專利名稱：鋁刻蝕的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鋁刻蝕的方法。
背景技術(shù)：
在目前的半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，鋁金屬作為一種常用的電互連的材料，用于形成金屬互聯(lián)線或接觸襯墊等，被廣泛應(yīng)用于集成電路中。現(xiàn)有對(duì)鋁刻蝕的過(guò)程請(qǐng)參考圖I至圖3，包括請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，所述半導(dǎo)體襯底100表面具有鋁層101。請(qǐng)參考圖2，在所述鋁層101表面形成光刻膠層102，所述光刻膠層102暴露出部 分鋁層101表面，所述光刻膠層101定義了需要刻蝕鋁層101的位置。請(qǐng)參考圖3，以光刻膠層102為掩膜，采用干法刻蝕工藝對(duì)所述鋁層101 (如圖2)進(jìn)行刻蝕，形成鋁層101a。所述刻蝕氣體包括氯氣(Cl2)、氯化硼(BCl3)、氬氣(Ar)、氮?dú)?N2)、三氟甲烷(CHF3)和甲烷(CH4)。其中，氯氣作為主要的刻蝕氣體與鋁層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成副產(chǎn)物氯化鋁(AlCl3),再被刻蝕反應(yīng)腔中的氣流帶出反應(yīng)腔。然而，在刻蝕完成之后，鋁層以及光刻膠層表面總會(huì)殘留部分氯離子，所述氯離子極易與鋁反應(yīng)，生成氯化鋁；由于氯化鋁的化學(xué)性質(zhì)活潑，容易與空氣中的水發(fā)生反應(yīng)，形成鋁的聚合物，造成可是后的鋁層的腐蝕，從而影響所形成的半導(dǎo)體器件的性能。更多鋁刻蝕工藝請(qǐng)參考公開號(hào)為CN 101590477A的中國(guó)專利文件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種鋁刻蝕的方法，以防止鋁層在刻蝕過(guò)程被腐蝕，改善鋁刻蝕工藝。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還提供一種鋁刻蝕方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有鋁層；采用干法刻蝕工藝去除部分所述鋁層，所述干法刻蝕的氣體含有氯氣；在干法刻蝕后，采用第一清洗液對(duì)所述刻蝕后的鋁層進(jìn)行沖洗，所述第一清洗液為水或醇類溶液?？蛇x地，采用第一清洗液對(duì)刻蝕后的鋁層進(jìn)行沖洗的時(shí)間為10秒 40秒，所述第一清洗液的流量為2升/分鐘飛升/分鐘，所述清洗液的壓力為20牛 60牛?？蛇x地，所述干法刻蝕的氣體還包括氯化硼、氬氣、氮?dú)?、三氟甲烷和甲烷?？蛇x地，還包括所述鋁層表面具有光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜，干法刻蝕所述鋁層。可選地，還包括在干法刻蝕后，去除所述光刻膠層；在去除光刻膠層后，以所述第一清洗液對(duì)鋁層進(jìn)行沖洗?？蛇x地，還包括在形成光刻膠層之前，在所述鋁層表面形成抗反射層?？蛇x地，所述抗反射層的材料為氮化鈦。
可選地，在采用第一清洗液對(duì)鋁層進(jìn)行沖洗之后，采用第二清洗液對(duì)刻蝕后的鋁層進(jìn)行清洗，所述第二清洗液為酸性溶液或堿性溶液?？蛇x地，所述第二清洗液為硫酸、氫氟酸、ACT或EKC?？蛇x地，還包括在所述半導(dǎo)體襯底和所述鋁層之間形成阻擋層。可選地，所述阻擋層的材料為氮化鉭或氮化鈦。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)施例所述鋁刻蝕方法中，在干法刻蝕后，采用第一清洗液對(duì)所述刻蝕后的鋁層進(jìn)行沖洗，而且所述第一清洗液為水或醇類溶液；由于在刻蝕工藝后，殘留于鋁層的側(cè)壁和表面的氯離子易于被水或醇類溶液中的氫氧根中和，容易在沖洗過(guò)程中被帶走，從而防止了在去除光刻膠層之后，所殘留的氯離子與空氣中的水、以及鋁發(fā)生反應(yīng)而對(duì)刻蝕后的鋁層造成腐蝕，產(chǎn)生氧化鋁等聚合物；從而避免了以所述鋁層電互連的半導(dǎo)體器件性能不穩(wěn)定的問(wèn)題，提高了半導(dǎo)體器件的良率。


圖I至圖3是現(xiàn)有鋁刻蝕過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明鋁刻蝕方法的實(shí)施例的流程示意圖；圖5至圖9是本發(fā)明實(shí)施例的鋁刻蝕過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10是現(xiàn)有的鋁刻蝕完成后對(duì)鋁層進(jìn)行測(cè)試的結(jié)果圖；圖11是本發(fā)明實(shí)施例的鋁刻蝕完成后對(duì)鋁層進(jìn)行測(cè)試的結(jié)果圖。
具體實(shí)施例方式如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有的鋁刻蝕工藝中，容易造成鋁層的腐蝕，使所形成的半導(dǎo)體器件性能不良。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，由于在完成干法刻蝕刻蝕工藝后，由于氯離子無(wú)法被刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)的氣體完全帶離，導(dǎo)致部分氯離子殘留于鋁金屬層的側(cè)壁和表面；由于氯離子化學(xué)性質(zhì)較為活潑，當(dāng)所殘留的氯離子在接觸到空氣中的水分之后，極易發(fā)生與鋁化學(xué)反應(yīng)，如以下方程式所示40Γ+2Η20 — 4HCl+026HC1+2A1 — 2A1C13+3H22A1C13+3H20 — 6HC1+A1203由于發(fā)生上述反應(yīng)時(shí)，已完成干法刻蝕工藝，因此反應(yīng)過(guò)程中產(chǎn)生的AlCl3和Al2O3被殘留于鋁金屬層表面而無(wú)法被氣流帶走；所形成的Al2O3會(huì)破壞鋁金屬的電互連，使所形成的半導(dǎo)體器件性能不良。由上述方程式可知，為了避免鋁金屬的腐蝕，需要在刻蝕完成后去除氯離子或水，以防止與鋁發(fā)生進(jìn)一步的反應(yīng)造成腐蝕；然而，由于空氣中的水難以避免，且難以被去除，因此，如何在刻蝕完成后去除殘留的氯離子是防止腐蝕的關(guān)鍵問(wèn)題。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過(guò)進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)完成干法刻蝕工藝之后，采用水或醇類溶液對(duì)所述鋁層進(jìn)行沖洗；由于干法刻蝕后，殘留于鋁層側(cè)壁和表面的氯離子易于被水或醇類溶液中的氫氧根中和，而且通過(guò)沖洗能夠帶走所殘留的氯離子，從而避免了氯離子與空氣中的水以及鋁發(fā)生反應(yīng)而形成聚合物；使所形成的半導(dǎo)體器件性能更為穩(wěn)定。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。圖4是本發(fā)明鋁刻蝕方法的實(shí)施例的流程示意圖，包括步驟步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有鋁層，所述鋁層表面具有光刻膠層；步驟S102，以所述光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述鋁層，直至暴露出半導(dǎo)體襯底；步驟S103，在干法刻蝕后，去除所述光刻膠層；步驟S104，在去除光刻膠層后，采用第一清洗液對(duì)所述刻蝕后的鋁層進(jìn)行沖洗，所述第一清洗液為水或醇類溶液； 步驟S105，在采用第一清洗液對(duì)鋁層進(jìn)行沖洗之后，采用第二清洗液對(duì)刻蝕后的鋁層進(jìn)行清洗，所述第二清洗液為酸性溶液或堿性溶液。以下將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明鋁刻蝕方法的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，圖5至圖9是本實(shí)施例的鋁刻蝕過(guò)程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖5，提供半導(dǎo)體襯底200，所述半導(dǎo)體襯底200表面具有鋁層201，所述鋁層201表面具有光刻膠層202。所述半導(dǎo)體襯底200用于為后續(xù)工藝提供工作平臺(tái)，所述半導(dǎo)體襯底200的材料為硅、硅鍺、碳化硅、絕緣體上硅或III-V族化合物(氮化硅或砷化鎵等)。所述鋁層201用于形成半導(dǎo)體器件中的互聯(lián)線或接觸點(diǎn)，所述鋁層201的形成工藝為化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積；由于在后續(xù)工藝刻蝕所述鋁層201時(shí)，主要的刻蝕氣體為氯氣，而在刻蝕完成后，殘余在所述鋁層201表面的氯離子會(huì)與空氣中的水一起腐蝕所述鋁層201，并形成聚合物而影響所形成的半導(dǎo)體器件的性能；因此，需要在后續(xù)刻蝕完成之后，去除殘余在鋁層201表面的氯離子以避免腐蝕。在本實(shí)施例中，在形成鋁層201之前，在所述半導(dǎo)體襯底200表面形成阻擋層203，所述阻擋層203的材料為氮化鉭或氮化鈦，所述阻擋層203用于在后續(xù)刻蝕工藝中作為刻蝕停止層；當(dāng)后續(xù)的刻蝕工藝刻蝕至所述阻擋層203時(shí)，即刻蝕位置接近所述半導(dǎo)體襯底200，在進(jìn)行一定的過(guò)刻蝕即可暴露出半導(dǎo)體襯底200表面，從而減少了后續(xù)刻蝕工藝對(duì)半導(dǎo)體表面的損傷，使所形成的半導(dǎo)體器件更為穩(wěn)定。所述光刻膠層202用于定義需要鋁層201需要刻蝕的位置，所述光刻膠層202的形成步驟為在所述鋁層201表面通過(guò)旋涂工藝涂布光刻膠薄膜；熱處理所述光刻膠薄膜后，對(duì)所述光刻膠薄膜進(jìn)行曝光，暴露出后續(xù)需要刻蝕的光刻膠薄膜表面；在曝光后，再次熱處理所述光刻膠薄膜，形成光刻膠層202。在本實(shí)施例中，在形成光刻膠層202之前，在所述鋁層201表面形成抗反射層204，所述抗反射層204的材料為氮化鈦或氮氧化硅；所述抗反射層204用于防止在對(duì)光刻膠薄膜曝光的過(guò)程中，由于所述鋁層201表面不平坦而造成的入射光的反射，而所述入射光反射回影響曝光效果；所述抗反射層204能夠吸收光波，從而避免了穿過(guò)所述光刻膠薄膜的光發(fā)生反射。請(qǐng)參考圖6，以所述光刻膠層202為掩膜，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述鋁層201(如圖5)，直至暴露出半導(dǎo)體襯底200，形成鋁層201a。
所述干法刻蝕為各向異性的干法刻蝕工藝，刻蝕氣體為氯氣、氯化硼、氬氣、氮?dú)?、三氟甲烷和甲烷；所述干法刻蝕的功率為200瓦-400瓦，刻蝕腔的壓強(qiáng)為30毫托-200毫托，刻蝕溫度為40攝氏度-60攝氏度。其中，氯氣作為主要的刻蝕氣體，氯氣通過(guò)與鋁層201發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成可揮發(fā)的氯化鋁后，被刻蝕腔中的氣流帶出刻蝕腔。其次，刻蝕氣體中的氯化硼和氬氣用于垂直轟擊鋁層201表面，達(dá)到各向異性刻蝕的目的；其中，由于所述鋁的化學(xué)性質(zhì)比較活潑，容易在所述鋁層201a的表面和側(cè)壁形成氧化鋁，而所述氯化硼能夠還原所述氧化鋁，從而提高刻蝕效率。
再次，刻蝕氣體中的氮?dú)狻⑷淄楹图淄樽鳛殁g化氣體；其中，所述氮?dú)馀c鋁層201a反應(yīng)，在鋁層201a側(cè)壁形成鈍化層；另外，三氟甲烷和甲烷與光刻膠層202反應(yīng)，在所述光刻膠層202的側(cè)壁形成鈍化層，從而在刻蝕過(guò)程中，保護(hù)光刻膠層202和鋁層201a的側(cè)壁不受損傷，使刻蝕后的圖形更為精確。然而，在刻蝕完成后，刻蝕工藝過(guò)程中產(chǎn)生的氯離子無(wú)法完全通過(guò)刻蝕腔內(nèi)的氣體被帶走，而被殘留于所述鋁層201a的表面和側(cè)壁；當(dāng)后續(xù)去除光刻膠層202后，所述氯離子接觸到空氣中的水之后，容易與鋁層201a發(fā)生反應(yīng)，生成氧化鋁積聚在所述鋁層201a的表面和側(cè)壁，即鋁層201a發(fā)生腐蝕；鋁層201a的腐蝕容易導(dǎo)致所形成的半導(dǎo)體器件短路或不穩(wěn)定；又由于空氣中的水無(wú)法避免，因而在刻蝕完成之后，需要去除殘留的氯離子以避免鋁層201a發(fā)生腐蝕。在本實(shí)施例中，在采用干法刻蝕工藝額刻蝕所述鋁層之前，采用干法刻蝕工藝去除所述抗反射層204，并暴露出所述鋁層201表面；當(dāng)采用干法刻蝕所述鋁層201a直至所述阻擋層203時(shí)，進(jìn)行過(guò)刻蝕，去除刻蝕鋁層201a的殘留物，并去除所述阻擋層203直至暴露出半導(dǎo)體襯底200為止。請(qǐng)參考圖7，在干法刻蝕后，去除所述光刻膠層202 (如圖6)。所述去除光刻膠層202的方法為濕法去膠或干法去膠；濕法去膠時(shí)，采用酸性溶液、堿性溶液或有機(jī)溶液去除光刻膠層202，例如丙酮；干法去膠時(shí)，采用氧氣等離子體去膠。由于氯離子不易溶于酸性溶液、堿性溶液或有機(jī)溶液，而且在難以完全與光刻膠層202 —起被去除，因此殘留于所述鋁層201a表面和側(cè)壁的氯離子難以在濕法去膠的過(guò)程中被帶走；在后續(xù)工藝中需要采用第一清洗液進(jìn)行沖洗，以去除所殘余的氯離子。請(qǐng)參考圖8，在去除光刻膠層202 (如圖6)后，采用第一清洗液205對(duì)所述刻蝕后的鋁層201a進(jìn)行沖洗，所述第一清洗液205為水或醇類溶液。采用第一清洗液205對(duì)鋁層201a進(jìn)行沖洗的時(shí)間為10秒 40秒，所述第一清洗液205的流量為2升/分鐘飛升/分鐘，所述清洗液的壓力為20牛 60牛。第一清洗液205為水時(shí)，所殘留的氯離子極易與水反應(yīng)而生成穩(wěn)定的化合物氯化氫(HCl);所述水為純水或去離子水，由于純水或去離子水中不含有其他雜質(zhì)離子，在反應(yīng)過(guò)程中無(wú)其他雜質(zhì)離子影響反應(yīng)過(guò)程，有利于氯離子溶于第一清洗液205中，并通過(guò)以水沖洗的方式被帶走；第一清洗液205為醇類溶液時(shí)，氯離子能夠與醇類溶液中的氫氧根反應(yīng)生成穩(wěn)定的化合物氯化氫(HCl )，從而氯離子能夠通過(guò)醇類溶液的沖洗被帶走，其反應(yīng)過(guò)程為2C1_+20H_ — 2HCl+02 ;所述醇類溶液包括甲醇、乙醇、丙醇或其他高分子醇類。
所述沖洗的時(shí)間為10秒 40秒，本發(fā)明的發(fā)明人通過(guò)研究發(fā)現(xiàn)，在進(jìn)行大于10秒的沖洗，能夠保證氯離子充分溶于水或醇類溶液中；若短于10秒，所殘留的氯離子會(huì)無(wú)法充分溶于第一清洗液205中，導(dǎo)致無(wú)法通過(guò)沖洗帶走所有殘留的氯離子；其次，沖洗的時(shí)間小于40秒時(shí)，由于沖洗時(shí)間較短，鋁層201a來(lái)不及與氯離子和水反應(yīng)生成氧化鋁等聚合物，而氯離子已充分溶于第一清洗液205中，從而能夠通過(guò)沖洗帶走所述氯離子。采用第一清洗液205進(jìn)行沖洗時(shí)的流量為2升/分鐘飛升/分鐘，所述清洗液的壓力為20牛飛O牛，流量和壓力均較大；在10秒 40秒的沖洗時(shí)間內(nèi)，充分溶于第一清洗液205中的氯離子能夠通過(guò)大流量和大壓力的第一清洗液205被及時(shí)帶走，同時(shí)避免了氯離子附著于鋁層201a表面而造成腐蝕。在本實(shí)施例中，當(dāng)在刻蝕腔中完成干法刻蝕工藝后，在所述刻蝕腔中通入第一清洗液205對(duì)所述鋁層201a進(jìn)行沖洗，能夠節(jié)省工藝步驟和時(shí)間。 請(qǐng)參考圖9，在采用第一清洗液205 (如圖8)對(duì)鋁層201a進(jìn)行沖洗之后，采用第二清洗液206對(duì)刻蝕后的鋁層201a進(jìn)行清洗，所述第二清洗液206為酸性溶液或堿性溶液。所述第二清洗液206用于清洗在干法刻蝕工藝，以及去除光刻膠工藝中殘留與所述鋁層201a表面和側(cè)壁的除氯離子之外的副產(chǎn)物；所述副產(chǎn)物包括干法刻蝕工藝過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng)物、以及物理轟擊的殘留物，去光刻膠工藝中所殘留的光刻膠與去膠溶液的反應(yīng)物；所述第二清洗液206為硫酸、氫氟酸、ACT或EKC，能夠溶解所殘留的有機(jī)物和無(wú)機(jī)物，從而達(dá)到清洗的目的；其中，所述ACT和EKC為有機(jī)溶液，所述ACT包括二甲亞砜(DMS0)、N- 二甲基乙酰胺(ΝΕΑ)、乙醇胺(MEA)和N-甲基吡咯烷酮(NMP)等，所述EKC包括羥氨、單乙醇胺和異丙醇胺等。由于氯離子難以與所述第二清洗液206反應(yīng)而溶于所述第二清洗液206中，因此所述以第二清洗液206清洗鋁層201a的步驟無(wú)法去除殘留于所述鋁層201a表面和側(cè)壁的氯離子，從而需要在以所述第二清洗液206清洗所述鋁層201a之前以第一清洗液205 (如圖8)對(duì)鋁層201a進(jìn)行沖洗。在其另一實(shí)施例中，在去除光刻膠層202 (如圖6)之后，采用第二清洗液206對(duì)刻蝕后的鋁層201a進(jìn)行清洗；再以第二清洗液206清洗之后，采用第一清洗液205 (如圖8)對(duì)鋁層201a進(jìn)行沖洗；由于所述第二清洗液206為硫酸、氫氟酸、ACT或EKC，氯離子不會(huì)溶于所述第二清洗液中，從而難以在采用第二清洗液206清洗的過(guò)程中無(wú)法完全被帶走，依舊會(huì)殘留一部分氯離子于附著于鋁層201a表面；從而需要再采用第一清洗液205進(jìn)行沖洗，所述第一清洗液205為水或醇類溶液，采用第一清洗液205對(duì)鋁層201a進(jìn)行沖洗的時(shí)間為1(Γ40秒，所述第一清洗液205的流量為2飛升/分鐘，所述清洗液的壓力為2(Γ60牛；在大流量和大壓力的沖洗下，氯離子能夠在1(Γ40秒內(nèi)完全溶于第一清洗液205中，并被帶走。請(qǐng)參考圖10和圖11，圖10是現(xiàn)有的鋁刻蝕完成后對(duì)鋁層進(jìn)行測(cè)試的結(jié)果圖，由于現(xiàn)有技術(shù)在鋁刻蝕過(guò)程中，未采用第一清洗液205進(jìn)行沖洗，因此在刻蝕后的鋁腐蝕嚴(yán)重；圖11是本發(fā)明的發(fā)明人在采用第一清洗液205 (如圖8)對(duì)鋁層201a沖洗20秒，并采用第二清洗液206對(duì)刻蝕后的鋁層201a進(jìn)行清洗后，將所述半導(dǎo)體襯底200和鋁層201a烘干，并靜置48小時(shí)，在對(duì)所述鋁層201a進(jìn)行測(cè)試的結(jié)果，由圖11可知，所述鋁層201a的側(cè)壁和表面平整光滑，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)鋁腐蝕發(fā)生。
本實(shí)施例中，在完成干法刻蝕并去除光刻膠層202之后，對(duì)所述鋁層201a以第一清洗液205進(jìn)行沖洗，所述第一清洗液為水或醇類溶液，能夠有效地使干法刻蝕后殘留于所述鋁層201a表面和側(cè)壁的氯離子溶于水或醇類溶液中，并通過(guò)沖洗被完全帶走；從而避免了所述氯離子與空氣中的水接觸反應(yīng)而對(duì)鋁層201a造成腐蝕，使所形成的半導(dǎo)體器件性能穩(wěn)定，良率提聞。綜上所述，本實(shí)施例所述鋁刻蝕方法中，在干法刻蝕后，采用第一清洗液對(duì)所述刻蝕后的鋁層進(jìn)行沖洗，而且所述第一清洗液為水或醇類溶液；由于在刻蝕工藝后，殘留于鋁層的側(cè)壁和表面的氯離子易于被水或醇類溶液中的氫氧根中和，容易在沖洗過(guò)程中被帶走，從而防止了在去除光刻膠層之后，所殘留的氯離子與空氣中的水和鋁發(fā)生反應(yīng)而發(fā)生腐蝕，產(chǎn)生氧化鋁等聚合物；從而避免了以所述鋁層電互連的半導(dǎo)體器件性能不穩(wěn)定的問(wèn)題，提高了半導(dǎo)體器件的良率。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域 技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種鋁刻蝕方法，其特征在于，包括 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有鋁層； 采用干法刻蝕工藝去除部分所述鋁層，所述干法刻蝕的氣體含有氯氣； 在干法刻蝕后，采用第一清洗液對(duì)所述刻蝕后的鋁層進(jìn)行沖洗，所述第一清洗液為水或醇類溶液。
2.如權(quán)利要求I所述鋁刻蝕方法，其特征在于，采用第一清洗液對(duì)刻蝕后的鋁層進(jìn)行沖洗的時(shí)間為10秒 40秒，所述第一清洗液的流量為2升/分鐘飛升/分鐘，所述清洗液的壓力為20牛 60牛。
3.如權(quán)利要求I所述鋁刻蝕方法，其特征在于，所述干法刻蝕的氣體還包括氯化硼、氬氣、氮?dú)狻⑷淄楹图淄椤?br> 4.如權(quán)利要求I所述鋁刻蝕方法，其特征在于，還包括所述鋁層表面具有光刻膠層，以所述光刻膠層為掩膜，干法刻蝕所述鋁層。
5.如權(quán)利要求4所述鋁刻蝕方法，其特征在于，還包括在干法刻蝕后，去除所述光刻膠層；在去除光刻膠層后，以所述第一清洗液對(duì)鋁層進(jìn)行沖洗。
6.如權(quán)利要求4所述鋁刻蝕方法，其特征在于，還包括在形成光刻膠層之前，在所述鋁層表面形成抗反射層。
7.如權(quán)利要求6所述鋁刻蝕方法，其特征在于，所述抗反射層的材料為氮化鈦。
8.如權(quán)利要求4所述鋁刻蝕方法，其特征在于，在采用第一清洗液對(duì)鋁層進(jìn)行沖洗之后，采用第二清洗液對(duì)刻蝕后的鋁層進(jìn)行清洗，所述第二清洗液為酸性溶液或堿性溶液。
9.如權(quán)利要求8所述鋁刻蝕方法，其特征在于，所述第二清洗液為硫酸、氫氟酸、ACT或EKC。
10.如權(quán)利要求I所述鋁刻蝕方法，其特征在于，還包括在所述半導(dǎo)體襯底和所述鋁層之間形成阻擋層。
11.如權(quán)利要求10所述鋁刻蝕方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化鉭或氮化鈦。
全文摘要
一種鋁刻蝕的方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有鋁層，所述鋁層表面具有光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕去除部分所述鋁層；在干法刻蝕后，去除所述光刻膠層；在去除光刻膠層后，采用第一清洗液對(duì)所述刻蝕后的鋁層進(jìn)行沖洗，所述第一清洗液為水或醇類溶液。所述鋁刻蝕方法能夠減少刻蝕完成后鋁層的腐蝕，使所形成的半導(dǎo)體器件良率提高。
文檔編號(hào)C23F4/00GK102820261SQ20121030161
公開日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月22日
發(fā)明者王敬平, 彭精衛(wèi), 許昕睿, 周廣偉 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司