒸汽的淀 積區(qū)域上設置下游側(cè)界線，并且當防止在基板的下游側(cè)形成包含兩個膜形 成材料的任何一種的單成分模時，只有混合膜形成在基板的下游側(cè)。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第二方面根據(jù)第一方面提供具有如下技術(shù) 特征的線式膜形成裝置。限制部件進一步限制從下游側(cè)開口釋放并且淀積 在基板的上游側(cè)的蒸汽，以使上游側(cè)界線被設置在從下游側(cè)開口釋放的蒸 汽的淀積區(qū)域上，并且所述具有上游側(cè)界線的從下游側(cè)開口釋放的蒸汽的 淀積區(qū)域與從上游側(cè)開口釋放并且淀積在基板的上游側(cè)的蒸汽的淀積區(qū) 域重合，同時，上游側(cè)隔開部件在從上游側(cè)開口釋放的蒸汽的淀積區(qū)域上 設置上游側(cè)界線，并且也防止在基板的上游側(cè)形成包含兩個膜形成材料的 任何一種的單成分模，只有混合膜形成在基板的上游側(cè)。
為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第一方面，本發(fā)明的第三方面提供具有如下技 術(shù)特征的線式膜形成裝置。所述線式膜形成裝置包括屏，設置在兩個開口 之間的所述屏為限制部件。
為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第三方面的本發(fā)明第四方面提供具有如下技術(shù) 特征的線式膜形成裝置。屏被設置以使屏的上端在第一和第二線的至少一 個之上，所述第一和第二線限定如下第一線是從開始點經(jīng)過離下游側(cè)隔 開部件更遠的一個上游側(cè)開口邊緣畫的線，所述開始點為基板與經(jīng)過下游 側(cè)隔開部件的頂點和離下游側(cè)隔開部件更遠的下游側(cè)開口的一個邊緣的 線的交點；和所述第二線為從開始點經(jīng)過離上游側(cè)隔開部件更遠的下游側(cè) 開口的一個邊緣畫的線，所述開始點為基板與經(jīng)過上游側(cè)隔開部件的頂點 和離上游側(cè)隔開部件更遠的上游側(cè)開口的一個邊緣的線的交點。
實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第一方面的本發(fā)明的第五方面為提供具有如下技 術(shù)特征的線式膜形成裝置。限定如下的至少一個開口側(cè)壁延伸從而作為限 制部件上游側(cè)開口的兩個開口側(cè)壁的位于更靠近下游側(cè)開口的一個開口側(cè)壁；和下游側(cè)開口的兩個開口側(cè)壁的位于更靠近上游側(cè)開口的一個開口側(cè)壁。
為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第五方面的本發(fā)明第六方面提供具有如下技術(shù) 特征的線式膜形成裝置。開口側(cè)壁形成具有傾斜地形成的開口的至少一個
的上表面以實現(xiàn)限定如下的第一和第二重合的任何一個所述第一重合是 上游側(cè)開口的上表面位置與從開始點經(jīng)過上游側(cè)開口上端所畫的線之間 的重合，所述開始點是基板與經(jīng)過下游側(cè)開口上端和下游側(cè)隔開部件頂點 的線的交點；和所述第二重合是下游側(cè)開口的上表面位置與從開始點經(jīng)過 下游側(cè)開口上端所畫的線之間的重合，所述開始點是基板與經(jīng)過上游側(cè)開 口上端和上游側(cè)隔開部件頂點的線的交點。
為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)第六方面的本發(fā)明第七方面提供具有如下技術(shù) 特征的線式膜形成裝置。通過切割開口而傾斜地形成上表面。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第八方面提供線式膜形成裝置，包括多個淀 積室，至少一個淀積室是共淀積室，共淀積室通過兩種不同的膜形成材料 的共淀積過程而形成混合膜，在共淀積過程中，兩種不同的膜形成材料被 蒸發(fā)或者升華，并且然后，被蒸發(fā)或者升華的兩種膜形成材料的蒸汽被混 合地淀積，多個淀積室被設置在傳送基板的傳送方向，如此設置的淀積室 在被傳送的基板上連續(xù)地形成膜，從而在基板上形成多層膜。在線式膜形 成裝置中，共淀積室包括分別地存儲膜形成材料的兩個淀積源，淀積源 各自包括開口，每個開口在垂直于傳送方向的基板的寬度方向上延伸，開 口被相互平行地分別設置在傳送方向的上游側(cè)和下游側(cè)；兩個隔開部件分 別地隔開與共淀積室相鄰的淀積室；隔開部件被設置遠離傳送基板，并且 被相互平行地分別設置在傳送方向的上游側(cè)和下游，兩個淀積源設置在隔 開部件之間；和限制部件，限制部件限制從上游側(cè)和下游側(cè)的第一側(cè)上的 開口之一的第一側(cè)釋放并且在基板的上游側(cè)和下游側(cè)的第二側(cè)上淀積的 蒸汽，以使第二側(cè)界線被設置在蒸汽被將被淀積的淀積區(qū)域上，具有所述 第二側(cè)界線的所述淀積區(qū)域與從第二側(cè)上的開口之一的第二側(cè)釋放并且 在基板第二側(cè)上淀積的蒸汽的淀積區(qū)域重合，在第二側(cè)的隔開部件之一的 第二個在所述開口之一的第二側(cè)釋放的蒸汽的淀積區(qū)域上設置第二側(cè)界 線，在各自的開口的第二側(cè)上延伸的開口側(cè)壁通過傾斜地形成開口的上表面而形成為限制部件，從而，開口的上表面是在經(jīng)過開口之一的第二側(cè)的 上端和隔開部件之一的第二的頂點的線上，并且當防止在基板的第二側(cè)上 形成包含兩種膜形成材料的任何一種的單成分模，只有混合膜形成在基板 的第二側(cè)上b
根據(jù)第八方面，本發(fā)明的第九方面提供的線式膜形成裝置具有如下技 術(shù)特征。所述線式膜形成裝置進一步包括設置熱絕緣部件在兩個淀積源之 間。另外，所述兩個淀積源被設置得彼此靠近。
根據(jù)本發(fā)明，在所述共淀積室中，所述限制部件在來自任何一種或者 兩個淀積源的蒸汽的淀積區(qū)域上設置界線。因此，可以避免在基板的傳送 方向的上游側(cè)和下游側(cè)的任何一側(cè)或者兩側(cè)上形成單成分模。另外，不僅 在傳送方向上而且在垂直于所述傳送方向的基板寬度方向上，可以實現(xiàn)沒 有任何濃度不均衡的共淀積。在來自任何一種或者兩個淀積源的蒸汽的淀 積區(qū)域上設置界線的所述限制部件允許相鄰的淀積室被設置得更靠近另 一個。因此，可以形成更短和更緊湊的線式膜形成裝置。


圖l是說明根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的線式膜形成裝置的示意圖。 圖2是說明根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的線式膜形成裝置的示意圖。
圖3是說明根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的線式膜形成裝置的示意圖。 圖4是說明根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的線式膜形成裝置的示意圖。 圖5是說明傳統(tǒng)的線式膜形成裝置的共淀積室的示意圖。 圖6是說明另一個傳統(tǒng)線式膜形成裝置的共淀積室的示意圖。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明實施方式的線式膜形成裝置將參照圖1至4說明如下。 實施方式1
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的線式膜形成裝置的示意圖。用 于描述這個實施方式的圖l僅說明構(gòu)成線式膜形成裝置的全部多個淀積室 中的形成混合膜的共淀積室。
根據(jù)本發(fā)明的這個實施方式的線式膜形成裝置具有多個淀積室。多個淀積室的至少一個是執(zhí)行共淀積過的共淀積室，兩個不同的膜形成材料在 其中蒸發(fā)或者升華并混合地淀積以形成混合膜。多個淀積室設置在基板傳 送方向中。當基板以等速傳送時，膜被分別地由多個淀積室連續(xù)地形成。 因而，多層膜就這樣形成在基板上，同時由多個膜形成材料形成的混合膜 包括在這些多層膜中。根據(jù)稍后說明的第二到第四實施方式的每個線式膜 形成裝置具有相似結(jié)構(gòu)。
如圖1所示，這個實施方式的線式膜形成裝置具有至少一個共淀積室 1，并且所述共淀積室1包括分別地存儲膜形成材料A和B的兩個淀積源
2和3。開口部2a和3a被分別地形成在淀積源2和3中。開口部2a和 3a的每一個在垂直于玻璃基板4傳送方向T的玻璃基板4的寬度方向上 延伸。開口部2a和3a相互平行地分別設置在傳送方向T的上游側(cè)和在下 游側(cè)。執(zhí)行共淀積，首先，通過蒸發(fā)或者升華分別地存儲在淀積源2和3 中的膜形成材料A和B。然后，蒸發(fā)或者升華的膜形成材料A和B混合 地淀積在以傳送方向T傳送的玻璃基板4上而形成混合膜。每個開口部 2a和3a在垂直于傳送方向T的玻璃基板的4寬度方向上的長度優(yōu)選地等 于或者較長于玻璃基板4的寬度。在圖1中，每個開口部2a和3a具有相 對于玻璃基板4的表面(與表面)傾斜的上表面。然而，每個開口部2a和 3a的上表面可以平行玻璃基板4的表面，或者以其它不同于圖1所示的方 式傾斜。
兩個防淀積板5A和5B (隔開部件)設置在共淀積室1中，從而防淀積 板5A和5B可以分別地使共淀積室1與相鄰的淀積室隔開。防淀積板5A 和5B被設置從而與傳送的玻璃基板4分開。防淀積板5A和5B相互平 行設置并且分別地設置在傳送方向T的上游側(cè)和下游側(cè)，同時在其中插入 兩個淀積源2和3。線式膜形成裝置在傳送方向T上具有連續(xù)地設置的多 個淀積室。因而，防淀積板5A和5B被設置以隔開淀積室，并且防止相 鄰淀積室的淀積源蒸汽混合在一起。
另外，這個實施方式的共淀積室在開口部2a和3a之間設置有屏6(限 制部件)。在如上所述的沒有屏6的情況下，淀積源2的開口2a和淀積源 3的開口 3a相對于防淀積板5A和5B的幾何位置導致任何一種膜形成材 料A和B在傳送方向T的每個上游側(cè)和下游側(cè)形成單成分模。在這個實施方式中設置屏6以消除在玻璃基板4的淀積區(qū)域R中形成這種單成分 模的可能性。因而，只有包含兩種膜形成材料A和B的混合膜可以獲得。 下面參照圖1說明可能只有混合膜被獲得的機理。
從淀積源3的開口 3a釋放的蒸汽到傳送方向T的下游側(cè)的傳送被防 淀積板5B限制在由線DB限定的區(qū)域內(nèi)。其間，從淀積源2的開口2a釋 放的蒸汽到傳送方向T的下游側(cè)的傳送被屏6限制在由線Da限定的區(qū)域 內(nèi)。屏6被設置以使在玻璃基板4表面上由線DA限定的淀積區(qū)域可以與 在玻璃基板4表面上由線DB限定的淀積區(qū)域重合。更具體地，屏6的位 置以如下的方式確定。從淀積源3的開口 3a的離防淀積板5B較遠的一個 邊緣畫直線經(jīng)過防淀積板5B的頂點。這樣畫的直線是線DB。從踐Db與 玻璃基板4的交點畫另一條直線以經(jīng)過淀積源2的開口 2a的離防淀積板 5B更遠的一個邊緣。這樣畫的直線是線DA。屏6被設置以使屏6的上端 可以在所述線Da上。這種設置屏6的方式使在玻璃基板4的下游側(cè)膜形 成材料A的淀積區(qū)域與膜形成材料B的淀積區(qū)域重合(即，在淀積區(qū)域R 內(nèi)下游側(cè)部分上)。因而，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一種 的單成分模，并且只有包含兩種膜形成材料A和B的混合膜可以形成。
同樣地，從淀積源2的開口 2a釋放的蒸汽到在傳送方向T的上游側(cè) 的傳送被防淀積板5A限制在由線UA限定的區(qū)域內(nèi)。其間，從淀積源3的 開口 3a釋放的蒸汽到傳送方向T的上游側(cè)的傳送被屏6限制在由線UB 限定的區(qū)域內(nèi)。屏6被設置以使由線UB限定的在玻璃基板4表面上的淀 積區(qū)域與由線UA限定的在玻璃基板4表面上的淀積區(qū)域重合。更具體地， 屏6位置的以如下方式確定。從淀積源2的開口 2a的離防淀積板5A較遠 的一個邊緣畫直線經(jīng)過防淀積板5A的頂點。這樣畫的直線是線UA。從線 UA與玻璃基板4的交點畫另一條直線以經(jīng)過淀積源3的開口 3a的離防淀 積板5A較遠的一個邊緣。這樣畫的直線是線UB。屏6被設置以使屏6 的上端可以在線UB上。同樣，屏6的這種設置方式使玻璃基板4的上游 側(cè)上膜形成材料A的淀積區(qū)域與膜形成材料B的淀積區(qū)域重合(g卩，在淀 積區(qū)域R內(nèi)的上游側(cè)部分上)。因而，可以避免形成包含膜形成材料A和B 任何一種的單成分模，并且只可以形成包含兩種膜形成材料A和B的混 合膜。屏6使膜形成材料A和B受限，并且因而成為屏障以屏蔽分別地從 淀積源2的開口 2a和從淀積源3的開口 3a釋放的不同種膜形成材料A 和B的蒸汽在玻璃基板4表面的一些區(qū)域的淀積。因而，屏6防止單成 分模的形成。因此，屏6優(yōu)選地保持能夠捕捉膜形成材料A和B。對于不 同地放置，屏6優(yōu)選地保持在足夠較低的溫度以防止膜形成材料A和B 被蒸發(fā)。另外，屏6在傳送方向T上優(yōu)選地設置共淀積室1的中心位置。 然而，淀積源2的開口 2a和淀積源3的開口 3a優(yōu)選地相對于屏6的位置 對稱地設置，優(yōu)選地，防淀積板5A和5B也相對于屏6的位置對稱地設 置。因而，上述幾何放置位置允許線UA, UB, DA,和Db可被更容易地設 置。另外，為使線UA，UB，DA,和Db的調(diào)整存在可能，屏6的厚度可以 被做得更厚，或者可以使用多塊屏6。同樣可替換地，為使線UA, UB, DA，和 DB的調(diào)整存在可能，屏6可以做成在垂直和水平方向上都可以移動。
至此的說明，屏6被設置在相對于淀積源2的開口2a和淀積源3的 開口3a的合適位置。因此，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一 種的單成分模，玻璃基板4的整個淀積區(qū)域R可以只包含兩種膜形成材料 A和B的混合膜。
另外，單成分模的形成的防止消除延長相鄰淀積室之間的距離的需 要，從而，裝置的整體尺寸可以被做得更緊湊。
需要注意，這種實施方式的屏6用作限制部件，其限制分別地從淀積 源2的開口2a和從淀積源3的開口 3a釋放的不同種膜形成材料A和B 蒸汽的淀積區(qū)域。然而，可以是單成分模形成在傳送方向T的上游側(cè)和下 游側(cè)的任何一個上的情況。在這種情況下，如稍后說明的實施方式3和4 中所述情況，屏6可以限制從淀積源2的開口 2a和淀積源3的開口 3a 任何一個釋放的蒸汽的淀積區(qū)域。
實施方式2
圖2是說明根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的線式膜形成裝置的示意圖。如 同實施方式1的情況，用于說明這個第二實施方式的圖2只說明構(gòu)成線式 膜形成裝置的全部的多個淀積室的共淀積室。
如圖2所示，這個第二實施方式的線式膜形成裝置具有至少一個共淀積室11，并且所述共淀積室1包括分別地存儲膜形成材料A和B的兩 個淀積源12和13。開口部12a和13a分別地形成在淀積源12和13中。 每個開口部12a和13a在垂直于玻璃基板14傳送方向T的玻璃基板14的 寬度方向上延伸。開口部12a和13a相互平行地設置并且分別地設置在傳 送方向T的上游側(cè)和下游側(cè)。執(zhí)行共淀積，首先，通過蒸發(fā)或者升華分別 地存儲在淀積源12和13中的膜形成材料A和B。然后，蒸發(fā)或者升華 的膜形成材料A和B可以被混合地淀積而在以傳送方向T傳送的玻璃基 板14上以形成混合膜。每個開口部12a和13a在垂直于傳送方向T的方 向上的玻璃基板14的寬度方向上的長度優(yōu)選地等于或者大于玻璃基板14 的寬度。
兩個防淀積板15A和15B(隔開部件)設置在共淀積室11中，從而，防
淀積板15A和15e可以分別地使共淀積室11與相鄰的淀積室隔開。防淀 積板15A和15B被設置以與傳送玻璃基板14分開，并且相互平行地分 別地設置于傳送方向T的上游側(cè)和下游側(cè)，同時在其間插入兩個淀積源 12和13。線式膜形成裝置在傳送方向T上具有連續(xù)地設置的多個淀積室。 因而，防淀枳板15a和15B被設置以隔開淀積室，并且防止相鄰淀積室 的淀積源的蒸汽被混合在一起。
在實施方式1中，屏被設置在淀積源的兩個開口部之間以作為限制部 件。然而，在這個第二實施方式中，淀積源12的開口12a和淀積源13 的開口 13a的每個的側(cè)壁之一被延伸以作為限制部件。在每個開口部12a 的13a的兩個側(cè)壁中，所述延伸的一個側(cè)壁位于靠近所述另一個開口側(cè)。 具體地，如圖2所示，在開口 12a中，所述延伸的側(cè)壁位于在更靠近開口 13a的所述側(cè)，并且被稱作開口側(cè)壁12b。在開口13a中，延伸的側(cè)壁位 于更靠近開口12a側(cè)，并且被稱作開口側(cè)壁13b。注意，起限制部件作用 的最簡單的結(jié)構(gòu)可以通過只延伸開口部側(cè)壁12b和13b而實現(xiàn)。然而，在 這個第二實施方式中，開口部12a和13a的每個的上表面傾斜地形成以形 成開口部側(cè)壁12b和13b。當開口部12a和13a的每個的上表面被傾斜地 形成時，淀積源12和13的每個的開口可以被切割以形成安裝在合適的位 置的上表面，稍后將給予說明。
因此，開口部側(cè)壁12b和13b的延伸消除在玻璃基板14的淀積區(qū)域
14R中形成這種單成分模的可能性。因而，只有包含兩種膜形成材料A和B 的混合膜可以被獲得?？赡苤猾@得混合膜的機理和開口部12a和13a的每 個的上表面的合適的位置，參照圖2說明如下。
從淀積源13的開口 13a釋放的蒸汽到傳送方向T的下游側(cè)的傳送被 防淀積板15B限制在由線DB限定區(qū)域內(nèi)的。其間，從淀積源12的開口 12a 釋放的蒸汽到傳送方向T的下游側(cè)的傳送被開口側(cè)壁12b限制在由線DA 限定的區(qū)域內(nèi)。開口 12a的上表面被形成以使在玻璃基板14的表面上由 幾Da限定的淀積區(qū)域可以與在玻璃基板14的表面上由線DB限定的淀積 區(qū)域重合。更具體地，開口 12a的上表面的位置以如下方式確定。從開口 13a上端畫直線經(jīng)過防淀積板15B的頂點。這樣畫的直線是線DB。從線 DB與玻璃基板14的交點畫另一條直線以經(jīng)過開口 12a的上端。這樣畫的 直線是線DA。開口 12a的上表面的位置被確定以使表示開口 12a的上表 面的部分可以在線DA上。開口 12a的上表面的定位方式使膜形成材料A 的淀積區(qū)域與膜形成材料B的淀積區(qū)域在玻璃基板14下游側(cè)(g卩，在淀 積區(qū)域R內(nèi)下游側(cè)部分上)重合。因而，可以避免形成包含膜形成材料A 和B任何一種的單成分模，而只可以形成包含兩種膜形成材料A和B的 混合膜。
同樣地，從淀積源12的開口 12a釋放的蒸汽到傳送方向T的上游側(cè) 的傳送被防淀積板15A限制在由線UA限定的區(qū)域內(nèi)。其間，從淀積源13 的開口 13釋放的蒸汽至傳送方向T的上游側(cè)的傳送被開口側(cè)壁13b限制 在由線Ue限定的區(qū)域內(nèi)。開口 13a的上表面被形成以使在玻璃基板14的 表面上由線UB限定的淀積區(qū)域可以與在玻璃基板14的表面上由線UA限 定的淀積區(qū)域重合。更具體地，開口 13a的上表面的位置以如下方式確定。 從開口 12的上端畫直線經(jīng)過防淀積板的頂點15A。這樣畫的直線是線UA。 從線Ua與玻璃基板14的交點畫另一條直線以經(jīng)過開口 13a的上端。這樣 畫的直線是線UB。開口 13a的上表面的位置被確定以使表示開口 13a的 上表面的部分在線UB上。這樣確定上表面開口 13a位置的方式使膜形成 材料A的淀積區(qū)域與膜形成材料B的淀積區(qū)域在玻璃基板14上游側(cè)(即， 在淀積區(qū)域R內(nèi)的上游側(cè)部分上)重合。因而可以被避免形成包含膜形成 材料A和B任何一種的單成分模，而只可以形成包含兩種膜形成材料A和B的混合膜。
開口部側(cè)壁12b和13b成為屏障以屏蔽從淀積源12的開口 12a和淀 積源13的開口 Da釋放的蒸汽在玻璃基板14的表面的一些區(qū)域的淀積。 因而，開口部側(cè)壁12b和13b防止形成任何單成分模。開口部側(cè)壁12b 和13b與各自的淀積源12和13整體地成型，并且因此，開口部側(cè)壁12b 和13b的溫度與它們各自的淀積源12和13的溫度相同。因此，與實施方 式1設置的屏6相反，開口部側(cè)壁12b和13b不捕捉膜形成材料A和B。 因此，沒有被捕捉的膜形成材料A和B的蒸汽可以被有效地設置到玻璃 基板14側(cè)。
如上所述，在淀積源12的開口部分12a和淀積源13的開口部分13a 中，它們各自的開口部側(cè)壁12b和13b被延伸。因此，可以避免形成包含 膜形成材料A和B任何一種的單成分模并且玻璃基板14的整個淀積區(qū)域 R能夠只有包含兩種膜形成材料A和B的混合膜。
另外，所述形成單成分模的防止消除了增加相鄰淀積室之間距離的必 要性，因而，裝置的尺寸整體可以被做得更緊湊。而且，雖然在大多數(shù)情 況下淀積源開口的上表面被形成以與玻璃基板平行，這樣形成的上表面可 以通過以上述的方式切割開口而容易地改進以適應于這個第二實施方式。
實施方式3
圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的線式膜形成裝置的示意圖。 用于說明這個第三實施方式的圖3如在實施方式1的2中的情況一樣，只 說明構(gòu)成線式膜形成裝置的多個淀積室的共淀積室。
這個第三實施方式的線式膜形成裝置是實施方式2的裝置(圖2中所 示)的改進例。這個第三實施方式的裝置的結(jié)構(gòu)允許在傳送方向T的上游 側(cè)或下游側(cè)形成單成分模。更具體地，這個第三實施方式的裝置允許單成 分模形成在傳送方向T的上游側(cè)。
圖3所示，這個第三實施方式的線式膜形成裝置具有至少一個共淀積 室21，并且所述共淀積室21包括分別地存儲膜形成材料A和B的兩個淀 積源22和23。開口部22a和23a分別地形成在淀積源22和23中。幵口 部22a和23a的每個在垂直于玻璃基板24傳送方向T的玻璃基板24的寬度方向上延伸。開口部22a和23a相互平行地設置并且分別地設置在傳送 方向T的上游側(cè)和下游側(cè)。共淀積被執(zhí)行，首先，通過蒸發(fā)或者升華分別 地存儲在淀積源22和23中的膜形成材料A和B。然后，蒸發(fā)或者升華的 膜形成材料A和B被混合地淀積而在以傳送方向T傳送的玻璃基板24上 形成混合膜。開口部22a和23a的每個在垂直于傳送方向T的方向上的 玻璃基板24的寬度方向上的長度，優(yōu)選地等于或者大于玻璃基板24的寬 度。
兩個防淀積板25A和25B(隔開部件)設置在共淀積室21中，從而，防 淀枳板25a和25b可以使共淀枳室21分別地與相鄰的淀積室隔開。防淀 積板25a和25b被設置與傳送玻璃基板24分開，相互平行分別地設置在傳 送方向T的上游側(cè)和下游側(cè)，在其中插入兩個淀積據(jù)22和23。線式膜 形成裝置在傳送方向T上具有連續(xù)地設置的多個淀積室。因而，防淀積板 25A和25b被設置以隔開淀積室，并且防止來自相鄰的淀積室的淀積源的 蒸汽混合在一起。
在實施方式2中，兩個淀積源的每個的開口側(cè)壁之一被延伸以作為限 制部件。兩個開口部的每個的兩個側(cè)壁中，延伸的一個位于靠近另一個開 口的側(cè)面。然而，在這個第三實施方式中，如圖3所示，只有淀積源22 的開口 22a的上表面是傾斜地形成的。位于需要避免單成分模形成側(cè)的開 口側(cè)壁22b(圖3中在傳送方向T的下游側(cè))被延伸。因此，只有開口側(cè)壁 22b作為限制部件。
因此，開口側(cè)壁22b的延伸消除了玻璃基板24的淀積區(qū)域R中下游 部分上形成單成分模的可能性。因而，只可以獲得包含兩種膜形成材料A 和B的混合膜。相反，在玻璃基板24上的淀積區(qū)域R的上游側(cè)，即在玻 璃基板24上的淀枳區(qū)域Rb中，允許形成單成分模。
在這個第三實施方式中，與實施方式2的情況相同，從淀積源23的 開口 23a釋放的蒸汽到傳送方向T的下游側(cè)的傳送被防淀積板25B限制在 由線De限定的區(qū)域內(nèi)。其間，從淀積源22的開口22a釋放的蒸汽到傳送 方向T的下游側(cè)的傳送被開口側(cè)壁22b限制在由線Da限定的區(qū)域內(nèi)。開 口 22a的上表面被形成以使由線DA限定的在玻璃基板24的表面上的淀 積區(qū)域可以與由線DB限定在玻璃基板24的表面上的淀積區(qū)域重合。更具體地，開口 22a的上表面的位置以如下方式確定。從開口23a的上端畫 直線經(jīng)過防淀積板的頂點25B 。這樣畫的直線是線DB。從線DB與玻璃基 板24的交點經(jīng)過開口22a上端畫另一條直線。這樣畫的直線是線DA。開 口 22a的上表面的位置被確定從而表示開口 22a上表面的部分可以在線 Da上。這樣確定上表面開口位置的方式22a使膜形成材料A的淀積區(qū)域 與膜形成材料B淀積區(qū)域在玻璃基板24下游側(cè)(目卩，在淀積區(qū)域R內(nèi)下游 側(cè)部分上)重合。因而，可以避免形成包含膜形成材料A和B任何一種的 單成分模，并且只可以形成包含兩種膜形成材料A和B的混合膜。
另一方面，從淀積源22的開口22a釋放的蒸汽到傳送方向T上游側(cè) 的傳送被防淀積板25A限制在由線UA限定的區(qū)域內(nèi)。其間，從淀積源23 的開口 23a釋放的蒸汽到傳送方向T上游側(cè)的傳送被防淀積板25A限制在 由線UB限定的區(qū)域內(nèi)。因此，這樣形成的淀積區(qū)域RB包括在淀積源23 的膜形成材料B淀積區(qū)域中，但是不包括在淀積源22的膜形成材料A的 淀積區(qū)域中。因而，這樣形成在淀積區(qū)域RB中的膜為只有膜形成材料B 的單成分模。
開口側(cè)壁22b成為屏障以屏蔽從淀積源22開口 22a釋放的蒸汽在玻 璃基板24的表面區(qū)域的淀積。因而，開口側(cè)壁22b防止只在玻璃基板24 的下游側(cè)形成單成分模。開口側(cè)壁22b與淀積源22整體形成。因此，開 口側(cè)壁22b的溫度與淀積源22的溫度相同。因此與設置在實施方式1中 的屏6相反，開口側(cè)壁22b不捕捉膜形成材料A。因此，沒有被捕捉的膜 形成材料A的蒸汽可以有效地設置到玻璃基板24的所述側(cè)。另外，雖然
在大多數(shù)情況下，淀積源的開口的上表面被形成從而平行于玻璃基板，如
此形成的上表面可以容易地通過以上述方式切割開口而被修改以適應這
個第三實施方式。
實施方式4
圖4是說明根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的線式膜形成裝置的示意圖。如 同在實施方式1至3的情況中，用于說明這個第四實施方式的圖4只說明 構(gòu)成線式膜形成裝置的多個淀積室的共淀積室。
如實施方式3(如圖3所示)的情況，在這個第四施方式的線式膜形成裝置具有允許單成分模形成在傳送方向T的上游側(cè)或者下游側(cè)的結(jié)構(gòu)。更 具體地，這個第四實施方式的裝置允許單成分模被形成在傳送方向T的上
如圖4所示，這個第四實施方式的線式膜形成裝置具有至少一個共淀 積室31 ，所述共淀積室31包括分別地存儲膜形成材料A和B兩個淀積 源32和33。開口部32a和33a分別地形成在淀積源32和33中。開口部 32a和33a的每個在垂直于玻璃基板34的傳送方向T的玻璃基板34的寬 度方向上延伸。開口部32a和33a相互平行地設置，并且分別地設置在傳 送方向T的上游側(cè)和下游側(cè)。共淀積被執(zhí)行，首先，通過蒸發(fā)或者升華分 別地存儲在淀積源32和33中的膜形成材料A和B。然后，蒸發(fā)或者升 華的膜形成材料A和B被混合地淀積，從而在傳送方向T上傳送的玻璃 基板34上形成混合膜。開口部32a和33a的每個在垂直于傳送方向T的 玻璃基板34的寬度方向上的長度，優(yōu)選地等于或者大于玻璃基板34的寬 度。
兩個防淀積板35A和35B(隔開部件)設置在共淀積室31中，從而，防 淀枳板35a和35b可以分別地從其相鄰的淀積室隔開共淀積室31。防淀 積板35八和35B被設置以與傳送的玻璃基板34分開，相互平行設置并且 分別地位于傳送方向T的上游側(cè)和下游側(cè)，同時在其中插入兩個淀積源 32和33。線式膜形成裝置在傳送方向T上具有連續(xù)地設置的多個淀積室。 因而，防淀枳板35a和35b被設置以隔開淀積室，并且防止相鄰的淀積 室的淀積源的蒸汽混合在一起。
在實施方式3中，兩個淀積源22和23被設置而在其間留有確定距離。 然而，如圖4所示，這個第四實施方式的淀積源32和33彼此接近地設置， 在其間設置有至少一個隔熱板36。淀積源32的開口 32a和淀積源33的 開口 33的每個的上表面是傾斜地形成。因而，位于需要避免形成單成分 模的所述側(cè)(圖4中傳送方向T的下游側(cè))的開口部側(cè)壁32b和33b被延伸， 并且因而開口部側(cè)壁32b的33b都作為限制部件。
因此，開口部側(cè)壁32b和33b的延伸消除玻璃基板34的淀積區(qū)域中 的下游部分上形成這種單成分模的可能性。因而，只可以獲得包含兩種 膜形成材料A和B的混合膜。相反，在玻璃基板34的淀積區(qū)域的上游側(cè)，允許形成單成分模。
在這個第四實施方式中，從淀積源33的開口 33a釋放的蒸汽到傳送 方向T的下游側(cè)的傳送被開口側(cè)壁33b限制在由線Db限定的區(qū)域內(nèi)。其 間，從淀積源32的開口 32a釋放的蒸汽到傳送方向T的下游側(cè)的傳送被 開口側(cè)壁32b限制在由線da限定的區(qū)域內(nèi)。開口部32a和33a的上表面
被形成，從而，線da可以與線db重合。因此，由線da限定的在玻璃
基板34上淀積區(qū)域與由線db限定的在玻璃基板34上的淀積區(qū)域重合。 更具體地，開口部32a和33a的上表面的位置被以如下方式確定。從開口 33a的上端畫直線經(jīng)過防淀積板35B的頂點。這樣畫的直線是線DA = DB。 開口部32a和33a上表面的位置被確定，從而，表示開口部32a的33a 的上表面的部分可以在淺Da-Db上。開口部32a和33a的上表面的定位 方式使在玻璃基板34下游側(cè)的膜形成材料A的淀積區(qū)域與膜形成材料B 的淀積區(qū)域(即，在淀積區(qū)域內(nèi)的下游部分上)重合。因而，可以避免形成 包含膜形成材料a和b任何一種的單成分模，并且只可以形成包含兩種膜 形成材料A和B的混合膜。
另一方面，從淀積源32的開口 32a釋放的蒸汽到傳送方向T上游側(cè) 的傳送和從淀積源33的開口 33a釋放的蒸汽到傳送方向T上游側(cè)的傳送 通過防淀積板35A而被限制。因此，在玻璃基板34的上游側(cè)形成區(qū)域， 所述區(qū)域包括在淀積源33的膜形成材料B的淀積區(qū)域中，但是，不包括 在淀積源32的膜形成材料A的淀積區(qū)域中。因而，形成在上游側(cè)上的區(qū) 域中的膜成為只有膜形成材料B的單成分模。
開口部側(cè)壁32b和33b成為屏障以屏蔽來自淀積源32的開口 32a的 蒸汽和來自淀積源33的開口 33a的蒸汽淀積在玻璃基板34的表面區(qū)域。 因而，開口部側(cè)壁32b和33b只防止在玻璃基板34下游側(cè)形成單成分模。 開口部側(cè)壁32b和33b分別地與淀積源32和33整體地形成。因此，開口 部側(cè)壁32b和33b的溫度分別地與淀積源32和33的溫度相同。因此，與 實施方式1設置屏6相反，開口部側(cè)壁32b和33b不捕捉膜形成材料A和 B。因此，沒有被捕捉的膜形成材料A和B的蒸汽可以被有效地設置到玻 璃基板34的所述側(cè)。另外，雖然在多數(shù)情況下，淀積源的開口上表面被 形成從而平行玻璃基板，這樣形成的上表面可以通過以上述方式切割開口實施方式。
在這個第四實施方式的結(jié)構(gòu)中，隔熱板36被設置在淀積源32和33 之間。因此，即使當?shù)矸e源32與淀積源33的溫度之間有很大差別時(例 如，淀積源32和33之一具有300°C的溫度而另一個具有600°C的溫度)， 兩個淀積源32和33可以被彼此接近地設置。為實現(xiàn)它的其它方式，隔熱 板36在淀積源32和33之間提供熱梯度(熱絕緣層)的功能。合適的熱梯 度可以通過響應兩個淀積源32和33之間的溫度差的量由增加或者減少隔 熱板36的數(shù)量而設置。
本發(fā)明適用于線式膜形成裝置，并且特別地適用于生產(chǎn)有機電致發(fā)光 (EL)裝置的線式膜形成裝置。
權(quán)利要求
1. 一種線式膜形成裝置，包括多個淀積室，至少一個所述淀積室是共淀積室，所述共淀積室通過兩種不同的膜形成材料的共淀積過程而形成混合膜，在所述共淀積過程中，所述兩種不同膜形成材料被蒸發(fā)或者升華，并且然后，蒸發(fā)或者升華的兩種膜形成材料的蒸汽被混合地淀積，所述多個淀積室在基板被傳送的傳送方向上設置，如此設置的淀積室在被傳送的基板上連續(xù)地形成膜，從而，在所述基板上形成多層膜，其中所述共淀積室包括兩個淀積源，所述兩個淀積源分別地存儲膜形成材料，所述淀積源各自包括開口，每個所述開口在垂直于所述傳送方向的基板的寬度方向上延伸，開口相互平行地分別設置在傳送方向的上游側(cè)和下游側(cè)；兩個隔開部件，所述隔開部件分別地使共淀積室與相鄰的淀積室隔開，所述隔開部件被設置遠離所述傳送基板，并且被相互平行地分別設置在傳送方向的上游側(cè)和下游側(cè)，所述兩個淀積源設置在所述兩個隔開部件之間；和限制部件，所述限制部件限制從上游側(cè)開口釋放并且在基板下游側(cè)淀積的蒸汽，從而，下游側(cè)界線被設置在蒸汽將被淀積的淀積區(qū)域上，具有所述下游側(cè)界線的所述淀積區(qū)域與從下游側(cè)開口釋放并且在基板下游側(cè)淀積的蒸汽的淀積區(qū)域重合，在下游側(cè)的所述隔開部件在從下游側(cè)開口釋放的蒸汽的淀積區(qū)域上設置下游側(cè)界線，并且當防止包含兩種膜形成材料中任何一種的單成分模形成在基板下游側(cè)時，只有混合膜形成在基板的下游側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的線式膜形成裝置，其中所述限制部件進一步限制從下游側(cè)開口釋放并且在基板上游側(cè)上淀 積的蒸汽，從而，上游側(cè)界線被設置在從下游側(cè)開口釋放的蒸汽的淀積區(qū) 域上，并且具有上游側(cè)界線的從下游側(cè)開口釋放的蒸汽的淀積區(qū)域與從上 游側(cè)開口釋放并且在基板上游側(cè)上淀積的蒸汽的淀積區(qū)域重合，同時，上 游側(cè)隔開部件在從上游側(cè)開口釋放的蒸汽的淀積區(qū)域設置上游側(cè)界線，當還防止包含兩種膜形成材料任何一種的單成分模形成在基板上游側(cè)時，只有混合膜形成在基板的上游側(cè)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的線式膜形成裝置，包括屏，所述屏被設置 在兩個開口之間，并且所述屏作為所述限制部件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的線式膜形成裝置，其中所述屏被設置以使 屏的上端在第一和第二線中的至少一個上，所述第一和第二線被限定如 下所述第一線為從開始點畫線，經(jīng)過上游側(cè)開口的離下游側(cè)隔開部件更 遠的一個邊緣，所述開始點是基板與經(jīng)過下游側(cè)隔開部件的頂點和下游側(cè) 開口的離下游側(cè)隔開部件更遠的一個邊緣的線的交點；和所述第二線為從開始點畫線，經(jīng)過下游側(cè)開口的離上游側(cè)隔開部件更 遠的一個邊緣，所述開始點是基板與經(jīng)過上游側(cè)隔開部件的頂點和上游側(cè) 開口的離上游側(cè)隔開部件更遠的一個邊緣的線的交點。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的線式膜形成裝置，其中 如下限定的至少一個開口側(cè)壁被延伸以作為所述限制部件 上游側(cè)開口的兩個開口側(cè)壁中位置更靠近所述下游側(cè)開口的一個開口側(cè)壁；禾口下游側(cè)開口的兩個開口側(cè)壁中位置更靠近所述上游側(cè)開口的一個開 口側(cè)壁。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的線式膜形成裝置，其中所述開口側(cè)壁形成 為至少一個開口的上表面傾斜地形成，以實現(xiàn)如下限定的第一重合和第二重合中的任何一個所述第一重合在上游側(cè)開口的上表面的位置與從開始點經(jīng)過上游側(cè) 開口的上端所畫的線之間，所述開始點是基板與經(jīng)過下游側(cè)開口的上端和下游側(cè)隔開部件的頂點的線的交點；禾Q所述第二重合在下游側(cè)開口的上表面的位置與從開始點經(jīng)過下游側(cè) 開口的上端所畫的線之間，所述開始點是基板與經(jīng)過上游側(cè)開口的上端和 上游側(cè)隔開部件的頂點的線的交點。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的線式膜形成裝置，其中所述上表面通過切割所述開口而傾斜地形成。
8. —種線式膜形成裝置，包括多個淀積室，至少一個所述淀積室是共淀積室，所述共淀積室通過兩種不同的膜形成材料的共淀積過程而形 成混合膜，在所述共淀積過程中，所述兩種不同膜形成材料被蒸發(fā)或者升 華，并且然后，蒸發(fā)或者升華的兩種膜形成材料的蒸汽被混合地淀積，所 述多個淀積室在基板被傳送的傳送方向上設置，如此設置的淀積室在被傳 送的基板上連續(xù)地形成膜，從而在所述基板上形成多層膜，其中 所述共淀積室包括兩個淀積源，所述兩個淀積源分別地存儲所述膜形成材料，所述淀積 源各自包括開口 ，每個開口在垂直于傳送方向的基板的寬度方向上延伸， 所述開口被相互平行地分別設置在傳送方向的上游側(cè)和下游側(cè)；兩個隔開部件，所述隔開部件分別地使共淀積室與相鄰的淀積室隔 開，所述隔開部件遠離所述傳送的基板設置并且被相互平行地分別設置在 傳送方向的上游側(cè)和下游，并且所述兩個淀積源設置在所述兩個隔開部件 之間；禾口限制部件，所述限制部件限制從上游側(cè)和下游側(cè)的第一側(cè)上的第一側(cè) 開口釋放并且在基板的上游側(cè)和下游側(cè)的第二側(cè)淀積的蒸汽，以使第二側(cè) 界線被設置在蒸汽將被淀積的淀積區(qū)域上，具有所述第二側(cè)界線的所述淀 積區(qū)域與從第二側(cè)上的第二側(cè)開口釋放并且在基板的第二側(cè)上淀積的蒸 汽的淀積區(qū)域重合，在所述第二側(cè)上的第二隔開部件在從第二側(cè)開口釋放 的蒸汽的淀積區(qū)域上設置第二側(cè)界線，開口側(cè)壁，在各自的開口的所述第二側(cè)上延伸的所述開口側(cè)壁通過傾 斜地形成所述開口的上表面而形成為所述限制部件，以使所述開口的所述 上表面在經(jīng)過第二側(cè)幵口的上端和第二隔開部件的頂點的線上，并且當防止包含兩種膜形成材料任何一種的單成分模形成在基板的所述 第二側(cè)時，只有混合膜形成在所述基板的所述第二側(cè)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的線式膜形成裝置，進一步包括設置在兩個淀積源之間的熱絕緣部件，其中 所述兩個淀積源被設置成相互靠近。
全文摘要
本發(fā)明公開一種線式膜形成裝置，包括淀積源、防淀積板和屏。淀積源存儲不同膜形成材料，并且包括在垂直于傳送方向的基板的寬度方向上延伸的開口。所述開口相互平行地分別設置在傳送方向的上游側(cè)和下游側(cè)。所述防淀積板隔開與共淀積室相鄰的淀積室，并且相互平行地設置在傳送方向的上游側(cè)和下游側(cè)，限制來自開口的蒸汽的淀積區(qū)域。屏限制并且使來自開口的蒸汽在基板的淀積區(qū)域與通過板限定的淀積區(qū)域重合。因而，防止單成分模形成而只有混合膜形成在基板上。
文檔編號C23C14/12GK101440471SQ200810178118
公開日2009年5月27日 申請日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月21日
發(fā)明者佐藤惠一, 北本博子, 小林敏郎, 神川進 申請人:三菱日立制鐵機械株式會社