專利名稱：：減少鋁墊刻蝕工藝中鋁腐蝕的方法及相應的鋁墊刻蝕方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種鋁墊刻蝕方法，特別是涉及一種于鋁墊刻蝕工藝中減少鋁腐蝕的方法。M狄鋁墊的干法刻蝕往往通過氯氣(C12)來實現(xiàn)，即利用氯氣與鋁(Al)的反應來生成鋁的氯化物(AlyClx),而后將其通過真空氣泵移除。然而，總會存在一些殘留物，而AlyClx的化學性質十分活潑，4艮容易與空氣中的水反應，而形成鋁的聚合物。而過多的聚合物往往會導致電磁兼容(EM)測試的失敗。因此，現(xiàn)有技術采用氮氣(N2)流來實現(xiàn)殘留物(AlyClx與聚合物)的去除，雖然其可以較好的去除殘留物，但在后續(xù)的濕法刻蝕清理過程中往往會造成鋁的腐蝕，為此，如何改進鋁墊刻蝕工藝，來防止此過程中鋁的腐蝕實為一重要課題。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種鋁墊刻蝕方法，以改善現(xiàn)有鋁墊刻蝕工藝，來防止此過程中鋁的腐蝕。為此，本發(fā)明提供一種減少鋁墊刻蝕工藝中鋁腐蝕的方法，其于完成鋁墊疊層的干法刻蝕并去除光刻膠后，利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流來去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物。進一步的，上述利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物的工藝參數(shù)為8mT/800TCP/180BP/500O2/200N2〃30s,即壓力8mT;源功率800W;偏置功率180W;氣體比率氧氣為500標準毫升/分，氮氣為200標準毫升/分；作用時間30s。進一步的，上述去除光刻膠的過程包括至少四次利用氧氣、氮氣以及水蒸的步驟。進一步的，上述氧氣、氮氣以及水蒸氣的混合等離子體的比率為第一氣體比率氧氣為4000標準毫升/分，氮氣為400標準毫升/分，水蒸氣為400標準毫升/分；或者第二氣體比率氧氣為4000標準毫升/分，氮氣為400標準毫升/分，水蒸氣為2000標準毫升/分。進一步的，上述四次混合等離子體刻蝕中有兩次采用第一氣體比率，兩次采用第二氣體比率。本發(fā)明另提供一種鋁墊刻蝕方法，其包括在一經(jīng)曝光的光刻膠層的保護下，干法刻蝕一鋁塾疊層；去除該鋁墊疊層上的上述光刻膠層；利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物；進行后期濕法刻蝕。進一步的，上述利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物的工藝參凄丈為8mT/800TCP/180BP/500O2/200N2〃30s，即壓力8mT;源功率800W;偏置功率180W;氣體比率氧氣為500標準毫升/分，氮氣為200標準毫升/分；作用時間30s。進一步的，上述去除光刻膠的過程包括至少四次利用氧氣、氮氣以及水蒸氣的混合等離子體進行刻蝕的步驟。進一步的，上述氧氣、氮氣以及水蒸氣的混合等離子體的比率為第一氣體比率氧氣為4000標準毫升/分，氮氣為400標準毫升/分，水蒸氣為400標準毫升/分；或者第二氣體比率氧氣為4000標準毫升/分，氮氣為400標準毫升/分，水蒸氣為2000標準毫升/分。進一步的，上述四次混合等離子體刻蝕中有兩次采用第一氣體比率，兩次采用第二氣體比率。綜上所述，本發(fā)明揭露的鋁墊刻蝕方法，利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物，從而于鋁墊表面形成一層致密的氧化物層，從而避免后期濕法刻蝕中對鋁的腐蝕。另外，其于去除光刻膠的過程中，增加了等離子體刻蝕步驟中水蒸氣的使用次數(shù)，光刻膠去除的同時兼顧了刻蝕過程中產(chǎn)生的聚合物的去除。圖1為本發(fā)明一實施例所提供的鋁墊疊層的截面示意圖2為先前:R術中鋁墊刻蝕方法的流程示意圖3為本發(fā)明一實施例所提供的鋁墊刻蝕方法的流程示意圖4為在光刻膠層的保護下經(jīng)干法刻蝕的鋁墊疊層的截面示意圖。具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步的說明。請參考圖1,其為本發(fā)明一實施例所提供的鋁墊疊層的截面示意圖。如圖所示，該鋁墊疊層包括經(jīng)過曝光處理的光刻膠層100、第一阻擋層200、鋁墊層300、第二阻擋層400以及抗反射層500。其中第一阻擋層200以及第二阻擋層400常常為氮化鈦(TiN)層和氮化鉭(TaN)層，而抗反射層500為SiON層；另夕卜，圖中所示的尺寸為制程中常用的尺寸；在此不再贅述，僅以此為例來說明的實質特征。請參考圖2與圖3，其分別為先前技術中鋁墊刻蝕方法的流程示意圖與本發(fā)明一實施例所提供的鋁墊刻蝕方法的流程示意圖。正如圖中所示，先前技術采用氮氣流來實現(xiàn)殘留物的去除(如圖中(2))或者無此步驟(如圖中(l))，而本實施例于完成鋁墊疊層的干法刻蝕并去除光刻膠后，利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流來去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物。即本實施例所提供的鋁墊刻蝕方法包括如下步驟Sl:在經(jīng)曝光的光刻膠層100的保護下，干法刻蝕鋁墊疊層；S2:去除鋁墊疊層上的光刻膠層100;S3:利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物；S4:進^f亍后期濕法刻蝕。以下詳述各個步驟的實現(xiàn)過程請繼續(xù)參考圖4,其為在光刻膠層100的保護下經(jīng)干法刻蝕的鋁墊疊層的截面示意圖。整個千法刻蝕的工藝流程及工藝參數(shù)如下BT:8mT/800TCP/180BP/80BC13/80C12/8He/l5s纖8mT/800TCP/280BP/100BCB/4CHF3簡C12/8He/EP(111s)OEl:8mT/800TCP/280BP/90BC13/3CHF3/160C12/8He/35sOE2:8mT/800TCP/180BP/80BC13/80C12/8He/30sN2Flush:0mT/0TCP/500Ar/200N2/8He/15sDechuck:8mT/600TCP/450Ar/15s此干法刻蝕工藝為本領域技術人員所熟知，在此不加以詳細描述，在完成以上刻蝕后，去除光刻膠層IOO，而本發(fā)明在去除光刻膠層過程中，改進了工藝參數(shù)，在去除光刻膠層的同時，較好的去除了刻蝕過程中產(chǎn)生的聚合物。請參考以下表1與表2，其分別為先前技術去除光刻膠過程的參數(shù)表與本發(fā)明一實施例所提供的參數(shù)表表l鋁墊刻蝕工藝中光刻膠去除過程工藝參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>表2鋁墊刻蝕工藝中光刻膠去除過程工藝參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>可見，本實施例于去除光刻膠的過程中增加了等離子體刻蝕步驟中水蒸氣的使用次數(shù)，具體為去除光刻膠的過程包括至少四次利用氧氣、氮氣以及水蒸氣的混合等離子體進行刻蝕的步驟，如表2,上述四個步驟分別為步驟3、步驟4、步驟5與步驟6。而步驟3與步驟5中的氣體比率為4000sccm的氧氣(02)、400sccm的氮氣(N2)和400sccm的水蒸氣(H20);步驟4與步驟6中的氣體比率為4000sccm的氧氣(02)、400sccm的氮氣(N2)和2000sccm的水蒸氣(H20)。其中sccm為氣體流量單位，含義為標準狀態(tài)毫升/分。在完成以上光刻膠去除后，進行步驟S3，即利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物，其參數(shù)如下8mT/800TCP/180BP/500O2/200N2〃30s，即壓力8mT;源功率800W;偏置功率180W;氣體比率氧氣為500標準毫升/分，氮氣為200標準毫升/分；作用時間30s。如此，在本實施例中，利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物，從而于鋁墊表面形成一層致密的氧化物層，從而避免后期濕法刻蝕中對鋁的腐蝕。另外，其于去除光刻月交的過程中，增加了等離子體刻蝕步驟中水蒸氣的使用次數(shù)，光刻膠去除的同時兼顧了刻蝕過程中產(chǎn)生的聚合物的去除。以上僅為舉例，并非用以限定本發(fā)明，本發(fā)明所保護的范圍當以權利要求書為準。權利要求1.一種減少鋁墊刻蝕工藝中鋁腐蝕的方法，其特征是，于完成一鋁墊疊層的干法刻蝕并去除光刻膠后，利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流來去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物。2.根據(jù)權利要求1所述的減少鋁墊刻蝕工藝中鋁腐蝕的方法，其特征是，其中上述利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物的工藝參數(shù)為8mT/800TCP/180BP/500O2/200N2〃30s，即壓力8mT;源功率800W;偏置功率180W;氣體比率氧氣為500標準毫升/分，氮氣為200標準亳升/分；作用時間30s。3.根據(jù)權利要求1所述的減少鋁墊刻蝕工藝中鋁腐蝕的方法，其特征是，其中上述去除光刻膠的過程包括至少四次利用氧氣、氮氣以及水蒸氣的混合等離子體進行刻蝕的步驟。4.根據(jù)權利要求3所述的減少鋁墊刻蝕工藝中鋁腐蝕的方法，其特征是，其中上述氧氣、氮氣以及水蒸氣的混合等離子體的比率為第一氣體比率氧氣為4000標準毫升/分，氮氣為400標準毫升/分，水蒸氣為400標準毫升/分；或者第二氣體比率氧氣為4000標準毫升/分，氮氣為400標準毫升/分，水蒸氣為2000標準毫升/分。5.根據(jù)權利要求4所述的減少鋁墊刻蝕工藝中鋁腐蝕的方法，其特征是，其中上述四次混合等離子體刻蝕中有兩次采用第一氣體比率，兩次采用第二氣體比率。6.—種鋁墊刻蝕方法，其特征是，包括在一經(jīng)曝光的光刻膠層的保護下，干法刻蝕一鋁墊疊層；去除該鋁墊疊層上的上述光刻膠層；利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物；進行后期濕法刻蝕。7.根據(jù)權利要求6所述的鋁墊刻蝕方法，其特征是，其中上述利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物的工藝參數(shù)為8mT/800TCP/180BP/500O2/200N2〃30s，即壓力8mT;源功率800W;偏置功率180W;氣體比率氧氣為500標準毫升/分，氮氣為200標準毫升/分；作用時間30s。8.根據(jù)權利要求6所述的鋁墊刻蝕方法，其特征是，其中上述去除光刻膠的過程包括至少四次利用氧氣、氮氣以及水蒸氣的混合等離子體進行刻蝕的步驟。9.根據(jù)權利要求8所述的鋁墊刻蝕方法，其特征是，其中上述氧氣、氮氣以及水蒸氣的混合等離子體的比率為第一氣體比率氧氣為4000標準毫升/分，氮氣為400標準毫升/分，水蒸氣為400標準毫升/分；或者第二氣體比率氧氣為4000標準毫升/分，氮氣為400標準毫升/分，水蒸氣為2000標準毫升/分。10.根據(jù)權利要求9所述的鋁墊刻蝕方法，其特征是，其中上述四次混合等離子體刻蝕中有兩次采用第一氣體比率，兩次采用第二氣體比率。全文摘要本發(fā)明揭露了一種減少鋁墊刻蝕工藝中鋁腐蝕的方法及相應的鋁墊刻蝕方法，于完成一鋁墊疊層的干法刻蝕并去除光刻膠后，利用氧氣與氮氣的混合等離子體氣流來去除刻蝕過程中產(chǎn)生的殘留物。如此，于鋁墊表面形成一層致密的氧化物層，從而避免了后期濕法刻蝕中對鋁的腐蝕。另外，其于去除光刻膠的過程中，增加了等離子體刻蝕步驟中水蒸氣的使用次數(shù)，光刻膠去除的同時兼顧了刻蝕過程中所產(chǎn)生的聚合物的去除。文檔編號C23F1/10GK101590477SQ20081003838公開日2009年12月2日申請日期2008年5月30日優(yōu)先權日2008年5月30日發(fā)明者鳴周,王新鵬申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司