專利名稱：執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積的裝置和制造光學(xué)預(yù)制件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積的裝置，依靠該 裝置 一 層或多層摻雜或未摻雜的氧化硅沉積到細(xì)長的中空玻璃襯底 管的內(nèi)部，該裝置包括具有環(huán)繞圓柱軸基本上圓柱對稱地構(gòu)成的諧 振腔的諧振器，村底管沿著該軸放置，其中所述諧振腔基本上呈具 有圓柱形內(nèi)壁和圓柱形外壁的環(huán)形，并且其中所述圓柱形內(nèi)壁包括 沿著環(huán)繞所述圓柱軸的圓周的至少 一 部分延伸的狹縫，微波導(dǎo)延伸 進(jìn)入該諧振腔，從而微波可以經(jīng)由前述狹縫出射至由圓柱形內(nèi)壁所 圍成的腔，其中諧振器包繞著襯底管的至少 一部分并可以沿著襯底 管的縱軸前后移動。本發(fā)明進(jìn)一步涉及一種通過等離子體化學(xué)氣相 沉積來制造光學(xué)預(yù)制件的方法，其中使摻雜的或未摻雜的玻璃成形 氣體通過細(xì)長玻璃襯底管的內(nèi)部，同時在襯底管的內(nèi)部建立使得玻 璃層的沉積發(fā)生的條件。
背景技術(shù)：
US 4 877 938涉及一種制造預(yù)制件的方法，其中石墨管緊固至爐 子的金屬部件以吸收從諧振腔中泄漏出的微波能。
US 4 844 007涉及一種用于在襯底管的內(nèi)側(cè)提供玻璃層的裝置， 其中諧振器的內(nèi)側(cè)具有絕熱和/或熱反射材料層，從而達(dá)到沿襯底管 的長度更均勻的熱分布的效果。
本申請人的US 2007/0 003 197涉及一種制造光學(xué)預(yù)制件的方法
和裝置，其中保護(hù)管基本上沿著襯底管的整個長度將襯底管包套， 以便在襯底管和保護(hù)管之間形成的環(huán)形空間內(nèi)建立等離子體條件， 用于使襯底管塌縮成實心棒。EP 0 554 845涉及一種用于實心預(yù)制件的外側(cè)玻璃沉積的方法和 裝置，其中沿著實心預(yù)制件的整個長度設(shè)置保護(hù)管，而爐子包繞著 保護(hù)管和實心預(yù)制件的組合件，在該爐子中，諧振器可以沿著保護(hù) 管的部分長度移動。
本申請人的美國專利US 6 260 510中揭示了一種用于制造光纖
光纖可以由該預(yù)制棒拉拔。根據(jù)已知的制造這種預(yù)制件的方法，直 的玻璃質(zhì)襯底管(例如，由石英構(gòu)成)在它的圓柱形內(nèi)表面上沉積 有摻雜的氧化硅層(例如，摻鍺氧化硅)。此處使用的術(shù)語"氧化硅" 應(yīng)認(rèn)為是具有SiOx形式的、化學(xué)計量或非化學(xué)計量的任何物質(zhì)，無 論是否晶體或非晶。這可以通過將襯底管沿著諧振腔的圓柱軸放置， 并用包括02、 SiCU和GeCl2 (例如)的氣態(tài)混合物沖洗管的內(nèi)部來 實現(xiàn)。在腔內(nèi)同時產(chǎn)生局部的等離子體，導(dǎo)致了 Si、 O和Ge的反應(yīng)， 從而在襯底管的內(nèi)表面上實現(xiàn)了例如Ge摻雜的SiOx這樣的直接沉 積。由于這種沉積僅發(fā)生在局部等離子體的內(nèi)部和附近，所以諧振 腔(和如此的等離子體)必須沿著管的圓柱軸掃描以沿著其整個長 度均勻地沉積中空襯底管的內(nèi)表面。當(dāng)涂覆完成后，將襯底管熱塌 縮成實心棒，其具有Ge摻雜的氧化硅芯部和包繞未摻雜氧化硅包層 部分。如果將實心4奉的末端加熱以至其熔融，可以由該實心4奉4立拔 細(xì)玻璃纖維，該玻璃纖維通常配置一層或多層覆層并可以隨后巻繞 在巻軸上；所述纖維然后具有與實心一奉對應(yīng)的芯部和包層部分。由 于Ge摻雜的芯部相較于未摻雜的包層具有更高的折射率，該纖維可 以用作波導(dǎo)，例如用于傳播光通訊信號中。應(yīng)注意的是沖洗通過襯 底管的氣態(tài)混合物也可能包含其他組分；例如，C2F6的添加導(dǎo)致?lián)?雜氧化硅的折射率的降低。還應(yīng)注意的是，預(yù)制棒可以從外部覆蓋 上附加的玻璃層，例如經(jīng)由沉積工藝的氧化硅，或者通過在拉拔步 驟之前將預(yù)制棒放入通常所說的套管(由未摻雜的氧化硅構(gòu)成)中， 從而在最終的纖維中，相對于摻雜氧化硅的量如此增加了未摻雜氧 化硅的量。這種用于通訊目的光纖的使用要求光纖基本上沒有缺陷(例如摻 雜百分比的偏差，不希望的橫截面橢圓率和類似情況)，因為，當(dāng) 考慮到光纖的較大的長度時，這種缺陷可能會造成被傳輸信號的顯 著衰減。因而，實現(xiàn)非常均勻的并且具有重現(xiàn)性的PCVD過程是重
要的，因為所沉積的PCVD層的質(zhì)量將最終決定纖維的質(zhì)量；因此， 所希望的是在諧振腔內(nèi)產(chǎn)生的等離子體是均勻的(環(huán)繞腔的圓柱 軸)。另一方面，如果預(yù)制棒可以具有更大的直徑，則光纖生產(chǎn)過 程的成本將顯著降低，因為如此可以從單根棒獲得更大的纖維長度。 然而，這兩個目標(biāo)難于協(xié)調(diào)一致，因為襯底管增大的直徑將通常地 導(dǎo)致等離子體具有變差的軸向?qū)ΨQ性；而且，這種等離子體僅能通 過使用更高得多的微波功率來產(chǎn)生。
本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，顆?？赡苓M(jìn)入諧振器，例如當(dāng)襯底管置于用于 執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積的裝置中時從襯底管上脫落的小石英顆 粒。此外，來自于爐子(諧振器置于該爐子中)的絕緣材料的顆粒 會經(jīng)由諧振器的兩端進(jìn)入諧振器。當(dāng)上述顆粒存在于諧振器中時， 這可能會導(dǎo)致短路，即，在等離子體條件的建立過程中的不希望的 放電，其對諧振器造成損害。此外，沉積過程必須停止，這是不希 望的。
本發(fā)明人進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，在等離子體化學(xué)氣相沉積過程中金屬顆粒 也可能從諧振器脫落，并隨后到達(dá)襯底管的外表面。這種金屬顆粒 不僅對襯底管有害，也對諧振器的運(yùn)行具有不利影響，由此等離子 體化學(xué)氣相沉積過程會變得不穩(wěn)定。此外，在光纖中小金屬顆粒的 存在導(dǎo)致了所不希望的在某些波長上的高纖維衰減。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的是提供一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積 的裝置，依靠該裝置上面所描述的問題被減輕到最小。
本發(fā)明的另 一 個目的是提供一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉 積的裝置，在其中，襯底管能夠精確地和具有重現(xiàn)性地布置在由諧振器所圍成的空間里。
本發(fā)明的另 一 個目的是提供一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉 積的裝置，其能實現(xiàn)沉積過程中村底管的溫度的精確控制。
如在背景技術(shù)中所提到的該發(fā)明，特征在于通過緊配合使中空的 內(nèi)管對著諧振腔的圓柱形內(nèi)壁放置，該內(nèi)管沿著諧振腔長度的至少 一部分而沿圓柱軸延伸，并且其對微波透明，該內(nèi)管具有使得襯底 管能夠安置在內(nèi)管中的直徑。
一個或多個上述的目的通過使用本發(fā)明來實現(xiàn)。特別是，當(dāng)前內(nèi) 管的存在防止了顆粒沉積在細(xì)長玻璃襯底管的外表面上。從而，防 止在襯底管和諧振器之間的可能的短路(也稱作放電)。而且，防 止了顆粒粘附到襯底管的外表面。而且，作為使用當(dāng)前內(nèi)管的結(jié)果，
將不會發(fā)生所不希望的襯底管的污染。這種顆粒是不希望的，因為 它們影響襯底管的溫度，并且在較小程度還影響微波的分布。而且， 使中空的襯底管形成為實心棒的熱收縮操作(也稱為塌縮過程)和 隨后在拉拔塔中的拉拔操作將受到不利影響，以及包含前述顆粒的 纖維將表現(xiàn)出較高的衰減。由于內(nèi)管和諧振器的特殊構(gòu)造，內(nèi)管將 在諧振器越過襯底管往復(fù)移動的過程中連同諧振器 一起移動。該內(nèi) 管由此可以認(rèn)為相對于諧振器靜止。這意味著在諧振器的往復(fù)移動 過程中沒有顆?？梢猿练e在細(xì)長玻璃襯底管的外表面上。
當(dāng)前內(nèi)管如此構(gòu)造，其優(yōu)選地沿著圓柱軸延伸至諧振器的外部。 該內(nèi)管優(yōu)選地以這種方式連接至諧振器，以至于內(nèi)管可以沿著襯底 管的縱軸與諧振器同步地移動。此外，內(nèi)管的長度優(yōu)選地小于襯底 管的長度，更特別地，內(nèi)管的長度最大是諧振器長度的兩倍。該內(nèi) 管由此也延伸越過諧振腔中的狹縫。由于內(nèi)管對微波的透明，微波 能夠進(jìn)入諧振腔的內(nèi)部。為了達(dá)到襯底管良好的徑向定位，內(nèi)管在 它的至少一端配置有內(nèi)環(huán)。這種內(nèi)環(huán)作為管的一部分置于內(nèi)管的內(nèi) 部，特別是在它的端部，從而內(nèi)管的內(nèi)徑在前述內(nèi)環(huán)的位置處減少。 在特殊的實施例中，內(nèi)管在兩端都配置有這種內(nèi)環(huán)。襯底管的外徑
和內(nèi)環(huán)的內(nèi)徑的差優(yōu)選地最大是3mm。為了實現(xiàn)襯底管的良好的定位和支撐的目的，優(yōu)選地是內(nèi)管配置有一個或多個沿著環(huán)繞內(nèi)管壁 的圓周的一部分延伸的開口 。在特殊的實施例中，內(nèi)管的內(nèi)徑優(yōu)選 沿著其長度變化。
內(nèi)環(huán)的存在防止了在襯底管的轉(zhuǎn)動過程中襯底管和諧振腔的圓 柱形內(nèi)壁接觸。在襯底管和諧振腔之間的所不希望的接觸將導(dǎo)致襯 底管的外表面損傷，其結(jié)果是石英顆粒將脫落，也導(dǎo)致了諧振腔的 內(nèi)表面的污染。此外，金屬顆粒可能會沉積在襯底管的外表面上， 導(dǎo)致襯底管的溫度的改變。
為了能和微波能耦合，諧振腔的圓柱形壁中的狹縫沿著環(huán)繞圓柱 軸的圓周的至少 一部分延伸。
在特殊的例子中，為了防止在等離子體化學(xué)氣相沉積過程中內(nèi)管 的熔融，優(yōu)選地是內(nèi)管配置有 一 個或多個沿著環(huán)繞內(nèi)管壁的圓周的 一部分延伸的開口 ，尤其是如果所述一個或多個開口位于諧振腔的 圓柱形內(nèi)壁中的狹縫附近。當(dāng)使用這種開口時，能夠向該處添加氣 體，例如氮氣或空氣，從而冷卻內(nèi)管并另外防止內(nèi)管熔融。
用于內(nèi)管的合適的材料，該材料必須是對微波透明的并耐高溫， 該材料包括石英或陶瓷材料，例如氧化鋁或氮化硼。當(dāng)前內(nèi)管的特 殊的實施方式被限定在從屬權(quán)利要求中。
應(yīng)注意的是此處使用的術(shù)語"微波導(dǎo)"意味著具有廣泛的含義，應(yīng) 解釋為涉及所有的用于從生成元件(例如速調(diào)管或微波爐)有效地 傳送微波能至諧振腔的裝置。更特別地，該術(shù)語包括例如天線、同 軸導(dǎo)向器、波導(dǎo)和類似物的具體裝置。
依照本發(fā)明，制造光纖的方法其特征在于，PCVD過程是在依照
本發(fā)明的裝置中執(zhí)行，從而襯底管沿著圓柱軸放置并位于諧振腔的 內(nèi)壁以內(nèi)，其中所述襯底管和所述腔基本上是同軸的，并且其中諧 振腔沿著襯底管的(至少一部分)長度前后移動。諧振腔和襯底管
的一部分被爐子所包繞。這種依照本發(fā)明的PCVD裝置的應(yīng)用能實 現(xiàn)預(yù)制棒的高效制造，并導(dǎo)致了從橫截面角度看摻雜物在其中表現(xiàn) 出高度的軸向?qū)ΨQ的預(yù)制棒，隨之最終的光纖因而表現(xiàn)出低的信號衰減程度。
如已在之前所指出的，在拉拔光纖前預(yù)制棒可以置于氧化硅套管 中，這種附加的步驟應(yīng)當(dāng)視為落入了如上面所指出的方法的保護(hù)范圍內(nèi)。
本發(fā)明還涉及制造用于光纖預(yù)制件的套管的方法。套管是圓柱形 的(未摻雜)氧化硅管，其能夠以所述棒和所述管同軸的方式在預(yù) 制棒上安置。棒和套管的共同的端部隨后熔合在一起，因此纖維從 所述熔合在 一起的共同的端部拉拔，而剩余的棒和管將緊隨著拉拔 過程的持續(xù)而逐漸熔合在一起。由于套管是置于預(yù)制棒的未摻雜的
包層部分的外側(cè)，該套管無需是高光學(xué)質(zhì)量的；依照該方法的套管 的使用因而僅僅是對預(yù)制棒的外部添加額外氧化硅(由此增加了最 終預(yù)制件的厚度，從而更長的具有特定直徑的纖維可以從其中拉拔) 的一種廉價途徑。依照通常的方法，通過執(zhí)行外部氣相沉積(OVD) 來依靠沉積過程沉積氧化硅材料至襯底管或至心軸獲得套管；該操 作繼之基本上以千燥、燒結(jié)和加工操作。至預(yù)制棒的外側(cè)的額外氧 化珪的添加也可以使用氧化珪顆粒依靠沉積過程來實現(xiàn)。
依照本發(fā)明，制造用于光纖預(yù)制件的套管的可選的方法其特征在 于，使用PCVD過程在圓柱形的玻璃質(zhì)管的內(nèi)表面上施加未摻雜的 氧化硅層，該P(yáng)CVD過程是在依照本發(fā)明的裝置中進(jìn)行的，所述管 沿著圓柱軸放置并位于諧振腔的內(nèi)壁以內(nèi)，其中所述管和所述諧振 腔基本上是同軸的，并且其中諧振腔沿著管的(至少一部分)長度 前后移動。最終的產(chǎn)品(管+沉積的氧化硅)代表了所需的套管。
特別應(yīng)注意的是，在提及諧振腔沿著襯底管或玻璃質(zhì)套的長度移 動的地方，所述移動理解為相對移動，即，實際上，諧振腔或是襯 底管均可能移動，只要發(fā)生二者的相對移動(沿著它們共同的圓柱 軸)。然而，內(nèi)管應(yīng)看作是相對于諧振腔靜止的。


現(xiàn)在，將根據(jù)兩幅圖來更詳細(xì)地解釋本發(fā)明，然而，其中的連接
9中應(yīng)注意，本發(fā)明決不被這種具體的實施例所限制。
圖1是依照本發(fā)明的PCVD裝置的一部分的橫截面視圖。 圖2是依照本發(fā)明的內(nèi)管的透視圖。
具體實施例方式
圖1是依照本發(fā)明的PCVD裝置1的一部分的橫截面視圖。裝 置1包括細(xì)長的微波導(dǎo)3，其連接至速調(diào)管(未顯示)，位于環(huán)繞圓 柱軸7圓形對稱地延伸的諧振腔5上。其在沉積過程中，諧振腔5 沿著圓柱軸7前后移動，以使得等離子體區(qū)域沿著襯底管(未顯示) 的長度連續(xù)地移動。諧振腔5基本上呈具有圓柱形內(nèi)壁9和圓柱形 外壁ll的環(huán)形。該圓柱形內(nèi)壁9包括狹縫13,其(在該實施例中) 在環(huán)繞圓柱軸7的整個圓周上延伸(在垂直于該圖平面的平面上)。 微波導(dǎo)3具有(中心的)縱軸15,其基本上垂直于圓柱軸7延伸。 所述縱軸15和所述狹縫13相對于彼此是4晉開的，以如此的方式以 至于軸15不和狹縫13相交。爐子(未顯示)將諧振腔5包繞，其 是靜止的，即它不沿著圓柱軸7移動。
圖1示意性地展示了內(nèi)管2，該內(nèi)管2沿著圓柱軸7延伸至諧振 器8的外部。該內(nèi)管2使用緊配合對著諧振腔5的圓柱形內(nèi)壁9放 置，并且襯底管(未顯示)可以置于由圓柱形內(nèi)壁9所圍成的圓柱 形空間4內(nèi)。為了將襯底管集中在內(nèi)管2的內(nèi)部中，內(nèi)管2在一端 配置有內(nèi)環(huán)6,在該連接中可以注意到類似的內(nèi)環(huán)6也可以配置在內(nèi) 管2的另一端。這種內(nèi)環(huán)6提供了于內(nèi)環(huán)6的位置處的內(nèi)管2內(nèi)徑 的減小，該內(nèi)環(huán)6緊靠著內(nèi)管2的內(nèi)壁。在本發(fā)明的特殊的例子中， 也可以對內(nèi)管2在它的若干個縱向位置處配置內(nèi)環(huán)6。此外，可以沿 著內(nèi)管2的長度變化內(nèi)管2的內(nèi)徑。
諧振腔5具有平行于圓柱軸7的長度L，同時W表示狹縫13的 寬度(在同樣的方向上測量)。如此處所示的，波導(dǎo)3的縱軸15向 一側(cè)偏移，以使得它不平分諧振腔5,即從平行于軸7的方向上測量， 軸15和諧振腔5的各個端部19、 21之間的距離不是L/2。如此處所示的，波導(dǎo)3被體17所包封，該體17在波導(dǎo)管3延伸 進(jìn)入諧振腔5的區(qū)域內(nèi)是對微波透明的；所述體17可以采取 TEFLON (聚四氟乙烯)"插塞(plug)，，的形式。
具有直徑D的圓柱形腔4，其具有開口端，呈現(xiàn)于諧振腔5的內(nèi) 壁9以內(nèi)，并沿著圓柱軸7延伸。襯底管(未顯示)可以置于其內(nèi) 并沿著所述腔4插入。
在圖2中，圖1中所示的內(nèi)管2以透視圖展示，其中該內(nèi)管2 在一端配置有內(nèi)環(huán)6。另外，內(nèi)管2設(shè)置兩個開口 18，其沿著環(huán)繞 內(nèi)管2壁的圓周的一部分延伸。特別希望的是，在內(nèi)管2插入諧振 器8的位置中，將開口 18置于圓柱形內(nèi)壁9中的狹縫13的附近。 前述開口 18特別用于控制PCVD過程中內(nèi)管2的溫度，特別是通過 供應(yīng)氣體，而壓縮空氣可以用于該目的。在沉積過程中襯底管也可 以被冷卻，在該情況下冷卻媒介的供應(yīng)可以經(jīng)由微波導(dǎo)3來進(jìn)行。
使用當(dāng)前內(nèi)管，本發(fā)明人已實現(xiàn)了不需要的顆粒不會沉積在襯底 管的外表面上。此外，內(nèi)管的使用消除了襯底管和諧振器之間接觸 的可能。另外附加的優(yōu)點是，本內(nèi)管的使用使得可以保持通過沉積 過程所實現(xiàn)的結(jié)合進(jìn)入玻璃層的氯足夠低，這特別重要，因為在隨 后的使中空襯底管形成為實心預(yù)制件的塌縮過程中，氯的存在可能 會導(dǎo)致氯泡的形成，其將對實心預(yù)制件的質(zhì)量有不利影響。此外， 和使用沒有配置內(nèi)管的襯底管的裝置相比，當(dāng)前內(nèi)管的使用導(dǎo)致了 在襯底管中更具重現(xiàn)性和穩(wěn)定的溫度分布，該溫度分布對于在中空 的襯底管內(nèi)部進(jìn)行的沉積過程具有有利的影響。另外，可以說已發(fā) 現(xiàn)一個或兩個內(nèi)環(huán)的存在對于襯底管在諧振器中的對中具有有利的 影響，防止了所不希望的在高溫時襯底管的偏斜。而且，內(nèi)管成分 的適當(dāng)選擇將防止內(nèi)管在高等離子體功率水平和高沉積速率下的熔 融。
權(quán)利要求
1. 一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積的裝置，依靠該裝置一層或多層摻雜或未摻雜的氧化硅沉積到細(xì)長的中空玻璃襯底管的內(nèi)部，該裝置包括具有基本上圓柱對稱地環(huán)繞圓柱軸構(gòu)成的諧振腔的諧振器，襯底管沿著該軸放置，其中所述諧振腔基本上呈具有圓柱形內(nèi)壁和圓柱形外壁的環(huán)形，以及其中所述圓柱形內(nèi)壁包括沿著環(huán)繞所述圓柱軸的圓周的至少一部分延伸的狹縫，微波導(dǎo)延伸進(jìn)入該諧振腔，從而微波可以經(jīng)由前述狹縫出射至由圓柱形內(nèi)壁所圍成的腔，其中諧振器包繞著襯底管的至少一部分并可以沿著襯底管的縱軸前后移動，其特征在于通過緊配合使中空的內(nèi)管對著諧振腔的圓柱形內(nèi)壁放置，該內(nèi)管沿著諧振腔長度的至少一部分而沿圓柱軸延伸，并且其對微波透明，該內(nèi)管具有以至于襯底管能夠安置在內(nèi)管內(nèi)部的直徑。
2、 依照權(quán)利要求1的裝置，特征在于內(nèi)管沿著圓柱軸延伸至諧 振器的外部。
3、 依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，特征在于內(nèi)管以這 種方式連接至諧振器該內(nèi)管可以沿著襯底管的縱軸與諧振器同步地移動o
4、 依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，特征在于內(nèi)管的長 度小于襯底管的長度。
5、 依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，特征在于內(nèi)管的長 度最大是諧振器長度的兩倍。
6、 依照權(quán)利要求1-5的裝置，特征在于內(nèi)管在一端配置有內(nèi)環(huán)。
7、 依照權(quán)利要求6的裝置，特征在于內(nèi)管在兩端都配置有這種 內(nèi)環(huán)。
8、 依照權(quán)利要求6-7的裝置，特征在于襯底管的外徑和內(nèi)環(huán)的 內(nèi)徑的差最大是3 mm。
9、 依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，特征在于內(nèi)管配置有 一個或多個沿著環(huán)繞內(nèi)管壁的圓周的 一部分延伸的開口 。
10、 依照權(quán)利要求9的裝置，特征在于所述一個或多個開口位于 諧振腔的圓柱形內(nèi)壁中的狹縫的附近。
11、 依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，特征在于該微波導(dǎo) 設(shè)置有供應(yīng)氣體至由諧振腔的圓柱形內(nèi)壁和內(nèi)管所圍成的空間的設(shè)備。
12、 依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，特征在于諧振腔的 圓柱形壁中的該狹縫在環(huán)繞圓柱軸的整個圓周上延伸，其中該圓周 的一部分用遮蔽元件中斷。
13、 依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，特征在于內(nèi)管是由 熔點高于1000。C的石英玻璃制成。
14、 依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，特征在于內(nèi)管的內(nèi) 徑沿著它的長度變化。
15、 一種通過等離子體化學(xué)氣相沉積來制造光學(xué)預(yù)制件的方法， 其中使用依照前述任一個或多個權(quán)利要求的裝置，使摻雜或未摻雜 的玻璃成形氣體通過細(xì)長玻璃襯底管的內(nèi)部，同時在襯底管的內(nèi)部 建立用以形成玻璃層的沉積條件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相沉積的裝置，依靠該裝置，一層或多層摻雜或未摻雜的氧化硅沉積到細(xì)長的中空玻璃襯底管的內(nèi)部。本發(fā)明進(jìn)一步涉及通過等離子體化學(xué)氣相沉積來制造光學(xué)預(yù)制件的方法，其中使摻雜或未摻雜的玻璃成形氣體通過細(xì)長玻璃襯底管的內(nèi)部，同時在襯底管的內(nèi)部建立使得玻璃層的沉積發(fā)生的條件。
文檔編號C23C16/44GK101298664SQ20081012581
公開日2008年11月5日 申請日期2008年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月1日
發(fā)明者I·米利克維克, J·A·哈特蘇伊克, M·J·N·范斯特拉倫 申請人:德雷卡通信技術(shù)公司