專利名稱：低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低壓化學(xué)氣相 淀積反應(yīng)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相淀積(CVD)是通過(guò)氣體混合后發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以在硅片表面 淀積膜層的工藝。通常，CVD反應(yīng)系統(tǒng)利用不同的設(shè)計(jì)，以生成具有質(zhì)量 差異的膜。根據(jù)反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)反應(yīng)腔室中壓力的不同，CVD反應(yīng)系統(tǒng)包含常 壓CVD ( APCVD )反應(yīng)系統(tǒng)和低壓CVD ( LPCVD )反應(yīng)系統(tǒng)。與APCVD相比， LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)具有更低的成本、更高的產(chǎn)量及更好的膜性能，繼而得到 更為廣泛的應(yīng)用。
實(shí)際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，應(yīng)用所述LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)完成淀積膜層的操作后，上 述反應(yīng)腔室壁上通常會(huì)形成有沉積物，所述沉積物包括顆粒及具有一定 分布的膜層。為減少所述沉積物，通常需對(duì)反應(yīng)系統(tǒng)進(jìn)行定期清洗。實(shí) 際生產(chǎn)中，未清洗掉的所述沉積物易在反應(yīng)過(guò)程中發(fā)生剝落，剝落的所 述沉積物將隨空氣運(yùn)動(dòng)并停留在晶片上，形成微粒缺陷，進(jìn)而，導(dǎo)致缺 陷和成品率降低。
如何增強(qiáng)微粒去除效果歷來(lái)為業(yè)界所重視，2006年3月8日公開(kāi)的公 開(kāi)號(hào)為CN 1743504A的中國(guó)專利申請(qǐng)中提供了一種反應(yīng)系統(tǒng)性能的改良方 法，通過(guò)在反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)原始?xì)怏w中加入氟曱烷氣體，并將晶片改良為具 有感光材料的晶片，以在反應(yīng)系統(tǒng)壁上產(chǎn)生不容易松動(dòng)落下的緊密高分 子聚合物，可保持反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)的工藝狀態(tài)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)改善微粒污染的目 的。
然而，應(yīng)用上述方法優(yōu)化;徵粒去除效果時(shí)，需引入新的反應(yīng)氣體，且 需將晶片改為具有感光材料的晶片(如在所述晶片表面涂覆光致抗蝕劑 層)，工藝復(fù)雜。實(shí)踐中，基于生產(chǎn)和安全的考慮，大多采用原位清洗的方法對(duì)所述反應(yīng)系統(tǒng)進(jìn)行定期清洗。對(duì)于LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)，可采用能與反應(yīng)腔室壁上殘留的膜層及顆粒發(fā)生反應(yīng)的氟化氫氣體作為清洗時(shí)的反應(yīng)氣體，以與殘 留的膜層及顆粒生成揮發(fā)性的生成物并排出系統(tǒng)。當(dāng)前，如圖l所示，LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)包含提供反應(yīng)氣體的氣體源IO、 ATM (auto machine,自動(dòng))流量控制器20、氣體噴方文裝置30以及反應(yīng)腔室 40,所述氣體源IO、 ATM流量控制器20和氣體噴放裝置30通過(guò)氣體管路50 順序相接；所述反應(yīng)氣體由所述氣體源10流出，經(jīng)由所述ATM流量控制器 2 O及氣體噴放裝置3O進(jìn)入所述反應(yīng)腔室4 0;所述反應(yīng)系統(tǒng)還包含壓力控 制器60,所述壓力控制器60與氣體管路50相連，以控制進(jìn)入所述ATM流量 控制器20及氣體噴放裝置30的反應(yīng)氣體的壓力。即，氣體源10提供的反 應(yīng)氣體氟化氫經(jīng)由所述氣體管路5 O及ATM流量控制器2 0后，進(jìn)入所述反應(yīng) 腔室40,進(jìn)入所述反應(yīng)腔室40內(nèi)的反應(yīng)氣體與位于所述反應(yīng)腔室40壁上 的沉積物發(fā)生反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)去除所述沉積物的目的。然而，實(shí)際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，進(jìn)入所述ATM流量控制器20的氟化氫氣體的穩(wěn) 定性較差，而不穩(wěn)定的氟化氫氣體易造成在清洗上述LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)時(shí)， 難以均勻地去除殘留于所述反應(yīng)腔室4 O壁上的沉積物，致j吏-徵粒去除效 果有限，如何增強(qiáng)進(jìn)入所述流量控制器的氟化氫氣體的穩(wěn)定性成為本領(lǐng) 域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供了 一種低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，可增強(qiáng)進(jìn)入其 內(nèi)的流量控制器的氟化氫氣體的穩(wěn)定性。本實(shí)用新型提供的一種低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，包含提供反應(yīng) 氣體的氣體源、流量控制器、氣體噴放裝置以及反應(yīng)腔室，所述氣體源、 流量控制器和氣體噴放裝置通過(guò)氣體管路順序相接；所述反應(yīng)氣體由所 述氣體源流出，經(jīng)由所述流量控制器及氣體噴放裝置進(jìn)入所述反應(yīng)腔室；所述反應(yīng)系統(tǒng)還包含壓力控制器，所述壓力控制器與連接氣體源和 流量控制器的氣體管路以及連接流量控制器和氣體噴放.裝置的氣體管
路分別相連；所述流量控制器為低壓流量控制器。
可選地，所述低壓流量控制器可承受的反應(yīng)氣體的壓力范圍為
100~ 760托；可選地，所述低壓流量控制器為FC-PA786CT-BF-P30046; 在所述氣體源和流量控制器之間的氣體管路外壁還連接有用以加熱流 經(jīng)所述氣體管路的反應(yīng)氣體的控溫裝置；可選地，所述控溫裝置與所述 氣體管路可拆卸連接；可選地，所述控溫裝置為加熱帶；可選地，所述 加熱帶為FTC5S-35225M;可選地，所述加熱帶數(shù)目為至少一個(gè)；可選地， 所述加熱帶數(shù)目大于一個(gè)時(shí)，與所述氣體管路相連的各所述加熱帶間距 離相等；可選地，流經(jīng)所述氣體管路的反應(yīng)氣體的溫度范圍為45~55 攝氏度。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)
上述技術(shù)方案提供的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，通過(guò)改變流量控制 裝置的類型，即將ATM MFC變換為L(zhǎng)P MFC (低壓流量控制器)，可減小進(jìn) 入所述流量控制裝置的反應(yīng)氣體的壓力，繼而，可減小所述反應(yīng)氣體分 子聚合的可能性，使所述反應(yīng)氣體可被均勻地通入反應(yīng)腔室，即，增強(qiáng) 進(jìn)入所述流量控制器的氟化氫氣體的穩(wěn)定性；
上述技術(shù)方案提供的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，通過(guò)在所述氣體管 路上增加控溫裝置，如加熱帶，可提高所述氣體管路內(nèi)反應(yīng)氣體的溫度， 增強(qiáng)所述反應(yīng)氣體分子的活性，進(jìn)一步減小所述反應(yīng)氣體分子聚合的可 能性，使所述反應(yīng)氣體可被均勻地通入反應(yīng)腔室，進(jìn)一步增強(qiáng)進(jìn)入所述 流量控制器的氟化氫氣體的穩(wěn)定性。


圖1為說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)中低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為說(shuō)明本實(shí)用新型第一實(shí)施例的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a 3b為說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的效果對(duì)比示意圖；圖4為說(shuō)明本實(shí)用新型第二實(shí)施例的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)的 結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為說(shuō)明本實(shí)用新型第二實(shí)施例中應(yīng)用的加熱帶的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
盡管下面將參照附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了 本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述 的本實(shí)用新型而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛教導(dǎo)，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型 的限制。為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì) 描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而 混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以 實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè) 實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜 和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù) 下列說(shuō)明和權(quán)利要求書本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的 是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、 明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)通常涉及熱處理操 作。實(shí)踐中，在所述熱處理操作完成后，上述反應(yīng)系統(tǒng)壁上殘留有沉積 物，如具有一定厚度及分布的膜層及顆粒，所述沉積物極易發(fā)生剝落。 剝落的膜層及顆粒將隨空氣運(yùn)動(dòng)并停留在晶片上，形成微粒缺陷。實(shí)際生產(chǎn)中，為減少微粒缺陷的產(chǎn)生，基于生產(chǎn)和安全的考慮，通常采用原 位清洗對(duì)反應(yīng)系統(tǒng)進(jìn)行定期清洗。實(shí)際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn)，應(yīng)用原位清洗方法清洗反應(yīng)系統(tǒng)時(shí)，難以均勻地去 除殘留于所述反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)壁上的沉積物，致橫_微粒去除效果有限，如何 均勻地去除殘留于所述反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)壁上的沉積物成為本實(shí)用新型的發(fā) 明人渴望解決的主要問(wèn)題。本實(shí)用新型的發(fā)明人分析后認(rèn)為，去除所述沉積物時(shí)反應(yīng)是否均勻與 反應(yīng)氣體通入時(shí)的狀態(tài)相關(guān)，通入狀態(tài)穩(wěn)定的反應(yīng)氣體時(shí)，利于去除反 應(yīng)均勻地進(jìn)行，如何提供狀態(tài)穩(wěn)定的反應(yīng)氣體成為均勻地去除所述沉積 物的指導(dǎo)方向。本實(shí)用新型的發(fā)明人經(jīng)歷分析與實(shí)踐后，提供了 一種LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)， 可增強(qiáng)進(jìn)入所述流量控制器的氟化氫氣體的穩(wěn)定性。如圖2所示，作為本實(shí)用新型的第一實(shí)施例，本實(shí)用新型提供的低壓 化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，包含提供反應(yīng)氣體的氣體源IO、流量控制器22、 氣體噴放裝置30以及反應(yīng)腔室40,所述氣體源IO、流量控制器22和氣體 噴放裝置30通過(guò)氣體管路5O順序相接；所述反應(yīng)氣體由所述氣體源10流 出，經(jīng)由所述流量控制器22及氣體噴放裝置30進(jìn)入所述反應(yīng)腔室40;所 述反應(yīng)系統(tǒng)還包含壓力控制器6 0,所述壓力控制器60與連接氣體源10和 流量控制器22的氣體管路50以及連接流量控制器22和氣體噴放裝置30的 氣體管路50分別相連；特別地，所述流量控制器22為低壓流量控制器。所述反應(yīng)氣體可為氟化氬(HF)。即，氣體源提供的反應(yīng)氣體氟化氫 經(jīng)由所述氣體管路50及LP MFC (低壓流量控制器)后，進(jìn)入所述反應(yīng)腔 室40,進(jìn)入所述反應(yīng)腔室40內(nèi)的氟化氬與位于所述反應(yīng)腔室40壁上的沉 積物發(fā)生反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)去除所述沉積物的目的。換言之，所述反應(yīng)系統(tǒng)可 為專用于利用HF執(zhí)行原位清洗操作的LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)，或者，所述反應(yīng)系 統(tǒng)專用HF執(zhí)行原位清洗操作。應(yīng)用HF執(zhí)行原位清洗操作時(shí)，可在清潔氣體中加入載氣體，如氮
氣(N2)或氬氣(Ar)等；且，考慮到HF對(duì)反應(yīng)腔室40壁可能造成的損 傷，所述反應(yīng)氣體中可同時(shí)通入F2氣體，以減緩HF的腐蝕速率。
作為示例，所述反應(yīng)氣體中包含HF、載氣體N2和F2，具體為HF 含量為49%的HF氣體，其流量范圍為0. 25 ~ 2升/分鐘(slm),如為lslm; F2含量為20%的R與N2的混合氣體，其流量范圍為0. 25 10slm,如為 5slm;載氣體氮?dú)獾牧髁糠秶鸀? ~20slm,如為1. 5slm。
本實(shí)用新型通過(guò)改變流量控制裝置的類型，即將ATM MFC變換為L(zhǎng)P MFC,以利用LP MFC更為精密的性能，使得為獲得經(jīng)由流量控制器后具有 相同壓力的反應(yīng)氣體，進(jìn)入所述流量控制器的反應(yīng)氣體的壓力可被減??； 減小進(jìn)入所述流量控制器的反應(yīng)氣體的壓力，可減小所述反應(yīng)氣體分子 聚合的可能性，使所述反應(yīng)氣體可被均勻地通入反應(yīng)系統(tǒng)，即，增強(qiáng)進(jìn) 入所述流量控制器的氟化氫氣體的穩(wěn)定性。如圖3a和3b所示，應(yīng)用本實(shí) 用新型提供的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)后，可消除由于進(jìn)入所述流量 控制器的反應(yīng)氣體不穩(wěn)定而形成的噪音相，即，應(yīng)用本實(shí)用新型提供的 低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)后，可增強(qiáng)進(jìn)入所述流量控制器的氟化氫氣 體的穩(wěn)定性。
作為示例，實(shí)踐中，為使反應(yīng)氣體經(jīng)由所述流量控制器后獲得40OTorr 的壓力，利用ATMMFC時(shí)，進(jìn)入所述流量控制器的壓力通常需要1000Torr; 而換用LP MFC后，進(jìn)入所述流量控制器的壓力僅需要100 760Torr,如 400 Torr。具體地，所述LP MFC可選用市場(chǎng)有售且可與傳統(tǒng)的LPCVD裝置 共用的任意型號(hào)的產(chǎn)品，如FC-PA786CT-BF-P30046。
此外，考慮到分子運(yùn)動(dòng)的性質(zhì)，本實(shí)用新型的發(fā)明人認(rèn)為，通過(guò)在所 述氣體管路50上增加控溫裝置12,以提高所述氣體管路50內(nèi)反應(yīng)氣體的 溫度，可增強(qiáng)所述反應(yīng)氣體分子的活性，可進(jìn)一步減小所述反應(yīng)氣體分 子聚合的可能性，使所述反應(yīng)氣體可被均勻地通入反應(yīng)腔室40,可進(jìn)一 步增強(qiáng)進(jìn)入所述流量控制器的氟化氬氣體的穩(wěn)定性。具體地，如圖5所示，在所述氣體源10和流量控制器之間的氣體管路50外壁還連接有用以加熱流經(jīng)所述氣體管路50的反應(yīng)氣體的控溫 裝置12。所述控溫裝置12與所述氣體管路50可拆卸連接。所述可拆卸 連接包含粘接、帶式連接或契合式連接；所述可拆卸連接-使所述控溫裝 置12可與所述氣體管路50分離；進(jìn)而可在所述反應(yīng)裝置內(nèi)根據(jù)需要靈 活地增加所述控溫裝置12,而不改動(dòng)所述反應(yīng)裝置。所述控溫裝置12可為加熱帶。所述加熱帶可采用電加熱原理；如 圖4所示，所述加熱帶可包含順序?qū)盈B排列的傳熱層2、均勻排列有絕 緣發(fā)熱線4的絕緣布3 、傳熱層5和保溫層1 ,所述加熱帶還包含通過(guò) 導(dǎo)線與所述絕緣發(fā)熱線4相連的開(kāi)關(guān)6 ,所述開(kāi)關(guān)6可通過(guò)接電裝置8 連通電源，以及與傳熱層2 、絕緣布3 、傳熱層5及/或保溫層1相連 的連接裝置7。所述加熱帶利用絕緣發(fā)熱線4發(fā)熱，將熱量傳遞給氣體 管路中的反應(yīng)氣體，使之溫度升高，以增強(qiáng)所述反應(yīng)氣體分子的活性， 進(jìn)一步減小所述反應(yīng)氣體分子聚合的可能性，實(shí)現(xiàn)進(jìn)入所述流量控制器 的氟化氫氣體的穩(wěn)定性的增強(qiáng)。所述加熱帶可選用任何自制或市場(chǎng)有售的產(chǎn)品，如產(chǎn)品型號(hào)為 FTC5S-35225M的產(chǎn)品。實(shí)踐中，選用的所述加熱帶的it目為至少一個(gè)； 所述貯存腔室包含底壁及由所述底壁向上延伸以環(huán)繞所述底壁的側(cè)壁， 所述加熱帶環(huán)繞貯存所述液態(tài)氟化氬的側(cè)壁，利于所述液態(tài)氟化氫的充 分氣化；所述加熱帶的數(shù)目可根據(jù)產(chǎn)品型號(hào)及工藝條件確定。所述加熱 帶數(shù)目大于一個(gè)時(shí)，與所述氣體管路50相連的各所述加熱帶間距離相 等；或者，所述加熱帶環(huán)繞所述氣體管路50與LP MFC 22的連接處。 所述加熱帶可使流經(jīng)所述氣體管路50的反應(yīng)氣體的溫度范圍為45 ~ 55 攝氏度，如50攝氏度。本實(shí)用新型提供的LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)，通過(guò)改變流量控制裝置的類型， 即將ATM MFC變換為L(zhǎng)P MFC，可減小進(jìn)入所述流量控制裝置的反應(yīng)氣體的 壓力，繼而，可減小所述反應(yīng)氣體分子聚合的可能性，使所述反應(yīng)氣體可被均勻地通入反應(yīng)腔室40,即，增強(qiáng)進(jìn)入所述流量控制器的氟化氫氣 體的穩(wěn)定性；此外，本實(shí)用新型還可使為增強(qiáng)反應(yīng)氣體進(jìn)入所述流量控
制器時(shí)的穩(wěn)定性，對(duì)傳統(tǒng)的LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)的改動(dòng)較小。
本實(shí)用新型提供的LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)，通過(guò)在所述氣體管路上增加控溫 裝置，如加熱帶，可提高所述氣體管路內(nèi)反應(yīng)氣體的溫度，增強(qiáng)所述反 應(yīng)氣體分子的活性，進(jìn)一步減小所述反應(yīng)氣體分子聚合的可能性，使所 述反應(yīng)氣體可被均勻地通入反應(yīng)腔室4 0 ，進(jìn)一步增強(qiáng)進(jìn)入所述流量控制 器的氟化氫氣體的穩(wěn)定性。
盡管通過(guò)在此的實(shí)施例描述說(shuō)明了本實(shí)用新型，和盡管已經(jīng)足夠詳細(xì) 地描述了實(shí)施例，申請(qǐng)人不希望以任何方式將權(quán)利要求書的范圍限制在 這種細(xì)節(jié)上。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)另外的優(yōu)勢(shì)和改進(jìn)是顯而易見(jiàn)的。 因此，在較寬范圍的本實(shí)用新型不限于表示和描述的特定細(xì)節(jié)、表達(dá)的 設(shè)備和方法和說(shuō)明性例子。因此，可以偏離這些細(xì)節(jié)而不脫離申請(qǐng)人總 的實(shí)用新型概念的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，包含提供反應(yīng)氣體的氣體源、流量控制器、氣體噴放裝置以及反應(yīng)腔室，所述氣體源、流量控制器和氣體噴放裝置通過(guò)氣體管路順序相接；所述反應(yīng)氣體由所述氣體源流出，經(jīng)由所述流量控制器及氣體噴放裝置進(jìn)入所述反應(yīng)腔室；所述反應(yīng)系統(tǒng)還包含壓力控制器，所述壓力控制器與連接氣體源和流量控制器的氣體管路以及連接流量控制器和氣體噴放裝置的氣體管路分別相連；其特征在于所述流量控制器為低壓流量控制器。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于 所述低壓流量控制器可承受的反應(yīng)氣體的壓力范圍為100 ~ 760托。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于 所述低壓流量控制器為FC-PA786CT-BF-P30046。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于 在所述氣體源和流量控制器之間的氣體管路外壁還連接有用以加熱流 經(jīng)所述氣體管路的反應(yīng)氣體的控溫裝置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于 所述控溫裝置與所述氣體管路可拆卸連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于 所述控溫裝置為加熱帶。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于 所述加熱帶為FTC5S-35225M。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于 所述加熱帶數(shù)目為至少一個(gè)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于 所述加熱帶數(shù)目大于一個(gè)時(shí)，與所述氣體管路相連的各所述加熱帶間距 離相等。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的低壓化學(xué)氣相淀積反應(yīng)系統(tǒng)，其特征在 于流經(jīng)所述氣體管路的反應(yīng)氣體的溫度范圍為45~55攝氏度。
專利摘要一種LPCVD反應(yīng)系統(tǒng)，包含提供反應(yīng)氣體的氣體源、流量控制器、氣體噴放裝置以及反應(yīng)腔室，所述氣體源、流量控制器和氣體噴放裝置通過(guò)氣體管路順序相接；所述反應(yīng)氣體由所述氣體源流出，經(jīng)由所述流量控制器及氣體噴放裝置進(jìn)入所述反應(yīng)腔室；所述反應(yīng)系統(tǒng)還包含壓力控制器，所述壓力控制器與連接氣體源和流量控制器的氣體管路以及連接流量控制器和氣體噴放裝置的氣體管路分別相連；所述流量控制器為低壓流量控制器?？稍鰪?qiáng)進(jìn)入其內(nèi)的流量控制器的氟化氫氣體的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)C23C16/52GK201136892SQ20072014435
公開(kāi)日2008年10月22日 申請(qǐng)日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者何有豐, 唐兆云, 樸松源, 杰 白 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司