專利名稱：智能化瓷磚真空離子鍍膜設備的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明屬于真空鍍膜技術(shù)領域，具體涉及一種智能化 瓷磚真空離子鍍膜設備。
背景技術(shù)：
市場對建筑陶瓷制品、陶瓷工藝制品表面和氮化鋁陶 瓷基片表面金屬化性能要求愈來愈高，為了使瓷磚等陶瓷制品產(chǎn)品檔 次升級，出現(xiàn)了利用真空鍍膜設備對陶瓷表面進行鍍膜，而現(xiàn)有的真 空鍍膜設備采用的是工頻鐵芯弧焊機進行鍍膜，存在體積大、損耗高、 鍍膜效果差，且操作復雜、生產(chǎn)效率低的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種鍍膜
工藝和操作程序簡單，生產(chǎn)效率高，鍍膜效果好的智能化瓷磚真空離 子鍍膜設備。
本發(fā)明的技術(shù)方案是 一種智能化瓷磚真空離子鍍膜設備，包括 與真空抽氣系統(tǒng)相連的真空室、轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺、均布于真空 室兩側(cè)的電弧金屬離子源和PLC可編程集中控制器，其特征是轉(zhuǎn)件架 式多功能樣品臺與真空室絕緣，氣體離子清洗源的清洗電極位于轉(zhuǎn)件 架式多功能樣品臺上，并與真空室外氣體離子清洗電源相連，電弧金
屬離子源為30個，離子源與鍍件間距為150mm。
其中，所述電弧金屬離子源的電源采用IGBT逆變式開關電源， 工作電壓20-30V，工作電流50-150A。
3所述逆變式開關電源整流部分采用三相全橋整流模塊，濾波部分
由8只470 u f/450v的電解電容d-C8串、并聯(lián)組成，正負極兩端并 聯(lián)30K/12W放電電阻Rt、 R2，直流與交流變換器采用移相控制全橋逆 變結(jié)構(gòu)，開關管VtrVt4分別由兩只IGBT單管并聯(lián)組成，并通過各自 單一分開的柵極電阻與移相控制電路相連，諧振電感Lr與主功率變 壓器T初級線圈串聯(lián)，防偏磁隔直電容采用4只1 y f/630V的CBB電 容G-d2并聯(lián)組成，主功率變壓器T磁芯采用鐵氧體磁芯，變比N=8， 次級采用中心抽頭的全波整流方式。
由于采用上述技術(shù)方案，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有對鍍件進行氣體離 子清洗，鍍膜層的質(zhì)量和效果好；均布于真空室兩側(cè)30個電弧離子 源與鍍件間距為150ram，可最大限度的減少膜層中的微粒，使膜層致 密光亮，增強膜-基結(jié)合力，并大幅度的縮短了膜層鍍制時間；采用 IGBT逆變式開關電源，用陰極電弧光放電離化陰極靶材，與傳統(tǒng)工 頻鐵芯弧焊機相比具有低損耗、體積小，且電源輸出為高頻脈沖波形， 提高了陰極靶材離化率；使薄膜細致，增強了膜-基結(jié)合力的優(yōu)點。
以下結(jié)合附圖和具體實施例來對本發(fā)明的技術(shù)方案做 進一步說明。
圖l是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是

圖1的左視圖。
圖3是本發(fā)明的逆變式開關電源的電路原理圖。
具體實施例方式參考圖l一圖3， 一種智能化瓷磚真空離子鍍膜
設備，包括與真空抽氣系統(tǒng)7相連的真空室4、轉(zhuǎn)件架式多功能樣品 臺5、均布于真空室兩側(cè)的電弧金屬離子源2和PLC可編程集中控制 器，轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺5與真空室絕緣，氣體離子清洗源的清洗 電極6位于轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺5上，并與真空室外氣體離子清洗 電源1相連，電弧金屬離子源2為30個，離子源與鍍件3間距為150mm。 電弧金屬離子源的電源采用IGBT逆變式開關電源，工作電壓20-30V, 工作電流50-150A。逆變式開關電源整流部分采用三相全橋整流模塊， 濾波部分由8只470ii f/450v的電解電容d-Cs串、并聯(lián)組成，正負 極兩端并聯(lián)30K/12W放電電阻R。 R2，直流與交流變換器采用移相控 制全橋逆變結(jié)構(gòu)，開關管Vt廣Vt4分別由兩只IGBT單管并聯(lián)組成，并 通過各自單一分開的柵極電阻與移相控制電路相連，諧振電感Lr與 主功率變壓器T初級線圈串聯(lián)，防偏磁隔直電容釆用4只1 u f/630V 的CBB電容C9-d2并聯(lián)組成，主功率變壓器T磁芯采用鐵氧體磁芯， 變比N-8，次級采用中心抽頭的全波整流方式。
權(quán)利要求
1、一種智能化瓷磚真空離子鍍膜設備，包括與真空抽氣系統(tǒng)(7)相連的真空室(4)、轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺(5)、均布于真空室兩側(cè)的電弧金屬離子源(2)和PLC可編程集中控制器，其特征是轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺(5)與真空室絕緣，氣體離子清洗源的清洗電極(6)位于轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺(5)上，并與真空室外氣體離子清洗電源(1)相連，電弧金屬離子源(2)為30個，離子源與鍍件(3)間距為150mm。
2、 按權(quán)利要求1所述的一種智能化瓷磚真空離子鍍膜設備，其 特征是所述電弧金屬離子源的電源采用IGBT逆變式開關電源，工作 電壓20-30V,工作電流50-150A。
3、 按權(quán)利要求2所述的一種智能化瓷磚真空離子鍍膜設備，其 特征是所述逆變式開關電源整流部分采用三相全橋整流模塊，濾波部 分由8只470^ f/450v的電解電容d-G串、并聯(lián)組成，正負極兩端 并聯(lián)30K/12W放電電阻&、 R2，直流與交流變換器采用移相控制全橋 逆變結(jié)構(gòu)，開關管Vt廠Vt4分別由兩只IGBT單管并聯(lián)組成，并通過各 自單一分開的柵極電阻與移相控制電路相連，諧振電感Lr與主功率 變壓器T初級線圈串聯(lián)，防偏磁隔直電容采用4只1 u f/630V的CBB 電容C9-d2并聯(lián)組成，主功率變壓器T磁芯采用鐵氧體磁芯，變比N =8，次級采用中心抽頭的全波整流方式。
全文摘要
本發(fā)明屬于真空鍍膜技術(shù)領域，具體涉及一種智能化瓷磚真空離子鍍膜設備。一種智能化瓷磚真空離子鍍膜設備，包括與真空抽氣系統(tǒng)相連的真空室、轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺、均布于真空室兩側(cè)的電弧金屬離子源和PLC可編程集中控制器，其特征是轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺與真空室絕緣，氣體離子清洗源的清洗電極位于轉(zhuǎn)件架式多功能樣品臺上，并與真空室外氣體離子清洗電源相連，電弧金屬離子源為30個，離子源與鍍件間距為150mm。具有鍍膜層的質(zhì)量和效果好，低損耗、體積小，膜-基結(jié)合力強的優(yōu)點。
文檔編號C23C14/24GK101525736SQ20081001511
公開日2009年9月9日 申請日期2008年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月4日
發(fā)明者王桂岳 申請人:王桂岳